光电检测器件与技术复习题2013.doc

光电检测器件与技术复习题
一、填空题
1、通常把光电效应分为三类：（外光电效应），（内光电效应）和（光生伏特效应）。

2、光敏电阻的工作原理是基于（内光电效应）。

3、光电池的种类很多，有硅、砷化镓、硒、氧化铜、锗、硫化镉光电池等。其中应用最广的是（硅光电池），这是因为它有一系列优点：性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、传递效率高、能耐高温辐射、价格便宜等。
4、热电偶分为（标准化）与（非标准化）两大类，热电极材料有金属、非金属和半导体几大类。金属中又有廉价金属、贵金属和难熔金属等。常见的热电偶材料有：康铜、Cu、Fe、W、NiCr、NiAl、Ni、Pt、PtRh、Ag等。
5、热敏电阻是（吸收）辐射、晶格振动使器件温度（上升），阻值发生变化。
6、当一定频率的光照射到某些金属表面上时，可以使电子从金属表面逸出，这种现象称为光电效应，所产生的电子称为（光电子）。
7、光电效应存在一个阈频率，当入射光的频率（）时，不论光的强度如何都没有光电子产生。
8、光敏元件上加上一定的电压，这时如有一单色光照射到光敏元件上，如果入射光功率相同，光电流会随入射光波长的不同而变化。入射光波长与光敏器件相对灵敏度或相对光电流间的关系即为该元件的（光谱特性）。

9、在一定照度下，光电流I与光敏元件两端电压V的对应关系，称为（伏安特性）。

10、测量普朗克参数的关键是正确的测出（截止电压），但实际上由于光电管制作工艺等原因，给准确测定截止电压带来了一定的困难。实际测量的光电管伏安特性曲线与理论曲线有明显的偏差。

11、光电传感器是将光信号转换成电信号的一种传感器。它的理论基础是（光电效应），这类效应大致可以分为三类：第一类是（外光电效应），即在光照射下，能使电子逸出物体表面。利用这种效应所做成的器件有真空光电管、光电倍增管等。第二类是（内光电效应），即在光照射下，能使物体的电阻率发生变化。这类器件包括各类半导体光敏电阻。第三类是（光生伏特效应），即在光线照射下，物体内部产生电动势的现象，次电动势称为光生电动势。这类器件包括光电池、光电晶体管等。光电效应就是利用光电元件受光照后，电特性发生变化。敏感的光波长是在可见光附近，包括外波长和紫外波长。

12、发光光电感应器件：即能将电能转换成光能的半导体器件。其中半导体发光器件主要有三类：（发光管）、（FP激光器）、（DBF激光器）。

13、 光敏电阻制成薄片状结构，以便吸收更大的光能。当它受到光的照射时，半导体片内就激发出（电子-空穴对），参与导电，使电路中的电流增强。为了提高灵敏度，光敏电阻的电极常采用（梳妆图案），它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。

14、光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。它是基于（光生伏特效应）制成的，是发电式有源元件。同时它能将太阳能转换成电能，顾又称为（太阳能电池）。

15、红外线发射管也称（红外线发射二极管），属于二极管类。它是可以将电能直接转换成近红外光并能辐射出去的发光器件，主要应用于各种光电开关及遥控发射电路中。

16、光电二极管又叫光敏二极管，是一种能够将光能转换成电能的半导体器件。与普通二极管相似，光电二极管也是具有一个PN结的半导体器件，所不同的事光电二极管壳上有一个透明的窗口，以便使光线能够照射到PN结上，将光线强度的变化转换成电流的变化。常见的有（透明塑封光电二极管）、（金属壳封装光电二极管）、（树脂封装光电二极管）等。

