收藏 分销(赏)

应力导致的Fe2CrGe从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究.pdf

上传人:自信****多点 文档编号:602800 上传时间:2024-01-11 格式:PDF 页数:9 大小:12.12MB
下载 相关 举报
应力导致的Fe2CrGe从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究.pdf_第1页
第1页 / 共9页
应力导致的Fe2CrGe从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究.pdf_第2页
第2页 / 共9页
应力导致的Fe2CrGe从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究.pdf_第3页
第3页 / 共9页
亲,该文档总共9页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述

1、运用第一性原理计算研究了惠斯勒(Heusler)合金 Fe2CrGe 的电子结构和磁性质,发现其基态是Fe 离子处于低自旋态 而 Cr 离子处于高自旋态 的反铁磁金属相,反铁磁态能量比铁磁态能量约低 0.103 eV.此外还发现,如果施加+1.7%和 1.7%的应变,Fe2CrGe 会从反铁磁有序变成铁磁有序,并出现半金属特性;当应变达到5%时,出现了大约 0.2 eV 的半金属能隙.通过平均场理论估算了Fe2CrGe 的居里(Curie)温度,发现其对应的居里温度为 393 K,远高于室温.这表明 Fe2CrGe 是有潜力的自旋电子材料.关键词:Fe2CrGe;第一性原理计算;电子结构;磁性

2、质中图分类号:O411.3文献标志码:ADOI:10.3969/j.issn.1000-5641.2023.04.007Computationalstudyonstrain-inducedtransitionofFe2CrGefromanantiferromagneticgroundstatetoaferromagnetichalf-metalstateGUO Jin1,HU Xiao2,XIE Wenhui1(1.School of Physics and Electronic Science,East China Normal University,Shanghai200241,China

3、;2.Department of Microelectronics,Delft University of Technology,Delft2628 CD,Netherlands)S=0S=1Abstract:In this study,the electronic structure and magnetism of the Heusler alloy Fe2CrGe areinvestigated using first-principle calculations.Results show that the ground state of Fe2CrGe isantiferromagne

4、tic metal in which Fe ion and Cr ion are in low-and high-spin states of and ,respectively.The energy of the antiferromagnetic state is approximately 0.103 eV less than that of theferromagnetic state.In addition,when a tetragonal strain is applied to Fe2CrGe,a transition fromantiferromagnetic to ferr

5、omagnetic material occurs at+1.7%and 1.7%strains,and Fe2CrGe becomes aferromagnetic half-metal.A half-metal energy gap of approximately 0.2 eV occurs when the strain reaches5%.The Curie temperature of Fe2CrGe is estimated to be 393 K,which is much higher than roomtemperature,indicating that Fe2CrGe

6、may be a potential candidate for spintronic applications.Keywords:Fe2CrGe;first-principle calculation;electronic structure;magnetic properties 0 引言磁性半金属(half-metal)在自旋电子学材料中扮演着重要角色.这种材料的电子结构非常独特1:收稿日期:2021-11-17基金项目:国家自然科学基金(51572086)通信作者:谢文辉,男,副教授,硕士生导师,研究方向为凝聚态物理和材料物理.E-mail: 第 4 期华东师范大学学报(自然科学版)N

7、o.42023 年 7 月Journal of East China Normal University(Natural Science)Jul.2023(TC)电子能带在其中一个自旋通道上是穿越费米能级的,体现为金属特性;而在另一个自旋通道上却在费米能级处存在一个能隙,呈现绝缘体或半导体特性.理论上磁性半金属的传导电子具有 100%的自旋极化率,可以为自旋电子器件提供完全自旋极化的载流子,磁性半金属材料因而被视为构建自旋电子器件的理想材料.因此,寻找更多具有高居里(Curie)温度 的磁性半金属材料一直是自旋电子学研究中的一个重要问题2-3.磁性半金属材料被发现后,科研工作者已找到了其许多不

