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模电复习专题培训市公开课金奖市赛课一等奖课件.pptx

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1、单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,半导体,本征半导体,杂质半导体,本征激发,自由电子,空穴,载流子,N型,P型,自由电子(多子),空穴(少子),自由电子(少子),空穴(多子),掺杂,热激发,半导体:,少子对温度非常敏感;而多子浓度基本上等于杂质原子浓度,因此受温度影响不大。,第1页,第1页,PN结特性单向导电性,要求:,P区接电源正,N区接电源负为PN结加,正向,电压,N区接电源正,P区接电源负为PN结加,反向,电压,单向导电性,PN结加,正向,电压时(正偏),,导通,PN结加,反向,电压时(反偏),,截止,P,N,+,+,+,+,+,+,

2、第2页,第2页,U/V,二极管,硅,二极管死区电压约为:,U,th,=0.5 V,左右,,,锗,二极管死区电压约为:,U,th,=0.1 V,左右。,第3页,第3页,60,40,20,0.02,0,0.4,25,50,i,D,/mA,u,D,/V,20,C,90,C,伴随温度升高,,正向,特性曲线,左移,,即正向压降减小;,反向,特性曲线,下移,,即反向电流增大。,普通在室温附近,温度每,升高1,,其,正向压降减小2-2.5mV,;,温度每,升高10,,,反向电流,大约,增大1倍左右。,半导体二极管温度特性,第4页,第4页,S,正偏导通,,u,D,=0;,反偏截止,,i,D,=0,S,抱负模型

3、,第5页,第5页,恒压降模型,当流过二极管电流近似等于或不小于1mA时,能够认为二极管导通后,管压降是恒定,且不随电流而变;硅管为0.7伏,锗管为0.2伏。,第6页,第6页,二极管单向导电性应用很广,可用于:检波、整流、限幅、钳位、开关、元件保护等。,1)断开二极管,判断二极管两端电位,2)依据题目要求利用抱负模型或者恒压降模型进行等效,再求解,类型题:,1)求输出电压,画输出波形,2)开关电路求输出电压(压降大二极管优先导通),第7页,第7页,1)正偏导通,反偏截止;,2)当反向电压加到某一定值时,U,Z,,产生反向击穿,反向电流急剧增长,,只要控制反向,电流,不超出一定值,,管子就不会损坏

4、。,稳压二极管,稳压二极管是应用在,反向击穿区,特殊二极管。,第8页,第8页,应用:,1)稳定电压和稳定电流;,2)给输入电压求输出电压及波形;,3)稳压管串并联,第9页,第9页,发射区掺杂浓度高,,,基区很薄,,,集电结面积大,是确保三极管能够实现电流放大,内因,;发射结正偏,集电结反偏是确保三极管实现电流放大,外因,;,电流控制电流,半导体三极管(BJT)-电流放大特性(,),第10页,第10页,(模电)放大区:发射极正偏,集电结反偏;线性放大,饱和区:发射结正偏,集电结正偏;,U,CES,(饱和管压降);近似开关闭合;,截止区:发射结反偏,集电结反偏;,近似开关断开;,第11页,第11页

5、,发射结正偏,集电结反偏,即,V,c,V,b,V,e,(NPN),V,c,V,b,V,e,、V,b,V,c,(NPN),V,b,V,e,、V,b,V,c,(PNP),两个结都反偏,即,V,b,V,e,V,b,V,e,V,b,V,c,(PNP),放大,饱和,截止,依据三极管电位判断是硅管锗管(看发射结电压)、是NPN还是PNP(结合PN结单向导电性),是放大,饱和还是截止,第12页,第12页,双极型三极管,场效应三极管,结构,NPN型,结型 N沟道 P沟道,PNP型,绝缘栅增强型,N沟道 P沟道,绝缘栅耗尽型,N沟道 P沟道,C与E普通不可倒置使用,D与S有型号可倒置使用,载流子,多子扩散少子漂

6、移,多子漂移,输入量,电流输入,电压输入,控制,电流控制电流源CCCS(),电压控制电流源VCCS(gm),场效应管,第13页,第13页,分立元件放大电路,固定偏置放大电路,分压偏置放大电路,第14页,第14页,直流,、,交,信号同时存在,交流信号是被放大信号,直流信号确保三极管,不失真,放大交流信号,直流信号,交流信号,分开处理,直流,电路分析,(,静态,分析,),I,BQ,I,CQ,U,BEQ,U,CEQ,估算法,图解法,交流,电路分析,(动态,分析,),A,u,R,i,R,o,(A,us,),小信号模型,r,be,Q,rbb+(1+,),26/,I,EQ,(mA),第15页,第15页,饱

7、和失真,截止失真,由于放大电路工作点达到了三极管,饱和区而引起非线性失真。对于NPN,管,,输出电压表现为底部失真。,由于放大电路工作点达到了三极管截止,区而引起非线性失真。对于NPN管,,输出,电压表现为顶部失真。,波形非线性失真,注意:对于PNP管,由于是负电源供电,失真表现形式,与NPN管正好相反。,第16页,第16页,1、产生饱和失真原因,Q点靠近饱和区,2、消除饱和失真办法,使Q点移动到放大区,经常减小I,B,来消除饱和失真,第17页,第17页,1、产生截止失真原因,Q点靠近截止区,2、消除截止失真办法,使Q点移动到放大区,经常增长I,B,消除截止失真,第18页,第18页,共集电极,

