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MOCVD设备新建项目建议书泓域咨询/规划设计/投资分析报告说明半导体行业在过去都遵循着摩尔定律，晶体管密度每隔18-24个 月便会增加一倍。信息技术的进步是背后的主要驱动力，伴随着电子 产品在人类生活的更广泛普及以及智能化，物联网和人工智能等新兴 产业的革命为整个行业的下一轮进化提供了动力，半导体行业有望长 期保持旺盛的生命力。本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨 慎财务估算，项目总投资13762.12万元，其中：建设投资1084 5.65 万元，占项目总投资的78.81%；建设期利息107.80万元，占项目总投 资的0.78%；流动资金2808.67万元，占项目总投资的20.41%。根据谨慎财务测算，项目正常运营每年营业收入24 700.00万元，综合总成本费用204 15.44万元，净利润25 23.38万元，财务内部收益 率18.54%,财务净现值1133.66万元，全部投资回收期5.91年。本期 项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合 理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。综合判断，在经济发展新常态下，我区发展机遇与挑战并存，机 遇大于挑战，发展形势总体向好有利，将通过全面的调整、转型、升 级，步入发展的新阶段。知识经济、服务经济、消费经济将成为经济 增长的主要特征，中心城区的集聚、辐射和创新功能不断强化，产业 发展进入新阶段。该报告是从事一种经济活动（投资）之前，双方要从经济、技术、生产、供销直到社会各种环境、法律等各种因素进行具体调查、研究、分析，确定有利和不利的因素、项目是否可行，估计成功率大小、经 济效益和社会效果程度，为决策者和主管机关审批的上报文件。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业 背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建 设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告 可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章项目概论第二章项目背景及必要性第三章市场需求预测第四章产品方案第五章项目选址第六章建筑工程方案第七章原辅材料供应第八章技术方案第九章环境保护方案第十章劳动安全第十一章节能说明第十二章人力资源配置第十三章建设进度分析第十四章投资方案分析第十五章项目经济效益评价第十六章招标及投资方案第十七章风险防范第十八章项目总结分析第十九章附表第一章项目概论一、项目名称及项目单位项目名称：MOCVD设备新建项目项目单位：XX投资管理公司二、项目建设地点本期项目选址位于XX（以选址意见书为准），占地面积约29.65 亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、可行性研究范围及分工按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的 背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方 案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。四、编制依据和技术原则1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。五、建设背景、规模（一）项目背景半导体制造工艺：薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造三大核心 工艺制造先进的集成电路器件，如同建一个几十层的微观楼房，或建 一个多层的高速立交桥。刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻 蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工 艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。干法刻蚀是目 前主流的刻蚀技术，其中以等离子体干法刻蚀为主导。等离子体刻蚀 设备是一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体 反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密 切相关，其原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子，在离 子的轰击下，与表面的材料发生化学反应，产生可挥发的气体，从而 在表面的材料上加工出微观结构。