全定制设计——SRAM单元电路.doc

实践教学要求与任务:完成SRAM单元电路设计，具体要求如下： （1）电路面积最优； （2）1bit存储，位线、字线作为端口； （3）访问速度0.2ns； （4）三态总线输出； （5）采用gpdk0.18 通用工艺模型库； （6）完成全部流程：设计规范文档、原理图输入、功能仿真、基本单元版图、整体版图、物理验证等。 工作计划与进度安排:第 1-2 天：讲解题目，准备参考资料，检查、调试实验软硬件，进入设计环境，开始 设计方案和验证方案的准备； 第3 天：完成设计与验证方案，经指导老师验收后进入模块电路设计； 第4-5 天：完成电路设计，并完成功能仿真； 第 6 天：单元版图设计并物理验证 ； 第7-8 天：布局布线，完成版图； 第9 天：物理验证、后仿真，修改设计； 第10 天：整理设计资料，验收合格后进行答辩。I摘 要 SRAM是英文Static RAM的缩写，即静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。本设计是1bit SRAM单元电路全定制设计，具体要求为：（1）电路面积最优，（2）1bit存储，位线、字线作为端口，（3）访问速度0.2ns，（4）三态总线输出，（5）采用gpdk0.18 通用工艺模型库，（6）完成全部流程：设计规范文档、原理图输入、功能仿真、基本单元版图、整体版图、物理验证等。综上，本设计内容及设计较为简单，结构和功能原理易懂，易于仿真设计的实现。所有设计是在cadence公司全定制平台IC5141工具下完的，IC5141工具主要包括集成平台design frame work II、原理图编辑工具virtuoso schematic editor、仿真工具spectre、版图编辑工具virtuoso layout editor、以及物理验证工具diva。功能上可以模拟1 bitSRAM的具体工作原理。关键字：SRAM；全定制；design frame work II；目 录1 电路设计11.1电路分析11.2 SRAM单元电路实现11.3 模拟设计原理图输入31.3.1环境配置31.3.2建立设计库41.3.3 电路原理图输入51.3.4创建symbol61.3.5 创建仿真电路图61.4 SRAM单元电路性能指标分析72电路仿真与分析93 电路版图设计113.1 建立pCell库版图113.2 pCell库器件参数化133.3 器件板图绘制164 物理验证194.1 设计规则检查DRC194.2 LVS检查20结 论23参考文献24III1 电路设计1.1电路分析根据SRAM单元电路的工作原理，1bit的SRAM单元电路的核心电路为一个D触发器，D触发器是由两个PMOS管，四个NMOS管构成；其中字线WL作为控制端，位线bit作为输入端口。由于题目要求三态输出，故需要在D触发器输出上接一个CMOS三态反相器，该CMOS三态反相器有两个PMOS管和两个NMOS管串联而成；该CMOS三态反相器的使能端由一个接在CMOS反相器上的的输入EN及其输出EN分别接在三态反相器的相应位置，该CMOS三态反相器的输出作为总的输出1。1.2 SRAM单元电路实现三态输出的SRAM单元电路可分为三部分：D触发器，CMOS三态反相器，CMOS反相器。（1） D触发器D触发器是由两对儿互补的CMOS并联而成，两侧各接一个NMOS管以字线WL连接这两个NMOS的栅极 ，其中一个NMOS 与位线相连作为输入，另一个NMOS管的一侧作为D触发器的输出与下面的CMOS三态反相器的输入端相连，具体电路如图1.1所示。（2） CMOS三态反相器该CMOS三态反相器有两个PMOS管和两个NMOS管串联而成；该CMOS三态反相器的使能端由一个接在CMOS反相器上的的输入EN及其输出EN分别接在三态反相器的相应位置，该CMOS三态反相器的输出作为总的输出。具体电路如图1.2所示。