士兰微超结MOS SVSP35NF65P7D3耐压650V35A_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 1 页 35A, 650V 超结 MOS功率管 描述 SVSP35NF65P7D3 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。 此外，SVSP35NF65P7D3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。 特点 35A，650V，RDS(on)（typ.）=85mVGS=10V 创新高压技术 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1231.栅极 2.漏极 3.源极231TO-247-3L 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVSP35NF65P7D3 TO-247-3L P35NF65 无卤 料管 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TA=25C) 参数 符号 参数值 单位 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 35 A TC=100 C 22 漏极脉冲电流 IDM 140 A 耗散功率(TC=25C) - 大于25C每摄氏度减少 PD 298 W 2.4 W/C 单脉冲雪崩能量 （注 1） EAS 1131 mJ 体二极管（注 2） dv/dt 50 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性（注 3） dv/dt 100 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻，底部 RJC - - - 0.42 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 50 C/W 焊接温度（直插式） Tsold 15+2-0 sec, 1time - - 260 C 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明，Tj=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 650 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V,VGS=0V, Tj=25C - - 6.0 A VDS=650V,VGS=0V, Tj=125C - 80 - 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS, ID=250A 2.5 - 4.5 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=17.5A - 85 100 m 栅极电阻 Rg f=1MHz - 1.1 - 输入电容 Ciss VDS=100V, VGS=0V, f=1.0MHz - 2923 - pF 输出电容 Coss - 109 - 反向传输电容 Crss - 20 - 开启延迟时间 td(on) VDD=325V, VGS=10V, RG=1.6, ID=35A (注 4,5) - 28 - ns 开启上升时间 tr - 69 - 关断延迟时间 td(off) - 92 - 关断下降时间 tf - 28 - 栅极电荷量 Qg VDD=520V, VGS=10V, ID=35A (注 4,5) - 139 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 21 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 92 - 栅极-平台电压 Vplateau - 7.1 - V 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 35 A 源极脉冲电流 ISM - - 140 二极管压降 VSD IS=35A, VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=35A, VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 4) - 125 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 0.6 - C 反向恢复峰值电流 Irrm - 10 - A 注：注： 1. L=79mH，IAS=5.0A，VDD=100V，RG=25，开始温度TJ=25C； 2. VDS=0400V，ISD=35A，TJ=25C; 3. VDS=0400V; 4. 脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%； 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性图 3. 传输特性 漏极电流 ID(A)漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDSON)(m)漏极电流 ID(A)图4. 导通电阻 vs. 漏极电流图2. 输出特性漏极电流 ID(A)栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS(ON)（m）栅源电压 VGS(V)图5. 导通电阻vs.栅源电压栅源开启电压 VGS(th)（V）结温 Tj( C)图6. 开启电压vs.温度特性010002010405156020注：1.250S脉冲测试2.TJ=25 C010700520注：1.250S 脉冲测试2.TJ=125 C50103015604020800468100.110001012注：1.250S 脉冲测试2.VDS=30V100-55 C25 C150 C60100020501201040注： TJ=25 C30800400478910500注：1. ID=17.5A300200100651-1005010015020054注：1. ID=250A320-50VGS=5.0VVGS=5.5VVGS=6.0VVGS=7.0VVGS=10VVGS=15VVGS=8.0VVGS=15VVGS=5.0VVGS=5.5VVGS=6.0VVGS=7.0VVGS=8.0VVGS=10VVGS=20VVGS=10VTj=25 CTj=150 C 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 5 页 典型特性曲线（续） 漏源击穿电压 BVDSS（标准化）结温 TJ( C)图 10. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻 RDS(ON)（标准化）图11. 导通电阻vs.温度特性结温 TJ( C)反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图7. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度图 8. 电容特性图9. 电荷量特性漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)总栅极电荷 Qg(nC)漏极电流 - ID(A)图 12. 最大安全工作区域漏源电压- VDS(V)0.80.91.11.0-100-500501002001.21500.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5注：1. VGS=10V2. ID=17.5A0.00.40.61.41.20.11000.81.0110注：1.250S 脉冲测试2.VGS=0V-55 C25 C150 C00015024681012注：ID=35A3060901200.2VDS=520VVDS=325VVDS=130V10-1100101100101102103103DC10ms1ms100s此区域工作受限于RDS(ON)注：TC=25 C102110100100010000100000100200300400500600注：1. VGS=0V2. f=1MHzCissCossCrss电容(pF)Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 6 页 典型特性曲线（续） 漏极电流 ID（A）壳温 TC( C)图14. 最大漏极电流vs.壳温图13. 耗散功率VS.温度耗散功率 PD(W)温度 TC( C)05201025507510015025125007517550100250350125255010015015150200300303540 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号1.1 http: / 共 9 页 第 7 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQgsQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th) 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 8 页 封装外形图 TO-247-3L 单位：毫米 AA2A1Cb2DEE2eLL1Qbb4P 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1Q4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.7521.0015.805.005.44 BSC19.924.305.606.001.912.25b4MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_P3.403.80 重要注意事项重要注意事项： 1. 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。 2. 客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。 3. 我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。 4. 在应用我司产品时请不要超过产品的最大在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 5. 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 6. 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 7. 我司网站我司网站 http: / 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 9 页 产品名称： SVSP35NF65P7D3 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.1 修改记录： 1. 更新电气参数 2. 更新曲线模板，标准化后的封装外形图 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布