根据产生等离子体方法的不同，干 法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀；根据被 刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料（氧化硅、氮化 硅、二氧化铅、光刻胶等）、硅材料（单晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金属材料（铝、鸨等）。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在 较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构；而电感 性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较 软的和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。光电子LED产业中，以LED新型显示为代表的新兴产业，逐渐成 为显示行业追逐的热点。当前新兴的小间距LED显示在物理拼缝、显 示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现，未来随着MiniLED和 MicroLED技术的进一步发展和完善，LED新型显示产业有望成为继LED 照明产业后M0CVD应用产业发展最迅速的版块之一。根据中国产业信 息网统计的数据，从2015年到2017年，中国LED下游各个子行业中 LED显示的市场规模为425亿、549亿、727亿，年均复合增长率约为 30.79%,高于LED其他细分应用领域。伴随LED照明产品在照明行业 的持续性渗透，LED新型显示在显示行业的替代性增长，未来LED行业 逐步形成了双轮驱动的发展模式，为M0CVD设备行业提供了增量空间。综合判断，在经济发展新常态下，我区发展机遇与挑战并存，机 遇大于挑战，发展形势总体向好有利，将通过全面的调整、转型、升 级，步入发展的新阶段。知识经济、服务经济、消费经济将成为经济 增长的主要特征，中心城区的集聚、辐射和创新功能不断强化，产业 发展进入新阶段。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积19766.65 itf（折合约29.65亩），预计场区规 划总建筑面积25 103.65 itf。其中：生产工程14 635.43 itf,仓储工程 2686.09 m2,行政办公及生活服务设施1707.05 itf,公共工程6075.08 m2o根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：M0CVD设备 00000 套/年。六、项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，XX投资管理公司将项目工程的 建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察 与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨 慎财务估算，项目总投资13762.12万元，其中：建设投资1084 5.65 万元，占项目总投资的78.81%；建设期利息107.80万元，占项目总投 资的0.78%；流动资金2808.67万元，占项目总投资的20.41%。（二）建设投资构成本期项目建设投资1084 5.65万元，包括工程建设费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程建设费用95 95.05万元，工程建设其 他费用999.86万元，预备费25 0.74万元。八、项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入24 700.00万元，综 合总成本费用204 15.44万元，税金及附加920.06万元，净利润 25 23.38万元，财务内部收益率18.54%,财务净现值H33.66万元，全部投资回收期5.91年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积m219766.65约29.65亩1.1总建筑面积m225103.65容积率1.271.2基底面积m212452.99建筑系数63.00%1.3投资强度万元/亩351.991.4基底面积m212452.992总投资万元13762.122.1建设投资万元10845.652.1.1工程费用万元9595.052.1.2工程建设其他费用万元999.862.1.3预备费万元250.742.2建设期利息万元107.802.3流动资金2808.673资金筹措万元13762.123.1自筹资金万元9362.123.2银行贷款万元4400.004营业收入万元24700.00正常运营年份5总成本费用万元20415.44If If6利润总额万元3364.50If If7净利润万元2523.38If If8所得税万元841.13n if9增值税万元841.91if if10税金及附加万元920.06if ir11纳税总额万元2603.10if ir12工业增加值万元6471.05ir ir13盈亏平衡点万元5175.00产值14回收期年5.91含建设期12个月15财务内部收益率18.54%所得税后16财务净现值万元1133.66所得税后九、主要结论及建议该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位 为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发 挥效益。