集成电路HPM损伤机理分析.pdf

集成电路H PM损伤机理分析章勇华,黄文华,李 平,杨志强,任伟涛,朱占平(西北核技术研究所,西安7 1 0 0 2 4)摘 要:针对几种常用的数字和模拟集成电路,开展了高功率微波注入实验研究,获得了损伤阈值,分析了损伤阈值随高功率微波脉冲宽度的变化规律;通过失效分析,确定了高功率微波在集成电路微米量级的端间间隙处形成瞬态强电场,引起端间沿面击穿,并形成自持放电产生等离子区,使击穿电路端间大面积过流烧毁,导致集成电路功能失效;结合大气击穿机理及理论模型计算结果,认为高功率微波引起介质表面空气击穿是其损伤电子系统的重要机理。关键词:高功率微波;损伤机理;沿面击穿;失效分析;击穿模型;脉冲宽度效应中图分类号:T N 0 1 5;T L 9 9文献标志码:A D O I:1 0.1 2 0 6 1/j.i s s n.2 0 9 5 6 2 2 3.2 0 2 3.0 2 0 5 0 1收稿日期:2 0 2 2 0 3 0 6;修回日期:2 0 2 3 0 2 1 3基金项目:高功率微波技术重点实验室基金资助项目(HPM 1 6 0 7)作者简介:章勇华(1 9 8 0-),男,江西临川人,副研究员,博士,主要从事高功率微波技术研究。E-m a i l:z h a n g y o n g h u a n i n t.a c.c nA n a l y s i s o f H i g h P o w e r M i c r o w a v e D a m a g e M e c h a n i s m i n I n t e g r a t e d C i r c u i t sZ HANG Y o n g h u a HUANG W e n h u a L I P i n g YANG Z h i q i a n g R E N W e i t a o Z HU Z h a n p i n g N o r t h w e s t I n s t i t u t e o f N u c l e a r T e c h n o l o g y X i a n 7 1 0 0 2 4 C h i n a A b s t r a c t H i g h p o w e r m i c r o w a v e H PM i n j e c t i o n e x p e r i m e n t s o n s e v e r a l c o mm o n l y u s e d d i g i t a l i n t e g r a t e d c i r c u i t s I C s a n d a n a l o g I C s a r e c a r r i e d o u t t h e d a m a g e t h r e s h o l d s a r e o b t a i n e d a n d t h e v a r i a t i o n s o f d a m a g e t h r e s h o l d s w i t h H PM p u l s e w i d t h a r e a n a l y z e d A c c o r d i n g t o t h e f a i l u r e a n a l y s i s i t i s d e t e r m i n e d t h a t H PM f o r m s a t r a n s i e n t s t r o n g e l e c t r o m a g n e t i c f i e l d i n t h e m i c r o m e t e r l e v e l m e t a l g a p b e t w e e n I C s a n d c a u s i n g s u r f a c e b r e a k d o w n b e t w e e n t h e t e r m i n a l s a n d f o r m i n g a s e l f-h o l d i n g d i s c h a r g e t o g e n e r a t e a p l a s m a z o n e c a u s i n g a l a r g e a r e a o f o v e r c u r r e n t b u r n o u t b e t w e e n t h e a d j a c e n t m e t a l s t r i p s o f t h e b r e a k d o w n c i r c u i t l e a d i n g t o t h e f u n c t i o n a l f a i l u r e o f t h e i n t e g r a t e d c i r c u i t B a s e d o n t h e a t m o s p h e r i c b