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薄膜制备技术基础（原著第4版）

作 者：[日]麻蒔立男

出版社：化学工业出版
出版日期：2009年5月
开 本：16开
册 数：1册
光盘数：0
定价：39.8元 

优惠价：36元
进入20世纪，书籍已成为传播知识、科学技术和保存文化的主要工具。 随着科学技术日新月异地发展，传播知识信息手段，除了书籍、报刊外，其他工具也逐渐产生和发展起来。但书籍的作用，是其他传播工具或手段所不能代替的。在当代, 无论是中国，还是其他国家，书籍仍然是促进社会政治、经济、文化发展必不可少的重要传播工具。

详细介绍：

第1章薄膜技术 
11生物计算(biocomputing)和薄膜技术 
12医用微型机械 
13人工脑的实现（μElectronics） 
14大型显示的实现 
15原子操控 
16薄膜技术概略 
参考文献 
第2章真空的基础 
21真空的定义 
22真空的单位 
23气体的性质 
231平均速率 Va 
232分子直径 δ 
233平均自由程 L 
234碰撞频率 Z 
24气体的流动和流导 
241孔的流导 
242长管的流导 （L/a≥100） 
243短管的流导 
244流导的合成 
25蒸发速率 
参考文献 
第3章真空泵和真空测量 
31真空泵 
311油封式旋片机械泵 
312油扩散泵 
313吸附泵 
314溅射离子泵 
315升华泵 
316冷凝泵 
317涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵 
318干式机械泵 
32真空测量仪器——全压计 
321热导型真空计 
322电离真空计——电离规 
323磁控管真空计 
324盖斯勒（Geissler）规管 
325隔膜真空计 
326石英晶振真空计 
327组合式真空规 
328真空计的安装方法 
33真空测量仪器——分压计 
331磁偏转型质谱仪 
332四极质谱仪 
333有机物质质量分析IAMS法 
参考文献 
第4章真空系统 
41抽气的原理 
42材料的放气 
43抽气时间的推算 
44用于制备薄膜的真空系统 
441残留气体 
442用于制备薄膜的真空系统 
45真空检漏 
451检漏方法 
452检漏应用实例 
参考文献 
第5章薄膜基础 
51气体与固体 
511化学吸附和物理吸附 
512吸附几率和吸附（弛豫）时间 
52薄膜的生长 
521核生长 
522单层生长 
53外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系 
531外延生长的温度 
532基板晶体的解理 
533真空度的影响 
534残留气体的影响 
535蒸发速率的影响 
536基板表面的缺陷——电子束照射的影响 
537电场的影响 
538离子的影响 
539膜厚的影响 
5310晶格失配 
54非晶膜层 
541一般材料的非晶化（非薄膜） 
542非晶的定义 
543非晶薄膜 
544非晶Si膜的多晶化 
55薄膜的基本性质 
551电导 
552电阻率的温度系数（TCR） 
553薄膜的密度 
554时效变化 
555电解质膜 
56薄膜的内部应力 
57电致徙动 
本章小结 
参考文献 
第6章薄膜的制备方法 
61绪论 
62源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分 
621蒸发和离子镀 
622溅射法 
63附着强度 
631前处理 
632蒸发时的条件 
633蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况） 
634蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况） 
64台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备 
65高速热处理装置（Rapid Thermal Annealing，RTA） 
66等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用 
661等离子体 
662等离子体的产生方法 
663基本形式和主要用途 
67基板传送机构 
68针孔和净化房 
参考文献 
第7章基板 
71玻璃基板及其制造方法 
72日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长 
73单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长 
731坩埚中冷却法 
732区熔法（Zone Melting，Flot Zone,FZ法） 
733旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski, CZ法） 
74气相生长法 
741闭管中的气相生长法 
742其他气相生长法 
75石英玻璃基板 
76柔性基板（Flexible） 
参考文献 
第8章 蒸镀法 
81蒸发源 
