飞思卡尔8位单片机MC9S0811程序GP32单片机Flash在线编程C语言实例.doc

11.4 GP32单片机Flash在线编程C语言实例

本节给出MCU方与汇编语言对应的Flash在线编程的C语言程序，PC机方VB程序不变。
11.4.1 Flash存储器的擦除及写入C语言子函数
Flash存储器的擦除及写入C语言子函数 Flash.C
/*文件描述:本文件包含的子程序为 *
* 1.void EarseFlash(unsigned int addr) *
* Flash擦除子程序 *
* 2.void WriteFlash(unsigned int addr) *
* Flash写入子程序 *
*说 明: *
* 1.用来暂存写入或擦除程序的首末地址的变量pbase, *
* pend;用来暂存待写入或擦除的Flash首地址faddr; *
* 用来存放写入的数据个数N和写入的数据data[]必须 *
* 在main函数中定义,否则将出错 *
* 2.调用擦/写子程序之前先将待擦/写页的后一页开始的 *
* 所有区域写保护 *
*-------------《嵌入式应用技术基础教程》--------------*/
//[包含头文件]
#include "head.h"
#include "GP32C.h"
#include <String.h>
//外部内存变量声明
extern unsigned char N,data[];
extern unsigned int pbase,pend,faddr;
unsigned char PrgOfRam[]; //存放擦/写Flash程序以便执行
//内部调用函数声明
void DoEarseFlash(void);
void DoWriteFlash(void);
/*EarseFlash:擦除指定flash的一页-------------------------------------*
*功 能:擦除以addr为首地址的flash一页 *
*参 数:addr要擦除的首地址 *
*返 回:无 *
*-------------------------------------------------------------------------------*/
void EarseFlash(unsigned int addr)
{
faddr=addr; //擦除flash的首地址
//将擦除程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx #_DoEarseFlash"); //擦除程序的首地址->HX
asm("sthx _pbase"); //HX->内存变量pbase
asm("ldhx #_EarseFlash_END"); //擦除程序的末地址->HX
asm("sthx _pend"); //HX->内存变量pend
memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行擦除程序
asm("ldhx #_PrgOfRam"); //擦除程序在RAM区的首地址
asm("jsr ,X"); //执行RAM区域的擦除程序
}
/*DoEarseFlash:擦除指定flash区-------------------------*
*功 能: 真正执行擦除addr指向的flash区的操作 *
*参 数:无 *
*返 回:无 *
*内部调用:延时函数delay1 (用嵌入汇编调用) *
*-----------------------------------------------------*/
void delay1(void);
void DoEarseFlash(void)
{
unsigned char i;
FLCR=0b00000010; //①1->ERASE,0->MASS(页擦除)
i=FLBPR; //②读FLBPR
*((volatile unsigned char *)faddr)=68; //③任意数->faddr,选中flash页
asm ("bsr _delay1"); //④延时10us
FLCR=0b00001010; //⑤1->HVEN (加高压)
asm ("bsr _delay1"); //延时时间必须>1.6ms
FLCR=0b00001000; //⑦0->Erase
asm ("bsr _delay1"); //⑧10us
FLCR=0b00000000; //⑨0->HVEN(取消高压)
asm ("bsr _delay1"); //⑩延时10us
}
void delay1(void) //延时一定时间,供上述程序调用
{ unsigned char j;
for (j=0;j<10;j++); }
void EarseFlash_END(void) //擦除程序的末地址
{ }
/*WriteFlash:向addr指向的flash区写入数据---------------*
*功 能:向指定flash地址写入数据 *
*参 数:addr要写入的首址 *
*返 回:无 *
*-----------------------------------------------------*/
void WriteFlash(unsigned int addr)
{
faddr=addr; //写入flash的首地址
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
asm("ldhx #_DoWriteFlash"); //写入程序的首地址->HX
asm("sthx _pbase"); //HX->内存变量pbase
asm("ldhx #_WriteFlash_END");//写入程序的末地址->HX