第二章 项目背景及必要性一、行业背景分析1、行业发展态势及面临的机遇(1)新应用推动市场需求持续旺盛纵观半导体行业的发展历史，虽然行业呈现明显的周期性波动，但整体增长趋势并未发生变化，而每一次技术变革是驱动行业持续增 长的主要动力。历史证明，随着消费电子产品朝着智能化、轻薄化、便携化发展，新的智能终端产品层出不穷，从个人电脑、宽带互联网 到移动互联网的技术更替，使得集成电路、MEMS、功率器件等半导体 产业的市场前景和发展机遇越来越广阔。虽然短期内个人电脑和智能 手机渗透率接近高位在一定程度上影响半导体行业的持续快速发展，但以物联网为代表的新需求所带动的如云计算、人工智能、大数据等 新应用的兴起，逐渐成为半导体行业新一代技术的变革力量。从长远来看，伴随新应用推动市场需求的持续旺盛，半导体行业 的景气度有望保持螺旋式上升。在如此的大浪潮下，全球的半导体巨 头如三星、英特尔、海力士等纷纷在近期提出加大资本性支出的计划,或开启新一轮的半导体投资周期。作为半导体生产环节投资规模占比 最大的部分，半导体设备将直接受益于未来持续扩张的半导体产业。(2)集成电路工艺的进步刺激设备需求增加在摩尔定律的推动下，元器件集成度的大幅提高要求集成电路线 宽不断缩小，直接导致集成电路制造工序愈为复杂。根据SEMI统计，20纳米工艺所需工序约为1,000道，而10纳米工艺和7纳米工艺所需 工序已超过1,400道。尤其当线宽向10、7、5纳米甚至更小的方向升 级，当前市场普遍使用的光刻机受波长的限制精度无法满足要求，需 要采用多重模板工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线 宽，使得薄膜沉积和刻蚀次数显著增加。根据SEMI统计，20纳米工艺 需要的刻蚀步骤约为50次，而10纳米工艺和7纳米工艺所需刻蚀步 骤则超过100次。工序步骤的大幅增加意味着需要更多以刻蚀设备、薄膜沉积设备为代表的半导体设备参与集成电路生产环节。除集成电路线宽不断缩小以外，半导体器件的结构也趋于复杂，例如存储器领域的NAND闪存已进入3D时代。3DNAND制造工艺中，增 加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增大堆叠的层数，叠 堆层数也从32层、64层量产向128层发展，每层均需要经过刻蚀和薄 膜沉积的工艺步骤，催生出更多刻蚀设备和薄膜沉积设备的需求。此 外，3D结构的半导体器件往往需要很小的通孔连接几十至一百余层硅,因此对刻蚀设备的技术要求是更高的深宽比，这为刻蚀设备提出了新 的应用方向，带来了新的附加值。综上，集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工 艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需 求，并为以刻蚀设备、薄膜沉积设备为代表的核心装备的发展提供了 广阔的市场空间。（3）LED新技术和应用方向的发展将催生MOCVD的新需求LED行业的新应用和新技术同样层出不穷，除蓝光LED外，红黄光 LED、深紫外LED以及MiniLED、MicroLED,第三代半导体功率器件等 诸多新产品方兴未艾，这些领域都需要M0CVD设备，将进一步扩大 M0CVD设备的市场规模。MiniLED和MicroLED具有高分辨率、高亮度、省电及反应速度快 等特点，被视为新一代显示技术，吸引苹果、三星、LG、索尼等大型 企业布局发展。以氮化钱、碳化硅为代表的第三代半导体功率器件由于具有高效、低能耗和快速转换等优点，正在迅速取代部分硅功率器件，并从电子 领域扩展到如民用高频器件，例如5 G等其他领域，市场前景广阔。根据LEDinside预测，深紫外LED市场产值于2017年成长至2.23 亿美金，预估2022年将会到达12.24亿美金，2017-2022年复合成长 率达33%。除固化应用市场稳定成长之外，表面杀菌、静止水杀菌、流 动水杀菌等应用为2018-2022年深紫外LED市场的主要成长动能。(4)全球半导体产能向中国大陆转移，推动国内设备行业大力发 展作为全球最大的半导体消费市场，我国对半导体器件产品的需求 持续旺盛，中国半导体市场规模2013年至2018年年均复合增长率为 14.34%0市场需求带动全球产能中心逐步向中国大陆转移，持续的产 能转移带动了大陆半导体整体产业规模和技术水平的提高。SEMI所发 布的近两年全球晶圆厂预测报告显示，2016至2017年间，新建的晶圆 厂达17座，其中中国大陆占了 10座。