W25Q64中文资料.doc

W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 1 - 版本E
64M位
与串行闪存
双路和四路SPI
W25Q64BV
- 2 -
目录
1，一般 DESCRIPTION...............................................................................................................5
2。 FEATURES.......................................................................................................................................5
3引脚配置SOIC208-MIL.......................................... .................................................. 6
4，焊垫配置WSON8X6-MM.......................................... ..............................................6
5，焊垫配置PDIP300-MIL.......................................... .................................................7
6引脚说明SOIC208密耳，PDIP300密耳和WSON8X6-MM................................ 7......
7引脚配置SOIC300mil的.......................................... .................................................. 8
8引脚SOIC封装说明 300-MIL..................................................................................................8
8.1包装 Types.....................................................................................................................9
8.2片选 (/CS)..................................................................................................................9
8.3串行数据输入，输出和IO（DI，DO和IO0，IO1，IO2，IO3）............................. 9.......
8.4写保护 (/WP)...............................................................................................................9
8.5控股 (/HOLD).....................................................................................................................9
8.6串行时钟 (CLK)................................................................................................................9
9座 DIAGRAM..........................................................................................................................10
10功能 DESCRIPTION.......................................................................................................11
10.1 SPI OPERATIONS.............................................................................................................11
10.1.1标准SPI Instructions...................................................................................................11
10.1.2双SPI Instructions..........................................................................................................11
10.1.3四路SPI Instructions.........................................................................................................11
10.1.4保持功能 .....................................................................................................................11
10.2写保护 .......................................................................................................12
10.2.1写保护 Features........................................................................................................12
11，控制和状态寄存器............................................ ............................................13
11.1状态 REGISTER..........................................................................................................13
11.1.1 BUSY..................................................................................................................................13
11.1.2写使能锁存 (WEL)..................................................................................................13
11.1.3块保护位（BP2，BP1，BP0）..................................... ...............................................13
11.1.4顶/底块保护（TB）....................................... .................................................. ..13
11.1.5部门/块保护 (SEC)................................................................................................13
11.1.6状态寄存器保护（SRP，SRP0）....................................... ........................................14
11.1.7四路启用 (QE)..............................................................................................................14
11.1.8状态寄存器内存保护........................................... .........................................16
11.2 INSTRUCTIONS.................................................................................................................17
11.2.1制造商和设备标识........................................... ...................................17
11.2.2指令集表 1........................................................................................................18
W25Q64BV
11.2.3指令表2（阅读说明书）....................................... .................................19
出版日期：2010年7月8日
- 3 - 修订版E
11.2.4写使能 (06h)..............................................................................................................20
11.2.5写禁止 (04h).............................................................................................................20
