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中南大学材料科学基础位错课后答案-PPT.ppt

上传人:w****g 文档编号:7858752 上传时间:2025-01-23 格式:PPT 页数:27 大小:389.50KB
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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,1,1,解释以下基本概念,肖脱基空位、弗兰克耳空位、刃型位错、螺型位错、混合位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移、位错的攀移、弗兰克,瑞德源、派,纳力、单位位错、不全位错、堆垛层错、位错反应、扩展位错。,位错:以柏氏矢量说明,位错密度:,v,L/V(cm/cm,3,),;,),a,1/S(1/cm,2,),2,2,纯铁的空位形成能为,105kJ/mol.,将纯铁加热到,850,后激冷至室温,(20),,假设高温下的空位能全部保留,试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。,3,解答,利用空位浓度公式计算,Q=105KJ/mol,KAv,(阿伏加德罗常数),1.3810,-23,6.0210,23,8.314J/mol.K,在,T1=850 (1123K),计算,C,1,后激冷至室温可以认为全部空位保留下来,即在,T2=20(293K),计算,C,2,取,A,1,,代入,T2,,,T1,及,Q,,有,C1/C2=6.8467210,13,4,3,计算银晶体接近熔点时多少个结点上会出现一个空位(已知:银的熔点为,960,,银的空位形成能为,1.10eV,,,1ev,),?,若已知,Ag,的原子直径为,0.289nm,,问空位在晶体中的平均间距。,1eV,1.602*10,-19,J,解答,得到,Cv,e,10.35,Ag,为,fcc,,点阵常数为,a=0.40857nm,,,设单位体积内点阵数目为,N,,则,N,4/a,3,,?,单位体积内空位数,Nv,N C,v,若空位均匀分布,间距为,L,,则有,=?,5,4,割阶或扭折对原位错线运动有何影响?,解答:取决于位错线与相互作用的另外的位错的柏氏矢量关系,位错交截后产生“扭折”或“割阶”,“扭折”可以是刃型、亦可是“螺型”,可随位错线一道运动,几乎不产生阻力,且它可因位错线张力而消失,“割阶”都是刃型位错,有滑移割阶和攀移割阶,割阶不会因位错线张力而消失,两个相互垂直螺型位错的交截造成的割节会阻碍位错运动,6,5,如图,某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为,b,的位错环,并受到一均匀切应力,。,分析该位错环各段位错的结构类型。,求各段位错线所受的力的大小及方向。,在,的作用下,该位错环将如何运动?,在,的作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,其最小半径应为多大?,7,解答:,如图所示位错类型,其他部位为混合位错,各段位错线所受的力:,1,b,,方向垂直位错线,在,的作用下,位错环扩展,在,的作用下,若使此位错环在晶体中稳定不动,则,Gb/2R,,其最小半径应为,R,Gb/2,螺型,刃型,8,6,在面心立方晶体中,把两个平行且同号的单位螺型位错从相距,100nm,推进到,3nm,时需要用多少功(已知晶体点阵常数,a=0.3nm,,,G=710,10,Pa,)?,解答:两个平行且同号的单位螺型位错之间相互作用力为:,F=b,Gb,1,b,2,/2r,,,b,1,b,2,,所以,F=Gb,2,/2r,fcc,中,,b=a110/2,0.3nm=0.310,9,m,从相距,100nm,推进到,3nm,时需要功,9,7,在简单立方晶体的(,100,)面上有一个,b=a 001,的螺位错。如果它,(a),被(,001,)面上的,b=a 010,刃位错交割,,(b),被(,001,)面上,b=a 100,的螺位错交割,试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折?,解答,1.,弯折:被,b=a 010,刃位错交割,则交截部分位错沿,010,方向有一段位移(位错线段),此位错线段柏氏矢量仍为,b=a 001,,故决定的新的滑移面为(,100,),故为扭折。,2.,同理,被,a 100,的螺位错交割,则沿,100,方向形成一段位错线段,此位错线段柏氏矢量仍为,b=a 001,,由,100,与,001,决定的滑移面为(,0-10,),故为割阶,a 001,a 010,a 100,10,8,一个,b=a-110/2,的螺位错在(,111,)面上运动。