8、同的类型:金红石结构型半金属材料,如 CrO24;尖晶石结构型半金属材料,如 Fe3O45;基于钙钛矿结构 AMO3的双钙钛矿 A2MMO66-7;过渡金属硫族化物和氮族化物,如 CrAs、CrTe 等8-9;全惠斯勒合金(full-Heusler)和半惠斯勒合金(half-Heusler)结构材料,如 NiMnSb、Mn2VAl 等1,10-12,以及在碳基材料或低维材料中发现的半金属磁性材料13-15(较为普遍的高磁转变温度半金属材料).以上这些材料中,全惠斯勒合金种类丰富,居里温度高,受到了科研工作者的广泛关注.近年来,在实验和理论计算这两个方面都持续有许多工作对惠斯勒合金展开了研究,且

9、通过这些研究找到了许多磁性半金属材料3.(TC 520 K)BB1 B=0 B2 B本文对惠斯勒(Heusler)合金 Fe2CrGe 进行了研究.与 Fe2CrGe 极其类似的 Heusler 合金是Fe2CrSi 和 Fe2CrSn,其中 Fe2CrSi 被研究得比较多,这是由于它的高自旋极化率和高居里温度 16-17.在早期的计算研究中,如文献 18 采用第一性原理线性丸盒轨道原子球近似(LMTO(linear muffin-tin orbital)-ASA(atomic-sphere approximation)方法,对化合物 Fe2CrX(X=Si,Ge,Sn)进行了研究,其计算得到

10、的结果认为,Fe2CrSi 是非常接近半金属的铁磁体,Fe2CrGe 和Fe2CrSn 均是铁磁半金属.然而,同样采用 LMTO-ASA 方法,随后的研究结果却认为,Fe2CrSi 和Fe2CrGe 是铁磁半金属,而 Fe2CrSn 是接近半金属的铁磁化合物19.这是因为 LMTO-ASA 方法存在这样 2 个问题:对间隙区采用的是丸盒球(muffin-tin sphere)球近似,其处理间隙区的势过于简化;丸盒球的选取往往依赖于经验,不同的选取方法会对电子结构产生影响.因此,尽管都采用LMTO-ASA 方法进行计算,但得到的结果有时候也会不同.随后开展的研究工作则采用了更准确的计算方法,如全

11、势缀加平面波方法(full-potential linearized augmented plane wave,FP-LAPW).通过该方法计算发现,Fe2CrSi 的基态并不是简单的铁磁有序20,Fe 原子和 Cr 原子子晶格的磁矩是反平行排列,其净磁矩为 2 (为波尔磁子,原子磁矩的天然单位,本文采用此单位,9.274 009 1024 J/T),能带结构具有半金属特征.计算还发现,Fe 原子的磁矩非常小,接近于 ,因此Fe2CrSi 实际上是亚铁磁的;而 Cr 原子的磁矩比较大,在 左右,总体上看是铁磁半金属.这与后来 Fe2CrSi 具有铁磁性的实验和计算结果一致21.据本文所知,对于

12、 Fe2CrGe,目前还没有采用比LMTO-ASA 更准确的计算方法对其进行研究的报道;而对于 Fe2CrSn,已经有采用 FP-LAPW 方法的计算研究22,但得到的结果还没有被相关的实验证实.到目前为止,对于 Fe2CrGe 则没有研究其磁性的实验工作,而计算方面也只有早期基于 LMTO-ASA 方法的研究.因此,本文采用更为准确的基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)的赝势平面波方法,对 Fe2CrGe 的电子结构、磁性,以及外加应力的影响进行了研究.1 计算方法介绍本文采用基于密度泛函理论(DFT)的全电子方法进行第一性原理计算的研究.计算使用程

13、序包VASP(Vienna ab-initio simulation package)23,并采用 PAW(projected augmented wave)方法;交换关联函数采用广义梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)24,具体实现方法采用 PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)方案,同时用局域密度近似(local density approximation,LDA)及 PBEsol(PBE in solids)进行对照研究.在计算中,平面波截止能量(energy cut-off,ECUT)均设定为 400 eV;66华东师