（3） CMOS反相器 CMOS反相器由一个NMOS和一个PMOS串联而成，使能端EN与两个管的栅极相连，反相器的输出与三态反相器的相应位置相连，具体电路如图1.3所示。图1.1 D触发器电路图 图1.2 CMOS三态反相器电路图 图1.3 CMOS反相器电路图 1.3 模拟设计原理图输入根据芯片的功能要求与性能指标，选择合适的集成电路工艺库，使用电路图编辑工具绘制电图。 1.3.1环境配置使用Cadence，必须在自己的计算机上作一些相应的设置，这些设置包括很多方面。作为初学者，只需进行以下几项设置2： 1）.cshrc 文件设置：.cshrc文件是用户启动LINUX的配置文件，指定LINUX系统和EDA工具软件的环境变量，以及LINUX 、EDA工具软件和Licence文件所在的路径。.cshrc必须放在用户的home （家目录）下。2）.cds.lib文件设置：.cds.lib文件是Cadence的库管理文件，通常存放在启动目录下。icfb&启动时，会自动将启动目录下的.cds.lib文件载入。对于初次使用Cadence的用户，Cadence会在用户的启动目录下生成一个.cds.lib文件，用户通过CIW生成一个库时，Cadence会自动将其加入启动目录下的.cds.lib文件中。如果用户需要加入自己的库，则可以修改自己的库管理文件.cds.lib。 3）.cdsenv文件设置：.cdsenv文件包含了Cadence软件的一些初始设置。4）.cdsinit文件设置：与.cdsenv一样，.cdsinit中也包含了Cadence软件的一些初始化设置，在icfb&启动时，会首先自动调用.cdsinit文件和.cdsenv文件并执行其中的语言。若仅为初学者，可以不编写这两个文件，Cadence 会自动调用隐含的设置。.cdsenv和.cdsinit这二个文件可存在于ic5141平台的安装目录、用户目录和启动目录下。icfb&启动时，优先载入的次序是启动目录、用户目录和IC5141安装目录。 5）工艺文件（technology file）设计：本设计版图会用到工艺库gpdk180_v3.2，务必保证工艺库的添加。 6）显示文件设置：显示文件文件控制Cadence工具的显示，一般位于工作目录下。环境配置主要包括添加工作目录和环境参量的设置。IC5141的启动经过上述准备，在工作目录下键入icfb&IC，IC514界面即可启动。1.3.2建立设计库无论画电路图还是设计版图，都和建库有关，技术文件库对于IC设计而言是非常重要的，其中包含了很多设计中所必需的信息。对于版图设计者而言，技术库就显得更为重要了。要生成技术文件库，必须先编写技术文件。技术文件主要包括层的定义，符号化器件的定义，层、物理以及电学规则和一些针对特定的Cadence工具的规则的定义，例如自动布局布线的一些规则，版图转换成GDSII文件时所用到的层号定义。在ic5141 中，设计的管理以库的方式进行。库管理器中包含有设计使用的工艺库和ic5141软件提供的一些元件库，如analogLib，basic等。用户在工作过程中建立的库也放在库管理器中。所需要的库添加完成以后就可以进行电路原理图的绘制了3。1）CIW界面点击File菜单，出现下拉菜单，选命令NewLibrary，出现“New Library”对话框。2）在对话框Library的Name项中输入新库名mylib。在Technology File项中提示：“如果要在这个库中建立掩模版图或其他物理数据，需要技术文件”若只要用电路图或HDL数据，则不需要技术文件。由于新建库后面还将用于版图绘制，选第二个选项，即“Attach to an existingtechfile”，单击“OK“按钮，选择工艺库gpdk180。下面可以进行电路原理图绘制了。1.3.3 电路原理图输入电路图编辑界面中，主要有三个区域：菜单栏，工具栏和电路图绘图区域。这些工具栏可以画出需要的电路图4。