单片机原理及应用试卷.doc

分院 专业 班级 姓名 学号 封 装 线 学期单片机原理及应用课程期末中考试题A卷题号一二三四五六七八总分标准分20302030得分审 核 人阅卷人一：选择题 （共20分 每空2分）1、MOVX A,DPTR指令中源操作数的寻址方式是（ ）（A）寄存器寻址 （B）寄存器间接寻址 （C）直接寻址 （D）立即寻址2、 ORG 0003HLJMP 2000HORG 000BHLJMP 3000H 当CPU响应外部中断0后，PC的值是（ ）（A）0003H （B）2000H （C）000BH （D）3000H3、51执行完MOV A，#08H后，PSW的哪一位被置位（ ）（A）C （B）F0 （C）OV （D）P4、P1口的每一位能驱动（ ）（A）2个TTL低电平负载 （B）4个TTL低电平负载（C）8个TTL低电平负载 （D）10个TTL低电平负载5、在中断流程中有“关中断”的操作，对于外部中断0，要关中断应复位中断允许寄存器的 ( ) （A）EA位和ET0位 （B）EA位和EX0位 （C）EA位和ES位（D）EA位和ET1位6、MCS-51的中断源全部编程为同级时，优先级最高的是（ ）（A）INT1 （B）TI （C）串行接口 （D）INT07、在MCS-51中，需双向传递信号的是( )（A）地址线 （B）数据线 （C）控制线 （D）电源线8、在程序储存器的读操作，只能使用( )（A）MOV指令 （B） PUSH指令 （C）MOVX指令 （D）MOVC指令9、MCS-51中，若fosc=12MHz，则定时器T1本身的最大定时时间可为（ ）。（A）256s （B）8192s （C）65536s （D）655362s10、如果以查询方式进行定时应用，则应用程序中的初始内容应包括 ( )（A）系统复位、设置工作方式、设置计数初值 （B）设置计数初值、设置中断方式、启动定时（C）设置工作方式、设置计数初值、打开中断 （D）设置工作方式、设置计数初值、启动定时二：填空题 （共30分 每小题1.5分）1、MCS-51单片机的内部数据存储器 字节，内部程序存储器 字节，2、指令mov R1，A的源操作数是 寻址方式，目的操作数是 寻址方式。3、已知SP=25H，PC=4345H，(24H)=12H，(25H)=34H，(26H)56H，当执行RET指令后，SP= ，PC= 。4、指令是由 和 构成。5、MCS-51单片机有 、 、 、 、 、 、 七种寻址方式。6、MOVC A，A+DPTR第二操作数采用是 寻址方式7、JBC bit rel 指令是对位bit进行判断，若bit=1则转移，并对该位 。8、执行ANL P1，# H后，可对P1口的高四位清零。9、若执行XRL P1，# B后，可对P1口的高两位取反。10、堆栈必须遵循“ ”的原则。11、MCS-51的定时/计数器由两个8位专用的寄存器，即 和 来控制。12、MCS-51的定时/计数器有4种工作方式，其中方式 具有自动重装初值功能。定时器T1不能工作在不能工作方式 。13、若MCS-51单片机晶振频率fosc=12MHz，则定时/计数器T0工作在计数方式时，在方式0下的最大计数值为 。在方式0下的最大计数值为 。在方式0下的最大计数值为 。14、若MCS-51单片机晶振频率fosc=12MHz，要求定时器T1工作于方式1，定时50ms，由软件启动，允许中断。则方式控制字TMOD应为 。15、在应用定时/计数器时，溢出标志TFx置位后，若用软件处理溢出信息通常有两种方法，即 法和 法。16、若要允许外部输入INT0的电平控制定时器T0，则门控位GATE= 。且启动控制位TR0= 。17、MCS-51单片机复位后，R4所对应的存储单元的地址为 ，因上电复位时，PSW= 。这时当前的工作寄存器区是 组工作寄存器区。18、单片机的存储器结构形式有普林斯顿结构（又称冯.依诺曼结构）与哈佛结构，MCS-51存储器采用的是 结构。19、MCS-51有4组工作寄存器，它们的地址范围是 。20、MCS-51有 个中断源,有 个中断优先级,优先级由软件填写特殊功能寄存器 加以选择。三：简答题 （共20分 每小题5分）1、在MCS-51的片内RAM中，已知（20H）=30H，（30H）=40H，（40H）=50H，（50H）=55H。分析下面各条指令，说明源操作数的寻址方式，分析按顺序执行各条指令后的结果。MOV A，40HMOV R0，AMOV P1，#0F0HMOV R0，20HMOV 50H，R0MOV A，R0MOV P2，P12、完成以下的数据传送过程。（1）R1的内容传送到R0。（2）片外RAM 20H单元的内容送R0。（3）片外RAM 2000H单元的内容送片内RAM 20H（4）片外RAM 20H单元的内容送R0。（5）片内RAM 20H单元的内容送片外RAM 20H3、16、MCS-51片内RAM低128单元划分为哪三个主要部分？各部分主要功能是什么？4. 堆栈指针（SP）=60H，片内RAM中的（30H）=24H，（31H）=10H。执行下列程序段后，61H，62H，30H，31H，DPTR及SP中的内容将有何变化？PUSH 30HPUSH 31HPOP DPLPOP DPHMOV 30H,#00HMOV 31H,#0FFH四：设计编程题 （共30分 每小题10分）1、利用MCS-51的P1口控制8个发光二极管LED。相邻的4个LED为一组，使2组每隔0.5s 交替发亮一次，周而复始，试编写程序。2、若MCS-51单片机的fosc6MHz，请利用定时器T0定时中断的方法，使P1.0输出占空比为75%的矩形脉冲，试编写程序。3、设有100个有符号数，连续存放在MCS-51单片机的片外RAM以2200H为首地址的存储区中，试编程统计其中正数、负数、零的个数。第 3 页 共 4 页