超结MOS管国产24A 600V SVSP24N60FJDD2_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 1 页 24A, 600V 超结 MOS功率管 描述 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 N沟 道 增 强 型 高 压 功 率MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为. 此外，SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑. 特点 24A,600V, RDS(on)(典型值)=0.14VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1.栅极 2.漏极 3.源极123TO-262-3L123TO-220F-3L123TO-220-3L123TO-220FJD-3L123TO-3P231 命名规则 士兰D-Well工艺DPMOS产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,10 代表 10A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V,65表示650V封装外形标识例如：FJD:TO-220FJDS V S P X N X X X D X沟道极性标识，N代表N 沟道工艺细分标识缺省：第一代工艺 D2:第二代工艺；D3:第三代工艺工艺版本，P表示钝化PASSIVATION 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVSP24N60FJDD2 TO-220FJD-3L P24N60FJD 无卤 料管 SVSP24N60FD2 TO-220F-3L P24N60FD2 无卤 料管 SVSP24N60PND2 TO-3P P24N60PN 无卤 料管 SVSP24N60TD2 TO-220-3L P24N60TD2 无卤 料管 SVSP24N60KD2 TO-262-3L P24N60KD2 无卤 料管 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数名称 符号 参数范围 单位 SVSP24N60 F/FJDD2 SVSP24N60 PND2 SVSP24N60 TD2/KD2 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 24 A TC=100 C 15 漏极脉冲电流 IDM 96 A 耗散功率(TC=25C) - 大于25C每摄氏度减少 PD 47 240 208 W 0.38 1.9 1.7 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 1062 mJ 反向二极管 dv/dt（注 2 dv/dt 15 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性（注 3） dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数名称 符号 参数范围 单位 SVSP24N60 F/FJDD2 SVSP24N60 PND2 SVSP24N60 TD2/KD2 芯片对管壳热阻 RJC 2.66 0.52 0.6 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 50 62.5 C/W 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 600 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V, VGS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS, ID=250A 2.0 - 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=12A - 0.14 0.16 栅极电阻 Rg f=1.0MHz - 2.6 - 输入电容 Ciss VDS=100V VGS=0V, f=1.0MHz - 1480 - pF 输出电容 Coss - 84 - 反向传输电容 Crss - 4.8 - 开启延迟时间 td(on) VDD=300V, VGS=10V, RG=25, ID=24A (注 4,5) - 21 - ns 开启上升时间 tr - 74 - 关断延迟时间 td(off) - 213 - 关断下降时间 tf - 65 - 栅极电荷量 Qg VDD=480V, VGS=10V, ID=24A (注 4,5) - 49 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 12 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 25 - 源-漏二极管特性参数 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 24 A 源极脉冲电流 ISM - - 96 二极管压降 VSD IS=24A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr VDD=50V, IF=24A, dIF/dt=100A/s (注 4) - 442 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 7.0 - C 注：注： 1. L=79mH，IAS=4.8A，VDD=100V，RG=25，开始温度TJ=25C； 2. VDS=0400V，ISD=24A，TJ=25C； 3. VDS=0480V； 4. 脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%； 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 4 页 典型特性曲线 图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 ID(A)051020漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)01046栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS(ON)(m)漏极电流 ID(A)图3. 导通电阻vs.漏极电流00.20.40.61.21.0反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度注：1.250S脉冲测试2.VDS=30V0.1110010-55 C25 C150 C0.11100100.8注：1.250S脉冲测试2.VGS=0V80300050500202001001030注：TC=25 CVGS=20V图5. 电容特性漏源电压 VDS(V)电容(pF)02006001100000101000100100图6. 电荷量特性总栅极电荷 Qg(nC)栅源电压 VGS(V)00102060VDS=480VVDS=300VVDS=120V24681012405030注： ID=24A1510405060203002400VGS=4VVGS=5VVGS=6VVGS=7VVGS=9VVGS=10VVGS=11V注：1.250S 脉冲测试2.TC=25 C-55 C25 C150 C40注：1. VGS=0V2. f=1MHzCissCossCrssVGS=10V10000300400500Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 5 页 典型特性曲线（续） 0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化） BVDSS结温 TJ( C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） RDS(ON)图8. 导通电阻vs.温度特性结温 TJ( C)1.2150注：1. VGS=0V2. ID=250A0.01.02.0-100-500501002003.01501.510-210-1100101100101102103103漏极电流 - ID(A)图9-1. 最大安全工作区域(SVSP24N60F/FJDD2)漏源电压 - VDS(V)注：1. VGS=10V2. ID=12.0A0.52.5DC10ms1ms100s此区域工作受限于RDS(ON)102图9-2. 最大安全工作区域(SVSP24N60PND2)注：TC=25 C10-2101100101100101102103103DC10ms1ms100s此区域工作受限于RDS(ON)102注：TC=25 C漏极电流 - ID(A)漏源电压 - VDS(V)图9-3. 最大安全工作区域(SVSP24N60T/KD2)10-210-1100101100101102103103DC10ms1ms100s此区域工作受限于RDS(ON)102注：TC=25 C漏极电流 - ID(A)漏源电压 - VDS(V) 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 6 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQgsQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th) 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 7 页 封装外形图 TO-220FJD-3L 单位：毫米单位：毫米 3112.804.424.702.302.545.023.102.502.760.850.551.290.650.350.5016.2515.2515.8714.9713.9714.4711.5810.5811.0810.369.7310.162.54BCS7.006.406.6813.4812.4812.982.003.403.003.183.553.053.300.70 TO-220F-3L 单位：毫米单位：毫米 3112.804.424.702.302.545.023.102.502.760.900.700.801.470650.350.5016.2515.2515.8716.3015.3015.7510.309.309.8010.369.7310.162.54BCS7.006.406.6813.4812.4812.983.50/3.403.003.183.553.053.30 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 8 页 封装外形图（续） TO-3P 单位：毫米单位：毫米 4.45.21.21.81.220.71.32.73.315160.40.88.5101.72.35.45typ123941.5C1b315.50.6L122.623.6A1b1b2DCF2eLF2DL2L1Lb2b1eA1cc1Ab19.521L2 TO-220-3L 单位：毫米单位：毫米 4.304.701.001.501.802.800.601.001.001.6015.1016.1015.708.1010.009.209.609.9010.402.54BSC2.603.206.107.004.500.300.7012.6013.0813.601.306.500.803.403.953.703.902.40 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 9 页 封装外形图（续） TO-262-3L 单位：毫米单位：毫米 SYMBOLMINNOMMAXAA1bb2cDEeL1LL24.304.504.702.202.920.710.901.20-1.500.34-0.658.389.309.8010.1610.542.54 BSCc21.221.301.3512.8014.101.121.42-A1c2Ac0.80-0.75-DeLebEL2b2Ll 重要注意事项重要注意事项： 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。和完整。 我司产品属于消费类和我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。或民用类电子产品。 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。 产品提升永无止境，我公司将竭产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！诚为客户提供更优秀的产品！ 我司网站我司网站 http: / 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http: / 共 10 页 第 10 页 产品名称： SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.3 修改记录： 1. 修改图 5 电容曲线到 600V 2. 修改相应的电气和典型电路图 3. 修改产品规格分类 4. 修改典型测试电路 5. 修改重要注意事项 版 本： 1.2 修改记录： 1. 修改 SVS2P4N60TD2 的 PD和 RJC值 版 本： 1.1 修改记录： 1. 添加 TO-262-3L 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布