下来就可以开始画电路原理图，具体过程如下：1）建立设计原理图：在CIW中选菜单项FileNewCellview ,出现“Create New File”对话框，填写、选择相应的选项，点击OK按钮，进入原理图编辑器virtuoso schematic editor界面。2）例化并添加器件：在原理图编辑器中选择菜单项Addnstance，出现添加器件对话框点击Browse按钮，进入器件选择对话框，选中相应的pmos和nmos器件的和后，点击close按钮关闭该library browser对话框。随后出现pmos和nmos器件参数表，按照设计要求添上相应的参数。点击Hide按钮，在原理图编辑器中出现随鼠标移动的pmos和nmos管的symbol，放置到相应的位置即可。按同样的方法找到Cap和其他相应器件的放置窗口，填入参数值，然后完成放置。3）放置输入输出端口。从电路图编辑窗口菜单中，选择“Add”-“Pin”或点击工具栏中的放置端口或用快捷键P，填好端口名（IN和OUT），并使之与端口方向（分别为input和output）的选项一致，即可完成输入输出端口的放置。到此我们已经完成了电路图里的所有元件的放置，剩下的就是元件的合理安排放置和元件之间的连线了。4）连线。从电路图编辑窗口菜单中，选择“Add”-”Wire(narrow)”或点击工具栏中的放置细线或用快捷键w，便可以将已经放置好的元件连接起来。5）检查与保存。选择“Design”-“Check and Save”，如果电路图有绘制问题，会报告出错。至此我们就完成了整体电路图绘制。整体原理图如下所示：图1.4 SRAM单元电路原理图1.3.4创建symbol完成原理图之后，为便于进行仿真，需要进行symbol的创建。（1） 生成符号图：在原理图编辑窗口，点击菜单项DesignCreate Cellview From Cellview，出现symbol生成选项表，点击OK按钮出现图下部分。在的表项中只采用默认值，直接点击OK按钮，即可看到symbol编辑窗口。1.3.5 创建仿真电路图完成电路原理图的输入之后，为了对设计进行仿真和性能分析，需要建立一个仿真平台，将电源、各种激励信号输入待测的电路inv，然后采用仿真器进行分析。1）建立设计原理图：在命令解释器窗口CIW中选菜单项FileNewCellview ,出现“Create New File”对话框，填写、选择相应的选项，点击OK按钮，进入原理图编辑器virtuoso schematic editor界面。（同前述电路原理图输入时的操作一样）。2）例化并添加器件：在原理图编辑器中选择菜单项AddInstance（或者按快捷键i，或者点击编辑器左侧的工具栏Instance按钮均可）。3）器件互联：连线这里不详述，操作同电路原理图输入。最后得到的仿真电路图如下图所示一致。图1.5 SRAM单元电路图1.4 SRAM单元电路性能指标分析（1）存储容量这里指的是存储器芯片的存储容量，其表示方式一般为：芯片的存储单元数*每个存储单元的位数。本设计采用的是1bit存储，故其容量为1*1bit，即它有1 个单元，每个单元存储1bit（一个字节）数据。（2）存取时间存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。当拿到一块存储器芯片的时候，可以从其手册上得到它的存取时间，CPU在读/写RAM时，它提供给RAM芯片的读/写时间必须必RAM芯片所要求的存取时间长，如果不能满足这一点，则微型机无法正常工作。本设计采取的读/写时间为0.2ns。（3）可靠性微型计算机要正确的运行，必须要求存储器系统具有很高的可靠性，因为内存的任何错误都可能使计算机无法工作。而存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导体存储器芯片的平均故障时间间隔（MTBF）大概为5*1061*108小时。2电路仿真与分析对于ic5141模拟设计环境ADE来说，默认的仿真器是spectre，这里直接采用spectre对设计进行仿真和分析。