SEMI进一步预估，2017年到 2020年的四年间，全球预计新建62条晶圆加工线，其中中国大陆将新 建26座晶圆厂，成为全球新建晶圆厂最积极的地区，整体投资金额预 计占全球新建晶圆厂的42%,为全球之最。中国大陆晶圆厂建厂潮为半导体设备行业提供了巨大的市场空间。根据SEMI统计数据，2018年第三季度中国大陆半导体设备销售额同比 增长106%,首次超越韩国，预计2019年将成为全球最大半导体设备市 场。同时，中国大陆需求和投资的旺盛也促进了我国半导体产业专业 人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为我国设 备产业的扩张和升级提供了机遇。（5）良好的半导体产业扶持政策为进一步加快集成电路产业发展，2014年6月出台的国家集成 电路产业发展推进纲要强调，进一步突出企业的主体地位，以需求 为导向，以技术创新、模式创新和体制机制创新为动力，突破集成电 路关键装备和材料瓶颈，推动产业整体提升，实现跨越式发展。国家 高度重视和大力支持行业发展，相继出台了多项政策，推动中国半导 体产业的发展和加速国产化进程，将半导体产业发展提升到国家战略 的高度，充分显示出国家发展半导体产业的决心。在良好的政策环境下，国家产业投资基金及民间资本以市场化的 投资方式进入半导体产业。国家产业投资基金通过股权投资的方式支 持集成电路产业链各环节中具有较强技术优势和市场竞争力的公司，推动企业提升产能水平和实现兼并重组，形成良性的自我发展能力。在国家产业投资基金设立的同时，各地也支持设立地方性投资基金，鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域，以国家资 金为杠杆，撬动大规模社会资本进入半导体产业。我国半导体设备行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国半导体设备行业技术水平的提高和行业的快速发展。2、面临的挑战（1）融资环境仍不成熟半导体设备行业投资周期长，研发投入大，是典型的资本密集型 行业，为保持公司的技术优势，需要长期、持续不断的研发投入。目 前行业内企业主要资金来源于股东的投入，融资渠道单一限制了国内 产业的发展。（2）高端技术和人才的缺乏半导体设备行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识 背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求。虽然近年来国家对半 导体设备行业给予鼓励和支持，但由于研发起步较晚，业内人才和技 术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。二、产业发展分析（1）半导体行业概述半导体行业的重要性半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业,是电子信息产业的基础支撑，其产品被广泛地应用于电子通信、计算 机、网络技术、物联网等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。根据国际货币基金组织测算，每1美元半导体芯片的产值可带动相关 电子信息产业10美元产值，并带来100美元的GDP,这种价值链的放 大效应奠定了半导体行业在国民经济中的重要地位。半导体与信息安 全的发展进程息息相关，世界各国政府都将其视为国家的骨干产业，半导体产业的发展水平逐渐成为了国家综合实力的象征。半导体行业的发展状况从历史上看，半导体行业遵循螺旋式上升规律，新科技推动行业 屡获新生。半导体核心元器件晶体管自诞生以来，带动了全球半导体 产业20世纪50年代至90年代的迅猛增长。进入21世纪以后市场日 趋成熟，随着PC、手机、液晶电视等消费类电子产品市场渗透率不断 提高，行业增速逐步放缓。近年在以物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗电子和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需 求的带动下，全球半导体产业恢复增长。根据WSTS统计，从2013年 到2018年，全球半导体市场规模从3,056亿美元迅速提升至4,688亿 美元，年均复合增长率达到&93%。半导体行业发展历程遵循一个螺旋 式上升的过程，放缓或回落后又会重新经历一次更强劲的复苏。半导体行业在过去都遵循着摩尔定律，晶体管密度每隔18-24个 月便会增加一倍。信息技术的进步是背后的主要驱动力，伴随着电子 产品在人类生活的更广泛普及以及智能化，物联网和人工智能等新兴 产业的革命为整个行业的下一轮进化提供了动力，半导体行业有望长 期保持旺盛的生命力。中国半导体行业现状从需求端分析，随着经济的不断发展，中国已成为了全球最大的 电子产品生产及消费市场，衍生出了巨大的半导体器件需求。根据 ICInsights统计，从2013年到2018年仅中国半导体集成电路市场规 模就从820亿美元扩大至1,550亿美元，年均复合增长率约为13.58%。