17、变像管还是像增强管取决于（阴极材料）。如果对（红外或紫外）光线敏感，则它就是变像管；如果它只对（微弱的可见）光敏感，则它就是像增强管。

18、变像管和像增强管都具有图像增强的作用，实现图像增强一般有两种方法：增强（电子图像密度）和增强（增强电子的动能）。

19、增强电子图像密度，一般利用（二次电子发射）来实现； 增强电子动能，用增强（增强电场或磁场的）的方法。

20. 发光二极管是（注入式电致发光器件）器件，它能将（电）能转变为（光）能。

21. 半导体对光的吸收有（本征吸收）（杂质吸收）（自由载流子吸收）（激子吸收）（晶格吸收）。半导体对光的吸收主要是（本征吸收）。
22. 热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关：一是在能带中（能态的分布），二是这些能态中（每一个能态可能被电子占据的概率）。
23. 物体按导电能力分（绝缘体）（半导体）（导体）。
24. 价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是（具有能向电子提供能量的外力作用）、（电子跃入的那个能级必须是空的）。
25. 光电耦合器是由（发光） 器件与（光敏） 器件组成的（电）－（光）－（电）器件。这种器件在信息传输过程中是用（光）作为媒介把输入边和输出边的电信号耦合在一起的。
26. 分辨率是用来表示能够分辨图像中明暗细节的能力。分辨率常用两种方式来描述（极限）分辨率和（调制传递）函数。
27. 扫描型光电成像器件又称（摄像器件）。光电摄象器件应具有三种基本功能（光电变换）（光电信号存储）（扫描输出）。
28. 光电成像器件包括（扫描成像器件）（非扫描成像器件）。
29. 通常把对应于真空中波长在（0.38）到（0.78 ）范围内的电磁辐射称为光辐射。
30. 在光学中，用来定量地描述辐射能强度的量有两类，一类是（辐射度学量），另一类是(光度学量)。
31. 光具有波粒二象性，既是（电磁波），又是（光子流）。光的传播过程中主要表现为（波动性），但当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的（粒子性）。
32. 热电探测器是将辐射能转换为（热）能，然后再把它转换为（电）能的器件。
33. 发光二极管的发光亮度，基本上是正比于（电流密度）。
34. 氦氖激光器以（直流）电源驱动。从结构上分（全内腔）（全外腔）（半内腔）激光器。
35. 光电信息变换的基本形式(信息载荷于光源的方式)、(信息载荷于透明体的方式)、(信息载荷于反射光的方式)、（信息载荷于遮挡光的方式）、（信息载荷于光学量化器的方式）和（光通信方式的信息变换）。
36.光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由（光入射窗）、（光电阴极）、（电子光学系统）、（倍增极和阳极）组成。
37. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P型和N型半导体组合而成。其发光机理可以分为 （PN结注入发光）和（异质结注入发光）。
38. 已知本征硅的禁带宽度为，要使该材料有光电子产生，其入射光波的最大波长为（ ）。
39.光具有的性质（波粒二象性）
40.光电检测技术研究的内容（信息变换技术）、（电信号处理技术）
41.光源调制通常分为（机械调制）和（电调制或内调制）和（外调制）
42.激光的形成必须满足（粒子数反转）、（谐振腔共振）、（阈值条件）
43.为了提高光电二极管的响应频率，应适当加大（反向偏压）
44.光敏电阻受（温度）影响大、通常工作在（低温）环境下
45.光电技术是（光学）和（电子技术）相结合而产生的一门新兴检测技术、它是利用（光电子技术对光信息）进行检测
46.假设调制盘的转速是N转/分，得到调制光的频率为f，则调制盘的孔数是（60f/N）
47.为了表示一个热辐射光源所发出光的光色性质，常用到（色温）这个量，单位为K。这个量是指在规定两波长具有与热辐射光源的（辐射比率）相同的黑体的温度。
48.光波在声光晶体里传播，按照声波频率的（大小）以及声波和光波（作用长度 ）的不同，声光相互作用可分为（拉曼-纳斯）和（布拉格）两种衍射类型。
49.纵向电光调制器具有结构简单、工作稳定、不存在（ 自然双折射 ）的影响。缺点是（ 半波电压 ）太高。
50.光频外差探测是一种全息探测技术，这种探测技术可以探测光频电场的（振幅）、（频率）和（相位）所携带的信息。
51. CCD与其它器件相比，最突出的特点是它以（电荷）作为信号，而其他大多数器件是以（电流）或者（电压）作为信号。
52. CCD的基本功能就是电荷存储和（电荷转移）。CCD的工作过程就是信号电荷的（产生）、（存储）、（转移）和检测的过程。
53.红外成像系统性能的综合量度是（空间分辨率）和（温度分辨率）。

