半导体词汇(英汉对照).docx

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2 Wave mechanics 波动力学 Carriers 载体 Photon 光子 Electrons 电子的 Work function 功函数 Holes 孔 Wave-particle duality principle 波粒二象性原则 Effective mass 有效质量 Probability density function 概率密度函数 Insulator 绝缘子 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 Semiconductor 半导体 Allowed energy band 允许的能带 Direct bandgap semiconductor 直接带隙半导体 Forbidden energy band 禁带 Indirect bandgap semiconductor 间接带隙半导体 Valence band 价带 Fermi-Dirac distribution function 费米-狄拉克分布函数 Conduction band 导带 Fermi energy 费米能级 3 Density of electrons(holes) 电子密度（孔） Complete ionization 完全电离 Intrinsic carrier concentration 本征载流子浓度 Compensated semiconductor 补偿半导体 Intrinsic Fermi level 内在的费米能级 Charge neutrality 电荷中和 Donor impurity 施主杂质 Impurity() diffusion coefficient impurity()扩散系数 Acceptor impurity 受主杂质 Nondegenerate semiconductor 非退化半导体 Extrinsic semiconductor 本征半导体 Degenerate semiconductor 退化半导体 Intrinsic semiconductor 本征半导体 Majority carriers 多数载流子 Minority carriers 少数载流子 Electron(Hole) concentration 电子（空穴）的浓度 4 Transport 运输 Diffusion 扩散 Drift (current) 漂移（电流） Diffusion current 扩散电流 Hole(Electron) mobility 孔（电子）迁移 Carrier lifetime 载流子寿命 Hole(Electron) drift current density 孔（电子）漂移电流密度 (In)Direct bandgap （在）的直接带隙 Scattering effects 散射的影响 Electron diffusion coefficient 电子扩散系数 Lattice scattering 晶格散射 Hole diffusion coefficient 孔扩散系数 Ionized impurity scattering 电离杂质散射 Einstein relation 爱因斯坦关系 Conductivity 导电性 Carrier generation 载流子的产生 Resistivity 电阻率 Carrier recombination 载流子复合 Drift velocity saturation 饱和漂移速度 Excess carrier 过剩载流子 Hall voltage(effect) 霍尔电压（效果） 6 Channel region 沟道区 Principle of operation 操作原理 Threshold voltage 阈值电压 MOS capacitor MOS电容器 Energy-band diagram 能带图 Charge distribution 电荷分布 Accumulation layer 积累层 Induced depletion region 诱导的耗尽区 Inversion layer 逆温层 Inversion charge density 反转电荷密度 Work function differences 工作性能差异 Polysilicon gate 多晶硅栅 Oxide charge 氧化层电荷 Flat-Band voltage 平带电压 Enhancement-mode device 增强模式器件 Depletion-mode device 耗尽型器件 Strong inversion 较强的逆温 Weak inversion 弱反转 Soure (drain) terminals 源（漏）端子 Long-channel device 长通道设备 (non)saturation region （非）饱和区 Conduction parameter 传导参数 Cutoff frequency 截止频率 Invertor 逆变器 Substrate bias effects 衬底偏压的影响 Transconductance 跨导 7 Constant-Field Scaling 恒定电场标度 Channel length scaling 通道长度尺度 Subthreshold current 亚阈值电流 Subthreshold conduction 亚阈值传导 Channel Length Modulation 沟道长度调制 Short channel effect 短沟道效应 Surface scattering effect 表面散射的影响 Effective surface electric field 有效的表面电场 Velocity saturation 速度饱和 Cutoff frequency 截止频率 Charge sharing 电荷共享 Substrate bias effects 衬底偏压的影响 Oxide breakdown 氧化层击穿 Hot electron (effects) 热电子（作用） Threshold adjustment 阈值调整 Channel resistance 通道电阻 8 Nonequilibrium excess carriers 非平衡载流子 Generation (rate) 代（率） Recombination (rate) 重组（率） Ambipolar transport 双极性传输 Continuity equation 连续性方程 Low injection 低注射 Minority-carrier diffusion length 少数载流子的扩散长度 Quasi-Fermi energy level 的准费米能级 Excess carrier lifetime 过量的载流子寿命 Surface state 表面状态 9 Schottky diodes 肖特基二极管 Boundary conditions 边界条件 Forward bias 正向偏置 Reverse bias 反向偏压 Carrier injection 载流子注入 Reverse-saturation current density 反向饱和电流密度 Diffusion resistance 扩散阻力 Diffusion capacitance 扩散电容 Junction breakdown 结击穿 Zener breakdown 齐纳击穿 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Critical electric field 临界电场 Charge storage 电荷存储 Storage time 贮存时间 10 Bipolar transistor 双极型晶体管 Emitter, Collector, Base (current) 发射极，集电极，基（电流） Common-base(emitter) current gain 共基极（发射极）的电流增益 Forward-active(Cutoff, Saturation, Inverse-active) mode 提出了积极的（截止，饱和，反活性）模式 Emitter injection efficiency 发射极注入效率 Base transport factor 基区输运系数 Base width modulation 基部宽调制 Early effect(voltage) 早期的影响（电压） High injection 高的注射 Emitter bandgap narrowing 发射带隙变窄 Current crowding 电流拥挤 Cutoff frequency 截止频率

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