811电阻加热蒸发源 
812热阴极电子束蒸镀源 
813中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源 
82蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置 
83实际装置 
84蒸镀时的真空度 
85蒸镀实例 
851透明导电膜In2O3SnO2系列 
852分子束外延（MBE） 
853合金的蒸镀——闪蒸 
86离子镀 
861离子镀的方式 
862对薄膜的影响 
87离子束辅助蒸镀 
88离子渗，离子束表面改性法 
89激光烧蚀法（PLA） 
810有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀 
参考文献 
第9章溅射 
91溅射现象 
911离子的能量和溅射率，出射角分布 
912溅射率 
913溅射原子的能量 
92溅射方式 
921磁控溅射 
922ECR溅射 
923射频溅射 
93大电极磁控溅射 
94“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋 
941准直溅射 
942长距离溅射 
943高真空溅射 
944自溅射 
945离子化溅射 
95 溅射的实例 
951钽 （Ta）的溅射 
952Al及其合金的溅射（超高真空溅射） 
953氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜 
954磁性膜的溅射 
955光学膜的溅射 （RAS法） 
参考文献 
第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化 
101热氧化 
1011处理方式 
1012热氧化装置 
1013其他氧化装置 
102热CVD 
1021主要的生成反应 
1022热CVD的特征 
1023热CVD装置 
1024反应炉 
1025常压CVD（Normal Pressure CVD, NPCVD） 
1026减压CVD（Low Pressure CVD, LPCVD） 
103等离子体增强CVD （Plasma Enhanced CVD, PCVD） 
1031等离子体和生成反应 
1032装置的基本结构和反应室的电极构造 
104光CVD（PhotoCVD） 
105 MOCVD（Metalorganic CVD） 
106金属CVD 
1061钨CVD 
1062AlCVD 
1063CuCVD 
1064金属阻挡层（TiNCVD） 
107半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD） 
108高介电常数薄膜的CVD 
109低介电常数薄膜 
1010高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD） 
1011游离基喷淋CVD（Radical Shower CVD，RSCVD） 
参考文献 
第11章刻蚀 
111湿法刻蚀 
112等离子体刻蚀，激发气体刻蚀 （圆筒型刻蚀） 
1121原理 
1122装置 
1123配套工艺 
113反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀） 
1131原理和特征 
1132装置 
1133配套工艺 
1134Cu和低介电材料（low K）的刻蚀 
114大型基板的刻蚀 
115反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀） 
1151极细离子束设备（聚焦离子束：Focused Ion Beam, FIB） 
116微机械加工 
117刻蚀用等离子体源的开发 
1171等离子体源 
1172高密度等离子体（HDP）刻蚀 
参考文献 
第12章精密电镀 
121电镀 
122电镀膜的生长 
123用于制作电子元器件方面的若干方法 
124用于高技术的铜电镀 
125实用的电镀装置示例 
参考文献 
第13章平坦化技术 
131平坦化技术的必要性 
132平坦化技术概要 
133平坦薄膜生长 
1331选择性生长 
1332利用回填技术的孔内嵌埋（溅射） 
1333利用氧化物嵌埋技术的平坦化 
134薄膜生长过程中凹凸发生的防止 
1341偏压溅射法 
1342剥离法 
135薄膜生长后的平坦化加工 
1351涂覆 
1352激光平坦化 
1353回填法 
1354回蚀法 
1355阳极氧化和离子注入 
136嵌埋技术示例 
137化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）技术 
138嵌刻法 
139平坦化新技术展望 
1391使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术 
1392用STP（Spin Coating Film Transfer and Pressing）法的嵌埋技术 
1310高密度微细连接 
参考文献 
薄膜制备技术基础（原著第4版）
薄膜制备技术基础（原著第4版）