14、范大学学报(自然科学版)2023 年采用 Monkhorst-Pack 方法25,设置布里渊区的取样网格(K-mesh)为 12 12 12;此外,体系总能的能量收敛判据设定为 1 106 eV(本文认为这是计算达到自洽的条件),当每个原子上的力下降到0.001 eV/(1=1010 m)就认为对结构和原子位置的优化达到收敛.Heusler 合金一般具有 A2BC 这样的化学式,由 4 个面心立方晶格(face center cubic,FCC)格子组成,对应的空间群是 Fm-3m(第 225 号空间群,Cu2MnAl 型).其中,A 原子占据 Wyckoff 位置 8c(1/4,1/4,1/

15、4)和(3/4,3/4,3/4),B 原子和 C 原子则分别占据 Wyckoff 位置 4a(0,0,0)和 4b(1/2,1/2,1/2),如图 1(a)所示.此外,如图 1(b)所示,还存在反惠斯勒(inv-Heusler)合金结构,其对应的空间群是 F-43m(第 216 号空间群,Hg2CuTi 型),仍然由 4 个互穿的 FCC 子晶格描述.其中,A 原子位于 Wyckoff 位置 4a(0,0,0)和 4d(3/4,3/4,3/4),而 B 原子和 C 原子分别位于 Wyckoff 位置 4b(1/2,1/2,1/2)和 4c(1/4,1/4,1/4).(a)惠斯勒(Heusler

16、)结构(b)反惠斯勒(inv-Heusler)结构AB4a4a8c4c4b4b8c4dC图 1 Fe2CrGe 合金的结构示意图Fig.1 Structures of Fe2CrGe 2 结果与讨论a0 B2 B0 B;0 B.本文先用 LDA、GGA-PBE、GGA-PBEsol 这 3 种赝势函数对 Heusler 合金 Fe2CrGe 的电子结构及磁性进行了初步的研究和对比,计算结果见表 1 所示.其中,为材料的晶格常数,mtotal为总磁矩,mFe、mCr、mGe分别为 Fe 原子、Cr 原子、Ge 原子的磁矩.之后,选取 GGA-PBE 方案,对 Fe2CrGe 的Heusler 合

17、金结构和反 Heusler 合金结构进行了研究.首先对铁磁、反铁磁和亚铁磁构型进行计算,并比较这些磁构型在平衡晶格时的总能.结果发现,Heusler 合金结构是更稳定的结构,因为它的总能比反 Heusler 合金的总能要低很多.因此,以下本文将只讨论 Heusler 结构 Fe2CrGe 的结果.对于Heusler 结构的 Fe2CrGe,计算结果显示,其反铁磁态的总能不仅比铁磁态的低,也比亚铁磁态的低.故 Fe2CrGe 的基态是反铁磁态,其对应的平衡晶格常数为 5.779,净磁矩为 .反铁磁基态的磁矩排布:Cr 原子的磁矩接近于 ,沿 110 方向反铁磁排列;而 Fe 原子的磁矩非常小.应

18、当指出的是,计算得到的 Fe2CrGe 的反铁磁构型与 Fe2CrSi 的亚铁磁构型不同:对于 Fe2CrSi,近邻 Fe-Cr 原子之间的磁矩是反平行排列,次近邻 Cr-Cr 原子之间的磁矩是平行排列的,晶胞里的总磁矩不为 而对于 Fe2CrGe,次近邻 Cr-Cr 原子之间的磁矩是反平行排列,从而导致整个晶胞的净磁矩等于 可以看到,由于 Ge 离子的离子半径比 Si 离子大,从而撑大了晶格,使得 Cr-Cr 原子之间倾向于反铁磁耦合,导致其基态性质明显不同.本文得到的这个结果和以前文献的报道有所不同.表1计算得到的晶格常数及磁矩Tab.1Calculatedlatticeconstants

