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第1章 半导体器件基础
教学目的:了解载流子的运动规律,PN结的形成及特性，掌握二极管、三极管的工作原理、特性曲线及主要参数.
教学重点：二极管的应用，三极管的特性曲线及工作状态的分析.
教学难点：稳压二极管的应用，三极管电路的分析
教学内容：半导体及其特性，PN结及其特性，半导体二极管，半导体三极管及其工作原理，三极管的共特性曲线及主要参数。
教学方法:理论讲解与举例相结合，讲例题时边讲边练（学生先作，老师后讲)。
教学进度：本内容为12学时，其中1。1、1。2、1。3节各2学时,1。4，1。5节各3学时。
参考资料:电子电路基础（林家儒主编，第2版，2006年）,1—14页。
教学内容
第一节 半导体及其特性
一、半导体的基本知识
1、概念：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
2、元素：半导体器件中用的最多的是硅和锗。
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个.
3、半导体的特点:
(1)、当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化.
（2）、当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。
(3）、纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变.
二、本征半导体的导电形式
1、两种载流子：自由电子（带负电）和空穴(带正电）
在常温下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。这一现象称为本征激发，也称热激发。
2、电子空穴对：因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，
3、本征半导体中电流由两部分组成：自由电子移动产生的电流和空穴移动产生的电流。
三、杂质半导体
1、概念:在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化.其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加.
2、N 型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）.加五价元素（磷）自由电子占大多数，称为多子;空穴占少数，叫少子。
3、P 型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为（空穴半导体）。
加三价元素（硼）空穴占大多数，称为多子；自由电子占少数，叫少子。
第二节 PN结及其特性
一、PN结的形成
在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体,经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。
二、重要特性
单向导电性:PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压.
三、注意
（1）、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区中的电子(都是多子）向对方运动(扩散运动）.
（2）、P区中的电子和N区中的空穴（都是少子)，数量有限，因此由它们形成的电流很小.
四、PN结的伏安特性
测二极管的伏安特性曲线图如下:
正向：
① 正向电压VF小于门坎电压VT时，二极管V截止，正向电流IF =0；
其中，门槛电压
②VF > VT时，V导通，IF急剧增大。导通后V两端电压基本恒定：
结论：正偏时电阻小,具有非线性.
反向：
反向电压VR < VRM(反向击穿电压）时，反向电流IR很小,且近似为常数，称为反向饱和电流。
VR > VRM时，IR剧增,此现象称为反向电击穿.对应的电压VRM称为反向击穿电压。
结论：反偏电阻大，存在电击穿现象.
电击穿-—可逆
热击穿--不可逆
雪崩击穿—-高反压，碰撞电离
齐纳击穿——较低反压,场致激发
第三节 半导体二极管
一、半导体二极管
1、外型：实物
2、内部结构：PN节
3、二极管的电路符号：
二、主要参数
1。 最大整流电流 IOM：
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2。 反向击穿电压UBR:
二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。
3。 反向电流 IR
指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。
三、常用二极管类型
1．分类
（1) 按材料分：硅管、锗管；
(2) 按PN结面积：点接触型(电流小，高频应用）、面接触型（电流大，用于整流)；
（3) 按用途:如图所示，

图1.1.9 二极管图形符号
例如利用单向导电性把交流电变成直流电的整流二极管；利用反向击穿特性进行稳压的稳压二极管；利用反向偏压改变PN结电容量的变容二极管；利用磷化镓把电能转变成光能的发光二极管；将光信号转变为电信号的光电二极管.
2．型号举例如下
整流二极管-—2CZ82B
稳压二极管——2CW50
变容二极管—-2AC1等等
四、稳压二极管
稳压电路：抑制电网电压和整流电路负载的变化引起的输出电压变化，将平滑的直流电变成稳定的直流电。
1．硅稳压二极管的特性
(1)稳压管工作在反向击穿状态。
(2)当工作电流满足条件时,稳压管两端电压几乎不变。
2．稳压二极管的主要参数
(1）稳定电压-—稳压管在规定电流下的反向击穿电压。
（2)稳定电流IZ——稳压管在稳定电压下的工作电流。
（3）最大稳定电流IZmax-—稳压管允许长期通过的最大反向电流。
（4)动态电阻rZ-—稳压管两端电压变化量与电流变化量的比值，即rZ = DVZ/DIZ。此值越小，管子稳压性能越好。

第四节 半导体三极管及其工作原理
一、三极管的结构及符号
三极管是由两个PN结组成,按PN结的组成方式,三极管有PNP型和NPN型两种类型。
从结构上看，三极管内部有三个区域，分别称为发射区、基区和集电区,并相应地引出三个电极，发射极(e）、基极（b）和集电极(c）。三个区形成的两个PN结分别称为发射结和集电结.
