L-EDIT_使用技巧.doc

4.3 集成电路自动设计工具软件掩模版图编辑操作
集成电路设计、模拟验证、版图编辑、自动布局布线
S-Edit为核心的集成电路设计、模拟、验证模块，包括电路图编辑器S-Edit、电路模拟器T-Spice和高级模型软件、波形编辑器W-Edit、Net Tran网表转换器、门电路模拟器GateSim以及工艺映射库、符合库SchemLib、Spice元件库等软件包，构成一个完整的集成电路设计、模拟、验证体系，每个模块互相关联又相对独立，其中S-Edit可以把设计的电路图转换成SPICE，VHDL，EDIF和TPR等网表文件输出，提供模拟或自动布图布线。
L-Edit为核心的集成电路版图编辑与自动布图布线模块，包括集成电路版图编辑器L-Edit和用于版图检查的网表比较器LVS等模块，L-Edit本身又嵌入设计规则检查DRC、提供用户二次开发用的编辑界面UPI、标准版图单元库及自动布图布线SPR、器件剖面观察器Cross Section Viewer、版图的SPICE网表和版图参数提取器Extract(LPE)等等，网表比较器LVS则用于把由L-Edit生成的版图反向提取的SPC网表和由S-Edit设计的逻辑电路图输出的SPC网表进行比较实现版图检查、对照分析。L-Edit 除了拥有自己的中间图形数据格式（TDB格式）外，还提供了两种最常用的集成电路版图数据传递格式（CIF格式和GDSII格式）的输入、输出功能，可以非常方便地在不同的集成电路设计软件之间交换图形数据文件或把图形数据文件传递给光掩模制造系统。
4.3.1 掩模原始子单元(Cell)图形生成
4.3.1.1 建立新文件(File)
执行 LEDIT批处理文件进入L-EDIT交互式图形编辑介面
进入 File/Merge Setup 打开预先建立的掩模图形设计环境文件LMK.TDB
进入 File/New 建立新创建图形文件的文件名，如YXYM001
注意: 建议所有文件名及单元名均采用大写字符
若修改已建立的图形文件 进入 File/Open 再输入文件名
4.3.1.2 建立新单元(Cell)
进入 Cell/New 建立新创建图形原始单元名，如YSDY001 。
4.3.1.3 设定单位
a） 进入 Setup/Technology 进行单位设置。
b） 首先确认单位选择 Other[Lambda] 设在内部单位模式。
c） 设置1个LEDIT内部单位等于多少用户设定的单位。
默认值为 1 Internal Unit (1／1) Lambda
表示 1个LEDIT内部单位等于 1个用户设定的单位。
1个LEDIT内部单位，默认值相当屏幕上 1格。
建议设置为 1 Internal Unit (1／1000) Lambda
即设置成1000个LEDIT内部单位等于 1个用户设定的单位。如果需要图形邻近效应校正，曝光图形需要尺寸再造(涨缩)，带有斜线或曲线图形一定要设置成1000个LEDIT内部单位等于 1个用户设定的单位。否则不能进行尺寸调整或不能保证制版精度甚至出现错位及台阶。
d） 设置数据输出时 1用户设定的单位等于多少微米
默认值设置 1 Lambda (1／1) Microns
即表示数据输出时 1用户设定的单位等于 1微米。也就是说设置1000格相当于 1微米。(表示屏幕显示 1格等于 1纳米)，这种设置可保证输出图形精度。
4.3.1.4 输出倍率设定
如果需要改变输出倍率(如×10倍输出)，
可在数据处理完成后存盘前修改为:
1 Lambda (10／1) Microns
即表示数据输出时 1用户设定的单位等于 1微米。
4.3.1.5 设定显示格栅和显示坐标小数点位置
a）    进入 Setup/Design/Grid 进行屏幕显示格栅设置。
b） 在格栅显示“Grid display”模块中
设置Displayed Grid= 100 Internal Unit
屏幕显示 1格等于 100个LEDIT内部单位 。
或者“Displayed”填充框中填入“0.100” Locator（标定单位-微米）。