未来随着互联网、大数据、云计算、物联网、人工智能、5 G等高新技 术产业和战略性新兴产业的进一步发展，中国的半导体器件消费还将 持续增加，中国将成为全球半导体最具活力和发展前景的市场区域。从供给端分析，对比巨大的国内市场需求，国产半导体集成电路 市场规模较小，2018年自给率约为15%。根据海关总署的数据，仅半 导体集成电路产品的进口额从2015年起已连续四年位列所有进口商品 中的第一位，不断扩大的中国半导体市场规模严重依赖于进口，中国 半导体产业自给率过低，进口替代的空间巨大。(2)半导体行业产业链简介半导体产业链的下游为半导体终端产品以及其衍生的应用、系统 等。半导体产品按功能区分，可以分为集成电路、光电子器件、分立 器件和传感器等四大类。据WSTS的数据，2018年集成电路、光电子器 件、分立器件和传感器的全球市场规模分别为3,933亿美元、380亿美 元、241亿美元和134亿美元，占4,688亿美元半导体市场整体规模的 比例分别约为83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；相较于2017年,集成电路 增长14.6%,光电子器件增长9.3%,分立器件增长11.7%,传感器增长 6.0%。集成电路和光电子器件是半导体产品最主要的门类。(3)半导体设备行业概况半导体设备的重要性半导体设备行业属于半导体产业链的上游核心环节之一，根据半 导体行业内”一代设备，一代工艺，一代产品”的经验，半导体产品 制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产 品制造开发新一代产品。半导体设备支撑10倍大的芯片制造产业，对信息产业有成百上千 倍的放大作用，随着半导体行业的迅速发展，半导体产品的加工面积 成倍缩小，复杂程度与日俱增，生产半导体产品所需的制造设备需要 综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术壁垒高、制造难度 大及研发投入高等特点。半导体设备价值普遍较高，一条制造先进半 导体产品的生产线投资中设备价值约占总投资规模的75%以上，半导体 产业的发展衍生出巨大的设备需求市场。全球半导体制造设备行业简介2013年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设 备市场也呈增长趋势。根据SEMI统计，全球半导体设备销售额从2013 年的约318亿美元增长至2018年的预估621亿美元，年均复合增长率 约为14.33%,高于同期全球半导体器件市场规模的增速。全球半导体设备市场目前主要由国外厂商主导，行业呈现高度垄断的竞争格局。根据VLSIResearch统计，2018年全球半导体设备系统 及服务销售额为811亿美元，其中前五大半导体设备制造厂商，由于 起步较早，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了 全球半导体设备市场65%的市场份额。中国半导体设备行业简介从需求端分析，根据SEMI统计数据，2018年半导体设备在中国大 陆的销售额估计为128亿美元，同比增长56%,约占全球半导体设备市场的21%,已成为仅次于韩国的全球第二大半导体设备需求市场。从供给端分析，根据中国电子专用设备工业协会的统计数据，2018年国产半导体设备销售额预计为109亿元，自给率约为13%。中 国电子专用设备工业协会统计的数据包括集成电路、LED、面板、光伏 等设备，实际上国内集成电路设备的国内市场自给率仅有5%左右，在 全球市场仅占上2%,技术含量最高的集成电路前道设备市场自给率更 低。对应巨大的需求缺口，中国半导体设备进口依赖的问题突出，专 用设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国 电子信息安全造成重大隐患。下游客户资本性支出波动及行业周期性情况半导体产业链的下游为半导体终端产品以及其衍生的应用、系统 等。半导体终端需求会影响半导体制造行业的发展。而在半导体制造 产业中，半导体设备行业的下游客户是晶圆厂。当半导体终端需求增 长时，晶圆厂会加大资本性支出，扩大其生产规模，开始建设新厂或 进行产能升级。随着晶圆厂的资本性支出加大，半导体设备销售也会 随之增长。因此，半导体设备销售的周期性和波动性较下游半导体制 造行业更大。总体而言，半导体行业发展历程遵循一个螺旋式上升的过程，放 缓或回落后又会重新经历一次更强劲的复苏。近年来，随着半导体行 业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势。随着 半导体产业日趋成熟，特别是集成电路和微观器件产业不断地出现更 多半导体产品，半导体终端应用越来越广。随着终端应用逐渐渗透到 国民经济各个领域，下游客户晶圆厂的资本性支出的波动和行业周期 性有望降低。(4)细分行业概述近年来全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计 占所有半导体产品销售额的90%以上，是半导体产品最重要的组成部分。