MOSFET参数理解及测试项目方法.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,大家好,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,MOSFET,参数理解及,测试项目方法,MOSFET,产品部,MOSFET,简要介绍,MOSFET,（,Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)-,金属,-,氧化物,-,半导体场效应晶体管。,MOSFET,根据导电沟道形成机理可分为：,1,、增强型,2,、耗尽型,MOSFET,根据导电载流子的带电极性可分为：,1,、,PMOS,2,、,NMOS,MOSFET,简要介绍,MOS,管结构及符号图,(a),内部结构断面示意图,(b)N,沟道符号，,P,沟道符号,G,：栅极,D,：漏极,S,：源极,MOSFET,参数理解及测试方法,MOSFET,参数很多，一般,Datasheet,包含以下参数：,极限参数：,V,DS,：额定,漏,-,源电压，此电压的大小由芯片设计决定。,V,GS,：额定栅,-,源电压，此电压的大小由芯片设计决定。,I,D,：额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过,I,D,。特定温度下，此电流的大小由,R,DS,（,ON,）,和封装形式决定，其计算公式如下,：,T,Jmax,：,MOS,最大结点工作温度,150,R,JC,：封装热阻（节点,-,外壳）,T,C,：,Case,表面温度为,25,极限参数,I,DM,：最大脉冲漏源电流。我们通常取,I,DM,=4,I,D,P,D,：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。,T,jmax,：,MOS,最大结点工作温度,150,R,JC,：封装热阻,T,C,：,Case,表面温度为,25,T,j,：最大工作结温。通常为,150,T,STG,：存储温度范围。通常为,-55,150,静态参数,1.V,(BR)DSS,：,漏源（,D-S,）击穿电压，它具有正温度特性。,Test Condition,：,V,GS,=0,，,I,D,=250uA,静态参数,2.I,DSS,漏,-,源（,D-S,）漏电流。一般在微安级,Test Condition,：,V,GS,=0,，,V,DS,=Rated V,DS,3.I,GSS,栅源驱动电流或反向电流。一般在纳安级,Test Condition,：,V,DS,=0,，,V,GS,=Rated V,GS,静态参数,4.V,GS(th),：,开启电压（阀值电压），它具有负温度特性。,Test Condition,：,V,GS,=V,DS,，,I,D,=250uA,静态参数,5.R,DS(ON),：,在特定的,V,GS,（一般为,2.5V or 4.5V or 10V,）及漏极电流,(,我们一般取,1/2Rated I,D,),的条件下，,MOSFET,导通时漏源间的阻抗，具有正温度特性。,雪崩特性参数,功率,MOSFET,在电感型负载回路中，,MOSFET,由开启状态到瞬间关断时，漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中储存能量的同时，也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。,E,AS,：单脉冲雪崩能量,I,AS,：电感峰值电流,I,AR,：单脉冲雪崩电流,雪崩特性参数,雪崩特性波形图（一）,I,AS,=12.6A BV,DSS,=744V,t,p,=2ms,雪崩特性参数,雪崩特性波形图（二）,I,AS,=15A BV,DSS,=768V,t,p,=2.5ms,动态参数,C,iss,：输入电容。,C,iss,=C,GD,+C,GS,C,oss,：输出电容。,C,oss,=C,DS,+C,GD,C,rss,：反向传输电容。,C,rss,=C,GD,Test Condition,：,V,GS,=0,，,V,DS,=10V or 15V or 25 f=1.0MHZ,动态参数,MOSFET,是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的,。,Q,g,：栅极总充电电量。,Q,gs,：栅源充电电量。,Q,gd,：栅漏充电电量。,Test Condition,：,V,DD,=80%Rated V,DS,I,D,=Rated I,D,V,GS,=4.5V(V,GS,12V)or 10V,R,G,=10,动态参数,开关时间,(,Switching Time,),T,d(on),：导通延迟时间,T,r,：上升时间,T,d(off),：关断延迟时间,T,f,：下降时间,Test Condition,：,V,DD,=1/2Rated V,DS,I,D,=1/2 Rated I,D,V,GS,=4.5V(V,GS,12V)or 10V,R,G,=4.7,动态参数,g,m,：跨导,(,单位：,S),g,m,的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，,g,m,为的曲线的斜率；在输出特性曲线上也可求出,g,m,。,寄生二极管特性参数,V,SD,：寄生二极管正向导通电压,测试电路：,T,rr,：二极管反向恢复时间,二极管可视为一种电容。积累的电荷,Qrr,完全放掉需要时间为,Trr,S,G,D,Safe Operating Area,Safe Operating Area,Safe Operating Area,Safe Operating Area,Thank you,结束,