r e a k d o w n m e c h a n i s m a n d t h e o r e t i c a l c a l c u l a t i o n r e s u l t s i t i s c o n c l u d e d t h a t t h e a i r b r e a k d o w n a l o n g t h e s u r f a c e o f t h e m e d i u m c a u s e d b y H PM i s o n e o f t h e i m p o r t a n t d a m a g e m e c h a n i s m s f o r t h e e l e c t r o n i c s y s t e m K e y w o r d s h i g h p o w e r m i c r o w a v e d a m a g e m e c h a n i s m s u r f a c e b r e a k d o w n f a i l u r e a n a l y s i s b r e a k d o w n m o d e l p u l s e w i d t h e f f e c t 集成电路(i n t e g r a t e d c i r c u i t,I C)广泛应用于各行业电子设备和信息化系统中,高功率微波(h i g h p o w e r m i c r o w a v e,H P M)系统、电磁脉冲弹(e l e c t r o m a g n e t i c p u l s e b o m b,E M P B o m b)的近距离辐射及雷击等产生的强电磁脉冲可通过设备的“前门”和“后门”耦合进入I C内部,造成I C扰乱和毁伤。I C长期以摩尔定律速度朝高集成度和低功耗方向发展,意味着其特征尺寸和特征电压越来越小,也表明其更容易被高功率微1-105020第1 4卷 第2期2 0 2 3年6月现 代 应 用 物 理MO D E R N A P P L I E D P HY S I C SV o l.1 4,N o.2J u n.2 0 2 3波等强电磁脉冲扰乱和损伤。1关于高功率微波对集成电路的损伤和破坏,有很多研究人员开展了相关工作,认为高功率微波主要损伤电路内部的半导体器件,损伤机理为热效应损伤。其中,以Wu n s c h等2工作最具代表性,他们对近8 0种S i二极管及双极性晶体管开展了实验研究和分析,得到了半导体损伤脉冲功率密度阈值随脉冲宽度的变化关系,即Wu n s c h-B e l l半经验关系式。文献3 进一步研究认为,基于热量沉积和扩散的等效热阻容电路的充放热过程,是半导体器件失效的脉冲宽度效应机理,也是造成H PM翻转/扰乱脉冲宽度效应的主要原因。文献4 5 通过仿真和实验研究了P I N限幅器及低噪声放大器(l o w n o i s e a m p l i e r,L NA)等半导体器件的H PM损伤功率密度 阈 值 随 脉 冲 宽 度 的 变 化 关 系,研 究 结 果 与Wu n s c h-B e l l半经验关系式符合较好。上述研究都是从高功率微波热效应角度,研究给出半导体器件的损伤机理和脉冲宽度效应规律,认为热二次击穿和电流二次击穿是半导体P N结的两种主要损伤模式67。本文对几种典型集成电路开展H P M注入实验研究,结合失效分析和理论模型计算,发现H P M在集成电路端间间隙处形成瞬态强电场,引起端间沿面击穿,并形成自持放电产生等离子区,造成端间大面积过流烧毁,导致集成电路功能失效。这种损伤模式下的损伤功率随脉冲宽度的变化关系,与W u n s c h-B e l l关系非常相似,但损伤机理不同,它属于典型的高功率微波场效应,烧毁集成电路的能量主要来自集成电路本身,H P M脉冲只起“刺激”和“导火线”的作用,而后者属于高功率微波热效应,损坏半导体的能量主要来自H P M脉冲。1 W u n s c h-B e l l关系W u n s c h-B e l l关系1如图1所示。由图1可见,当高功率微波持续时间,即脉冲宽度t小于1 0 0 n s时,时间尺度短于热扩散时间,热扩散的影响可忽略,为绝热过程,能量沉积全部转化成温升,半导体损伤所需能量为一个定值,因此损伤功率密度阈值与t-1成正比;当脉冲宽度大于1 0 0 n s时,热扩散的影响必须考虑,损伤功率与脉冲宽度满足W u n s c h-B e l l关系,即在1 0 0 n s 1 0 s范围,对半导体结破坏的能量阈值与t1/2成正比,对应损伤功率密度阈值与t-1/2成正比;当脉冲宽度大于1 0 s,出现热扩散与能量沉积平衡的状态,导致损伤功率密度阈值为一个常数,而能量需求则与t成正比。图1 W u n s c h-B e l l关系F i g.1 W u n s c h-B e l l r e l a t i o n s h i p 脉冲宽度效应经验公式3可表示为Pf=K/(1-e-tff)(1)其中:Pf为损伤微波功率密度;tf为损伤脉冲宽度;f为热时间常数;K为损伤功率常数。