二、三极管的三种连接方式
因为放大器一般为4端网络，而三极管只有3个电极，所以组成放大电路时，势必要有一个电极作为输入与输出信号的公共端。根据所选公共端电极的不同，有以下三种连接方式。⑴共基极、⑵共发射极、⑶共集电极。
三、三极管的放大作用
1。 三极管实现放大的结构要求和外部条件
⑴结构要求
①发射区重掺杂,多数载流子电子浓度远大于基区多数载流子空穴浓度。
②基区做的很薄，通常只有几微米到几十微米，而且是低掺杂.
③集电极面积大，以保证尽可能收集到发射区发射的电子.
⑵外部条件
外加电源的极性应使发射结处于正向偏置；集电结处于反向偏置状态。
2。电流关系
IC≈IE
第五节 三极管的共射特性曲线及主要参数
一、输入特性
当UCE不变时,输入回路中的电流与IB与电压UBE之间的关系曲线称为输入特性，即
UCE＝0V时，从三极管的输入回路看，相当于两个PN结的并联，当b、e间；加上正电压时，三极管的输入特性就是两个正向二极管的伏安特性。
UCE≥1V，b、e间加正电压，此时集电极电位比基极高，集电结为反向偏置，阻挡层变宽，基区变窄，基区电子复合减少，故基极电流IB下降。与UCE＝0V时相比，在相同条件下，IB要小得多。结果输入特性曲线将右移。
二、输出特性
当IB不变时，输出回路中的电流IC与电压UCE之间的关系曲线称为输出特性。
固定一个IB值，得一条输出特性曲线，改变IB值，可提一簇输出特性曲线.在输出特性曲线上可以划分为三个区域.
⑴截止区
IB≤0的区域称为截止区。
在截止区,集电结和发射结均处
于反向偏置.即UBE〈0、UBC<0
⑵放大区
发射结正向偏置，集电结反向偏
置。对于硅NPN型三极管,UBE≥0.7 UBC〈0
△IC=△IB
⑶饱和区
在靠近纵轴附近，各条输出曲线的上升部分属于饱和区，在这个区域，不同IB值的各条曲线几乎重叠在一起。IC不再随IB变化，此时三极管失去了放大作用。
发射结和集电结都处于正向偏置状态。对NPN型三极管，UBE〉0 UBC〉0
临界饱和:UCE=UBE即UCB=0时
过饱和：UCE<UBE
在深度饱和时,小功率管的管压降为UCES通常小于0.
三、三极管的主要参数
（1)电流放大系数
①共发射极交流电流放大系数β
②共发射极直流电流放大系数
③共基极交流电流放大系数α
④共基极直流电流放大系数
（2）极间反向电流
①集电极-基极反向饱和电流ICBO
②集电极—发射极穿透电流ICEO
这两项越小，管子质量越高.
（3）极限参数
①集电极最大允许电流ICM
由于三极管的电流放大系数β值与工作电流有关，工作电流太大,β就下降，使三极管的性能下降，也使放大的信号产生严重失真。一般定义当β值下降为正常值的1/3～2/3时的IC值为ICM。
②集电极最大允许功率损耗PCM
PC=ICUCEPC<PCM为安全区 PC〉PCM为过耗区
课后作业：1。1、1。2、1。12、1。14、1。16、1。17、1。18
第2章 放大电路分析基础
教学目的：掌握共射放大电路的基础,图解分析法和等效电路分析法，共基和共集放大电路。
教学重点：静态工作点的分析，放大电路的动态特性,图解分析和等效电路分析。
教学难点：放大电路的动态分析.
教学内容:共射放大电路分析基础,放大电路的图解分析，放大电路的等效电路分析,共集放大电路，共基放大电路。
教学方法:理论讲解与举例相结合，课后习题学生先做再讲解.
教学进度:本内容为14学时, 2.1节2学时、2.2节3学时、2。3节5学时、2，4、2.5节各2学时。
参考资料:电子电路基础(林家儒主编,第2版，2006年）,19—45页。
教学内容
第一节 共射放大电路分析基础
一、放大电路的基本概念
1、放大：所谓放大，表面上是将信号的幅度由小增大，但是放大的实质是能量的转换,即由一个较小的输入信号控制直流电源，使之转换成交流能量输出,驱动负载。
注意：一定要有功率放大(变压器不是放大器）
2、放大电路的组成的原则是:
⑴为保证三极管工作在放大区，发射结必须正向偏置；集电结必须反向运用。
⑵电路中应保证输入信号能加至三极管的发射结，以控制三极管的电流。同时，也要保证放大了的信号从电路中输出.
二、放大电路的组成
如图,元件介绍：
(1）、c1 、c2耦合电容（隔直电容)的作用：使交流信号顺利通过，而无直流联系。耦合电容容量较大，一般采用电解电容器，而电解电容分正负极，接反就会损坏。
(2)RB RC 偏置电阻.