c） “Suppress grig less 8 pixel”表示图形缩小到一个格栅只占显示屏幕 8个像素时，屏幕上不显示出格栅。
d）在鼠标与格栅关系“ Mouse grid ”模块中，选择鼠标指针“Cursor”运动方式：
选择“Snapping” 鼠标只能停留在规定的格点处，非格点处鼠标停不下来，为画图提供方便。例如设定“Mouse snap 0.100 Locator”，鼠标咬住0.1微米的格点, 鼠标在屏幕上是跳动的，即每跳动一格为0.1微米。
选择“ Smooth”，则鼠标为连续移动的状态。
e） 设置鼠标跳动步距
Mouse Snap Grid= 100 Internal Unit
鼠标跳一步等于 100个LEDIT内部单位 。
或者设置 “Mouse snap 0.100 Locator” （标定单位-微米）。
f）设置标定单位
One Locator Unit= 1 Internal Unit
屏幕显示坐标值 1.0 等于 1个LEDIT内部单位。
(建议与设置 1 Internal Unit (1／1000) Lambda 相匹配)
设置成: One Locator Unit= 1000 Internal Unit
屏幕显示坐标值 1.0 等于 1000个 LEDIT内部单位 (=1.0微米)。
屏幕显示坐标值和实际值一致，比较直观，不容易出错。
4.3.1.6 选择需要处理的掩模图形层(Layer)
用鼠标在模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择所要处理的层名（层号）。
4.3.1.7 绘制图形形状模式选择
用鼠标在模式栏(Mode Bar)的作图模式区(Object Area) 中选择画图模式。包括矩形（最常用的图形）。
圆形、圆环、扇区。
多边形(直角多边形、45度斜边多边形、任意拐角多边形)，不允许交叉多边形。
带宽度的线条:( 直角拐弯线、45度斜线连接、任意拐角线) 因曝光时线头部分容易出错，建议采用多边形画线条。
无宽度的线条(因数据转换时容易出错，建议采用多边形画线条)
字符(因数据转换时不承认，建议不用，或写在非功能层上作参考，需要制出的字符要用矩形拼接构成图形曝光)
此时就可以使用鼠标在设计区(Layout Area) 作图。
可用选择不同掩模层，设计其它层次相关的图形。
4.3.1.8 设计过程中常用操作
◇用 "+"或 "-"键放大缩小屏幕
◇用 "Home" 键可在全屏幕显示完整图形
◇用 "→"、"←"、"↑"、"↓"键移动图形
◇打 "Z"键后，用鼠标左键在屏幕上拖动一小窗口，可放大观察修改细部。
◇用鼠标左键在某图形上定位后，打 "Q"键使该坐标清零;在用鼠标在屏幕上检查线宽或间距。二次打 "Q"键坐标值复原。
4.3.1.9 鼠标功能
建议采用逻辑真三键鼠标（Logitech first Mouse ，Three button），如果没有真三键鼠标，则采用“Shift键+Alt键+鼠标左键”组合代替鼠标中键功能，但使用有所不便。
◇鼠标左键功能: [点击功能键、绘图键、和Alt组合模拟中键]
所有常规鼠标选择功能及所有拖动绘图功能。
在图形区中按键盘Alt键的同时，按鼠标左键可移动被选定的图形位置、边或角 (黑边图形) (相当于只按鼠标中键)，
在层选择区按键盘Shift键+Alt键的同时，按鼠标左键 (相当于Shift键+鼠标中键)，此时除指定层外，其它层图形全部都被封闭。
在层选择区按键盘Alt键的同时，按鼠标左键 (相当于只按鼠标中键)，指定层被封闭。
◇鼠标中键功能: [图形拖动键、层封闭键]
把鼠标指向被选定的图形 (黑边图形) 中部任何部位，按鼠标中键可拖动整个图形移动。形状不变。
　　 把鼠标指向被选定的图形 (黑边图形) 任何一条边，按鼠标中键可拖动该边，改变形状。
　　 把鼠标指向图形任何一个角点上，按鼠标中键可拖动该点，改变形状。
在层选择区按键盘Shift键的同时，按鼠标中键(或Shift键+Alt键+鼠标左键)，此时除指定层外，其它层图形全部都被封闭。
在层选择区只按鼠标中键 (或按键盘Alt键的同时，按鼠标左键)，指定层被封闭。