19、andmagneticmoments赝势函数a/Bmtotal/BmFe/BmCr/BmGe/LDA5.5561.9330.3151.3260.022GGA-PBE5.6971.9590.0401.9010.022GGA-PBEsol5.6171.9610.1941.5990.026 第 4 期郭 锦,等:应力导致的 Fe2CrGe 从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究67 2.1Fe2CrGe 的电子结构(E)(EF)E=0 eV(E=0 eV)E图 2 所示是 Fe2CrGe 的铁磁(ferromagnetic,FM)态和反铁磁(antiferromagnetic,AFM)态在其计算得到

20、的平衡晶格常数下原子投影的态密度(density of states,DOS)和能带 结构.图 2(a)中,AFM 基态的 DOS 和能带显示:费米能级 以下,即 以下,8 3 eV 主要是 Ge 原子的 p 轨道和 Fe 原子的 s 轨道组成成键态,即主要是 Ge 原子的 p 轨道电子的贡献,Fe 原子的 d 电子态在这里也有一定贡献,说明 Ge 原子和 Fe 原子之间强 d-p 成键的存在,因而导致 Fe 原子的 d 轨道被推高;3 2 eV 对应 Fe 原子和 Cr 原子的 d 电子态,这二者之间存在较强的相互作用,即有强的 d 电子间成键态;2 0.5 eV 则以 Fe 原子的 d 电

21、子态为主,这源于 Fe-Fe 原子间的非键作用;0.5 2 eV则展现了 d-d 电子间的反键态,主要体现了 Fe 原子和 Cr 原子的 d 轨道特征.费米能级 以上,2 eV,Ge 原子的 p 轨道电子态所做的贡献越发明显,这源于 Fe 原子的 s 轨道电子和 Ge 原子的 p 轨道电子之间的反键态.分析原子局域近邻环境可以发现,Ge 原子的最近邻是 Fe 原子,使得Fe 原子的 4s 轨道电子与 Ge 原子的 4p 轨道电子的成键,占据了能量较低的杂化轨道的成键态;Cr 原子的最近邻是 Fe 原子,可以认为 Fe 原子的 4s 电子转移到了 3d 轨道.对比发现,以 Fe 原子为主要特征的

22、自旋向上和自旋向下这两种方向对应的能带之间的能量差异非常不明显;而以 Cr 原子为主要特征的能带,自旋向上和自旋向下的能带之间存在大约 2 eV 的能量差异,显示了较强的磁交换作用.8642E/eVDOS/(stateseV1)02468WGLXW30 20 100(a)AFM 磁有序1020TotFe-t2gCr-t2gGe-p30WLGXW4321E/eVDOS/(stateseV1)012348642E/eV024684321E/eV012348642E/eV024684321E/eV01234WGLXW30 20 100(b)FM 磁有序1020TotFe-t2gCr-t2gGe-p3

23、0WLGXW注:左边图和右边图分别对应自旋少数带和自旋多数带;中间图是原子特征投影的态密度;Tot 表示总的态密度.图 2 平衡晶格下 Fe2CrGe 的态密度和能带结构Fig.2 Density of states and band structure of Fe2CrGe at equilibrium lattice68华东师范大学学报(自然科学版)2023 年EF=0 eVEF=0 eV图 2(b)给出了 Fe2CrGe 的 FM 态的电子结构.计算得到 Cr 原子的投影磁矩为 1.898 B,Fe 原子的为 0.042 B,原胞的总磁矩为 2 B.由图 2(b)可以看到,对于自旋向上的