11.2.6读状态寄存器1（05H）和读状态寄存器2（35H）.............................. .........21
11.2.7写状态寄存器（01H）......................................... .................................................. .....22
11.2.8读取数据 (03h).................................................................................................................23
11.2.9快速阅读 (0Bh).................................................................................................................24
11.2.10快速读双输出（3BH）........................................ .................................................. 0.25
11.2.11快速读四路输出（6BH）........................................ .................................................. 26
11.2.12快速读双I / O (BBh).................................................................................................27
11.2.13快速读取四I/ O (EBh)...............................................................................................29
11.2.14八进制字读取四I/ O（E3H）..................................... ................................................31
11.2.15页编程 (02h).........................................................................................................33
11.2.16四路输入页编程（32H）........................................ ..............................................34
11.2.17扇区擦除（20H） ...........................................................................................................35
11.2.1832KB的块擦除（52H） ...................................................................................................36
11.2.1964KB的块擦除 (D8h)...................................................................................................37
20年2月11日芯片擦除（C7H/ 60h).....................................................................................................38
21年2月11日擦除挂起 (75h)........................................................................................................39
22年2月11日擦除恢复 (7Ah)........................................................................................................40
23年11月2日掉电 (B9h)............................................................................................................41
24年2月11日高性能模式（A3H）......................................... ................................................42
25年2月11日发布掉电或高性能模式/设备ID（ABH）...............................42
26年2月11日读制造商/设备ID（90H）....................................... ........................................44
27年2月11日阅读唯一的ID号（4BH）........................................ .................................................45
28年2月11日读JEDEC的ID (9Fh)......................................................................................................46
29年2月11日连续读取模式复位（FFH或FFFFH）...................................... ..........................47
12，电气特性.............................................. ................................................48
12.1绝对最大 Ratings................................................................................................48
12.2操作范围 ..............................................................................................................48
12.3上电时序和写抑制阈值......................................... ...........................49
12.4直流电气 Characteristics..............................................................................................50
12.5 AC测量条件.............................................. ...............................................51
12.6 AC电气 Characteristics..............................................................................................52
12.7 AC电气特性（续）......................................... ........................................53
12.8串行输出 Timing...........................................................................................................54
12.9输入 Timing........................................................................................................................54
12.10持有 Timing.......................................................................................................................54
13包装 SPECIFICATION..........................................................................................................55
W25Q64BV
13.18引脚SOIC208密耳（包装代号SS）..................................... ......................................55
- 4 -
13.28引脚PDIP300密耳（封装代码DA）..................................... .......................................56
13.38触点WSON8x6毫米（封装代码ZE）....................................... ...........................57
13.416引脚SOIC300密耳（封装代码SF）..................................... .....................................58
14订货 INFORMATION..........................................................................................................59
14.1有效的部件号和顶端标记.......................................... ..............................60
