模拟电子技术第4章习题答案.doc

4 基本放大电路
自我检测题
一．选择和填空
1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A．共射组态，B．共集组态，C．共基组态）
2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A．增大， B．减小，C．基本不变）
（1）当Rc增大时，则静态电流ICQ将 C ，电压放大倍数将 A ，输入电阻Ri将 C ，输出电阻Ro将 A ；
（2）当VCC增大，则静态电流ICQ将 A ，电压放大倍数将 A ，输入电阻Ri将 B ，输出电阻Ro将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A．截止，B．饱和，C．交越，D．频率）
（2）为了消除失真，应 B 。
（A．增大，B．增大，C．减小，D．减小 ，E．换用大的管子）。

图选择题5
7. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数b_A_，穿透电流_A_，在IB不变的情况下b-e结电压VBE_B_。
（ A．增大，B．减小，C．不变）
8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A．上移， B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）
9．共源极放大电路的vo与vi反相位，多作为 中间级 使用。
10．共漏极放大电路无电压放大作用，vo与vi 同 相位。
11．共栅极放大电路vo与vi 反 相位。
12. 在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路 低 ，输入电阻 高 。
13. 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题13所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路。
（1）结型场效应管可以采用图示电路中的 b、d ；
（2）增强型MOS场效应管可以采用图示中的 c、d ；
（3）耗尽型MOS场效应管可以采用图示电路中的 a、b、c、d 。

图选择题13
14．在共源组态和共漏组态两种放大电路中， A 的电压放大倍数比较大， B的输出电阻比较小。 B 的输出电压与输入电压是同相的。
（A．共源组态，B．共漏组态）
15．在多级放大电路中，为了使各级静态工作点互不影响,应选用 阻容 耦合。
16．多级放大电路的电压放大倍数是各级电压放大倍数的 乘积 。
17．在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是、、，则三级放大电路 105 折合为 100 dB。
18．在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB 、25dB、35dB，则三级放大电路总增益为 80 dB，折合为 104 倍。
19．在多级放大电路中，后一级的输入电阻可视为前一级的 负载电阻 ，而前一级的输出电阻可视为后一级的 信号源内阻 。
20．两个单管放大电路如图选择题20（a）、（b）所示。令（a）图虚线内为放大电路Ⅰ（b）图虚线内为放大电路Ⅱ，由它们组成的阻容耦合多级放大电路如图（c）、（d）、（e）所示，在典型参数范围内，就下列问题在图（c）、图（d）、图（e）中选择一个（或几个）填空：
（1）输入电阻比较大的多级放大电路是 c、e ；
（2）输出电阻比较小的多级放大电路是 d、e ；
（3）源电压放大倍数值最大的多级放大电路是 e 。
图选择题20

21. 多级放大电路如图选择题21所示。试选择正确的答案填空：T1构成 A 放大电路组态；T2构成 C 放大电路组态；T3构成 B 放大电路组态。
（A．共射， B．共集， C．共基）

图选择题21

22．在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适的一种或几种填空。
（A．阻容耦合，B．直接耦合，C．变压器耦合）
（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用 A C ；
（2）要求能放大变化缓慢的信号，可选用 B ；
（3）要求能放大直流信号，可选用 B ；
（4）要求电路输出端的温漂小，可选用 A C ；
（5）要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 C 。
23. 试判断图选择题23中复合管的接法哪些是合理的，哪些是错误的，在正确的复合管中进一步判断它们的等效类型。从括号内选择正确答案用A、B、C…填空，管①是 B ；管②是 E ；管③是 A ；管④是 C ；管⑤是 E 。
(A．NPN管， B．PNP管， C．N沟道场效应管， D．P沟道场效应管， E．错误的）

图选择题23

24. 图选择题24中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用a、b、c、d填空（如果存在多种选择，应都选择）。要求等效PNP型，应选择 B、C ；要求等效输入电阻大，应选择 A、B 。

图选择题24

二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√ ）。有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。
2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。 （ × ）
3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），所以它无法放大交流信号。（ × ）
4. 放大电路的静态是指：
（1）输入端开路时的电路状态。 （ × ）
（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。 （ √ ）
（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。 （ × ）
（4）输入信号为直流时的电路状态。 （ × ）
5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。 （ × ）
6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。（ × ）
7．晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。 （ × ）
8．在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降，（ √ ）输出电阻也减小。（ × ）
9．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。 （ × ）
10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：
（1）电压放大倍数接近于1，负载RL是否接通关系不大； （ √ ）
（2）输出电阻比2k小得多，（ √ ）与晶体管的大小无关；（ × ）
（3）输入电阻几乎是的倍。 （× ）

