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驱动器芯片 TPS28225

一． 芯片特点及用途
1.特点：
23•可以驱动2个N沟道MOSFET有14ns的自适应停滞控制
23•MOSFET栅极控制电压范围：4.5~8.8V 最佳为7~8V
23•输入脉宽调制信号幅度：2.0~13.2V
23•每相电流可以>=40A
23•高频时有14ns的传播延迟和10ns上升下降时间允许Fsw-2MHz
23•能够传播< 30ns PWM脉冲输入
23•低侧可以吸入电阻（0.4Ω）上产生的电流防止MOSFET击穿
23•提供三态脉宽调制（PWM）
23•有热关断功能及UVLO保护
23•含有内部自举二极管
23•高性能替代了流行的三态脉宽调制
2.用途
23•效率要求极高的DC/DC转换器
23•电源稳压器模块
23•笔记本调节器
23•同步整流器的隔离式电源
二、主要参数
TPS28225
VALUE
UNIT
输入供电电压范围, VDD(3)
–0.3 to 8.8

V
Boot电压范围, VBOOT
–0.3 to 33

Phase 电压, VPHASE
DC
–2 to 32 or VBOOT + 0.3 – VDD
Pulse < 400 ns, E = 20 mJ
–7 to 33.1 or VBOOT + 0.3 – VDD
输入电压范围, VPWM, VEN/PG
–0.3 to 13.2

输出电压范围, VUGATE

VPHASE– 0.3 to VBOOT + 0.3, (VBOOT– VPHASE < 8.8)
Pulse < 100 ns, E = 2 mJ
VPHASE– 2 to VBOOT + 0.3, (VBOOT– VPHASE < 8.8)
输出电压范围, VLGATE

–0.3 to VDD + 0.3
Pulse < 100 ns, E = 2 mJ
–2 to VDD + 0.3
ESD rating, HBM
2 k
ESD rating, HBM ESD rating, CDM
500

工作虚拟结温度范围, TJ
–40 to 150

°C
工作环境温度范围, TA
–40 to 125
储存温度, Tstg
–65 to 150
焊接温度 (soldering, 10 sec.)
300

三、主要引脚功能

TERMINAL

I/O

DESCRIPTION
SOIC-8
DRB-8
NAME
1
1
UGATE
O
上端栅极驱动. 连接到上端的N沟道MOSFET的栅极.

2

2

BOOT

I/O
动态的自举引脚。在PHASE与该引脚之间连接了一个自举电容，这个电容为上端的MOSFET充电

3

3

PWM

I
PWM信号的控制输入端。PWM信号可以输入三种不同的状态
4
4
GND
—
略

Exposed die pad
Thermal pad
—
直接连接到更好的热性能和EMI的接地
5
5
LGATE
O
下端栅极驱动. 连接到下端的N沟道MOSFET的栅极.
6
6
VDD
I
至少5V电压供电，与一个旁路电容接到GND

7

7

EN/PG

I/O
使能端/信号端 输入输出有1MΩ的阻抗.，使能控制IC。
该引脚为低电平时驱动电流小于 350mA .如果VDD 低于UVLO门槛或温度过大时这个引脚内部会自动拉为低电平
8
8
PHASE
I
这个引脚连接了上端MOSFET的源极和下端MOSFET的漏极还为上端MOSFET的栅极提供了返回路径

真值表

PIN

VDD RISING < 3.5 V OR TJ > 160°C
VDD FALLING > 3 V AND TJ < 150°C

EN/PG RISING
< 1.7 V
EN/PG FALLING > 1.0 V
PWM < 1 V
PWM > 1.5 V AND TRISE/TFALL < 200 ns
PWM SIGNAL SOURCE IMPEDANCE
>40 kW FOR > 250ns (3-State)(1)
LGATE
0
0
1
0
0
UGATE
0
0
0
1
0
EN/PG
0

四、典型电路
1.单相POL调节器

2.互补驱动MOSFET同步整流驱动器

3.多相同步降压转换器

五、注意事项