半导体设备主要服务于这两类产品的制造环节，将半导体设备行业进 一步细分，细分行业为集成电路设备行业中的刻蚀设备行业和LED设 备行业中的M0CVD设备行业。刻蚀设备行业概况集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆 制造设备的市场规模占比超过集成电路设备整体市场规模的80%o晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产 工艺中最重要的三类设备。根据SEMI统计，2017年按全球晶圆制造设备销售金额占比类推，目前刻蚀设备、光刻机和薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约 24%、23%和 18%0随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽不断缩小、芯片结构3D 化，晶圆制造向7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展。由于普遍使用 的浸没式光刻机受到波长限制，14纳米及以下的逻辑器件微观结构的 加工将通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合一一多重模板效应来 实现，使得相关设备的加工步骤增多。在需求增长较快的刻蚀设备领域，行业集中度较高，泛林半导体 占据刻蚀设备市场份额半壁江山。随着集成电路中器件互连层数增多，刻蚀设备的使用量不断增大,泛林半导体由于其刻蚀设备品类齐全，从65纳米、45纳米设备市场起 逐步超过应用材料和东京电子，成为行业龙头。The I nf ormat i onNe twork数据显示，泛林半导体在刻蚀设备行业的市场 占有率从2012年的约45%提升至2017年的约55%,主要替代了东京电 子的市场份额。排名第二的东京电子的市场份额从2012年的30%降至 2017年的20%。应用材料位于第三，2017年约占19%的市场份额。前 三大公司在2017年占据刻蚀设备总市场份额的94%,行业集中度高，技术壁垒明显。M0CVD设备行业概况LED产业链由衬底加工、LED外延片生产、芯片制造和器件封装组 成。该产业链中主要涉及的设备包括：衬底加工需要的单晶炉、多线 切割机；制造外延片需要的M0CVD设备；制造芯片需要的光刻、刻蚀、清洗、检测设备；封装需要的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。LED外延片的制备是LED芯片生产的重要步骤，与集成电路在多种 核心设备间循环的制造工艺不同，主要通过M0CVD单种设备实现。M0CVD设备作为LED制造中最重要的设备，其采购金额一般占LED生产 线总投入的一半以上，因此M0CVD设备的数量成为衡量LED制造商产 能的直观指标。近年来，中国LED芯片产业的快速发展带动了作为产业核心设备 的MOCVD设备需求量的快速增长。高工LED数据显示，2015年至2017年中国M0CVD设备保有量从1,222台增长至1,718台，年均复合增长率达18%。根据LEDinside统计，中国已成全球MOCVD设备最大的需求市场，MOCVD设备保有量占全 球比例已超40%。高工LED目前MOCVD设备下游应用主要包括蓝光LED,蓝光LED则 主要用于照明领域。蓝光LED与荧光粉的组合促生了取代白炽灯、荧 光灯的新一代照明市场。更值得注意的是，蓝光LED和氮化钱有密不 可分的联系，蓝光LED研发取得突破的关键是科学家们找到了氮化钱 这种具有较大禁带宽度的半导体材料。氮化镁基LED促进了照明行业 的发展。目前MOCVD设备主要用于氮化钱基及碑化线基半导体材料外延生 长，其中氮化钱基LEDMOCVD主要用于生产氮化钱基LED的外延片。根 据LEDinside的数据显示，2018年全年氮化锐基MOCVD的新增数量为 215台，碑化钱基MOCVD的新增数量为65台，氮化锐基MOCVD设备约 占全部MOCVD市场份额的77%0除蓝光LED,MOCVD设备还可应用于绿光LED、红光LED、深紫外 LED,以及MiniLED、MicroLED,功率器件等诸多新兴领域，MOCVD设 备的市场规模会有望进一步扩大。“十三五”时期，我区发展面临诸多机遇和有利条件。我国经济 长期向好的基本面没有改变，发展仍然处于重要战略机遇期的重大判 断没有改变，但战略机遇期的内涵发生深刻变化，正在由原来加快发 展速度的机遇转变为加快经济发展方式转变的机遇，正在由原来规模 快速扩张的机遇转变为提高发展质量和效益的机遇，我区推动转型发 展契合发展大势。“十三五”时期，我区发展也面临一些困难和挑战。从宏观形势 看，世界经济仍然处于复苏期，发展形势复杂多变，国内经济下行压 力加大，传统产业面临重大变革，区域竞争更加激烈，要素成本不断 提高，我区发展将不断面临新形势、新情况和新挑战。从自身来看，我区仍处于产业培育的“关键期”、社会稳定的“敏感期”和转型发 展的“攻坚期”，有很多经济社会发展问题需要解决，特别是经济总 量不够大、产业结构不够优、重构支柱产业体系任重道远，资源瓶颈 制约依然突出、创新要素基础薄弱、发展动力不足等问题亟需突破，维护安全稳定压力较大，保障和改革民生任务较重。