二、选择题

1．光度量是辐射度量的（ C ）倍．
A.683 B. V（λ） C.683 V（λ） D . 1/683 V（λ）
2．波长为500nm的波属于（ C ）．
A. 远红外线 B. 太赫兹波 C. 可见光 D. X射线
3．任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都小于1，称为（ B ）.
A．黑体 B．灰体C．黑洞 D．绝对黑体
4．半导体中受主能级的位置位于（ A ）中.
A. 禁带 B. 价带C. 导带 D. 满带
5．斯忒藩----玻耳兹曼定律为（ A ）。
A. σT 4 B. σT 2 C. Tλm＝B D. α(λ,T)= ε(λ,T)
6. 热敏电阻的种类不包括（ D ）.
A. PTC B. NTC C. CTC D. ZTC
7. 属于相干光源的是（ C ）.
A.气体放电灯 B. 黑体辐射器 C. 固体激光器 D. 发光二极管
8．下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）．
A．卤钨灯 B．氘灯C．汞灯 D．汞氙灯
9．属于成像的器件是（ C ）.
A. LD B. LED C. CCD D. PMT
10．充气卤钨灯是一种 ( B ).
A.　气体光源 B. 热光源C. 冷光源 D. 激光光源
11．TDICCD表示的是（ B ）CCD．
A. 增强型; B. 时间延迟型; C. 电子轰击模式; D. 红外．
12．热效应较小的光是（ D ）.
A. 紫光 B. 红光C. 红外 D. 紫外
13．在光电倍增管中，产生二次电子发射的是( C ).
A．阴极 B.阳极 C. 倍增极 D. 玻璃窗
14．光纤纤芯、包层、外套的折射率n 1、n 2、n 0的关系是（ D ）.
A. n 1> n 2> n 0 B. n 2> n 0> n 1
C. n 0> n 2> n 1 D. n 1> n 0> n 2
15．光照一定，短路电流与入射光波长的关系，属光电池的( C )特性：
A. 频率; B. 伏安;C. 光谱; D. 温度．
16． 像管中（ C ）的出现和使用，成为了第二代像管出现的标志性部件。
A.    负电子亲和势阴极； B.   电子光学系统；
C． 微通道板MCP； D.    光纤面板
17．充气白炽灯主要充入（ A ）.
A. 氩气 B.氙气 C. 氖气 D.氪气
18．硅光电二极管与硅光电池比较，后者（ B ）．
A．掺杂浓度低 B．电阻率低
C．反偏工作 D．光敏面积小
19．线阵CCD主要是通过（ A ）工作.
A. 电荷 B. 电压C. 电流 D. 电阻
20．彩色CCD有（ C ）种.
A. 1 B. 2 C. 3 D. 4
21. 结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在( A ).
A.　基射极间短路 B. 基集极间短路
C. 基射极间反偏 D. 基集极间正偏
22．光电池的工作条件是( D ).
A．加热 B. 加正向偏置 C. 加反向偏置 D. 加光照
23．IRCCD表示的是（ D ）CCD．
A. 增强型; B. 时间延迟型; C. 电子轰击模D. 红外．
24. Sb－Cs 材料，主要用于( B ) 变像管光阴极．
A. 红外B. 紫外C. 可见 D. X射线
25．汞灯是一种 ( A ).
A.　气体光源 B. 热光源C. 冷光源 D. 激光光源
26. 辐通量相同时，光通量最小的光的波长是（ D ）nm．
A.555 B.590 C.620 D.780
27. 光电倍增管的高压模块，其输出电压一般为直流( A ).
A．1000V B．100V C．10000V D．15V
28．PN结光生伏特效应 ( B ).
A. 电子集中的P区； B . 电子集中的N区结表面；
C. 电子集中的P区表面； D. 电子集中的N区表面.
29．用光电法测量某高速转轴的转速时，选用最合适的的光电器件是( D ).
A. PMT B. CdS光敏电阻
C. 2CR42硅光电池 D. 3DU型光电三极管
30．充气白炽灯主要充入循环剂是（ B ）.
A. 氢气 B. 溴化硼 C. 氖气 D. 氪气
31．如下不是降低光电倍增管的暗电流的方法（ B ）.
A. 直流补偿; B. 选频和锁相缩小
C. 冷却光电倍增管; D. 增加电磁屏蔽
32. 灵敏度最高的光电器件是( B )．
A.光电二极管 B.光敏电阻C.光电三极管 D.硅光电池
33．发光效率的单位（ A ）.
A.流明每瓦B.无量纲C.流明 D.瓦特每球面度