图判断题10
11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。 （ √ ）
12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。 （ × ）
13．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大 （ × ）
14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（ √ ），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。（ × ）
15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（ √），输出电阻也很大。（ × ）
16．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（ √ ），所以不能实现功率放大。（ × ）
17．场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ（ × ）还是＝/。（ √ ）
18．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。 （ × ）
19．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。 （ × ）
20．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。 （ √ ）
21．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。 （ √ ）
22．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。 （ √ ）
23．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。 （ √ ）
24．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。 （ √ ）
25．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ × ）
26．欲提高多级放大电路的输入电阻，试判断以下一些措施的正确性：
（1）输入级采用共集组态放大电路。 （ √ ）
（2）输入级中的放大管采用复合管结构。 （ √ ）
（3）输入级中的放大管采用场效应管。 （ √ ）
27．复合管的值近似等于组成复合管的各晶体管的值乘积。 （ √ ）
28．一个NPN管和一个PNP管可以复合成NPN管也可以复合成PNP管。 （ √ ）
习题
4.1定性判断图题4.1中哪些电路不具备正常的放大能力，并说明不能放大的原因。

图题4.1
解：（a）不能放大，输入回路无偏置电压
（b）能放大
（c）不能放大，VCC极性不正确。

4.2放大电路及晶体管输出特性如图题4.2所示。按下述不同条件估算静态电流IBQ（取）并用图解法确定静态工作点Q（标出Q点位置和确定ICQ、VCEQ的值）。
（1）VCC＝12V，，，求Q1；
（2）VCC＝12V，，，求Q2；
（3）VCC＝12V，，，求Q3；
（4）VCC＝8V，，，求Q4。

图题4.2
解： ，作出各种情况下直流负载线，得Q点见下图

（1）Q1：IBQ≈75μA， ICQ≈4mA， VCEQ≈4V
（2）Q2：IBQ≈100μA， ICQ≈5.2mA， VCEQ≈1.7V.
（3）Q3：IBQ≈75μA， ICQ≈3.5mA， VCEQ≈1.5V
（4）Q4：IBQ≈49μA， ICQ≈2.5mA， VCEQ≈3V

4.3某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图题4.3所示，设晶体管的VBEQ＝0.6V，电容对交流信号可视为短路。
（1）在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点Q；
（2）确定静态时ICQ和VCEQ的值；
（3）当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？
（4）为了获得尽量大的不失真输出电压，应增大还是减小？

图题4.3
解：（1），直流负载线，作图如下，得ICQ≈2mA，VCEQ≈3V。
交流负载线方城为

即
作出交流负载线如下图

（2）ICQ≈2mA，VCEQ≈3V
（3）交流负载线上Q点到截止区的距离比Q点到饱和区的距离短，所以首先出现截止失真。
（4）减小Rb，使IBQ增加。

4.4已知图题4.4所示电路中的晶体管＝50，，调整使静态电流ICQ=0.5mA，C1、C2对交流信号可视为短路。
（1）求该电路的电压放大倍数；
（2）若晶体管改换成＝100的管子，其它元件（包括）都不变，将发生什么变化？（基本不变，约减小到原来的，约增大一倍）
（3）若晶体管改换成＝200的管子，情况又如何？

图题4.4

解：（1）

（2）Rb不变，IBQ基本不变，所以基本不变，因此约增大一倍。
（3）Rb不变，IBQ基本不变，增加4倍，ICQ增加4倍，VCEQ进入饱和区，晶体管饱和，失去正常放大能力。

4.5已知图题4.5所示电路中晶体管b＝50，，VBEQ＝0.7V。判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。
(1)Rb＝10，Rc＝1kW
(2) Rb＝510，Rc＝5.1kW
如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ以及电压放大倍数、输入电阻、输出电阻（设电容C1、C2对交流信号可视为短路）。

图题4.5
解：
（1）

饱和
(2)

线性放大

= Rb //≈1.27k
= Rc = 5.1k

4.6已知图题4.6所示电路中晶体管的b＝50，，VBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
（1）估算电路静态时的IBQ、ICQ、VCEQ；
（2）求电源电压放大倍数、输入电阻、输出电阻；
（3）当负载电阻开路时，求电源电压放大倍数。