◇鼠标右键功能: [图形选择键、层解放键]
按鼠标右键拖动窗口选择一个或一组图形。
在一组图附近点击鼠标右键可依次选择其中的某个图形。
按键盘Shift键同时，再用鼠标右键可多次点击不同的图形也可实现一次选择一组图形。
用鼠标右键，点掩模层选择区(Layer Area)中任何被封闭层的位置，该层被解放。
在按键盘Shift键的同时，按鼠标右键，此时所有层图形全部都解放。
4.3.1.10 图形层的封闭与打开的操作
◇除指定的图形层外，封闭其它所以图形层的操作
用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择指定的图形层，点鼠标右键打开图形层操作菜单，用鼠标左键选择“Hide All” (或者在三键鼠标中按键盘Shift键的同时，按鼠标中键)，此时除指定层外，其它层图形全部都被封闭。
◇打开被封闭的所有图形层的操作
用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择需要操作的目标层位置（或任意层位置），点鼠标右键打开图形层操作菜单，用鼠标左键选择“Show All” (或者在三键鼠标中按键盘Shift键的同时，按鼠标右键)，此时所有层图形全部都解放。
◇只对指定的图形层进行封闭或打开的操作
用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择需要操作的目标层位置，点鼠标右键打开图形层操作菜单，用鼠标左键选择“Show All” ，此时被选择的图形层封闭，如果再用鼠标左键选择“Show All” ，此时被选择的图形层又可以打开。其他图形层状态不变。

4.3.2 含例化单元图形的操作
4.3.2.1 插入被例化单元(原始单元)图形步骤
进入 Cell/New 建立新创建图形单元名，如Cell001
进入 Cell/Instance 选择某已建立的单元(如Cell002) 选 OK
(注意: 图形坐标已变动，需要从新定位)
4.3.2.2 进入修改图形形态操作界面
进入 Edit/Edit Object(s)
4.3.2.3 修改图形位移参数
Translation (Locator Units):
X: 0
Y: 0
输入0 0 使图形坐标回零点。需要位移输入相应坐标值。
4.3.2.4 修改图形位相参数
Coordinate system:
Rotation :0.00 输入图形旋转角度。
Mirro： 选择图形镜像关系。
4.3.2.5 修改图形倍率参数
Scale Factor: 1/1 倍率不变。
4.3.2.6 设置分布重复图形单元阵列参数
　 Array Parameters:
Repeat count: 输入X-Y分步重复个数。
Delta (locator Units): 输入X-Y步距
可生成重复单元图形阵列。
4.3.2.7 一个单元可以插入多个例化图形的单元或多次插入同一个例化图形的单元,还可以画入新的图形。可以对每个例化图形的单元和新画入的图形进行选取及各种形态操作,实现图形拼接合成。
4.3.2.8 含例化图形的单元还可以作为新的例化图形的单元，组成多次嵌套关系的图形。
4.3.2.9 修改被例化单元(原始单元)图形，可以使含例化图形的单元阵列中所有单元都被修改。
4.3.2.10 含例化图形的单元中的图形不可能逐个多边形或矩形进行修改，需要个别修改多边形或矩形，必须把含例化图形的单元压平，取消嵌套关系。
点击 Cell/Flatten
把所有嵌套关系的单元图形逐级代入展开，生成没有任何嵌套关系的完整图形 (简称 "粉碎" 或 "压平")。压平后单元变成不含例化图形的单元，可以对任何多边形或矩形进行操作。

4.3.3  图形绘制、修改操作
4.3.3.1 鼠标拖动直接绘制法
首先选择绘制图形形状模式，比如选择矩形、多边形、圆形等绘图模式，利用鼠标在屏幕上移动，观察屏幕右上角格点坐标值变化，当鼠标移动到需要的坐标值时点鼠标左键在屏幕上定位，一直按住鼠标左键并拖动鼠标到所需要的坐标值松开鼠标左键。如果绘制多边形，则是每点一次鼠标左键定位一个多边形顶点，最后点鼠标右键完成一个多边形绘制。这种绘制法适用于屏幕上出现格点，并且设置鼠标是跳动的模式，并只绘制整数格点的小图形。绘制大图形很不方便。