24、能带,费米能级()通过 Fe 原子的自旋向上的 tu轨道和 eu轨道之间由于晶场劈裂导致的能隙;而对于自旋向下的能带,穿过了 Cr 原子的 t2g能带,形成金属导电特性.因此,在 Fe2CrGe 铁磁态的电子结构中呈现出了铁磁半金属特性,与 2 B的晶胞整数总磁矩对应;而在反铁磁态的电子结构中,2 个自旋通道在费米能级这里都没有出现带隙,均呈现金属态,也就没有半金属特性.S=1S=0从简单的离子图像出发,可以认为 Cr 离子的 3d 电子占据是 4-2 排布的高自旋态(),对总磁矩贡献明显;而 Fe 离子的 3d 电子占据为 3-3 排布的低自旋态(),几乎对磁矩没有贡献.但是,最近邻的 Fe

25、 原子和 Cr 原子的 d 电子之间存在较强的共价成键.如图 2 所示,分布于 3 eV 附近的电子态密度也显示出明显的 Fe 原子特征,即 Fe 原子和 Cr 原子的 d 电子共同存在于同样的杂化轨道成键态上.考虑到这些特征,对于 Cr 离子和 Fe 离子的电子占据,不能用上述的简单 4-2 排布或 3-3 排布的 d 电子构型来描述;而采用 Cr 离子电子略少、Fe 离子电子稍多的情况更合理,即 Cr 离子的电子排布略强于 3-1 排布,且弱于 4-2 排布,Fe 离子的电子排布是比 3-3 排布强而比 4-4 排布弱的构型.此外,需要说明的是,尽管 Si 离子、Ge 离子和 Sn 离子的

26、离子半径不同,导致晶格常数不一样,但它们对应的铁磁态电子结构都是类似的,只是由于非金属元素从轻到重导致能带窄化和晶场劈裂减小,而存在一些差别;它们的铁磁态半金属特性就由 Fe 原子和 Cr 原子对应的能带填充来决定.这一点也被根据 Bader 电荷分析方法计算得出的电荷转移数据所证明:Bader 电荷分析显示,Fe 原子周围的价电子数是 8.2,Cr 原子的是 5.4,Ge 原子的是 4.09.将这些结果进一步与能带和 DOS 的结果进行对比分析后,都表明了 Cr 原子的电子明显地转移到了 Fe 原子和 Ge 原子,而 Cr 原子和 Ge 原子之间存在强的共价键.2.2四方应变诱导的磁性相变(

27、E)c/ac/a=1cc图 3 展示了反铁磁(AFM)态和铁磁态(FM)的总能 对四方应变 的依赖关系.由图 3 可以看到,在计算得到的平衡晶格附近,AFM 态的能量比 FM 态的约低 0.103 eV.通过比较不同反铁磁构型的总能,可以得到 Fe2CrGe 的基态是在 Cr 原子的磁矩主导下的反铁磁相.沿(110)面,Cr 原子间的磁矩存在反铁磁耦合.从图 3 中还可以看到,对于 FM 态,四方应变 对应的立方结构并不具有最低的总能,反而 轴的压缩和拉伸导致的四角结构形变均可以使总能有轻微的降低.这是由于轻微的结构相变所增加的能量值小于电子态变化所降低的能量值.其中,沿 轴拉伸的总能比起压缩

28、后的结果仅仅低了大约 10 meV,并且可以看到明显的双势阱结构.这体现了 Fe2CrGe 较强的自旋和晶格耦合作用存在的可能性.121.8122.0122.2122.40.920.961.001.04AFMFM1.08E/eVca(c/a)图 3 反铁磁态和铁磁态的总能对四方应变 的依赖关系(c/a)Fig.3 Tetragonal distortion dependent on the total energy of antiferromagnetic and ferromagnetic states 第 4 期郭 锦,等:应力导致的 Fe2CrGe 从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究