若在运动过程中遇到障碍物而发生交滑移,请指出交滑移系统。,11,(111),-110,(-1-11),(,111,)面上,b=a-110/2,的螺位错运动过程中遇到障碍物而发生交滑移,理论上能在任何面上交滑移,但实际上只能在与原滑移面相交于位错线的,fcc,密排面(滑移面)上交滑移。,故柏氏矢量为,a-110/2,的螺型位错只能在与相交于,-110,的,111,面上交滑移,利用晶体学知识可知柏氏矢量为的螺型位错能在,(-1-11),面上交滑移。,12,在,fcc,晶体的,(-111),面上,全位错的柏氏矢量有哪些?如果它们是螺型位错,能在哪些面上滑移和交滑移?,13,(-111),110,0-11,101,(1-11),如图可知。,fcc,晶体的,(-111),面上全位错的柏氏矢量有,a101/2,、,a110/2,和,a0-11/2,,它们是螺型位错能在原滑移面,(-111),面上滑移,.,理论上能在任何面上交滑移,但实际上在与原滑移面相交于位错线的,fcc,密排面(滑移面)上滑移。故柏氏矢量为,a110/2,的螺型位错只能在与相交于,110,的,111,面上交滑移,利用晶体学知识可知柏氏矢量为,a110/2,的螺型位错能在,(1-11),面上交滑移。,14,9,面心立方晶体中,在,(111),面上的单位位错,a-110/2,,在,(111),面上分解为两个肖克莱不全位错,请写出该位错反应,并证明所形成的扩展位错的宽度由下式给出:(,G,切变模量,,层错能),15,解答思路,发生位错反应:,几何条件:,反应前柏氏矢量,反应后柏氏矢量,能量条件,反应前,反应后,几何条件和能量条件均能满足,16,当两个肖克莱不全位错,a-12-1/6,和,a-211/6,之间排斥力,F,(层错能)时,位错组态处于平衡,夹角,60,(,120,),立方晶系中任意两个晶向,u1v1w1,与,u2v2w2,之间夹角,故,a-12-1/6,和,a-211/6,之间夹角,cos=1/2,故依据位错之间相互作用力,17,位错,2,10,题,,P116,在面心立方晶体中,(,111,)晶面和(,11-1,)晶面上分别形成一个扩展位错:,(111),晶面:,a10-1/2 a11-2/6+a2-1-1/6,(11-1),晶面:,a011/2 a112/6+a-121/6,试问:,(1),两个扩展位错在各自晶面上滑动时,其领先位错相遇发生位错反应,求出新位错的柏氏矢量;,(2),用图解说明上述位错反应过程;,(3),分析新位错的组态性质,18,解 答,(1),位错在各自晶面上滑动时,领先位错相遇,设领先位错为,(111),晶面的,a11-2/6,和,(11-1),晶面的,a112/6,发生位错反应,位错反应为:,a11-2/6,a112/6 a110/3,故新位错的柏氏矢量为,a110/3,19,(111),图解说明位错反应,平面,(111),20,(11-1),平面,(11-1),21,(111),(11-1),1-10,两个平面,(h,1,k,1,l,1,),与,(h,2,k,2,l,2,),相交后交线,即为晶带轴,设为,,满足,hu+kv+lw=0,关系,可得,u+v+w,0,u+v-w,0,求得,uvw,比值,1:-1:0,22,(111),(11-1),11-2/6,112/6,(,111,)面上领先位错,a11-2/6,(,11-1,)面上领先位错,a112/6,23,11-2/6,112/6,110,(111),晶面的,a11-2/6,和,(11-1),晶面的,a112/6,发生位错反应,新位错的柏氏矢量方向为,110,24,(111),(11-1),11-2/6,112/6,1-10,110,新位错柏氏矢量方向,110,与两个滑移面(,111,)(,11-1,)的交线,1-10,垂直,为刃型位错,新位错滑移面为,110,与,1-10,决定的平面,即(,001,)面,不能滑移,25,(111),(11-1),11-2/6,112/6,1-10,110,新位错的组态性质:,新位错柏氏矢量为,a110/3,,而两个位错反应后位错线只能是两个滑移面(,111,)与(,11-1,)的交线,即,1-10,,,即:位错线与柏氏矢量垂直,故为刃型位错,其滑移面为,110,与,1-10,决定的平面,即(,001,)面,也不是,fcc,中的惯常滑移面,故不能滑移。,26,11,总结位错理论在材料科学中的应用,27,解答,可以解释实际强度与理论强度差别巨大原因,可以解释各种强化理论完全消除位错和增加位错强化的各种方式(细晶强化,第二相沉淀强化,加工硬化,固溶强化),凝固中晶体长大方式之一,通过位错运动完成塑性变形,变形中的现象如屈服与应变时效,蠕变等;,空位的形成机制之一,小角晶界模型,固态相变中晶界等优先形核机制,,回复再结晶软化机制,多边化和胞状组织结构,短路扩散机制,断裂裂纹形核机制,
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