4.3.3.2 鼠标拖动修改法
首先利用鼠标右键在屏幕上点击图形,选择一个孤立图形 (图形轮廓线变黑),或者新绘制一个大体尺寸的图形。
把鼠标指向图形中部任何部位，用Alt + 鼠标左键（或者Shift + Alt + 鼠标左键，此时可以在X或Y方向分别移动，也可以用三键鼠标的中键）可拖动整个图形移动。形状不变。
　　把鼠标指向图形任何一条边，用Alt + 鼠标左键可拖动该边，改变形状，观察坐标变化，同时打 "Z"键后，用鼠标左键在屏幕上拖动一小窗口，逐渐放大再继续按鼠标中键再继续拖动该边，直到格点出现时观察坐标达到所需要数值为止。
　　把鼠标指向图形任何一个角点上，用Alt + 鼠标左键可拖动该点，改变形状，观察坐标变化，同时打键盘 "Z"键后，用鼠标左键在屏幕上拖动一小窗口，逐渐放大再继续按鼠标中键再继续拖动该点，直到格点出现时观察坐标达到所需要数值为止。
为绘制方便可以事先利用参考标像层或在其他图形层上绘制作为参考用的图形。利用参考标像层的图形进行精确定位。
4.3.3.3 输入坐标修改法
首先利用鼠标右键在屏幕上点击图形,选择一个孤立图形 (图形轮廓线变黑),或者新绘制一个大体尺寸的图形。
进入 Edit/Edit Object 修改矩形对角点的 X-Y坐标值，多边形的各个顶点的X-Y坐标值、圆心X-Y坐标值及半径等数值，精确绘制图形。

4.3.4 图形形态变换及处理的操作
4.3.4.1 被选择的图形移动操作
a) 打开Draw/Move By/Move amount (Locator Units)
输入X-Y坐标值。
b) 打开 Draw/Nudge/ Left; Right; Up; Down
可进行左、右、上、下的微小移动。
4.3.4.2 被选择的图形旋转操作
a) 打开Draw/Rotate/ 90 degrees
相对于被选择的图形的中心点逆时针旋转90度。
b) 打开Draw/Rotate/Rotate Selected Objects/Rotation angle---degrees（ Counterclockwise ）。
相对于被选择的图形的中心点逆时针旋转（按照输入任意角度值）。
c) 打开Draw/Rotate/Rotate Selected Objects/Rotation around/
被选择的图形相对于指定的某点为旋转中心进行逆时针旋转（按照输入任意角度值）。
Center：相对于被选择的图形的中心点逆时针旋转（按照输入任意角度值）。
Offset from center：被选择的图形中心点位移X-Y值后，以这一点为旋转中心进行逆时针旋转（按照输入任意角度值）。
Absolute coordinates：被选择的图形中心点位移X-Y值后，以坐标原点为旋转中心进行逆时针旋转（按照输入任意角度值）。如果X-Y位移值为（0，0），则被选择的图形以坐标原点为旋转中心进行逆时针旋转（按照输入任意角度值）。
4.3.4.3 被选择的图形镜像操作
a) 打开Draw/Flip/ Horizontal 进行图形以 Y为轴镜像处理 (左右对称处理)。
b) 打开Draw/Flip/ Vertical 进行图形以 X为轴镜像处理 (上下对称处理)。
4.3.4.4 对被选择的图形进行选择性切割操作
a) 打开Draw/Slice/ Horizontal 对图形进行平行于X方向的切割处理。
b) 打开Draw/Slice/ Vertical 对图形进行平行于Y方向的切割处理。
为了方便精确定位点，建议适当设置鼠标跳步参数进行配合。
c) 打开Draw/Merge 对被选择的图形（或被切割的图形）进行合并操作。

4.3.5 复制、拷贝操作
4.3.5.1 图形层内部被选择的图形复制
a) 首先用鼠标选择需要复制的图形用鼠标右键在屏幕上选择某个矩形或拖动窗口选择一组图形。
b) 点击 Edit/Copy （或者Ctrl+C） 把图形存入粘贴缓冲区(Paste-Buffer)。