（1） 启动模拟设计环境ADE（Analog Design Environment）：选择菜单项ToolsAnalog Environment，随即启动ADE。我们的电路仿真与分析就要在该平台下进行。启动ADE之后，就要进行仿真与分析的设置。注意到窗口左侧Design条目下的相关内容（Library、Cell、View），因为是在ivnTest编辑窗口启动的ADE，因此这些内容正是需要仿真分析的，这里不做改变5。（2） 添加模型与仿真文件：选择菜单项SetupModel Libraries，进入ModelSetup Library窗口。然后点击右下角的Browse按钮，进入模型库的选择。点击OK按钮选中模型文件gpdk.scs，窗口回到Model Library Setup界面。在Section(opt)下的框中填入stat，点击Add按钮添加模型文件。最后点击OK选中模型文件并退出。（3）设置分析类型：根据不同的需要，可以对电路进行不同类型的分析。在此我们选择瞬态（transient）分析。在ADE界面中，选择菜单项AnalysesChoose，选择仿真参数和类型，这里选择最简单的瞬态分析Trans，分析时间相对于激励适当即可。（4）信号分析输出捕捉：这里选择需要查看的信号。在ADE界面中，选择菜单项OutputTo be plottedSelect On Schematic，此时invTest的原理图窗口变成活跃的，直接用鼠标点击需要查看的信号即可。电路图中选择连线会在输出中添加该线的电压；选择一个器件的端口则会添加这个端口的电流作为输出；直接选择一个器件则会把该器件的所有端口电流都加以输出。这里选择inv的输入和输出信号线，可以看见这两个信号线的颜色发生了变化，表示被选中。（5）选择菜单项SimulationNetlist and run（或相应工具栏按钮），运行仿真，直接点击OK关闭弹出的欢迎页（Welcome to spectre）。随即出现仿真文字输出和波形输出。波形图如下所示：图2.1 SRAM单元电路输出波形3 电路版图设计本课程设计采用工具软件为cadence平台ic5.1.41，主要为Virtuoso，用于原理图、版图输入，DIVA本示例的过程是这样的：首先建立一个基本器件版图库，再将器件加上参数，使之成为参数化单元库（Parameterized Cell）。然后在参数化器件基础上，绘制设计的版图（称之为层次化）。最后对设计版图进行版图提取、DRC/LVS验证。3.1 建立pCell库版图软件工具启动后，关闭“whats new”窗口，新建参数化器件库pCell。在CIW（Command Interpreter Window）界面选择菜单项FileNewLibrary。1）完成建库后就可以在该设计库pCell中设计器件。在CIW界面选择菜单项FileNew Cellview，弹出窗口，按照要求填写与选择，点击按钮OK完成mypmos器件文件创建。随后出现的界面就是版图编辑器窗口。2）N阱绘制：回到编辑窗口中，选择菜单项CreateRectangle（或工具栏Rectangle，或快捷键r），直接点击Hide按钮隐藏弹出窗口。在编辑窗口移动鼠标，查看窗口菜单项上方的坐标显示，在位置（0，0）单击鼠标，向右上方拉伸至（2.78，1.6）再次单击，完成N阱绘制。当点击位置不正确时，可以采用键盘中的退格（Backspace）键取消当前点击位置，且可连续取消。绘制完成后，按键盘中的退出（Esc）键退出绘制Rectangle的命令。3）在LSW界面点击下方Nimp条形栏，选中Nimp作为当前绘图层。回到编辑窗口中，仍采用Rectangle形状绘制，点击起点（0.3，0.3），拉伸至（1.0，1.3）点击完成绘制。4）同样方法绘制Pimp，选中LSW图层后，在编辑窗口点击起点（1.0，0.3），拉伸至（2.48，1.3）点击完成绘制。