2实验研究2.1实验研究对象集成电路主要包括模拟集成电路和数字集成电路两大类,分别选择典型的产品作为实验研究对象。2.1.1模拟集成电路选择目前应用广泛的工业级、塑封、双列直插式单运算放大电路A 7 4 1,图2为A 7 4 1运放引脚图。为方便将微波注入A 7 4 1引脚,并对电路响应结果进行在线监测,基于A 7 4 1搭建了同向输入放大器电路。考虑到注入的微波可能从输入针脚进入,也可能从电源针脚进入,因此,在常规同向输入放大器电路上增加合适的电容电感,对微波进行隔离。电路板加工完成后置于金属屏蔽体内,外面为S MA接口,图3为实验用同向输入放大器。图2 A 7 4 1运放引脚图F i g.2 P i n d i a g r a m o f A 7 4 1 c i r c u i t2-105020 章勇华 等:集成电路H PM损伤机理分析第2期图3实验用同向输入放大器F i g.3 E x p e r i m e n t a l s a m p l e o f t h e s a m e d i r e c t i o n i n p u t a m p l i f i e r2.1.2数字集成电路选 择4种 集 成 电 路,其 中HD 7 4 L S 0 0 P、S N 5 4 L S 0 0 J为T T L电 平 的 四2输 入 与 非 门,HD 7 4 HC 0 0 P、S N 5 4 HC 0 0 J为CMO S的四2输入与非 门。HD 7 4 L S 0 0 P、HD 7 4 HC 0 0 P为 陶 瓷 封 装,S N 5 4 HC 0 0 J、S N 5 4 L S 0 0 J为塑料封装。4种集成电路均为0 0系列四2输入与非门的逻辑电路,所实现的逻辑功能可表示为Y=A+B(2)其中:A、B为信号输入端;Y为信号输出端。集成电路封装为1 4针脚的双列直插模块,其中,第7针脚接地,第1 4针脚接电源,图4为0 0系列四2输入与非门引脚图。图4 0 0系列四2输入与非门引脚图F i g.4 P i n d i a g r a m o f f o u r 2 i n p u t N A N D c i r c u i t为方便实验,设计了一个P C B板基座,基座从8个针脚引出5 0 微带线,分别为电源脚、接地脚和2套2输入与非门针脚。这种设计主要是考虑到高功率微波可选择从集成电路的电源端、接地端、信号输入端或信号输出端注入。4套2输入与非门在逻辑上是独立的,引出2套与非门的微带线,每块集成电路样品可获取2个实验数据。没有把4套与非门都引出,是防止微带线过于密集,线缆间耦合影响测试数据的准确性。图5为数字集成电路测试基座照片,P C B板测试基座放在镂空的金属盒子里,8根微带线通过S MA接头引出盒体,整个金属盒边沿电接触良好,确保良好的屏蔽性能。图5数字集成电路测试基座F i g.5 T e s t b a s e f o r d i g i t a l I C s2.2实验系统与辐照效应实验系统相比,注入效应实验系统的H P M参数调节灵活、可调范围大及方便监测诊断,常用于部/组件和子系统的效应研究。本文采用注入法,图6为集成电路H P M注入实验系统示意图。图6集成电路H PM注入实验系统示意图F i g.6 S c h e m a t i c d i a g r a m o f e x p e r i m e n t f o r d e t e r m i n i n g H PM d a m a g e t h r e s h o l d o f I C s高功率微波源可设置脉冲宽度(3 0 n s 2 s)、重复频率(12 0 0 H z)和脉冲个数;通过定向耦合器、衰减器、检波器和数字示波器监测被测集成电路的注入波形、反射波形和集成电路输出信号;信号发生器提供集成电路的输入信号,高功率微波经设计的微带线进入集成电路引脚;电路板放置在金属屏蔽盒里,集成电路输出信号首先经过低通滤波器(D C1 0 0 MH z),过滤掉耦合进入的高功率微波后接入示波器。关于I C样品是否失效的监测评估,对A 7 4 1模拟电路,可通过监测其输出端口信号进行实时评估;对4种数字集成电路,可先用集成电路测试仪对集成电路进行功能性整体测试,判断集成电路是否损坏,如已损坏,用L E D测试仪判断哪个管脚出现3-105020第1 4卷现 代 应 用 物 理问题。图7和图8分别为集成电路测试仪和L E D测试仪。图7集成电路测试仪F i g.7 I C t e s t e r图8 L E D测试仪F i g.8 L E D t e s t e r2.3实验结果实验中,首先固定H P M脉冲的微波频率、脉冲宽度、重复频率及脉冲个数等参数,改变H P M脉冲功率,每个功率点获取1 0个数据,用于统计该功率点下的集成电路损伤比例;然后改变脉冲宽度,重复上述步骤;最终得到2 0,5 0,1 0 0,2 0 0,5 0 0,1 0 0 0 n s共6个脉冲宽度下的损伤功率密度阈值(多种损伤比例)。