c) 点击 Edit/Paste （或者Ctrl+V） 即可调出存入粘贴缓冲区中的图形(注意: 图形坐标已变动)。
d) 用Shift + Alt + 鼠标左键：把拖动图形到需要安放的位置（可以采用参考层定位）。打 "Z"键后，用鼠标左键在屏幕上拖动一小窗口，精确定位。若再点 Edit/Paste还可继续调出存入粘贴缓冲区中的图形，并按上述移动的间距两倍的位置精确定位......以此类推可重复Copy多组图形。
4.3.5.2 把当前图形层中被选择的图形复制到另外一个图形层上的操作
a) 首先用鼠标选择需要复制的图形用鼠标右键在屏幕上选择某个矩形或拖动窗口选择一组图形。
b) 点击 Edit/Copy （或者Ctrl+C） 把图形存入粘贴缓冲区(Paste-Buffer)。
c) 用鼠标点击图层版中另外一个图层。
d) 点击 Edit/Paste to Layer （或者Alt+V） 即可调出存入粘贴缓冲区中的图形复制到该图层上。(注意: 图形坐标已变动)。
e) 用Alt + 鼠标左键（Shift + Alt + 鼠标左键，此时可以在X或Y方向分别移动），把拖动图形到需要安放的位置（可以采用参考层定位）。打 "Z"键后，用鼠标左键在屏幕上拖动一小窗口，精确定位。
4.3.5.3 不同层间选择图形或单元图形(Cell)考贝
a) 进入 Cell/Open 选择需要考贝的单元。
b) 用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择所要考贝的层位置，点鼠标右键打开图形层操作菜单，用鼠标左键选择“Hide All” ，此时除指定层外，其它层图形全部都被封闭。
c) 利用鼠标右键在屏幕上拖动窗口选择需要考贝图形 (图形轮廓线变黑)，也可以用鼠标点 Edit/Select All选择该层的所有图形。
d) 用鼠标进入 Edit/Copy （或者按Ctrl + C键）把该层选择的图形考贝入寄存器，。
e) 用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择考贝的目标层位置，点鼠标右键打开图形层操作菜单，用鼠标左键选择“Show All”， 此时所有层图形全部都解放。
f) 在按键盘 Alt键的同时，按 V键。完成层间单元图形考贝，但图形位置会有变化。
g) 在按键盘 Alt键的同时，按住鼠标左键拖动目标层新考贝图形，让它与被考贝层的图形对齐，注意要结合键盘 "Z"键，用鼠标左键在屏幕上拖动一小窗口，逐渐放大再继续按键盘 Alt键的同时，按住鼠标左键拖动目标层新考贝图形，一直到格点出现后两出真正对齐为止。
4.3.5.4 同一文件内单元图形(Cell)考贝
a) 进入 Cell/Copy 选择需要考贝的单元如Cell001，
b) 点〖OK〗窗口，输入新单元名如Cell003，则生成新单元的坐标与原单元一致。
4.3.5.5 不同文件间单元图形(Cell)考贝
a) 进入 Cell/Copy 选择需要考贝的单元如Cell001 ，
b) 用鼠标点〖File〗窗口可选择已被打开的另外一个文件YXYM002，并选定需要考贝的单元。
c) 再点〖OK〗窗口，并输入，
d) 即可把文件YXYM002中的Cell001单元图形复制到当前文件YXYM001中，生成新单元名Cell004的单元图形。
如果当前文件中已存在相同的单元图形名，会提示修改新的单元图形名。
4.3.5.6 不同文件间的不同层间选择图形或单元图形(Cell)考贝
不同文件间不能直接进行不同层间图形考贝，只能先采用 “4.3.5.5” 进行不同文件间单元图形(Cell)考贝后,再按照 “4.3.5.3 ” 的方法进行不同层间选择图形或单元图形(Cell)考贝。

4.3.6 图形的布尔运算与图形反转
L-Edit V8.50以上版本具有一个非常有用的图形布尔运算工具 X-Tools，为绘制复杂的闭合多义线图形、图形挖空及图形反转操作提供很方便的工具。
4.3.6.1 进入布尔运算模式
a) 打开 Tools/UPILIB/X-Tools,进入布尔运算界面。