（3）核心元件为三极管。
（4）直流电源为能量提供者。
上图是NPN型三极管组成的放大电路，若用PNP型,则电源和电解电容极性反接就可以了。
实际中,为了方便，采用单电源,如下左图。习惯画法如下图。
三、静态特性分析
1、静态：无输入信号ui时
2、直流分析：又称为静态分析，用于求出电路的直流工作状态，即基极直流电流IB；集电极直流电流IC；集电极与发射极间的直流电压UCE。
求静态工作点就是求IBICUCE
1。 求IB
由于三极管导通时，UBE变化很小，可视为常数。一般地
硅管 UBE＝0。6～0。8V 取0.7V
锗管 UBE＝0。1~0。3V 取0。2V
当UCC、Rb已知，可求出IBQ
2. 求IC
3。 求UCE
四、直流通路和交流通路
当输入信号为零时，电路只有直流电流；当考虑信号的放大时，我们应考虑电路的交流通路。所以在分析、计算具体放大电路前,应分清放大电路的交、直流通路。
由于放大电路中存在着电抗元件,所以直流通路和交流通路不相同。
直流通路：电容视为开路,电感视为短路；
交流通路：电容和电感作为电抗元件处理，一般电容按短路处理,电感按开路处理。直流电源因为其两端的电压固定不变,内阻视为零，故在画交
流通路时也按短路处理.
要求同学能画出一个放大电路的直流通路和交流通路。
第二节 放大电路的图解分析
一、静态工作特性的分析
三极管电流、电压关系可用其输入特性曲线和输出特性曲线表示。我们可以在特性曲线上，直接用作图的方法来确定静态工作点。
图解法求Q点的步骤:
1、在输出特性曲线所在坐标中,按直流负载线方程,作出直流负载线。
2、由基极回路求出IBQ
3、找出这一条输出特性曲线与直流负载线的交点即为Q点。读出Q点的电流、电压即为所求。
【例】如下图电路，已知Rb=280kΩ，Rc=3kΩ，Ucc=12V，三极管的输出特性曲线也如下图所示，试用图解法确定静态工作点。
解：首先写出直流负载方程,并做出直流负载线
uCE=UCC－iCRc
iC=0，uCE=UCC=12V，得M点；uCE=0,iC=UCC/Rc=12/3=4mA,得N点;连接MN，即得直流负载线。
直流负载线与iB=IBQ=40μA这一条特性曲线的交点，即为Q点，从图上可得ICQ=2mA，UCEQ=6V。
二、动态特性分析
1、画交流负载线
交流负载线具有如下两个特点：
⑴交流负载线必通过Q点,因为当输入信号ui的瞬时值为零时，如忽略电容C1和C2的影响，则电路状态和静态相同.
⑵交流负载线的斜率由决定。因此,按上述特点,可做出交流负载线，即通过Q点，作一条的直线，就是交流负载线.
具体作法如下：
首先作一条的辅助线(此线有无数条)，然后过Q点作一条平行于辅助线的直线即为交流负载线.
由于,所以，故一般情况下交流负载线比直流负载线陡.
交流负载线的另外一种作法：
交流负载线也可以通过求出交流负载线在uCE坐标的截距,再与Q点相连即可得到。设截距点为,则有：
2、画输入输出的交流波形图
设电路使
则:
从图可读出相应的数据，画出波形，数据如下表所示
ωt
0π
π/2
π
3π/2
2π
iB/uA
40
60
40
20
40
IC/mA
2
3
2
1
2
UCE/V
6
4.5
6
7.5
6
ic、ib、ube三者同相，uce与它们的相位相反。即输出电压与输入电压相位是相反的，这是共发射极放大电路的特征之一.
三、放大电路的非线性失真
工作点不合适引起的失真，分为截止失真和饱和失真。
1、截止失真（波形图如下）
当工作点设置过低（IB过小），在输入信号的负半周，三极管的工作状态进入截止区.因而引起iB、iC、uCE的波形失真,称为截止失真。
对于NPN型共e极放大电路,截止失真时，输出电压uCE的波形出现顶部失真。对于PNP型共e极放大电路，截止失真时，输出电压uCE的波形出现底部失真。
2、饱和失真
当工作点设置过高（IB过大），在输入信号的正半周，三极管的工作状态进入饱和区.因而引起iC、uCE的波形失真，称为饱和失真。
对于NPN型共e极放大电路，饱和失真时，输出电压uCE的波形出现底部失真.对于PNP型共e极放大电路，饱和失真时，输出电压uCE的波形出现顶部失真.
第三节共射放大电路等效电路分析
一、 BJT的小信号建模
1．BJT H参数的引出
输入回路：vBE=f1（iB，vCE)
输出回路:iC=f2（iB，vCE）
2。 H参数小信号模型
（1）BJT等效模型的建立:三极管可以用一个二端口模型来代替；对于低频模型可以不考虑结电容的影响；小信号意味着三极管近似在线性条件下工作，微变也具有线性同样的含义.