为研究脉冲宽度规律,本文统计分析了模拟和数字集成电路损伤比例为5 0%时,归一化损伤功率密度阈值随脉冲宽度的变化 关 系,如 图9和 图1 0所 示。H P M频 率 为2.8 5 6 G H z,重复频率为5 0 H z,脉冲个数为1 0 0。图9模拟I C A 7 4 1损伤比例为5 0%时,归一化损伤功率密度阈值随脉冲宽度的变化关系F i g.9 N o r m a l i z e d d a m a g e d p o w e r d e n s i t y t h r e s h o l d v s.p u l s e w i d t h f o r A 7 4 1 a n a l o g o u s c i r c u i t w i t h d a m a g e r a t i o o f 5 0%图1 0数字集成电路损伤比例为 5 0%时,归一化损伤功率密度阈值随脉冲宽度的变化关系F i g.1 0 N o r m a l i z e d d a m a g e d p o w e r d e n s i t y t h r e s h o l d v s.p u l s e w i d t h f o r d i g i t a l I C s w i t h d a m a g e r a t i o o f 5 0%由图9和图1 0可见,损伤功率密度阈值随脉冲宽度增加先急剧下降,然后趋于平稳,且在1 0 0 n s附近有一个拐点。该曲线变化规律与Wu n s c h-B e l l关系曲线非常相似。3机理分析3.1失效分析对数十个损伤的样品进行失效分析,结果表明:A 7 4 1模拟集成电路主要出现两种击穿失效模式:一是同向输入端3和负电源端4之间击穿,击穿损伤后表现为电阻特性,阻抗为24;二是同相输入端3与 反 相 输 入 端2之 间 击 穿 损 伤,阻 抗 为4.68 6。失效分析认为,端间引入瞬时电压浪涌或静电放电导致了击穿损伤,A 7 4 1模拟集成电路击穿形貌如图1 1所示。数字集成电路主要是电路端1、电路端1 0与地之间击穿,薄膜电阻烧毁,金属也存在烧毁现象,这两个电路端口正是高功率微波注入端口。失效分析认为损伤的原因是从端1、端1 0引入瞬时高压电浪涌或静电放电损伤所致,数字集成电路击穿形貌如图1 2所示。(a)B r e a k d o w n s u r f a c e a p p e a r a n c e b e t w e e n p o r t 3 a n d p o r t 44-105020 章勇华 等:集成电路H PM损伤机理分析第2期(b)B r e a k d o w n s u r f a c e a p p e a r a n c e b e t w e e n p o r t 3 a n d p o r t 2图1 1 A 7 4 1模拟集成电路击穿形貌F i g.1 1 B r e a k d o w n m o r p h o l o g y o f A 7 4 1 a n a l o g o u s c i r c u i t(a)B r e a k d o w n s u r f a c e a p p e a r a n c e o f p o r t 1(b)B r e a k d o w n s u r f a c e a p p e a r a n c e o f p o r t 1 0图1 2数字集成电路击穿形貌F i g.1 2 B r e a k d o w n m o r p h o l o g y o f o f d i g i t a l I C s3.2损伤机理分析首先,集成电路的损坏是注入高功率微波所致,且所有损伤端口正是高功率微波注入端口;其次,从烧毁形貌看,属于典型的放电击穿形貌,损伤导致互相隔离的相邻端口形成低阻抗的电流通道,从而引起大面积过流烧毁。集成运算放大器A 7 4 1的输入端属高阻端,其抗静电能力较差,一般情况下小于2 k V。T T L型和C MO S型的数字集成电路,在小于2 k V情况下会出现MO S管的栅极氧化层损伤,3 k V以上在多晶硅电阻和电路的表面上会出现明显的电损伤。H P M注入损伤实验中,集成电路的损伤功率在几百瓦到几千瓦范围(与H P M脉冲宽度有关),对应的电压在千伏到几十千伏,满足形成击穿损伤的条件。高功率微波条件下,放电过程比直流条件下复杂,且放电电压也比直流小。在集成电路表面气体中存在的游离导电粒子,易受端间电场加速而产生足够的能量去碰撞别的气体分子或粒子,使之电离,并放出离子,从而形成离子的倍增效应。从集成电路烧毁形貌看,H PM注入时在电路端间间隙处形成瞬态强电磁场,引起端间沿面击穿,并形成自持放电产生等离子区,形成放电通道,使击穿电路端间大面积过流烧毁,导致集成电路功能失效。