资源描述
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APRO IDE宽温电子盘简介
宽温电子盘 (军用宽温级)
APRO 2.5“ IDE宽温电子盘采用了NAND 型的 SLC闪存,为了满足正常和恶劣环境下的不同需要,APRO电子盘工作于军用宽温级(-40℃ ~ +85℃)。APRO 2.5 " 宽温电子盘的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质,所 以他们替代了传统的硬盘。几乎所有的计算机平台简单集成了闪存盘的工业标准 ATA接口。现有嵌入式应用IDE电子盘不需要修改系统,升级计算机平台使用简单、性能稳定,把它当作一个传统硬盘来使用,对于长时间稳定数据存储的关键 应用,APRO 2.5 " 和 3.5 " IDE 宽温电子盘是最佳方案。APRO宽温电子盘以其抗震、宽温、耐用特性广泛应用于:军事、车载、网络终端、电力系统、医疗设备、航空航天、导航设备、工控自动化等领域。
特点 :
· IDE 闪存盘采用了先进的闪存控制技术
· 标准的 2.5" 和 3.5"硬盘样式和装备
· 标准的 IDE 44- 针,2.0 毫米接口连接
· 用PIO 4 或DMA传输模式
· 设置主盘/从盘跳线
· 集成了磨损平整和先进的坏区管理算法
· 采用了先进的纠错码技术
· +5V 或 +3.3V 工作电压
· 既有标准规格又有工业规格
· 硬盘容量从16MB~32GB
指标
兼容性
PC ATA 和 True IDE
震动
闪存技术
NAND 型 SLC 闪存
- 操作时
15G
样式
2.5" IFD/2.5" FID
- 非操作时
15G
连接
标准44-针2.00毫米阳型
-
-
主盘/从盘
设置跳线
噪音
0dB
系统性能
冲击
数据传输模式
PIO 4 、DMA
- 操作时
1000 G
数据传输速度
16.6-66.6Mbytes/sec
- 非操作时
1000 G
连续读
8-33.0Mbytes/sec
可靠性
连续写
6-30.0Mbytes/sec
多长时间出现一次操作失败
> 1,000,000 小时
平均接通时间
2ms (估计)
-
-
环境指标(宽温度)
ECC (纠错码)
4 bits ECC Code
- 操作时
-40℃ ~ +85
寿命
大于 1,000,000 读写周期
- 非操作时
-50℃ ~ +95℃
数据可靠性
< 每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误
湿度
-
-
- 操作时
5 ~ 95% 不凝结
数据保存期
10 年
- 非操作时
-
物理尺度(2.5"IFD/3.5"IFD)
功耗
最大重量(g)
150/100
电压
+3.3V±5% ; +5V±10%
尺度(mm)
69.85x100.2x9.5(2.5")101.6x146.2x20.5(3.5")
读电流
25mA;50mA
证书
CE 和 FCC
写电流
30mA;60mA
质保
休眠模式
200uA ;500uA
宽温产品
3年
订购信息 ( 型号清单 )
2.5"IDE电子盘
3.5"IDE电子盘
容量
工业温度级型号
容量
工业温度级型号
16MB
W2FD016S-AISI
16MB
W3FD016S-AISI
32MB
W2FD032S-AISI
32MB
W3FD032S-AISI
64MB
W2FD064S-AISI
64MB
W3FD064S-AISI
128MB
W2FD128S-BISI
128MB
W3FD128S-BISI
256MB
W2FD256S-BISI
256MB
W3FD256S-BISI
512MB
W2FD512S-BISI
512MB
W3FD512S-BISI
1GB
W2FD01GS-BISI
1GB
W3FD01GS-BISI
2GB
W2FD02GS-BISI
2GB
W3FD02GS-BISI
4GB
W2FD04GS-BISI
4GB
W3FD04GS-BISI
6GB
W2FD06GS-BISI
6GB
W3FD06GS-BISI
8GB
W2FD08GS-BISI
8GB
W3FD08GS-BISI
16GB
W2FD16GS-BISI
16GB
W3FD16GS-BISI
20GB
W2FD20GS-BISI
20GB
W3FD20GS-BISI
24GB
W2FD24GS-BISI
24GB
W3FD24GS-BISI
32GB
W2FD32GS-BISI
32GB
W3FD32GS-BISI
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