第三章市场需求预测一、行业基本情况(1)刻蚀设备行业在新技术方面近年来的发展情况与未来发展趋 势集成电路制造工艺集成电路制造工艺繁多复杂，其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导 体制造三大核心工艺。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄 膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上 的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除 光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜 沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆 上。半导体制造工艺：薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造三大核心 工艺制造先进的集成电路器件，如同建一个几十层的微观楼房，或建 一个多层的高速立交桥。等离子体刻蚀技术刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀各向异性较差，侧 壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，其中以等离子体干法刻蚀为主导。等离子体刻蚀设备是一种大型真空 的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系 统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关，其原理是利 用等离子体放电产生的带化学活性的粒子，在离子的轰击下，与表面 的材料发生化学反应，产生可挥发的气体，从而在表面的材料上加工 出微观结构。根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容 性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀；根据被刻蚀材料类型的不同,干法刻蚀主要是刻蚀介质材料（氧化硅、氮化硅、二氧化铃、光刻胶 等）、硅材料（单晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金属材料（铝、鸨 等）。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要 是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。刻蚀技术水平发展状况及未来发展趋势随着国际上高端量产芯片从14纳米到10纳米阶段向7纳米、5纳 米甚至更小的方向发展，当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长 的限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，利用刻蚀 工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。芯片线宽的缩小及新制造工艺的采用（如多重模板工艺），对刻 蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向 异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起 的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之 更新进步，例如：刻蚀设备的静电吸盘从原来的四分区扩展到超过20 个分区，以实现更高要求的均匀性；更好的腔体的温度控制实现生产 重复性的提高。集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入 3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入大生产，96层和128层闪存正 处于研发中。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小 单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠 层结构上，加工40：1到60：1的极深孔或极深的沟槽。3DNAND层数 的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。(2)MOCVD设备行业在新技术方面近年来的发展情况与未来发展 趋势在光电子半导体LED领域存在一个类似摩尔定律的海兹定律，即 LED的价格每10年将为原来的1/10,输出流明则增加20倍。