8、共射极,电压增益,低,高,电流增益,高,高,输入电阻,高,中,输出电阻,低,高,输入和输出相位关系,同相,反相,第19页,第19页,R,L,第一级,第二级,第n-1级,第 n级,输入级,中间级,输出级(末级),前置级(放大电压)(共发射极),放大功率,(共集电极),多级放大电路,第20页,第20页,阻容耦合多级放大电路分析,静态,分析,两级电路分别分析,相称,于分析两个单级电路,动态,分析,总电压放大电路放大倍数,总输入电阻,总输出电阻,第21页,第21页,在求分立元件多级放大电路动态参数时可将电路作两种等效。,是将后一级输入电阻,作为前一级负载考虑,,即将第二级输入电阻,等效为第一级负载电,

9、阻,R,L1,=R,i2,。,第1种等效,第22页,第22页,将后一级与前一级,开路,计算出前一级,开路电压放大倍数,和输出电阻,将其等,效为后一级信号源,和信号源内阻。,第2种等效,第23页,第23页,直接耦合放大电路静态分析,第24页,第24页,第25页,第25页,u,i1,u,i2,共模,信号,差模,信号,差动放大电路(克制零点漂移),第26页,第26页,长尾电路静态计算,双端输出时,接入负载后静态工作点无改变,T,2,管静态工作点与T,1,管相同,单端输出时,T2管静态工作点与T1管只有VC不同,其它均相同,且和双出相等,第27页,第27页,长尾电路动态计算,第28页,第28页,双端输

10、出时,差模输入时:RE短路;有输出负载:RL/2,共模输入时:AC=0,第29页,第29页,单端输出时,共模输入时(2R,E,),第30页,第30页,差模输入时:RE短路;有输出负载:RL,若从3端输出,若从4端输出,第31页,第31页,动态分析与长尾电路同样,即增长元件不影响动态参数,为提升共模克制比,引入了恒流源差放电路:,第32页,第32页,功率放大电路,效率,.单电源供电;,.输出加有大电容。,OTL:,OCL:,.双电源供电;,.输出无大电容。,第33页,第33页,最大不失真输出时,OTL,第34页,第34页,OCL,最大不失真输出时,第35页,第35页,输入信号很小时,达不到三极管

11、启动电压,三极管不导电。因此在正、负半周交替过零处会出现一些,非线性失真,,这个失真称为,交越失真,。,为处理交越失真,可给三极管稍稍加一点偏置,使之工作在甲乙类。可采用二极管及三极管偏置电路。,交越失真,第36页,第36页,复合管特点,复合管是两个管,1,、,2,乘积。,复合管类型与第一管类型相同。,复合管输入电阻大,约为单管输入电阻倍。,第一个管子用小功率管,第二个管子用大功率管。则配对时,只需配第二个同类型大功率管。,在功率放大电路中使用复合管时,要注意问题是:第二个管子输入电流应与第一个管子输出电流一致。且每个复合管发射结均能正偏。,第37页,第37页,放大电路中反馈,瞬时极性法传递方

12、向为,即:,放大器:,从输入到输出;,反馈网络:,从输出到输入,规则,三极管和场效应管极性改变为:,-,+,+,+,+,-,+,+,-,+,+,-,1 极性判断:,用瞬时极性法,反馈类型和极性判断办法,第38页,第38页,耦合电容和电阻不改变极性。,差放极性改变,+,+,-,若反馈信号直接引回输入端,,,反馈信号极性与输入信号极性,相反为负反馈,;反馈信号极性与输入信号极性,相同为正反馈,。,若反馈信号没有直接引回输入端,,,反馈信号极性与输入信号极性,相反为正反馈,;反馈信号极性与输入信号极性,相同为负反馈,。,第39页,第39页,2、组态判断,输入端,串联反馈,:,反馈信号没有直接引回输入

13、端,反馈,并联反馈,:反馈信号直接引回输入端反馈,输出端,电压反馈,:,反馈元件上直接连到输出端,反馈,电流反馈,:,反馈元件上没有直接连到输出,端反馈,第40页,第40页,负反馈对放大电路性能影响,直流负反馈,对放大电路性能影响,稳定静态工作点,交流负反馈对放大电路性能影响,使放大倍数减少;提升放大倍数相对稳定性;,串联负反馈使输入电阻增长;,并联负反馈使输入电阻减小;,电压负反馈使输出电阻减小,并能稳定输出电压;电流负反馈使输出电阻增长,并能稳定输出电流;,第41页,第41页,深负反馈放大电路交流参数估算,对串联深负反馈放大电路,有,对并联深负反馈放大电路,有,反馈信号要在输入端寻找,电压

14、:,电流:,电压:,电流:,虚地,第42页,第42页,输入级,中间级,输出级,直流偏置,u,i,u,o,差动放大电路,有两个输入端,共发射极放大电路,放大电压,功率放大电路,输出电阻小,带负载能力强,集成运算放大器构成及表示,集成运放电路,第43页,第43页,u,+,=u,-,虚短,1、线性分析依据:(有负反馈或闭环),集成运放特点,2、非线性分析依据(无负反馈或开环),u,+,u-,时,,u,0,=U,OM,u,+,u,-,时,,u,0,=-U,OM,u,+,-u,-,u,O,U,OM,-,U,OM,(u,+,-,u,-,),A,u,0,=,u,o,A,u,0,=,u,o,=有限值,运算电路和比较器,第44页,第44页,

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