15版本 HISTORY......................................................................................................................61
W25Q64BV
出版日期：2010年7月8日
- 5 - 修订版E
1概述
该W25Q64BV（64M位）串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案
空间，引脚和电源。该25Q系列提供了灵活性和性能远远超过普通的串行
闪存器件。他们是理想的阴影到RAM中的代码，直接从双路/四路SPI执行代码
（XIP）和存储的语音，文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源工作
电流消耗低至4毫安主动和1μA的关机。所有器件均提供节省空间
保存包。
该W25Q64BV阵列是由每256字节可编程32,768页。最多256个字节
可以在一个时间被编程。网页可以在16（扇区擦除）组，128组（32KB被删除
块擦除），256（64KB块擦除组）或整个芯片（芯片擦除）。该W25Q64BV有2,048
可擦除扇区和128可擦除块分别。小4KB扇区允许更大的灵活性
在需要的数据和参数的存储的应用程序。 （见图2）
该W25Q64BV支持标准串行外设接口（SPI）和一个高性能
双核/四输出以及双/四I/ O SPI：串行时钟，片选，串行数据I / O0（DI），I / O1
（DO）的I / O 2（/ WP）和I/ O 3（/ HOLD）。高达80MHz的SPI时钟频率被支持，允许
160MHz的等效时钟频率为使用快速时双输出和320MHz的为四路输出
读双核/四输出指令。这些传输率可以超越标准的异步8
16位并行Flash存储器。连续读取模式允许与高效的内存访问
尽可能少的8个时钟的指令开销读取24位地址，允许真正的XIP（执行到位）
操作。
一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部或底部阵列控制，
提供进一步的控制灵活性。此外，该器件支持JEDEC标准的制造商和
设备标识与64位唯一序列号。
2，特点
•家庭SpiFlash的回忆
- W25Q64BV：64M比特/8M字节（8,388,608）
- 每可编程页256字节
•标准，双路或四路SPI
- 标准的SPI：CLK，/ CS，DI，DO，/ WP，/保持
- 双SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1/ WP，/保持
- 四通道SPI：CLK，/ CS，IO0，IO1，IO2，IO3
•最高性能的串行闪存
- 截至普通串行闪存的6倍
- 80MHz的时钟运行
- 160MHz的等效双SPI
- 320MHz的相当于四SPI
- 40MB/ S的连续数据传输率
•高效“连续读取模式”
- 低开销指令
- 仅仅在8个时钟周期，以解决内存
- 实现了真正的XIP（执行到位）操作
- 胜过X16并行闪存
注1：请联系华邦细节
•低功耗，宽温度范围
- 单2.7到3.6V电源
- 4毫安工作电流<1μA的关断（典型值）。
- 40°C至+ 85°C的工作范围
•灵活的架构与4KB扇区
- 统一扇区擦除（4K字节）
- 块擦除（32K和64K字节）
- 计划一个256字节
- 超过100,000擦除/写周期
- 超过20年的数据保存
•先进的安全特性
- 软件和硬件写保护
- 顶部或底部，部门或块选择
- 向下锁定和OTP保护（1）
- 64位唯一ID为每个设备（1）
•空间高效的包装
- 8引脚SOIC208万
- 8引脚PDIP300万
- 8垫WSON8X6毫米
- 16引脚SOIC300万
- 联系华邦KGD和其他选项
- 6 -
3引脚配置SOIC208-MIL

1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
图1a。 W25Q64BV引脚分配，8引脚SOIC208密耳（包装代号SS）
4，焊垫配置WSON8X6-MM
1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
图1b。 W25Q64BV垫作业，8片WSON8X6毫米（封装代码ZE）
W25Q64BV
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- 7 - 版本E
5，焊垫配置PDIP300密耳
1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
1
2
3
4
8
7
6
5
/ CS
DO（IO1）
/ WP（IO2）
GND
VCC
/保持（IO3）
CLK
DI（IO0）
图1c。 W25Q64BV引脚分配，8引脚PDIP封装（封装代码DA）
6引脚说明SOIC208密耳，PDIP300密耳和WSON8X6-MM
端无。引脚名称I / O功能
1/ CS I片选输入
2 DO（IO1）的I / O数据输出（数据输入输出1）*1
3/ WP（IO2）的I / O写保护输入（数据输入输出2）*2
4 GND接地
5 DI（IO0）的I / O数据输入（数据输入输出0）*1
6 CLK I串行时钟输入
7/ HOLD（110 3）I / O的保持输入（数据输入输出3）*2
8 VCC电源
*1 IO0和IO1用于标准和双SPI指令
* 2 IO0 - IO3用于四路SPI指令
W25Q64BV
- 8 -
7引脚配置SOIC300mil的
1/ HOLD（IO3）
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
N / C
N / C
N / C
N / C
/ CS
DO（IO）
CLK
DI（IO0）
N / C
N / C
N / C
N / C
GND
/ WP（IO）
12
1/ HOLD（IO3）
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
N / C
N / C
N / C
N / C
/ CS
DO（IO）
CLK
DI（IO0）
N / C
N / C
N / C
N / C
GND
/ WP（IO）
12
图1d。 W25Q64BV引脚分配，16引脚SOIC300mil的（包装代号SF）
8引脚说明SOIC300mil的
PAD号。引脚名称I / O功能
1/ HOLD（110 3）I / O的保持输入（数据输入输出3）*2
2 VCC电源
3 N / C无连接
4 N / C无连接
5 N / C无连接
6 N / C无连接
7/ CS I片选输入
8 DO（IO1）的I / O数据输出（数据输入输出1）*1
9/ WP（IO2）的I / O写保护输入（数据输入输出2）*2
10 GND接地
11 N / C无连接
12 N / C无连接
13 N / C无连接
14 N / C无连接
15 DI（IO0）的I / O数据输入（数据输入输出0）*1
16 CLK I串行时钟输入
*1 IO0和IO1用于标准和双SPI指令
* 2 IO0 - IO3用于四路SPI指令
W25Q64BV
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- 9 - 版本E
8.1封装类型
W25Q64BV在一个8引脚塑料208密耳SOIC宽提供的（包代码SS）和8X6毫米WSON
（包代码ZE）在图1a中，和图1b分别如图所示。 300万8引脚PDIP是另一种选择
软件包选择（图1c）。该W25Q64BV还提供16引脚塑料300密耳SOIC宽
如图1D（包代码SF）。包图和尺寸示出在结束时
说明书。
8.2芯片选择（/ CS）
该SPI片选（/ CS）引脚启用和禁用设备的运行。当/ CS为高电平时器件
取消和串行数据输出（DO或IO0，IO1，IO2，IO3）引脚处于高阻抗。当
取消选择，设备的功耗将在待机的水平，除非内部擦除，编程或
状态寄存器周期正在进行中。当/ CS被拉低该设备将被选中，电力
消耗将增加至活性水平与指示可以写入并从读出的数据
设备。上电后，/ CS必须从高过渡到低之前，一个新的指令将被接受。
该/ CS输入必须跟踪上电时VCC电源电平（见“写保护”和图31）。如果
需要上/ CS上的上拉电阻可以被用来实现此目的。
8.3串行数据输入，输出和IO（DI，DO和IO0，IO1，IO2，IO3）
该W25Q64BV支持标准的SPI，双SPI和四路SPI操作。标准的SPI指令使用
单向DI（输入）引脚以串行写指令，地址和数据到设备上的上升
串行时钟（CLK）输入引脚的边缘。标准SPI还使用了单向DO（输出）来读取
从下降沿CLK设备的数据或状态。
双路和四路SPI指令使用双向IO引脚串行写指令，地址或
数据到装置在CLK的上升沿和读的下降沿，从器件数据或状态
CLK。四通道SPI指令需要非易失性四路使能位（QE）的状态寄存器-2进行设置。
当QE=1/ WP引脚变为IO2和/ HOLD引脚变为110 3。
8.4写保护（/ WP）
写保护（/ WP）引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用
随着状态一起注册的块保护（美国证券交易委员会，结核病，BP2，BP1和BP0）位和状态
寄存器保护（SRP）位，部分或整个存储器阵列可以是硬件保障。该/ WP
引脚为低电平有效。当状态的QE位寄存器-2设置为四I/ O的/ WP引脚（硬件写
保护）功能不可用，因为这个引脚用于IO2。参见图1A，1B，1C和1D为销
四I/ O操作的配置。
8.5控股（/ HOLD）
在/ HOLD引脚可同时积极选择的设备被暂停。当/ HOLD变为低电平，
而/ CS为低时，DO引脚将处于高阻抗，在DI和CLK引脚上的信号将被忽略
（不关心）。当/ HOLD拉高，设备操作就可以恢复。在/ HOLD功能可以
有用，当多个设备共享同一SPI信号。在/ HOLD引脚为低电平有效。当
状态的QE位寄存器-2设置为四I/ O的/ HOLD引脚功能不可用，因为该引脚为
用于IO3。参见图1A-D为四I/ O操作的引脚配置。
8.6串行时钟（CLK）
SPI串行时钟输入（CLK）引脚为串行输入和输出操作的时序。 （“见SPI
操作“）
W25Q64BV
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9框图
图2 W25Q64BV串行闪存框图
00FF00h00FFFFH
•块0（64KB）•
0000000000FFh
•
•
•
1FFF00h1FFFFFH
•31座（64KB）•
1F0000h1F00FFh
20FF00h20FFFFh
•32座（64KB）•
200000h2000FFh
•
•
•
3FFF00h3FFFFFh
•63座（64KB）•
3F0000h3F00FFh
40FF00h40FFFFh
•64座（64KB）•
为400000h4000FFh
•
•
•
7FFF00h7FFFFFH