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TD-LTE产业是我国拥有较高自主知识产权的通信制式,基带芯片的28nm工艺仍未成熟是制约其规模商用的关键。从频谱来看,当前中移动TD-LTE测试分布在D频段2.6G和F品顿1.9G,从全球频谱资源来看D频段由于频宽丰富已成为FDD-LTE主流频段,加快确定国内TD-LTE频段已成退成产业链发展的关键。
大部分手机芯片国内厂商的工艺演进预计仍然需要1年左右时间,以及频段的确定以及产业链的成熟度提高仍需过程,预计牌照和投资落实的时点在1-1.5年内。
受TD-SSDMA在多方面的成熟度较低影响,中移动在TD-SCDMA方面的投资一直是保持稳健推进的模式。从TD-LTE当前趋势来看,产业链的成熟度参与度已经较TD-SCDMA大幅提升,且TD-LTE制式本身具备可充分利用零散频谱资源等多种优势,预计中移动有望在获得TD-LTE牌照后加速集中投资,若考虑中电信也有可能获得TD-LTE牌照,将使得TD-LTE投资形成更为集中的趋势。
TD-LTE投资落实可从三方向挖掘投资机会。TD-LTE若规模投资将区别于TDS投资,其将成为自主标准的一次成功商用。除市场普遍分析认为的受投资规模拉动带来的主系统和配套器件产业机会以外,将会由于产业链格局变化、产业需求变革等带来新的机会。
TD-LTE的集中投资必将带来主系统设备商中兴通讯等机会,同时期射频配套厂商大富科技、网络建设配套测试服务厂商世纪鼎利等也将受投资规模拉动利好;产业链格局变化机会。
在2G、3G时代,国内厂商鲜有在通信芯片领域的成功案例,华为海思也仅为市场的跟随者尽管28nm基带芯片工艺仍未成熟(预计高通仍为领先已实现28nm工艺),国内包括创艺视讯(基带+射频)、联芯科技(基带)、国民技术(65nm射频)等均已研制成功,TD-LTE时代有望出现上游产业链的格局变化成为新的投资机会;LTE技术对小基站的需求所带来的变革。TD-LTE若定位2.6G频段由于其高频特性,覆盖范围和穿透能力均较差,因此室内覆盖小基站系统预计成为其重要的投资部分带来传统网优厂商机会。
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