完成注入区（Nimp、Pimp）的绘制5）然后要进行Poly层制作。在LSW窗口选中Poly，回到编辑窗口中，选择菜单项CreatePath（或工具栏Path，或快捷键p），出现弹出窗口，宽度Width项填入0.18，即可进行Poly的绘制。最后应该注意的是，Oxide的起点坐标为（0.5，0.5），终点坐标为（2.28，1.1）； 两处 Metal1，左侧为（0.6，0.6）（1.4，1.0），右侧为（1.78，0.6）（2.18，1.0）；三处Cont的起讫点，左侧（0.7，0.7）（0.9，0.9）、中间（1.1，0.7）（1.3，0.9）、右侧（1.88，0.7） 2.08，0.9）。最后得到完整的PMOS绘图如下图所示：图3.1 PMOS单元版图在版图编辑窗口，选中菜单项DesignSave As，将当前设计mypmos的PMOS版图另存于同一库中，并命名mynmos。然后选中菜单项WindowClose，关闭mypmos。再在CIW窗口选中菜单项FileOpen，以编辑方式打开mynmos版图。（1.58，0.4）（1.78，0.6）在版图编辑器中，删去mynmos的Nwell图层；在保持几何尺寸不变的条件下，将原来Pimp图层改成Nimp， 将原来Nimp改为Pimp；其余的图层保持不变。这样就得到了一个NMOS的版图，如下图所示：图3.2 NMOS单元版图3.2 pCell库器件参数化（1）为长度length和宽度width设置参数：这里对MOS器件所设的参数为管子长度length和宽度width。首先在CIW中选菜单项FileOpen，以编辑方式打开mypmos版图，开始进行参数设置。在版图编辑器窗口，选菜单项ToolsPcell，则在编辑器中多出一菜单项Pcell。先进行宽度参数设定。选菜单项PcellStretch in Y启动命令，然后移动鼠标在点（-0.15，0.8）附近单击一下，会看到一条以单击点为起点的水平直线，向右拉伸，穿过三个cont，在点（3，0.8）附近双击鼠标（仍可用Backspace取消前一单击点），出现弹出Y向拉伸参数窗口，并参照图示填写、选择相关内容，点击按钮OK完成设定。（2）编译：设定width参数后，要进行编译：Pcell CompileTo Pcell，在弹出窗口中选择transistor，并按钮OK完成设置（只在第一次编译中出现）。编译完后就要实际验证一下。在CIW窗口，选择菜单FileNewCellview，任意命名一个cell（单元），比如pcellTest，主要用来测试刚刚编译过的pcell。在pcellTest的版图编辑界面，例化pCell库中的pmos版图，可见width参数项。对参数width分别给以不同的数值，这里是0.6和1.2，查看例化结果，从下图3.3 width参数变化见cont的尺寸发生变化，这是不希望的。 图3.3 不同参数导致cont尺寸变化 尺寸问题的变化是这样解决的，在mypmos版图编辑界面，执行菜单命令Pcell RepetitionRepeat in Y，然后在窗口中用鼠标分别单击三个cont，三个cont随即高亮表示被选中。若有别的图层被选中，可按住键盘的Ctrl键再在多余的图层单击鼠标左键即可。单击选中三个cont之后按键盘Enter键，或者选中最后一个cont时双击鼠标，就会出现如下图所示的表单项。完成这个参数设置之后点击OK按钮。先编译，再查看总结。图3.4 Y向重复选项参数同样要进行例化验证，将参数width分别设为默认值和1。至此，参数width设置完成，下面来进行参数length的设置。在版图编辑窗口，执行菜单命令Pcell Stretch in X，移动鼠标至点（1.59，1.8）附近单击，垂直垂直拉伸至点（1.59，-0.2）附近双击，会有弹出窗口。图3.5 X向伸展和length参数设置 照上图填写、选择之后按OK键。然后进行编译、查看参数总结。图3.6 参数总结 下图是将参数length分别设为默认值和0.36的例化结果。 