b) 打开 “Option” 。
c) 选择 “Remove original polygon（s） after operation”，运算后删除原来图形，只留下运算结果，便于观察。
4.3.6.2     图形A和B相加（Or,加法）的运算
a) 首先选择一个图形或一组图形，把“Boolean”中的“ A”点红。
b) 再选择另一个图形，把“Boolean”中的“ B”点红。
c) 按 “A or B”，可实现图形A和B相加，即A和B两组所有图形都加到一块组成新的图形。
4.3.6.3     图形A被图形B挖去（SUB,减法）的运算
a) 首先选择一个大的图形，把“Boolean”中的“ A”点红。
b) 再选择另一个图形或一组图形，把“Boolean”中的“ B”点红。
c) 按 “A sub B”，可实现图形A减B，即图形A中挖去图形B组成新的图形。
如果图形B被图形A完全包围，则运算结果图形A被图形B挖空，利用这个功能可以实现图形反转操作。
如果图形B包围图形A，则运算结果所有图形都消失。
如果图形B只遮盖图形A的一部分，则运算结果图形A被图形B遮盖的部分挖去。
4.3.6.4 图形A和图形B相互重叠部分挖去（XOR）的运算
a) 首先选择一个图形或一组图形，把“Boolean”中的“ A”点红。
b) 再选择另一个图形或一组图形，把“Boolean”中的“ B”点红。
c) 按 “A xor B”，可实现图形A和B相互重叠部分挖去，A和B两组所有没有重叠的图形都加到一块组成新的图形。
4.3.6.5 图形A和图形B相互重叠部分保留其余部分删除（AND）的运算
a) 首先选择一个图形或一组图形，把“Boolean”中的“ A”点红。
b) 再选择另一个图形或一组图形，把“Boolean”中的“ B”点红。
c) 按 “A and B”，可实现图形A和B相互重叠部分保留，A和B两组所有没有重叠的图形都被删除。
4.3.6.6 利用布尔运算工具 X-Tools进行图形反转的运算
利用 “4.3.6.3” 图形A被图形B挖去（SUB,减法）运算的功能，
a) 首先选择需要被反转的图形。把“Boolean”中的“ B”点红。
b) 然后根据有效图形加划片道画一个大的矩形把图形B包围起来，注意图形边缘对称，把“Boolean”中的“ A”点红。
c) 再按 “A sub B”，可实现图形B图形反转操作。

4.3.7 图形层间的布尔运算与图形反转
利用已有的图形层通过运算产生新工艺图形层的操作。
注意：这里只适用于矩形、45°/90°的多边形或连线。不能处理圆形和任意角度的图形。
4.3.7.1 进入生成层设置操作
a) 打开Setup/Layers/Derivation/Derived 进入生成层推导界面。
b) 打开“Derivation”对话框，可以有四种推导类型：
◇ Boolean 采用布尔运算产生推导层。
◇ Selection 采用图形层选择的方法产生推导层。
◇ Area 采用图形层面积计算的方法产生推导层。
◇ Density 采用图形层密度计算的方法产生推导层。
4.3.7.2 采用布尔运算产生推导层
a）    确认已经有两个以上图形层有图形数据。
b）    用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择将要生成的目标层位置。
c） 选择 “Boolean” 布尔运算方式。
d） 选择 “Enable Derivation” 激活推导。
e） 在源图层模块 Source Layers（ Locator Units定位器单位-微米）中分别选择各源图层的层名及各种布尔运算参数：
◇ 打开“Layer” 选择各层的层名，一次最多只能有三层图形进行运算。多于三层的，可以采用其他层图形与前三层图形运算结果生成的新图层合成运算。
◇ 如果要对该层图形反转，要在该层选择“NOT”，进行“非” 运算。
◇    如果该层图形需要尺寸专程再造（即图形每边涨缩设置的定位器单位，如-0.2,则该层所有图形的边缘每边缩小0.2微米）。