34．已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为（ A ）.
A．0.886 eV B. 1 eV C．2 eV D. 1.3 eV
35．下面属于冷光源的是（ C ）.
A. 太阳 B. 白炽灯C. 发光三极管 D. 卤钨灯
36．太赫兹波频率的范围在（ A ）．
A. 1011～1012 B. 108～109 C. 1013～1014 D. 1015～1016
37．假设将人体作为黑体，正常人体体温为36.5℃，那么由维恩定律，可以计算出正常人体的峰值辐射波长为 ( D )．
A. 0.936 um B. 93.6 um C. 0.0936 um D. 9.36 um
38．半导体中施主能级的位置位于（ A ）.
A. 禁带 B. 满带C. 导带 D. 价带
39. 波长为0.8μm的光线属（ A ）。
A. 近红外线 B.中红外线C. 远红外线 D.极远红外线
40．下边哪一项可作为光电耦合器件的发光件( D ).
A. 光电三极管 B. 光电池
C. 光敏电阻 D. 半导体激光器
41. 任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都等于1，称为（  A  ）. 
A．黑体  B．灰体C．黑洞  D．绝对黑体
4 2．半导体中施主能级的位置位于（  A  ）中. 
A.  禁带 B. 价带C.  导带 D. 满带 
43．在给定λl～λ2波长范围内，某一辐射源发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率之比，称为（  B  ）. 
A. 辐射效率 B. 发光效率C. 光谱功率 D. 空间光强 
44. 热效应较大的光是（  C  ）. 
A. 紫光  B. 红光C. 红外  D. 紫外 
45．结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在(   C    ). 
A. 集射极间短路                 B. 基集极间短路 C.  基射极间正偏                 D. 基集极间反偏 
46. 为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求(  A  ). 
A. 浓度均匀                      B. 浓度大 C.  浓度小                        D. 浓度适中
47. 波长为10 μm的光线属（   C   ）。 
A. 近红外线                       B.中红外线 C. 远红外线                       D.极远红外线 
48．光纤折射率纤芯n 1、包层n 2、外套n 3的关系是（  B  ）. 
A. n 1> n 2> n 3               B. n 1> n 3> n 2 C. n 3> n 2> n 1               D. n 2> n 3> n 1
49．波长为1mm的波属于（  B  ）． 
A. 远红外线                 B. 太赫兹波 C. 可见光                   D.  X射线
50．硅光电二极管与硅光电池比较，前者（  A  ）． 
A．掺杂浓度低                 B．电阻率低 C．零偏工作                   D．光敏面积大
51．卤钨灯是一种 (   B   ). 
A. 气体光源                   B. 热光源 C.  冷光源                     D. 激光光源 
52. 下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（   A   ）． 
A．氙灯                     B．氢灯 C．汞灯                     D．汞氙灯 
53. 光的发射，属于受激发射的器件是（  A   ）. 
A. LD       B. LED       C. CCD      D. PMT 
54．在光电倍增管中，产生光电效应的是(   A   ). 
A．阴极     B. 阳极      C. 倍增极    D. 玻璃窗 
55．  像管中（  D   ）的出现和使用，成为了第一代像管出现的标志性部件。 
A.    负电子亲和势阴极；        B.   电子光学系统； C． 微通道板MCP；      D.   光纤面板 
56．半导体结中并不存在（  D   ）． 