图题4.6
解： （1）

（2）
Ri＝Rb// rbe≈0.82k
Ro＝Rc＝3k

（3）

4.7已知图题4.7所示电路中晶体管b=100，，调整使静态电流ICQ=2mA，所有电容对交流信号可视为短路。求该电路的电压放大倍数。

图题4.7
解：

4.8已知图题4.8所示电路中晶体管的b=160，，VBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
（1）估算电路在静态时的IBQ、ICQ、VCEQ；
（2）求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

图题4.8
解：
（1）

（2）

Ri＝rbe// Rb1// Rb2≈2.1k
Ro＝Rc＝2

4.9已知图题4.9所示电路中晶体管的b＝80，VBEQ＝0.7V，，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
（1）估算电路在静态时的VCEQ；
（2）计算电路在开路的电压放大倍数和接入后的电压放大倍数；
（3）信号源内阻等于多大时，是的一半？

图题4.9
解：
（1）

（2）

（3）当Rs＝Ri＝rbe // Rb1 // Rb2≈1.2k时，是的一半。

4.10已知图题4.10所示电路中晶体管的b＝80，，VBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
（1）要求静态电流ICQ=1mA，估算Re1的值；
（2）求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

图题4.10
解：
（1）

（2）

Ri＝Rb1 // Rb2 // [rbe +(1+b)Re2]≈4.6k
Ro＝Rc＝3

4.11已知图题4.11所示放大电路中晶体管的b＝80，VBEQ＝0.7V。估算电路在静态时的IBQ、ICQ、VCEQ。

图题4.11
解：列方程
得

4.12已知图题4.12所示电路中晶体管的b＝50，，静态时的VCEQ＝4V，VBEQ＝0.7V，各电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
（1）设R1＝R2，估算R1、R2的值；
（2）画出简化H参数交流等效电路图；
（3）求电压放大倍数、、输入电阻、输出电阻；
（4）若C3开路，定性分析静态工作点、、、有何变化。

图题4.12
解：
（1）
代入上式，得

所以
（2）H参数交流等效电路图为

(3)

Ri = R1//rbe =1.3kW

Ro＝R2 // Rc≈7.3
（4）若C3开路，对Q点无影响，、Ri、Ro都会减小，因为引入了电压并联负反馈。

4.13已知图题4.13所示电路中晶体管的b＝50，VBEQ＝0.7V，＝100，各电容足够大，对交流信号可视为短路。
（1）求静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ；
（2）求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻

图题4.13
解：
（1）

VCEQ＝VCC－IEQRe≈6.7V
（2）

Ri＝[ rbe + (1+b) (Re// RL)] // Rb≈70kW
Ro＝Re//

4.14已知图题4.14所示电路中晶体管的b＝150，＝3k，各电容的容抗可忽略不计。
（1）画出简化H参数交流等效电路；
（2）求电压放大倍数、；
（3）当＝100mV时，等于多少？在保持不变的条件下，断开负载电阻，又等于多少？

图题4.14
解：
（1）H参数交流等效电路为

（2）
Ri＝[ rbe + (1+b ) ( Re / / RL )] // Rb≈202 kW

（3）
RL断开后 Ri＝[ rbe + (1+b) Re] // Rb≈302

4.15已知图题4.15所示电路中晶体管的b＝120，，＝300，电容的容抗可忽略不计。
（1）估算静态电流ICQ和发射极对地静态电位VEQ；
（2）画出简化H参数等效电路图；
（3）求该电路电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

图题4.15
解：
（1）

（2）简化H参数等效电路图为：

（3）

Ri＝ Rb//[ rbe + (1+b) (Re// RL)] ≈76kW
Ro＝Re//

4.16已知图题4.16所示电路中晶体管的b＝100，VBEQ＝0.6V，＝300，各电容的容抗可忽略不计。
（1）估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ；
（2）求电压放大倍数、；
（3）求输入电阻和输出电阻、。

图题4.16
解：
（1）

IBQ=ICQ/b»13mA

（2）

（3）Ri＝ Rb1// Rb2 //[ rbe + (1+b) Re] ≈6.5kW
Ro1＝Rc＝3.3
Ro2＝Re//

4.17已知图题4.17所示电路中晶体管的b＝80，VBEQ＝0.7V，＝200，电容的容抗可忽略不计。
（1）估算静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ；
（2）画出简化H参数交流等效电路图；
（3）求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