自1993 年第一颗商业化蓝光LED诞生以来，经过20多年的发展，制造蓝光 LED的MOCVD技术已达到较为成熟的阶段，目前MOCVD设备企业主要在 提高大规模外延生产所需的性能、降低生产成本、具备大尺寸衬底外 延能力等方面进行技术开发，以满足下游应用市场的需求。主流MOCVD 设备反应腔的加工能力从31片4英寸外延片发展到34片4英寸外延 片，现在行业主流厂商正在开发41片4英寸外延片超大反应器。制造红黄光LED、紫外光LED、功率器件等都需要MOCVD设备，这 些设备还有待进一步开发。MiniLED和MicroLED可能带来的显示器件 革命孕育着更大的市场机会。二、市场分析1、2006-2020年国家信息化发展战略在集成电路(特别是中央处理器芯片)、系统软件、关键应用软 件、自主可控关键装备等涉及自主发展能力的关键领域，瞄准国际创 新前沿，加大投入，重点突破，逐步掌握产业发展的主动权。制定并 完善集成电路、软件、基础电子产品、信息安全产品、信息服务业等 领域的产业政策。研究制定支持大型中央企业的信息化发展政策。培 育有核心竞争能力的信息产业。加强政府引导，突破集成电路、软件、关键电子元器件、关键工艺装备等基础产业的发展瓶颈，提高在全球 产业链中的地位，逐步形成技术领先、基础雄厚、自主发展能力强的 信息产业。2、关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策的 通知为进一步优化软件产业和集成电路产业发展环境，提高产业发展 质量和水平，培育一批有实力和影响力的行业领先企业，在财税、投 融资、研究开发、进出口等各方面制定了许多优惠政策。在投融资方 面，积极支持符合条件的软件企业和集成电路企业采取发行股票、债 券等多种方式筹集资金，拓宽直接融资渠道。3、关于海关支持软件产明确了经认定的软件进企业进口所需的 自用设备以及配套件、备件可以免征进口关税，照章征收进业和集成 电路产业发展的有关政策规定和措施的公告经认定线宽小于0.25微米或投资额超过80亿元人民币的集成电 路生产企业和经认定的线宽小于0.8微米（含）的集成电路生产企业,其进口自用生产性原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统,以及集成电路生产设备零、配件可以免征关税和进口环节增值税。4、国家规划布局内重点软件企业和集成电路设计企业认定管理 试行办法规划布局企业须符合战略性新兴产业发展规划、信息产业发展规 划等国家规划部署，在全国软件和集成电路行业中具有相对比较优势。5、关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政 策的通知我国境内新办的集成电路设计企业和符合条件的软件企业，经认 定后，在2017年12月31日前自获利年度起计算优惠期，第一年至第 二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企 业所得税，并享受至期满为止。国家规划布局内的重点软件企业和集 成电路设计企业，如当年未享受免税优惠的，可减按10%的税率征收企 业所得税。6、国家集成电路产业发展推进纲要提出着力发展集成电路设计业；加速发展集成电路制造业；提升 先进封装测试业发展水平；突破集成电路关键装备和材料；并从成立 国家集成电路产业发展领导小组、设立国家产业投资基金、加大金融支持力度、落实税收支持政策、加强安全可靠软硬件的推广应用、强 化企业创新能力建设、加大人才培养和引进力度、继续扩大对外开放 等八个方面配备了相应的保障措施。7、中国制造2025着力提升集成电路设计水平，不断丰富知识产权(IP)和设计工 具，突破关系国家信息与网络安全及电子整机产业发展的核心通用芯 片，提升国产芯片的应用适配能力。掌握高密度封装及三维(3D)微 组装技术，提升封装产业和测试的自主发展能力。形成关键制造装备 供货能力。8、国务院办公厅关于进一步激发民间有效投资活力促进经济持 续健康发展的指导意见提出发挥财政性资金带动作用，通过投资补助、资本金注入、设 立基金等多种方式，广泛吸纳各类社会资本，支持企业加大技术改造力度，加大对集成电路等关键领域和薄弱环节重点项目的投入。第四章产品方案一、建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积19766.65 itf（折合约29.65亩），预计场区规 划总建筑面积25 103.65 m20（二）产能规模根据国内外市场需求和XX投资管理公司建设能力分析，建设规模 确定达产年产M0CVD设备00000套，预计年营业收入24 700.00万元。二、产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市 场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能 力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一 致，本报告将按照初步产品方案进行测算。第五章项目选址一、项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良 田或少占耕地；应