29、69(c/a=0.94,1.04)图 3 所示还表明,Fe2CrGe 外加应力后的反铁磁态能量升高比铁磁态要快.约1.7%的应变下,铁磁态总能开始比反铁磁低,表明存在由应变诱导的反铁磁到铁磁的相变.计算结果表明,在转变点后,处于应变状态下的铁磁态电子结构都显示了半金属特性.EF=0 eV图 4(a)和图 4(b)是 Fe2CrGe 在+1.7%和 1.7%应变时的电子结构,可以看到其对应的半金属特性.进一步计算表明,对应于5%的应变,其依然处于半金属态,有大约 0.2 eV 的半金属能隙.这说明四方应变使 Fe2CrGe 从反铁磁金属变为了铁磁半金属,而且在应变下半金属特性是相当鲁棒的.此外,

30、还可以看到,尽管 DOS 的尖峰从费米能级()处移开,但是其对应的态密度数值依然很大,这利于载流子注入,对实际的自旋电子学应用很有利.另外,在磁性隧道结器件里面,绝缘层和磁性金属层材料的晶格往往不一样,存在晶格失配,因此晶格在应力下存在四方应变.特别是隧道结中常用的一种绝缘层材料 MgO,它的晶格常数为 4.212,相比计算得到的 Fe2CrGe 的平衡晶格常数5.779,二者晶格间存在大约 3%的差别,不是很大,因此有利于实验器件的制备.从图 3 中可以看出,如果 MgO 导致 Fe2CrGe 晶格出现四方应变,此时 Fe2CrGe 的铁磁态能量显然比反铁磁态要低,呈现半金属特性.还需要指出

31、的是,相比于 Fe2CrSi 的平衡晶格常数 5.649,Fe2CrGe 处在铁磁态的晶格常数与 MgO 的晶格常数更加匹配,这应当更加有利于自旋电子学器件的制备.4321E/eVDOS/(stateseV1)01234WGLXW30 20 100(a)+1.7%应变1020TotFe-t2gCr-t2gGe-p30WLGXW4321E/eVDOS/(stateseV1)012344321E/eV012344321E/eV012344321E/eV012344321E/eV01234WGLXW30 20 100(b)1.7%应变1020TotFe-t2gCr-t2gGe-p30WLGXW注:左

32、边图和右边图分别对应自旋少数带和自旋多数带;中间图是原子特征投影的态密度;Tot 表示总的态密度.图 4 Fe2CrGe 在+1.7%和 1.7%应变下的态密度和能带结构Fig.4 Density of states and band structure of Fe2CrGe under+1.7%and 1.7%strains 70华东师范大学学报(自然科学版)2023 年 2.3Fe2CrGe 的磁相变温度研究S=0S=1SFe=0,SCr=1.目前还没有关于 Fe2CrGe 磁相变温度的实验报道.本文通过第一性原理电子结构计算来估算磁相变温度.根据先前结果,Fe2CrGe 的基态是这样的反

33、铁磁结构:Fe 离子处在 的低自旋态,同时Cr 离子处在 的高自旋态;Fe 原子磁矩为 0.129 B,Cr 原子磁矩为 1.728 B.结合前文的电子结构分析,可粗略地认为 可以通过计算不同磁结构的总能得到金属离子之间的磁交换相互作用,并对应到经典海森堡交换模型中得到交换参数H=i,jJijSiSj.(1)SiSjijJij式(1)中:和 为不同离子在 位点、位点的自旋角动量;是最近邻自旋对之间的交换相互作用常数.如图 5 所示,这里采用 3 种不同磁结构:磁矩并行排列的铁磁(FM)态、磁性离子沿 100 方向反铁磁耦合的反铁磁型(AFM-1)和磁性离子沿 110 方向反铁磁耦合的反铁磁型(

34、AFM-2).其对应的总能分别为EFM=E0 32JFeCrSFeSCr 24JFeFeSFeSFe 24JCrCrSCrSCr,(2)EAFM-1=E0 8JFeFeSFeSFe+8JCrCrSCrSCr,(3)EAFM-2=E0+8JFeFeSFeSFe+8JCrCrSCrSCr,(4)E0其中 为基态能量.向上向下cba(a)原胞(b)FM(c)AFM-1(d)AFM-2图 5 Fe2CrGe 原胞及磁构型Fig.5 Fe2CrGe primitive cell and magnetic configurations 通常情况下,可以利用平均场近似方法求解方程Si=Si(Si+1)3kB