图题4.17
解：
（1）

IBQ=ICQ/b»20mA

（2）简化H参数交流等效电路图为

（3）

Ri＝Re//
Ro＝Rc＝3.3

4.18已知图题4.18所示电路晶体管b＝50，VBEQ＝0.7V，＝300，电容的容抗可忽略不计。
（1）估算静态电流ICQ和静态电压VCQ（对地）；
（2）画出简化H参数交流等效电路图；
（3）求电压放大倍数。

图题4.18

解：
（1）

（2）

4.19场效应管电路和该管的漏极特性曲线如图题4.19所示。试问当为3V、5V、7V时，管子分别工作在什么区（恒流区、 截止区、 可变电阻区）？和各为多少？

图题4.19
解：作出直流负载线如图示：VDS=10-IDRd=10-3ID
当VGS＝3V，工作在截止区，ID＝0mA，VDS＝10V
当VGS＝5V，工作在恒流区，ID＝1.3mA，VDS=6.1V
当VGS＝7V，工作在可变电阻区，ID≈2.6mA，VDS≈2V

4.20定性判断图题4.20中哪些电路不具备正常的放大能力，说明不能放大的原因。

图题4.20
解：
（a）不能放大，栅、源间缺少必要的正向静态电压
（b）能放大
（c）不能放大，极性不正确

4.21放大电路和场效应管恒流区内的转移特性如图题4.21所示，场效应管的rdS可视为开路。电容的容抗对交流信号可视为短路。
（1）图解确定静态工作点IDQ、VGSQ；
（2）图解确定工作点处的跨导gm；
（3）求电压放大倍数。

图题4.21
解：
（1）作负载线得
IDQ»3mA，VGSQ=-1V
（2）过Q点作切线，gm»4.7/2.7»1.7mS
（3）

4.22已知图题4.22所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导gm＝1mS，可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
（1）画出微变等效电路图；
（2）计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

图题4.22
解：
（1）微变等效电路图如下图所示

（2）
Ri=Rg=1MW
Ro=Rd=6.8kW

4.23已知图题4.23所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导gm＝2mS，可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
（1）画出微变等效电路图；
（2）计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

图题4.23
解：
（1）微变等效电路图如下图所示

（2）
Ri=Rg+ Rg1// Rg2 »10MW
Ro=Rd=6.8kW

4.24图题4.24所示电路中，场效应管的＝5mA，＝－3V，各电容都足够大，对交流信号可视为短路。
（1）求静态工作点IDQ、VDSQ；
（2）画出微变等效电路图；
（3）求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

图题4.24
解：
（1）VGSQ=-2V

（2）微变等效电路图如下图所示

（3）=1.1mS

Ri=Rg=1MW
Ro=Rd=10kW

4.25已知图题4.25所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导gm＝3mS，可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。
（1）画出微变等效电路图；
（2）计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

图题4.25
解：
（1）微变等效电路图如下图所示

（2）
Ri= Rg1// Rg2 »667kW
Ro=//Rs=316W
4.26图题4.26所示电路中，场效应管的＝6mA，＝－2V，并已知电路静态的IDQ＝1mA，VDSQ＝5V。
（1）、应取多大？
（2）电压放大倍数、输入电阻、输出电阻各等于多大（电容的容抗可忽略不计）？

图题4.26
解：
（1）由 解出VGSQ=-1.18V
又 VGSQ=-IDQRs
所以Rs=1.18kW
由 解出Rd=5.8kW
（2）=2.45mS

Ri=Rg=1MW
Ro=Rd=5.8kW

4.27已知图题4.27所示电路中场效应管的跨导gm＝3mS，可视为无穷大，电容对交流信号可视为短路。
（1）求电压放大倍数、；
（2）求输入电阻和输出电阻、。

图题4.27
解：
（1）

（2）Ri=Rg=1MW
Ro1=Rd=3.3kW
Ro2=//Rs=303W
4.28设图题4.28示多级放大电路中的三极管T1、 T2特性相同，且，，，电阻，，，，电源电压，电容C1、C2、Ce对交流信号均可视为短路。
（1）估算电压放大倍数；
（2）若电容Ce开路，定性说明将增大、减小还是不变？