◇    “Operation”中选择 “AND”,则生成的新图层只有上下两层重合的部分的图形, 两层没有重合的部分去除。
◇ “Operation”中选择 “OR”,则生成的新图层包含上下两层所有的图形，即两层图形进行加法运算。
f） 确定完成布尔运算推导层的参数设置。
4.3.7.3 进行布尔运算生成新图层的操作
a)    打开 Tools/Generate Layers 进入生成新图层对话框。
b)    在“Target”中选择 “ Layer”，在其中下拉菜单中选择生成新图层的层名。
（如果选中 “All Layer” ，则生成新图层时同时生成推导层的轮廓线图形。）
c）选中 “Delete derived layers”，则在生成新图层时删除推导层的图形（在标像层上的各源图层轮廓线），只留下生成新图和源图层。（如果不选中，还保留推导层的轮廓线图形。）
d） 扫描场（扫描格 Binning）参数设置
在 “Bin”中设置扫描格的尺寸（定位器单位-微米）。
如果选中 “Merge objects after generation” ，则生成新图为合并的图形，（如果不选中，则生成新图是按扫描场分割的图形）。
e） 按“OK”，进行布尔运算, 运算结果生成新图层, 新图层和源图层一样可以进行各种处理。
f） 要删除生成的新图层和推导层的轮廓线，进行如下操作：
打开 Tools/Clear Generated layers，进入删除生成的新图层和推导层图形的 “Delete Objects on Generated Layers”对话框。
选择“ This Cell”删除当前图形单元中生成的新图层和推导层的轮廓线。

4.3.7.4 掩模图形层的图形反转操作
a) 要对图形层进行图形反转, 建议在设计掩模图形时,每层图形(包含每边加半个划片道)的最大点和最小点上各作一个位置相同、大小一样的定位小矩形（尺寸可以是1 微米以下。用于保证数据处理时各层数据中心一致，并且可以确定图形反转的范围。
b） 参见“4.3.7.2” 用鼠标左键点模式栏(Mode Bar)的掩模层选择区(Layer Area)中选择将要生成的目标层位置。
c） 选择 “Boolean” 布尔运算方式。
d） 在源图层模块 Source Layers（ Locator Units定位器单位-微米）中选择需要进行图形反转的层名。
e） 选择“NOT”，进行“非” 运算。
f） 参见“4.3.7.3” 打开 Tools/Generate Layers 进入生成新图层对话框。
g） 在“Target”中选择 “ Layer”，在其中下拉菜单中选择生成新图层的层名。
h） 选中 “Delete derived layers”，在生成新图层时删除推导层的图形，只留下生成新图和源图层。
i） 根据图形复杂程度，在 “Bin”中设置适当的扫描格的尺寸。
j） 选中 “Merge objects after generation” ，生成新图为合并的图形。
k） 按“OK” ，进行图形反转运算。

4.3.8 利用宏进行图形编辑功能的二次开发
4.3.8.1 打开 Tools/Macro 进入宏界面。
4.3.8.2 在 “Macro Files” 中打开 “Load”出现查找已经编释的宏文件。
例如：d：\Ledit750-hy\Leditdlg.dll。
把已经编释好的宏文件Leditdlg.dll读入界面。
4.3.8.3 选中d：\Ledit750-hy\Leditdlg.dll。
则自动选择 “Macros：” 宏表格中的“ Advance tool ” 。
4.3.8.4 点击 “Run” 运行编释宏文件。
即出现 “Advance tool ” 任意角度、任意曲线微光刻图形生成工具条。可以方便地处理各种波带片、园环、螺旋线、扇形、扇形环、椭圆、椭圆环、齿轮、条形码以及由任意函数曲线组成的图形。
参见 “4.4 任意角度、任意曲线微光刻图形生成工具软件模块操作”。

4.3.9 图形拼接错误检查操作
4.3.9.1 备份原始LEDIT设计环境文件
Copy Ledit.tdb Ledit000.tdb