图3.7 length参数例化验证PMOS管的两个参数width和length已经设置完成，可以正常使用了。更复杂得参数化单元参见联机帮助文档。和PMOS的参数化一样，NMOS做法步骤完全一样。 至此，pCell库中的两个单元（cell）pmos和nmos版图已经参数化完成，拥有长度length和宽度width两个参数，并且cont在宽度方向上随width参数改变而重复，这些在设计中都可以直接使用。注意在今后的设计当中，应尽量使用厂商提供的pdk中的参数化器件。下面就利用pCell库中的参数化单元进行电路版图制。3.3 器件板图绘制要求为设计单独建一个库，例示中命名为mylib。操作同前述所有的建库操作一样。在设计库mylib中创建cell，使用菜单命令FileNewCellview，弹出如下窗口，填写、选择完成点击OK按钮，进入名为sub 单元（cell）的版图编辑界面。1）PMOS和NMOS的例化：在版图编辑界面中，直接按下键盘中i键，弹出例化cell的窗口，如下图填写、选择，完成例化PMOS单元。图3.8 PMOS的表单与摆放当点击Hide按钮后，Create Instance窗口消失，在版图编辑窗口出现一个随鼠标移动的PMOS管。同样例化一个NMOS管，见下图3.9。图3.9 NMOS的表单与摆放 2）整体版图构思：完成PMOS管和NMOS管的例化以后，就可以按照我自己设计的电路版图要求进行绘制。首先应把例化好的PMOS管和NMOS管放到编辑窗口界面，由于我的整个设计需要12个管子，其中包括5个PMOS管和7个NMOS，整个电路版图可以由一个D触发器，一个CMOS三态反相器，一个CMOS反相器构成。3）CMOS反相器版图的绘制：反相器由一个PMOS管和NMOS管构成，先摆放PMOS管和NMOS，然后主要采用Metal1和Poly进行连接，接口pin用Metal1连接出来。其中电源、地线、输出的漏极直接采用Metal1连接就可以了，输入的连接需要在Poly上做一个cont，再通过Metal1。绘图的最后一步是添加pin，也就是在版图上相应的位置加标识。4）D触发器版图的绘制：一个D触发器由两个PMOS管和四个NMOS管构成，和绘制反相器一样先摆放PMOS管和NMOS，然后主要采用Metal1和Poly进行连接，接口pin用Metal1连接出来。绘图的最后一步是添加pin，也就是在版图上相应的位置加标识。5）CMOS三态反相器版图的绘制：一个CMOS三态反相器由两个PMOS管和两个NMOS管构成，和绘制反相器一样先摆放PMOS管和NMOS，然后主要采用Metal1和Poly进行连接，接口pin用Metal1连接出来。绘图的最后一步是添加pin，也就是在版图上相应的位置加标识。本设计的只需要三种门，当这三种门绘制完成以后，剩下的工作就是根据要求对这些门用Metal进行连接。完成整个版图的绘制如下图所示：图3.10 SRAM单元电路版图 4 物理验证4.1 设计规则检查DRC本例中采用的规则文件已经准备好，版图设计规则检查采用在线工具DIVA。设计规则是集成电路版图各种几何图形尺寸的规范，DRC是在产生掩模图形之前，按照设计规则对版图几何图形的宽度、间距及层与层之间的相对位置等进行检查，以确保设计的版图没有违反预定的设计规则，能在特定的集成电路制造工艺下流片成功，并且具有较高的成品率。不同的集成电路工艺都具有与之对应的设计规则，因此设计规则检查与集成电路的工艺有关。在版图编辑界面，执行菜单命令VerifyDRC，启动DIVA，弹出DRC窗口，如下图4.1所示。图4.1启动窗口与报告DRC检查主要包括：Checking Method指要检查的版图类型。Flat表示检查版图中所有的图形，对子版图块不检查。Hierarchical利用层次之间的结构关系而不用模式识别优化检查电路中每个单元模块。Checking Limit可以选择检查哪一部分版图。Full检查整个版图。