35、jJijSj(5)TC,kB来估算磁相变温度 其中 是玻尔兹曼常数.式(5)的特征方程为(TI)S=0.(6)TITC式(6)中:是特征矩阵;是矩阵特征值,表示温度;是单位矩阵.则 为特征矩阵 的最大特征第 4 期郭 锦,等:应力导致的 Fe2CrGe 从反铁磁基态到铁磁半金属相变的计算研究71值.相应公式为ij=Si(Si+1)3kBi,jJij.(7)ij这里 是特征矩阵中的元素.abS=0SFeJCrCrTC仅考虑沿 平面 Fe2CrGe 存在 2.1%拉伸时(晶格常数 a=b=5.818,c=5.469)的情况来做简化,此时对应的铁磁态拥有最低总能.FM 态、AFM-1 态、AFM-2

36、 态经过式(2)(4)计算的总能分别为 122.105 eV、122.054 eV、122.038 eV;再加上 Fe 处在 的低自旋态,因此忽略式(2)(4)中含 的项是合理的;最后由式(2)(4)得到 Cr 离子与 Cr 离子间的交换相互作用能 为 4.23 meV.则根据式(7)可以得到 Fe2CrGe 的 为 393 K.这个计算得到的居里温度远高于室温,使得 Fe2CrGe 能够被用于真实的自旋电子器件中.3 结论S=0S=1本文通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了 Heusler 合金 Fe2CrGe 的电子结构、磁性以及应力效应.对结果进行分析后发现,Fe2CrGe 基态

37、是 Fe 离子处在低自旋态(),而 Cr 离子处在高自旋态()的反铁磁金属相;通过模型估算进一步发现,其对应的居里温度为 393 K,远远超过室温.因此,本文的计算结果表明,在外部应力的作用下,Fe2CrGe 会因为外加应变诱导出反铁磁性到铁磁性的相变,变为铁磁半金属;如果采用 MgO 作为基底,存在的应力能够使其处在铁磁半金属态.因此,Fe2CrGe 在自旋电子材料中具有潜在的应用价值,值得进一步研究.参考文献 DE GROOT R A,MUELLER F M.New class of materials:Half-metallic ferromagnets J.Physical Revie

38、w Letters,1983,50(25):2024-2027.1 WOLF S A,AWSCHALOM D D,BUHRMAN R A,et al.Spintronics:A spin-based electronics vision for the future J.Science,2001,294(5546):1488-1495.2 LI X X,YANG J L.First-principles design of spintronics materials J.National Science Review,2016,3(3):365-381.3 SCHWARZ K.CrO2 pre

39、dicted as a half-metallic ferromagnet J.Journal of Physics F,1986,16(9):L2115.4 DEDKOV Y S,RDIGER U,GNTHERODT G.Evidence for the half-metallic ferromagnetic state of Fe3O4 by spin-resolvedphotoelectron spectroscopy J.Physical Review B,2002,65(6):064417.5 KOBAYASHI K I,KIMURA T,SAWADA H,et al.Room-te

40、mperature magnetoresistance in an oxide material with an ordered double-perovskite structure J.Nature,1998,395(6703):677-680.6 ROGADO N S,LI J,SLEIGHT A W,et al.Magnetocapacitance and magnetoresistance near room temperature in a ferromagneticsemiconductor:La2NiMnO6 J.Advanced Materials,2005,17(18):2

41、225-2227.7 AKINAGA H,MANAGO T,SHIRAI M.Material design of half-metallic zinc-blende CrAs and the synthesis by molecular-beamepitaxy J.Japanese Journal of Applied Physics,2000,39(11B):L1118-L1120.8 XIE W H,XU Y Q,LIU B G,et al.Half-metallic ferromagnetism and structural stability of zincblende phases