击穿造成的损伤功率密度阈值随脉冲宽度的变化规律,是因为游离导电粒子碰撞空气分子电离形成击穿通道需一定的时间(脉冲宽度),显然,击穿过程随注入脉冲功率的增加而缩短。实际放电过程复杂,与微波频率、气体性质、气体压力,电极形状和电极间距等都有关系。另外,这种沿面击穿存在不稳定性,样品表面的清洁度、毛刺等都会影响损伤功率密度阈值。4理论分析考虑一个由H PM引起的集成电路表面端间的空气击穿模型,在这个模型中,假定微波频率低于电子碰撞频率,空气介质为地球表面或低空中的大气,自由电子的数密度na约为1 0 0 m-3。如H PM的电场将自由电子加速到足以引起空气分子电离的能量Ui(空气分子的Ui约为1 0 e V),那么该电子随后可通过与空气分子的碰撞而产生出另一个电子。在该碰撞电子的能量足够高(大于4 0 e V)的情况下,发生电离碰撞的概率就远大于弹性碰撞,这种情况下,初始碰撞和电离碰撞产生的电子便会迅速引起次级电离,此过程重复发生,造成电子数指数增长的雪崩电离,最终形成由自由电子组成的等离子体。这种指数雪崩电离可用倍增时间d表示为n=na2td(3)其中:n为等离子体数密度。均匀电场中气体放电击穿条件为(e d-1)=1,即所产生的电子满足自持放电条件。这里给出的均匀电场是持续存在的,但本文考虑的模型中,高功率微波持续时间为t(脉冲宽度),因此设定导电等离子体数密度n增长到某常数Cn时,集成电路端间击穿,形成电流通道。等离子体数密度n的增长主要取决于初始种子电子数密度na和倍增时间d,d取决于加速电场的电场强度E和与空气分子发生碰撞的电子的“平均5-105020第1 4卷现 代 应 用 物 理自由程”。可表示为=1N(4)其中:为总等效反应截面(取决于能量),即空气分子的平均靶面积;N为指空气分子数密度,N随高度h成指数下降,当h小于1 0 0 k m时,可近似表示为N2.71 02 5e-h7(5)当电子能量U小于1 0 e V时,空气中的非电离或弹性散射占主导地位,此时相应的反应截面e1 0-1 9 m2。由此得出在这些能量范围内的弹性平均自由程为e,表示为8e3.71 0-7 eh7(6)在恒定电场E的作用下,自由电子在速度空间中从静止开始直到在随机碰撞过程中得到能量U所需的平均时间可表示为8r a n dU2meee E43Ue E e 32-13 ,(Ue E e)(7)地表(h=0)电子雪崩倍增时间可表示为d=r a n dd1.5 61 03E2-6.71 0-1 0E(8)当电子能量小于1 0 e V,微米量级集成电路端间电场强度小于1 0 MVm-1时,式(8)中第一项比第二项大约两个量级,第二项可忽略。另外考虑注入功率P与电场强度E的关系,表示为P=(E d)2R(9)其中:d为电路端间距离;R为电路端间波阻抗,暂以空气阻抗3 7 7 计算,R只影响关系式的系数,而不影响规 律分析;低空 自由电子数 密 度na取 为1 0 0 m-3。把式(8)和式(3)代入式(9),可得P=1.5 61 03d2l o g2nna Rt-14.1 4d2l o g2n1 0 0 t-1(1 0)击穿时,导电等离子体数密度n增长到某常数Cn,可令常数C 为C=4.1 4d2l o g2Cn1 0 0 (1 1)则式(1 0)变为P=C t-1(1 2)显然,击穿时集成电路的注入功率P与高功率微波脉冲宽度t成反比关系。当电子能量大于4 0 e V时,电离碰撞占主导地位;当电子能量为4 01 0 0 0 e V时,反应截面大致恒定,为31 0-2 0 m2,由此得出电离平均自由程,表示为8i1.21 0-6eh7(1 3)当电场强度较高时,电子倍增时间可近似为使一个自由电子从静止状态开始加速、并运行一个电离平均自由程i所需要的总时间8,表示为(0)d=2meie E3.71 0-9Eeh1 4(1 4)把式(1 4)和式(3)代入式(9),R取3 7 7,可得P=3.71 0-9dl o g2nna 4Rt-451 0-3 7d2l o g2n1 0 0 4t-4(1 5)击穿时,导电等离子体密度n增长到某常数Cn,可令常数C为C=51 0-3 7d2l o g2Cn1 0 0 4(1 6)则式(1 5)变为P=C t-4(1 7)由式(1 2)和式(1 7)可知,当脉冲宽度t较大,集成电路击穿阈值功率P低,此时P与t-1成正比;当脉冲宽度t较小,集成电路击穿阈值功率P高,此时P与t-4成正比。图1 3为击穿功率随脉冲宽度变化关系的理论计算曲线。由图1 3可见,该理论计算变化规律趋势与实验结果高度一致。图1 3击穿功率随脉冲宽度变化理论计算曲线F i g.1 3 T h e o r e t i c a l c u r v e o f b r e a k d o w n p o w e r t h r e s h o l d v s.p u l s e w i d t h6-105020 章勇华 等:集成电路H PM损伤机理分析第2期5结论通过集成电路的H PM效应实验研究,结合失效机理分析和理论计算,认为由馈入的H PM引起的介质表面空气击穿是导致集成电路损伤的重要机理,损伤阈值随H PM脉冲宽度的变化关系是其重要外在表现。