Incremental检查自从上次DRC以后改变的版图。by area表示在指定区域进行DRC检查。一般版图较大时，可以分块检查。witch Names设置开关，在DRC规则文件中设置的Switch在这里都会出现。此选项可以方便地对版图文件进行分类检查。Echo Commands若选中本选项，在执行DRC的同时在CIW窗口中显示DRC命令。Rules File表明DRC规则文件的名称，默认为divaDRC.rul。Rules Library表示所选的规则文件在哪个技术库里。为可输入。可以在这个框内输入坐标。Switch Names设置开关，在DRC规则文件中设置的Switch在这里都会出现。此选项可以方便地对版图文件进行分类检查，这在大规模的电路检查中非常重要。Echo Commands若选中本选项，在执行DRC的同时在CIW窗口中显示DRC命令。Rules File表明DRC规则文件的名称，默认为divaDRC.rul。Rules Library表示所选的规则文件在哪个技术库里。4.2 LVS检查LVS有好几个对比的对象，但通常是指版图的提取与电路原理图之间的对比，因此这两个文件是一定要具备。首先进行版图的提取。在inv 单元版图编辑窗口执行菜单命令VerifyExtract命令进行版图提取，出现如下界面，直接点击OK按钮就可以完成提取，保存在当前库。图4.2版图提取表项留意CIW中的提取提示。为避免版图之间混淆，可以关闭sub 单元版图编辑窗口，然后再在CIW窗口打开提取的版图。FileOpen，出现如下图所示：的窗口，打开提取的版图进行LVS检查。图4.3 打开提取版图原理图就是前面仿真的电路图，一并打开。在提取的版图窗口执行菜单命令VerifyLVS，出现如下界面。 图4.4 LVS表项在schematic或extracted项下可以采用browse按钮选择对应的单元和视图，或者点击各自对应的按钮“Sel by Cursor”，然后再去点击相应的scematic或者extracted版图窗口，就会发现相应的空格位置已经填上正确的内容。点击Run按钮运行LVS检查，弹出提示信息如下图4.5，点击Close即可。图4.5 LVS结束提示图4.4的界面会一直存在知道用户退出，点击Output按钮查看相应的检查报告，如图4.6示例。 图4.6 LVS报告结 论 本次专业综合课程设计，是对所学理论知识的升华，是将所学专业知识的综合运用，我所做的是一个SRAM基本单元电路设计，使用全定制方法实现的，设计流程包括：设计规范文档、原理图输入、功能仿真、基本单元版图、整体版图、物理验证等。在本次课程设计中，通过实际的动手操作和研究学到很多的东西，不仅巩固以前所学过的理论知识，而且学到了很多实践方面的经验。通过这次设计，进一步加深了对我们专业核心知识的了解，让我对它有了更加浓厚的兴趣。特别是当遇到各种奇奇怪怪的问题时，自己解决或者寻求老师与同学帮忙，可以说是一个成长的过程，这个过程是艰辛的，不过当自己完成时的成就感也是很大的。 这次设计存在一些遗憾，在设计中遇到了很多问题，大多数问题都解决了，可是到了设计的最后一步物理验证出现了问题，原理图和版图没有匹配，想尽办法也没有解决这个问题，由于时间的关系，设计只能做到这一步了，这是我这次课程设计深表遗憾的地方，失败激励我应努力学习我们的专业知识，通过这次课程设计使我懂得了理论与实际相结合是很重要的，只有理论知识是远远不够的，只有把所学的理论知识与实践相结合起来，从理论中得出结论，从而提高自己的实际动手能力和独立思考的能力。参考文献1 尹常永，孙延鹏，王存旭.EDA技术与数字系统设计M.西安电子科技大学出版社.20042 郝波.电子技术基础数字电子技术M.西安电子科技大学出版社.20113 江国强.EDA技术与应用M.电子工业出版社.20124 曾繁泰,陈美金,沈卫红,曾名.EDA工程方法学M.清华大学出版社.20105 刘昌华. 数字逻辑EDA设计与实践M.国防工业出版社.200623