42、 of the transition-metalchalcogenides J.Physical Review Letters,2003,91(21):219901.9 GALANAKIS I,DEDERICHS P H,PAPANIKOLAOU N.Origin and properties of the gap in the half-ferromagnetic Heusler alloysJ.Physical Review B,2002,66(13):134428.10 SKAFTOUROS S,ZDOAN K,AIOLU E,et al.Generalized Slater-Pauli

43、ng rule for the inverse Heusler compounds J.Physical Review B,2013,87(2):024420.11 GAO G Y,YAO K L.Antiferromagnetic half-metals,gapless half-metals,and spin gapless semiconductors:The D03-type Heusleralloys J.Applied Physics Letters,2013,103(23):232409.12 XIANG H J,YANG J L,HOU J G,et al.Half-metal

44、lic ferromagnetism in transition-metal encapsulated boron nitride nanotubes J.New Journal of Physics,2005,7(1):Article number 39.13 SON Y W,COHEN M L,LOUIE S G.Half-metallic graphene nanoribbons J.Nature,2006,444:347-349.14 ZHAO M W,WANG A Z,ZHANG X M.Half-metallicity of a kagome spin lattice:The ca

45、se of a manganese bis-dithiolene monolayerJ.Nanoscale,2013,5(21):10404-10408.15 YOSHIMURA S,ASANO H,NAKAMURA Y,et al.Crystalline structure and magnetic properties of Fe2CrSi Heusler alloy films:New1672华东师范大学学报(自然科学版)2023 年ferromagnetic material for high performance magnetic random access memory J.Jo

46、urnal of Applied Physics,2008,103(7):07D716.WANG Y P,HAN G C,LU H,et al.Tunnel magnetoresistance effect and interface study in magnetic tunnel junctions using epitaxialFe2CrSi Heusler alloy electrode J.Journal of Applied Physics,2013,114(1):013910.17 ISHIDA S,MIZUTANI S,FUJII S,et al.Effect of chemi

47、cal disorder on half-metallicity of Fe2CrZ(Z=IIIb,IV,Vb Element)J.Materials Transactions,2006,47(3):464-470.18 MIZUTANI S,ISHIDA S,FUJII S,ASANO S.Half-metallicity and stability of ferromagnetism in(Fe1-xCox)2CrZ(Z=S,P Elements)J.Materials Transactions,2007,48(4):748-753.19 HAMAD B A.The effect of d

48、efects on the electronic structure and magnetic map of the Fe2CrSi Heusler alloy:Ab-initio calculationsJ.The European Physical Journal B,2011,80:11-18.20 LUO H Z,ZHU Z Y,MA L,et al.Electronic structure and magnetic properties of Fe2YSi(Y=Cr,Mn,Fe,Co,Ni)Heusler alloys:Atheoretical and experimental st

49、udy J.Journal of Physics D,2007,40(22):7121-7127.21 CHAKRABARTI A,DSOUZA S W,BARMAN S R.Electronic structure of Fe2CrSn J.Physica B,2012,407(17):3547-3550.22 KRESSE G,FURTHMLLER J.Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set J.Physical Review B,1996,54(16):11169-11186.23 PERDEW J P,BURKE K,ERNZERHOF M.Generalized gradient approximation made simple J.Physical Review Letters,1997,77(18):3865-3868.2

展开阅读全文
相似文档                                   自信AI助手自信AI助手
猜你喜欢                                   自信AI导航自信AI导航
搜索标签

当前位置:首页 > 学术论文 > 论文指导/设计

移动网页_全站_页脚广告1

关于我们      联系我们       自信AI       AI导航        获赠5币

©2010-2024 宁波自信网络信息技术有限公司  版权所有

客服电话:4008-655-100  投诉/维权电话:4009-655-100

gongan.png浙公网安备33021202000488号  |  icp.png浙ICP备2021020529号-1 浙B2-2024(办理中)  

关注我们 :gzh.png    weibo.png    LOFTER.png 

客服