A. PN结                        B. PIN结 C. 肖特基结                     D.光电结
57．光通量是辐射通量的（  A  ）倍. 
A. 683                         B. 1/683 C. 863                         D. 1/863 
58．斯乃尔公式是（  A  ）． 
A．222101sinnnnc-=q       B．212201sinnnnc-=q C．222011sinnnnc-=  D．202121sinnnnc-
59．可产生太赫兹辐射的光源是（   D   ）． 
A. 氙灯                        B. CO2激光器          C. 氦氖激光器                  D. 飞秒脉冲激光器 
60．面阵CCD主要是通过（  A  ）工作. 
A. 电荷                         B. 电压  C. 电流                         D. 电阻
61.一个光源发出频率为540×1012Hz的单色辐射，在此方向上的辐强度为（1/683）W/sr，则该光源在该方向上发光强度为（ A ）。
A、1cd B、2cd C、3cd D、4cd
62．有两块材料制成的热敏电阻，A为半导体材料，B为白金，当温度升高，则两种材料的电阻将（ C ）
A、RA 变小； RB 变小 B、RA变大； RB变大
C、RA 变小； RB变大 D、RA变大； RB变小
63.常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型，这是按照（ C ）区分的。
A、光照度 B、光亮度
C、色温 D、光视效率
64.一束线偏光通过两个磁光法拉第转子后偏振方向旋转q角，经反射镜反射，再一次经过两个法拉第转子，其偏振方向与初始偏振方向的夹角为（ C）
A、0 B、q C、2q D、4q
65.光电倍增管中，产生光电效应的是（ A ）
A、阴极 B、阳极 C、二次倍增极 D、玻璃窗
66.通过对半导体激光器采用（ B ）来获得调制光信号
A、外调制 B、直接调制 C、相位调制 D、电光调制
67.现有GDB－423型光电倍增管的阴极灵敏度为25 mA/lm，倍增系统的放大倍数为105，阳极的额定电流为25mA，则允许的最大光通量为（ A ）
A、1×10－5 lm B、1×10－3 lm V/W
C、无法判断 D、1 lm
68.白炽灯是一种 ( B ).A.气体光源 B. 热光源C. 冷光源 D. 激光光源
69.维恩位移定律为（ C ）。
A. σT 4 B. σT 2 C. Tλm＝B D. α(λ,T)= ε(λ,T)
70.ICCD表示的是（ A ）CCD．
A. 增强型; B. 时间延迟型; C. 电子轰击模式; D. 红外．
71.波长为2mm的波属于（ B ）．
A. 远红外线 B. 太赫兹波C. 近红外线 D. X射线
72.在给定λl～λ2波长范围内，某一辐射源发出的光通量与产生这些光通量所需的电功率之比，称为（ B ）.
A. 辐射效率 B.发光效率C. 光谱功率 D.空间光强
73.在发光二极管中，产生发光的是在( C ).
A．P区 B. N区 C. 结区 D. 玻璃窗
74.半导体中施主能级的位置位于（ B ）.
A. 禁带低 B. 禁带顶C. 导带顶 D. 价带低
75. 像管中（ A ）的出现和使用，成为了第三代像管出现的标志性部件。
A.    负电子亲和势阴极； B.   电子光学系统；
C． 微通道板MCP； D.   光纤面板
76.光纤中光传播的条件是（ D ）.
A. 光入射角大于临界角 B. 光入射角小于临界角
C. 光入射角等于临界角 D. 光入射角大于等于临界角
77.属于自发辐射的光源是（ B ）.
A. LD B. LED C. CCD D. PMT
78.下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）．
A．镝灯 B．氘灯C．汞灯 D．汞氙灯
79.在大气层外的卫星上，测得太阳光谱的峰值波长为 456.0 nm。求出太阳表面的温度。( A ).
A．6353K B. 7353K C. 3353K D. 8353K
80.激光发光是( B ) :
A. 自发辐射 B.受激辐射 C. 热辐射 D.电致发光
81.光敏电阻的主要作用是( D ):
A. 光电检测   B. 红外探测
C. 光电开头 D. 光电探测与控制
82.数值孔径表示为（ B ）．
A． B．
C． D．