当前,电子设备内部基本包含或多或少的集成电路和芯片,因此集成电路的H PM损伤机理一定程度上代表了电子设备的H PM损伤机理,归纳为:(1)热扩散和能量沉积原理。对于半导体器件,H PM进入后通过能量沉积引起温升造成半导体器件故障,甚至材料融化,属于H PM热效应。这种情况通常出现在H PM从电子系统“前门”进入,通过信号输入端进入敏感器件,如L NA、混频器、半导体开关及限幅器等,因热二次击穿和电流二次击穿烧毁半导体P N结。(2)H PM条件下沿面击穿原理。H PM耦合进入电子设备及系统,在某些点产生强场,导致沿介质表面空气击穿,形成放电通道,对系统产生各种扰乱/损伤效应。首先出现的是H PM场效应,然后可能会出现热效应。这种机理导致的H PM扰乱/损伤现象,通常出现在H PM“后门”效应中。参考文献 1 B E N F O R D J S WE G L E J A S h o r t C o u r s e o n H i g h P o w e r M i c r o w a v e s C S h a a n x i G u e s h o u s e X i a n C h i n a 2 0 0 8 2 WUN S C H D C B E L L R R D e t e r m i n a t i o n o f t h r e s h o l d f a i l u r e l e v e l s o f s e m i c o n d u c t o r d i o d e s a n d t r a n s i s t o r s d u e t o p u l s e v o l t a g e s J I E E E T r a n s N u c l S c i 1 9 6 8 1 5 6 2 4 42 5 9 3 李平 刘国治 黄文华 等 半导体器件H PM损伤脉冲宽度效应机理分析 J 强激光与粒 子束 2 0 0 1 1 3 3 3 5 33 5 6 L I P i n g L I U G u o-z h i HUAN G W e n-h u a e t a l T h e m e c h a n i s m o f H PM p u l s e-d u r a t i o n d a m a g e e f f e c t o n s e m i c o n d u c t o r c o m p o n e n t J H i g h P o w e r L a s e r a n d P a r t i c l e B e a m s 2 0 0 1 1 3 3 3 5 3 3 5 6 4 赵振国 周海京 马弘舸 等 P I N限幅器电磁脉冲效应数值模拟与验证 J 强激光与粒子束 2 0 1 4 2 6 6 0 6 3 0 1 8 Z HAO Z h e n-g u o Z HOU H a i-j i n g MA H o n g-g e e t a l N u m e r i c a l s i m u l a t i o n a n d v e r i f i c a t i o n o f h i g h p o w e r m i c r o w a v e e f f e c t o f P I N d i o d e l i m i t e r J H i g h P o w e r L a s e r a n d P a r t i c l e B e a m s 2 0 1 4 2 6 6 0 6 3 0 1 8 5 胡凯 微波前端高功率微波效应研究 D 成都 电子科技大学 2 0 1 4 HU K a i S t u d y o f h i g h-p o w e r m i c r o w a v e e f f e c t s o n m i c r o w a v e f r o n t e n d D C h e n g d u U n i v e r s i t y o f E l e c t r o n i c S c i e n c e a n d T e c h n o l o g y o f C h i n a 2 0 1 4 6 O R V I S W J KHANAKA G H Y E E J H e t a l R e v i e w o f t h e p h y s i c s a n d r e s p o n s e m o d e l s f o r b u r n o u t o f s e m i c o n d u c t o r d e v i c e s U C R L-5 3 5 7 3 R L a w r e n c e L i v e r m o r e N a t i o n a l L a b 1 9 8 4 7 KOYANA G I K HAN E K