薄膜制备技术基础（原著第4版）

第1章薄膜技术 
11生物计算(biocomputing)和薄膜技术 
12医用微型机械 
13人工脑的实现（μElectronics） 
14大型显示的实现 
15原子操控 
16薄膜技术概略 
参考文献 
第2章真空的基础 
21真空的定义 
22真空的单位 
23气体的性质 
231平均速率 Va 
232分子直径 δ 
233平均自由程 L 
234碰撞频率 Z 
24气体的流动和流导 
241孔的流导 
242长管的流导 （L/a≥100） 
243短管的流导 
244流导的合成 
25蒸发速率 
参考文献 
第3章真空泵和真空测量 
31真空泵 
311油封式旋片机械泵 
312油扩散泵 
313吸附泵 
314溅射离子泵 
315升华泵 
316冷凝泵 
317涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵 
318干式机械泵 
32真空测量仪器——全压计 
321热导型真空计 
322电离真空计——电离规 
323磁控管真空计 
324盖斯勒（Geissler）规管 
325隔膜真空计 
326石英晶振真空计 
327组合式真空规 
328真空计的安装方法 
33真空测量仪器——分压计 
331磁偏转型质谱仪 
332四极质谱仪 
333有机物质质量分析IAMS法 
参考文献 
第4章真空系统 
41抽气的原理 
42材料的放气 
43抽气时间的推算 
44用于制备薄膜的真空系统 
441残留气体 
442用于制备薄膜的真空系统 
45真空检漏 
451检漏方法 
452检漏应用实例 
参考文献 
第5章薄膜基础 
51气体与固体 
511化学吸附和物理吸附 
512吸附几率和吸附（弛豫）时间 
52薄膜的生长 
521核生长 
522单层生长 
53外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系 
531外延生长的温度 
532基板晶体的解理 
533真空度的影响 
534残留气体的影响 
535蒸发速率的影响 
536基板表面的缺陷——电子束照射的影响 
537电场的影响 
538离子的影响 
539膜厚的影响 
5310晶格失配 
54非晶膜层 
541一般材料的非晶化（非薄膜） 
542非晶的定义 
543非晶薄膜 
544非晶Si膜的多晶化 
55薄膜的基本性质 
551电导 
552电阻率的温度系数（TCR） 
553薄膜的密度 
554时效变化 
555电解质膜 
56薄膜的内部应力 
57电致徙动 
本章小结 
参考文献 
第6章薄膜的制备方法 
61绪论 
62源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分 
621蒸发和离子镀 
622溅射法 
63附着强度 
631前处理 
632蒸发时的条件 
633蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况） 
634蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况） 
64台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备 
65高速热处理装置（Rapid Thermal Annealing，RTA） 
66等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用 
661等离子体 
662等离子体的产生方法 
663基本形式和主要用途 
67基板传送机构 
68针孔和净化房 
参考文献 
第7章基板 
71玻璃基板及其制造方法 
72日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长 
73单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长 
731坩埚中冷却法 
732区熔法（Zone Melting，Flot Zone,FZ法） 
733旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski, CZ法） 
74气相生长法 
741闭管中的气相生长法 
742其他气相生长法 
75石英玻璃基板 
76柔性基板（Flexible） 
参考文献 
第8章 蒸镀法 
81蒸发源 
811电阻加热蒸发源 
812热阴极电子束蒸镀源 
813中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源 
82蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置 
83实际装置 
84蒸镀时的真空度 
85蒸镀实例 
851透明导电膜In2O3SnO2系列 
852分子束外延（MBE） 
853合金的蒸镀——闪蒸 
86离子镀 
861离子镀的方式 
862对薄膜的影响 
87离子束辅助蒸镀 
88离子渗，离子束表面改性法 
89激光烧蚀法（PLA） 
810有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀 
参考文献 
第9章溅射 
91溅射现象 
911离子的能量和溅射率，出射角分布 
912溅射率 
913溅射原子的能量 
92溅射方式 
921磁控溅射 
922ECR溅射 
923射频溅射 
93大电极磁控溅射 
94“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋 
941准直溅射 
942长距离溅射 
943高真空溅射 
944自溅射 
945离子化溅射 
95 溅射的实例 
951钽 （Ta）的溅射 
952Al及其合金的溅射（超高真空溅射） 
953氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜 
954磁性膜的溅射 
955光学膜的溅射 （RAS法） 
参考文献 
第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化 
101热氧化 
1011处理方式 
1012热氧化装置 
1013其他氧化装置 
102热CVD 
1021主要的生成反应 
1022热CVD的特征 
1023热CVD装置 
1024反应炉 
1025常压CVD（Normal Pressure CVD, NPCVD） 
1026减压CVD（Low Pressure CVD, LPCVD） 
103等离子体增强CVD （Plasma Enhanced CVD, PCVD） 
1031等离子体和生成反应 
1032装置的基本结构和反应室的电极构造 
104光CVD（PhotoCVD） 
105 MOCVD（Metalorganic CVD） 
106金属CVD 
1061钨CVD 
1062AlCVD 
1063CuCVD 
1064金属阻挡层（TiNCVD） 
107半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD） 
108高介电常数薄膜的CVD 
109低介电常数薄膜 
1010高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD） 
1011游离基喷淋CVD（Radical Shower CVD，RSCVD） 
参考文献 
第11章刻蚀 
111湿法刻蚀 
112等离子体刻蚀，激发气体刻蚀 （圆筒型刻蚀） 
1121原理 
1122装置 
1123配套工艺 
113反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀） 
1131原理和特征 
1132装置 
1133配套工艺 
1134Cu和低介电材料（low K）的刻蚀 
114大型基板的刻蚀 
115反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀） 
1151极细离子束设备（聚焦离子束：Focused Ion Beam, FIB） 
116微机械加工 
117刻蚀用等离子体源的开发 
1171等离子体源 
1172高密度等离子体（HDP）刻蚀 
参考文献 
第12章精密电镀 
121电镀 
122电镀膜的生长 
123用于制作电子元器件方面的若干方法 
124用于高技术的铜电镀 
125实用的电镀装置示例 
参考文献 
第13章平坦化技术 
131平坦化技术的必要性 
132平坦化技术概要 
133平坦薄膜生长 
1331选择性生长 
1332利用回填技术的孔内嵌埋（溅射） 
1333利用氧化物嵌埋技术的平坦化 
134薄膜生长过程中凹凸发生的防止 
1341偏压溅射法 
1342剥离法 
135薄膜生长后的平坦化加工 
1351涂覆 
1352激光平坦化 
1353回填法 
1354回蚀法 
1355阳极氧化和离子注入 
136嵌埋技术示例 
137化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）技术 
138嵌刻法 
139平坦化新技术展望 
1391使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术 
1392用STP（Spin Coating Film Transfer and Pressing）法的嵌埋技术 
1310高密度微细连接 
参考文献 

作 者：[日]麻蒔立男

出版社：化学工业出版
出版日期：2009年5月
开 本：16开
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