83.波长为17μm的光线属（ D ）。
A. 近红外线 B. 中红外线C. 远红外线 D. 极远红外线
84.光电倍增管的高压模块，其输入电压一般为直流( D ).
A．1000V B．100V C．10000V D．15V
18．充气白炽灯主要充入（ B ）.
A. 氢气 B.氮气 C. 氖气 D. 氪气
85.对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与时间常数（ B ），如果照度相同而温度不同时，二者（B）.
A．相同；不同； B．不同；不同； 
C．不同；相同； D．相同；相同。
86.辐通量是光通量的（ B ）倍.
A. 683 B. 1/683 C. 863 D. 1/863
87.PN结光生伏特效应 ( A ).
A. 空穴集中的P区结表面； B . 空穴集中的N区；
C. 空穴集中的P区外表面； D. 空穴集中的N区外表面.
88.基尔霍夫定律为（ D ）。
A. σT 4 B. σT 2 C. Tλm＝B D. α(λ,T)= ε(λ,T)
89.辐射量是光度度量的（ D ）倍．
A.683 B. V（λ） C.683 V（λ） D . 1/683 V（λ）
90.太阳光经过大气，其中100nm～200nm的光被（ A ）吸收.
A．氧分子 B．臭氧C．二氧化碳 D．氮原子
91.下列光源中，最佳的彩色摄影用光源是（ A ）．
A．白炽灯 B．钠灯C．高压汞灯 D．汞氙灯
92.氙灯是一种 ( A ).
A.　气体光源 B. 热光源C. 冷光源 D. 激光光源
93.充气白炽灯主要充入（ B ）.
A. 氢气 B. 氯化碘 C. 氖气 D. 氪气
94.某一干涉测振仪的最高频率为 20 MHz，选用探测器的时间常数应小于多少？( A ).
A. 8×10-9s B. 6×10-8s C. 3×10-7s D. 4×10-5s
95.光电池电流滞后于光照，属于光电池的( A )特性：
A. 频率; B. 伏安;C. 光谱; D. 温度．
96.发光二极管的工作条件是( B ).
A．加热 B. 加正向偏置 C. 加反向偏置 D. 加光照
97.EBCCD表示的是（ C ）CCD．
A. 增强型; B. 时间延迟型; C. 电子轰击模式;D. 红外．
98.Ag－O－Cs 材料，主要用于( A )变像管光阴极．
A. 红外 B. 紫外C. 可见 D. X射线
99. 辐通量相同时，光通量较大的光的波长是（ A ）nm．
A.555 B.590 C.620 D.780
100.ZnS的发光是( D ) :
A. 自发辐射 B.受激辐射 C. 热辐射 D.电致发光
101.半导体中受主能级的位置位于（ A ）.
A. 禁带低 B. 禁带顶C. 导带顶 D. 价带低
102.下面哪个不属于摄像管的功能( D ).
A. 光电变换B. 电荷积累 C. 扫描输出 D. 信号变换
103.波长为40μm的波属于（ B ）．
A. 中红外线 B. 太赫兹波 C. 可见光 D. 无线电波
104.结型光电器件与三极管连接，保证放大，要接在( A ).
A.　基射极间正偏 B. 基集极间正偏
C. 基射极间反偏 D. 基集极间正偏
105.属于激光光放大的器件是（ A ）.
A. LD B. LED C. CCD D. PMT
106.目前最好反隐身战术主要通过( B )来实现.
A．红外技术 B．微波技术
C．THz技术 D．微光技术
107.材料的禁带宽度，最大的是( C )
A. 金属; B. 杂质半导体C. 绝缘体; D. 本征半导体．
108.紫外线频率的范围在（ D ）．
A. 1011～1012 B. 108～109C. 1013～1014 D. 1015～1016
109.等离子体是一种 ( B ).
A. 气体光源 B. 固体光源C. 液体光源 D. 激光光源
110.费米能级Ef的意义是电子占据率为( D )时所对应的能级
A. 0； B. 0.1；C. 0.2； D. 0.5．
111.光源在指定方向上通过单位立体角内的辐射通量的多少，称为( B ).
A. 辐功率； B. 辐强度； C. 辐照度； D. 辐出度
112.光子探测是利用入射光和磁，产生（ B ）。使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。
A. 光子效应 B. 霍尔效应C. 热电效应 D. 压电效应
113.在光源λ一定的情况下，通过半导体的透射光强随温度T的增加而 ( B )。
A. 增加; B. 减少;C. 不变; D. 不能确定．
114.电子亲和势，是指电子从（A）到真空能级的能级差。