S U Z UK I T B o u n d a r y c o n d i t i o n s b e t w e e n c u r r e n t m o d e a n d t h e r m a l m o d e s e c o n d b r e a k d o w n i n e p i t a x i a p l a n a r t r a n s i s t o r s J I E E E T r a n s E l e c t r o n D e v i c e s 1 9 7 7 2 4 6 6 7 2 8 7 8 8 F E N S T E RMA C HE R D L VON H I P P E L F A n a t m o s p h e r i c l i m i t o n n u c l e a r-p o w e r e d m i c r o w a v e w e a p o n s J S c i e n c e&G l o b a l S e c u r i t y 1 9 9 1 2 4 3 0 1 3 2 4 上接第0 2 0 3 0 3-6页 1 5 张大成 冯中琦 魏宽 等 远程激光诱导击穿光谱技术与应用 特邀 J 光子学报 2 0 2 1 5 0 1 0 1 0 3 0 0 0 1 Z HAN G D a-c h e n g F E N G Z h o n g-q i WE I K u a n e t a l R e m o t e l a s e r-i n d u c e d b r e a k d o w n s p e c t r o s c o p y a n d i t s a p p l i c a t i o n I n v i t e d J A c t a P h o t o n i c a S i n i c a 2 0 2 1 5 0 1 0 1 0 3 0 0 0 1 1 6 G R E S HAM G L D AV I E S J P GOO D R I C H L D e t a l D e v e l o p m e n t o f p a r t i c l e s t a n d a r d s f o r t e s t i n g d e t e c t i o n s y s t e m s m a s s o f R D X a n d p a r t i c l e s i z e d i s t r i b u t i o n o f c o m p o s i t i o n 4 r e s i d u e s C C o n f e r e n c e o n C a r g o I n s p e c t i o n T e c h n o l o g i e s S a n D i e g o 1 9 9 4 1 7 WAN G H P C HE N P D A I J W e t a l R e c e n t a d v a n c e s o f c h e m o m e t r i c c a l i b r a t i o n m e t h o d s i n m o d e r n s p e c t r o s c o p y A l g o r i t h m s s t r a t e g y a n d r e l a t e d i s s u e s J T r e n d s A n a l y t C h e m 2 0 2 2 1 5 3 1 1 6 6 4 8 1 8 J O L L I F F E I T C A D I MA J P r i n c i p a l c o m p o n e n t a n a l y s i s A r e v i e w a n d r e c e n t d e v e l o p m e n t s J P h i l o s T r a n s R o y a l S o c A 2 0 1 6 3 7 4 2 0 6 5 2 0 1 5 0 2 0 2 1 9 WE B B A R C O P S E Y K D S t a t i s t i c a l P a t t e r n R e c o g n i t i o n M 3 r d e d N e w J e r s e y J o h n W i l e y&S o n s 2 0 1 1 2 2 1 2 7 3 2 0 D E MA E S S C HA L C K R J O UA N-R I M B A U D D MA S S A R T D L T h e M a h a l a n o b i s d i s t a n c e J C h e m o m e t r I n t e l l L a b S y s t 2 0 0 0 5 0 1 1 1 8 7-105020第1 4卷现 代 应 用 物 理