asm("sthx _pend"); //HX->内存变量pend
//将写入程序从Flash区拷贝到RAM区PrgOfRam
memcpy((void *)PrgOfRam,(void *)pbase,pend-pbase);
//在RAM区执行写入程序
asm("LDHX #_PrgOfRam"); //写入程序在RAM的首地址
asm("jsr ,X"); //执行RAM区的写入程序
}
/*DoWriteFlash:实际执行的写入函数----------------------*
*功 能:调入内存执行擦除指定flash地址的数据 *
*参 数:无 *
*返 回:无 *
*内部调用:延时函数delay2(用嵌入汇编调用) *
*-----------------------------------------------------*/
void delay2(void);
void DoWriteFlash(void)
{
unsigned char i;
unsigned char j;
FLCR=0b00000001; //①1->PGM
i=FLBPR; //②读FLBPR
//③任意数->faddr,选中flash行
*((volatile unsigned char *)faddr)=56;
asm ("bsr _delay2"); //④延时10us
FLCR=0b00001001; //⑤1->HVEN
asm ("bsr _delay2"); //⑥延时10us
//⑦将数据写入相应的flash地址
for(i=0;i<N;i++)
{ //数据送入flash地址
*((volatile unsigned char *)faddr+i)=data[i];
for (j=0;j<30;j++); //⑧延时30us,不能调用延时程序
}
FLCR=0b00001000; //⑨0->PGM
asm ("bsr _delay2"); //⑩延时10us
FLCR=0b00000000; //⑾0->HVEN
asm ("bsr _delay2"); //⑿延时6us
}
void delay2(void) //延时一定时间
{ unsigned char j;
for (j=0;j<10;j++); }
void WriteFlash_END(void) //写入程序的末地址
{ }
11.4.2 Flash存储器在线编程C语言主函数
实例编号：C06 路径：\C\C06_Flash编程 (Flash.prj)
/*-----------------------------------------------------*
*工 程 名:Flash.prj *
*硬件连接:无 *
*功 能： *
* 1.等待接收N+1个数,并放入N和data数组中 *
* 2.擦除以addr为首地址的Flash一页,将N个数据写入 *
* 3.从以addr为首址的Flash区读取N个数据，串口发送 *
*说 明: *
* 1.与Visual Basic 6.0 程序Flash_Test.vbp联合运行 *
* 2.擦/写函数中用来暂存写入或擦除程序的首末地址的 *
* 变量pbase,pend;用来暂存待写入或擦除的Flash首 *
* 地址faddr;用来存放写入的数据个数N和写入的数据 *
* data[]必须在main函数中定义,否则将出错 *
* 3.调用擦/写子程序之前先将待擦/写页后一页开始的 *
* 所有区域写保护 *
*------------------------------------------------------*
/*[头文件]*/
#include "SCI.h" //串行通信子程序头文件
#include "GP32C.h" //包含头文件
//函数声明
extern void SCIInit(void); //串行口初始化子程序
extern void EarseFlash(unsigned int addr);
extern void WriteFlash(unsigned int addr);
//内存变量声明
unsigned char N,data[64]; //N:写入FLASH的数据个数
//data:将写入flash的数据
unsigned int pbase,pend,faddr;
//存放将写入或擦除的首地址
//主程序
void main()
{
unsigned char i;
unsigned char *p;
SCIInit(); //调串行口初始化子程序
//主循环开始
while(1)
{
SCISend1(86); //发送握手信号86
//等待接收一个字节的握手信号
if(SCIRe1(p)!=56) //是否是56?
continue; //否,继续握手
//等待接收写入的数据个数(N<=128)并存放到N中
SCIReN(1,data);
N=data[0];
//等待接收N个字节的数据并存放到以data数组中
SCIReN(N,data);
//调用EarseFlash()程序之前要保护后一页之后的区域
//如:EarseFlash(0x8000),则要保护的为$8100后的区域
FLBPR=0b00000010; //保护$8100~$FFFF的FLASH区域
EarseFlash(0x8000); //擦除0x8000为始址的一个页
//调用WriteFlash()程序之前要保护后一页之后的区域
//如:WriteFlash(0x8000),则要保护的为$8100后的区域
FLBPR=0b00000010; //保护$8100~$FFFF的FLASH区域
WriteFlash(0x8000); //将数据写入flash
//读出flash中的数据发给pc机比较
SCISendN(N,(unsigned char *)0x8000);
}
}