A.导带底能级 B. 价带顶能级 C. 费米能级 D. 施主能级
115.光纤通信指的是（ B ）。
A. 以电波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式
B. 以光波作载波、以光纤为传输媒介的通信方式
C. 以光波作载波、以电缆为传输媒介的通信方式
D. 以激光作载波、以导线为传输媒介的通信方式
116.光电探测器单位信噪比的光功率，称为光电探测器的（ C ）。
A. 电流灵敏度; B. 光谱灵敏度; C. 噪声等效功率; D. 通量阈
117.N型半导体的费米能级处于禁带（ B ）.
A. 中间 B. 上部C. 下部 D. 不确定．
118.PN结和光敏电阻的时间常数（ B ）.
A前者大 B. 后者大 C. 一样大 D. 不能确定
119.下列像管的性能指标( A )的值越高，像管的成像质量越好。
A． 光电转换特性；B． 等效背景照度；C． 畸变；D．暗电流。
120.光纤的数值孔径与( C )有关。
A．纤芯的直径 B.包层的直径 C.相对折射率差 D.光的工作波长
121.硅光电二极管与硅光电池相比，前者比后者不正确的说法是（ A ）．
A. 衬底掺杂浓度高；B. 电阻率高；C. 光敏面小；D. 前者反偏后者无偏．
122.正常天气太阳光的峰值辐射波长为502nm，太阳表面的温度大约为（ ）．
A. 6000K B.60000K C. 5000K D.50000K
123.最安全的成像是( D ).
A. CT B. IR C. X-Ray D. THz
124.为了使雪崩光电二极管正常工作，应在其P-N 结上加( A )。
A. 高反向偏压 B. 低正向偏压C. 高正向偏压 D. 低反向偏压
125.像管中（ A ）的出现和使用，成为第三代像管出现的标志性部件。
A．负电子亲和势阴极； B. 电子光学系统； C. 微通道板MCP； D. 光纤面板
126.激光是通过（ A ）产生的.
A. 受激辐射 B. 自发辐射 C. 热辐射 D. 电流
127.某台测温仪表的测温范围是200～600℃，而该仪表的最大绝对误差为±3℃，该仪表的精度等级是（ D ）。
A．0.5级 B．0.75级 C．0.8级 D．1.0级
128.构成一个传感受器必不可少的部分是( B )。
A．转换元件 B．敏感元件 C．转换电路 D．嵌入式微处理器
129.湿敏电阻用交流电作为激励电源是为了( B )。
A. 提高灵敏度 B. 防止产生极化、电解作用
C. 减小交流电桥平衡难度 D. 节约用电
130.（ A ）电容传感器的输出特性是线性的，灵敏度是常数。
A.变面积式 B.变极距式 C.变介电常数 D. 变面积式和变介电常数
131.利用涡流传感器测量齿数Z=60的齿轮的转速，测得f=400Hz，则该齿轮的转速n等于（ A ）r/min。
A. 400 B. 3600 C. 24000 D. 60
132.天平属于( C )检测方法。
A．偏差法 B．微差法 C．零位法 D．平衡法
133.霍尔元件（ B ）霍尔传感器的灵敏度越高。
A.越厚 B.越薄 C.没有关系 D.越大
134.磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向与原磁场强度相反（θ＝180°）时，霍尔电动势( A )，因此霍尔元件可用于测量交变磁场。
A．绝对值相同，符号相反 B．绝对值相同，符号相同
C．绝对值相反，符号相同 D．绝对值相反，符号相反
135.绝对误差Δ与被测量的真值Ax之比是（ B ）误差 。
A.实际相对误差 B．示值相对误差 C．引用相对误差 D．系统相对误差
136.可听声波的频率范围一般为( C )。
A．20Hz~~200Hz B．20Hz~~50Hz C．20Hz~~20kHz D．20Hz~~500Hz

三、间答题
1、 光电倍增管的供电电路注意哪些问题 ？
答：(1)倍增管各电极要求直流供电，从阴极开始至各级的电压要依次升高，常多采用电阻链分压办法供电。流过电阻链的电流IR至少要比阳极最大的平均电流Iam大10倍以上。
(2)供电电源电压稳定性要求较高。
(3)为了不使阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电阻上并联电容器。
(4)倍增管供电电路与其后续信号处理电路必须要有一个共用的参考电位，即接地点。
2、 热电探测器与光电探测器比较，在原理上有何区别？
答：热电探测器件是利用热敏材料吸收入射辐射的总功率产生温升来工作的，而不是利用某一部分光子的能量，所以各种波长的辐射对于响应都有贡献。因此，热电探测器件的突出特点是，光谱响应范围特别宽，从紫外到