图题4.28
解：
（1）
（2）Ce开路，有负反馈作用，将减小。

4.29多级放大电路如图题4.29所示，设T1、T2特性相同，且，，，电阻，，，，，，电源，电容C1、Ce对交流信号均可视为短路。
（1）静态时T2发射极电压VE2 ＝？
（2）＝？＝？
（3）RL开路时，定性说明对电路工作将产生什么影响？

图题4.29
解：
（1）

（2）

Ri=Rb11//Rb12//[rbe1+(1+b1)Re1] =8.88kW
Ro=Re2//=60W
(3)RL开路，对电路静态工作情况五影响；对Ri和Ro无影响；由于Ro很小，故RL开路对影响不大。

4.30放大电路如图题4.30所示，已知T1、 T2的特性相同，各电容对交流信号均可视为短路。试画出该电路的简化微变等效电路，并推导及的表达式。

图题4.30
解：简化的H参数等效电路下图所示

所以

4.31两级阻容耦合放大电路如图题4.31所示。设晶体管T1、T2的参数b1、b2、 rbe1、rbe2及各电阻均为已知量，电容器对交流信号均可视为短路，试写出及Ri、Ro的表达式。

图题4.31
解：

式中

4.32双电源供电的共集－共基组合放大电路如图题4.32所示，T1、 T2为互补又对称的两只晶体管，且 ，，，，在＝0时调整VBB，使ICQ1＝20μA，试估算：
（1）电压放大倍数；
（2）输入电阻；
（3）输出电阻。

图题4.32
解：
（1）

（2）Ri= rbe=263.2 kW
（3）Ro= Rc=500 kW

4.33组合放大电路如图题4.33（a）（b）所示。
（1）试判断各个管子构成的基本放大电路组态；
（2）当晶体管参数、和场效应管参数均为已知，设电容对交流信号可视为短路，试分别写出两个放大电路、和的近似表达式。

图题4.33
解：
（1）图（a）：T1为共源（CS）组态，T2为共射（CE）组态；
图（b）：T1为共射（CE））组态， T2为共基（CB）组态。
（2）图（a）：
若Rd>> rbe2 则
Ri» Rg
Ro= Rc
图（b）：
若b2>>1，则
Ri» Rb// rbe1
Ro= Rc

4.34由N沟道结型场效应管T1和三极管T2组成的高输入电阻、低输出电阻的放大电路如图题4.34所示。已知T1的，T2的＝100，，ICQ＝1mA，电阻Rg＝10M，Re＝3k。
（1）画出微变等效电路；
（2）估算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻Ro。

图题4.34
解：
（1）微变等效电路如下图所示

（2）

Ri» Rg=10MW

4.35多级放大电路如图题4.35所示。设电路中各元器件参数均已知，各电容器对交流信号均可视为短路。
（1）T1、T2、T3各组成哪种接法（组态）的放大电路？
（2）画出电路简化微变等效电路；
（3）写出Ri、Ro及的表达式。

图题4.35
解：
（1）T1为共射电路，T2为共基电路；T3为共集电路。
（2）微变等效电路如下图所示

（3）

Ri=R1//R2//rbe1
Ro=R6//
4.36阻容耦合放大电路如图题4.36所示。已知VCC＝12V，Rb1＝Rb2＝500kW，Rc1＝Rc2＝3kW，晶体管T1、T2特性相同，且b1＝b2＝29，rbb’1＝rbb’2＝300W，VBE1＝VBE2＝0.7V，耦合电容C1、C2、C3的电容量均足够大。试计算：
（1）静态工作电流和电压：IBQ1、ICQ1、VCEQ1、IBQ2、ICQ2、VCEQ2；
（2）电压放大倍数，输入电阻Ri和输出电阻Ro。

图题4.36
解：
（1）

（2）

Ri=Rb1//rbe1 » rbe1=1.5kW
Ro=Rc2=3kW
4.37两级阻容耦合放大电路如图题4.37所示。设T1的IDSS＝1mA，gm＝1mS，T2的b＝30，rbb’＝300W，VBE＝0.7V，设电容器对交流信号均可视为短路。试估算：
（1）T1、T2的静态工作点：IDQ、VDSQ、IBQ、ICQ、VCEQ；
（2）电压放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
图题4.37
解：
（1）VGS1=0V，所以，

（2）