4.3.9.2 修改设计规则集
由于原始LEDIT设计环境文件中包含的设计规则集是通用的完整集成电路设计规则，十分复杂，对于仅仅用于微光刻图形编辑来说，需要简化设计规则集
，修改成只检查最小线宽和最细图形间隙两种最基本的设计规则。
a） 打开 Tools/DRC 进入设计规则检查对话框“Design Rule Check”。
c）    按 “Setup”钮，进入设计规则检查对话框“Setup Design Rules“。
d） 逐个选择 “Rules List”中的设计规则条例，把激活规则复选框“Enable”中的“√”去除，即把所有现成的设计规则全部去选，使原来的设计规则失效。
e） 按 “Add rule” 钮，新增设计规则，在“Rule：” 设计规则条例名称填充框中自动生成的规则条例名称“New Rule 0”为改“Poly Min width”。并且确认规则复选框“Enable” 处激活状态，即“√”状态。
f） 在“Rule type” 中的最小线宽“Min width”选中。
g） 把例外选择“Ignore”中的45度锐角复选框“45 degree acute angle” 选中，允许45度以下锐角出现。
h） 在定义最小允许图形边长尺寸填充框“Rule distance”中填允许尺寸，例如“0.100”，单位选择用户设定的单位“Lambda”或者“Microns”。
i） 在设计规则图层选择“Rule layers”中 “Layer1” 的图形层选择下拉菜单中选择“Poly”层。
j） 按上述同样步骤建立新的最细图形间隙（Spacing）设计规则条例（ Poly Spacing）。
k）按“OK”钮，完成最小线宽和最细图形间隙两种最基本的设计规则参数设置。
4.3.9.3 建立图形拼接错误检查规则环境
在完成最小线宽和最细图形间隙两种最基本的设计规则参数设置后，打开File/Save As， 重新生成微光刻图形编辑专用设计环境文件 Ledit.tdb和它的备份文件LeditDRC.tdb。(也可以修改成自己习惯的各种常用参数的设计环境文件，例如包括修改图形层的颜色配制、设计格栅配制、显示及鼠标配制和GDS格式规定的数字图形层名等)。
4.3.9.4 用微光刻图形编辑专用设计环境文件检查版图图形拼接错误
a) 采用上述建立的设计环境文件启动LEDIT。
b） 打开 Tools/DRC 进入设计规则检查对话框“Design Rule Check”。
c） 按 “Setup”钮，进入设计规则检查对话框“Setup Design Rules“。
d） 根据设计需要在定义最小允许图形边长尺寸填充框“Rule distance”中修改允许尺寸，例如“1.000”微米。按“OK“钮确认，修改后的最小线宽和最细图形间隙允许尺寸。回到设计规则检查对话框“Design Rule Check”。
e） 根据图形大小和复杂情况，修改扫描场格子尺寸 “Bin 50.000 Locator”，
按“OK确定”钮开始进行图形拼接错误检查。
f） 如果图形中有圆形或任意多边形，将会出现提醒信息： “L-Edit Warning Found in Cell0. Circles. All Angle Polygons. These objects will be ignored. Do you want to Proceed?” 按“Yes to All”钮通过。
g） 演算后将出现检查到拼接错误结果的信息：“L-Edit 8 DRC errors found。”
通报有多少处出现拼接错误。按“OK确定”钮，出现图形拼接错误检查结果图示。
h）用鼠标点击标示的图形拼接错误处，可检查错误信息。并进行人工修改。
i）把所有图形拼接错误修改完毕后，打开 Tools/Clear Error Layer进入
“Delete Objects on Error Layer”按“OK确定”钮，删除错误信息标像层。

4.3.10 图形文件输入、输出操作
4.3.10.1 顶层单元图形生成操作
图形处理完成后，需要确认一个“顶层单元”，并且把它内部所有嵌套关系的例化单元图形