(2）BJT的h参数方程及等效模型
或简化为：
BJT的h参数等效模型如图所示.
（3）h参数的物理意义
a、即rbe：三极管的交流输入电阻
b、电压反馈系数：反映三极管内部的电压反馈,因数值很小,一般可以忽略.
c、：在小信号作用时，表示晶体管在Q点附近的的电流放大系数b。
d、：三极管输出电导，反映输出特性上翘的程度.常称1/为c-e间动态电阻。通常的值小于10—5S，当其与电流源并联时，因分流极小，可作开路处理.
注意：h参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数.h参数与工作点有关,在放大区基本不变。h参数都是微变参数，所以只适合对交流小信号的分析
二、化简H参数等效模型及rbe表达式
1、化简H参数等效模型
2、rbe表达式
三、用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路
分析的步骤如下:
1. 画出小信号等效电路
1） 画交流通路
2） 用H参数小信号模型代替BJT,其他元件按位置接入
3）标出电压极性、电流方向
2. 求电压增益
按定义： Vo
AV=-—
Vi
计算输入电阻和输出电阻
第四节共集放大电路
一、共集电极电路
共集放大电路以集电极为公共端，通过iB对iE的控制作用实现功率放大.共基放大电路以基极为公共端，通过iE对iB的控制作用实现功率放大。
二、电路特点
1、出、入——公共端C
2、Vi与Vo只相差Vbe—-跟随（射极跟随器）
3、输出从射极引出，（又叫射极输出器),RL’=Re//RL
三、共集放大电路的组成及静态和动态分析
1、 共集放大电路的组成
共集放大电路亦称为射极输出器如P92图2。23（a)所示，为了保证晶体管工作在放大区，在晶体管的输入回路，、与VCC共同确定合适的静态基极电流;晶体管输出回路中，电源 VCC，提供集电极电流和输出电流，并与配合提供合适的管压降UCE 。
2、共集放大电路的静态分析
与共射电路静态分析方法基本相同。
(1）列放大电路输入方程可求得；（2）根据放大区三极管电流方程可求得;(3)列放大电路输出方程可求得;
3、共集放大电路的动态分析
共集放大电路的动态分析方法与共射电路基本相同,只是由于共集放大电路的“交流地”是集电极,一般习惯将“地”画在下方,所以微变等效电路的画法略有不同
四、共集放大电路计算
1、求Q点
2、电压增益
Vo —βIbRL’ —βRL’
AV=—-=—————-——=-————-——
Vi Ib［rbe+（1+β）Re] rbe+（1+β）Re
3、输入电阻
VT
Ri=——=Rb//［rbe+(1+β）Re］
IT
4、输出电阻
VT VT
Ro=——=————=Ro’//Rc≈Rc （∵Ro’〉〉Rc)
IT Ic+IRc
电压跟随器的特点：a。AV小于1而近于1,Vo与Vi同相；

b。Ri高；
c。Ro低。
1. 采用复合管以进一步提高输
入电阻
见图3。6。4
复合管的两个主要参数为
β≈β1β2
rbe≈rbe1+β1rbe2
第五节 共基放大电路
一、共基放大电路的静态和动态分析
1）
共基放大电路的静态分析
与共射电路静态分析方法基本相同。
（1）列放大电路输入回路电压方程可求得;
(2)根据放大区三极管电流方程 可求得；
（3)列放大电路输出回路电压方程可求得；
2)共基放大电路的动态分析
共基放大电路的动态分析方法与共射电路基本相同,只是由于共基放大电路的“交流地”是基极，一般习惯将“地”画在下方,所以微变等效电路的画法略有不同。
二、三种接法的比较
共射放大电路既有电压放大作用又有电流放大作用，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大,适用于一般放大。共集放大电路只有电流放大作用而没有电压放大作用，因其输入电阻高而常做为多级放大电路的输入级,因其输出电阻低而常做为多级放大电路的输出级，因其放大倍数接近于1而用于信号的跟随。共基放大电路只有电压放大作用而没有电流放大作用，输入电阻小，高频特性好，适用于宽频带放大电路.
课后作业:2.11、2。12、2。13、2。14、2。16
第3章 放大电路频率特性分析
教学目的：掌握单时间常数RC电路的频率响应，单管放大电路频率响应的分析。
教学重点：RC低通电路的频率响应及RC高通电路的频率响应,下限截止频率和上限截止频率求解方法。
教学难点：RC低通电路的频率响应，单管放大电路的上、下限截止频率在电路中的相关参数。
教学内容:放大电路的频率响应，共射放大电路的频率响应以及增益带宽积
教学方法:理论讲解与举例相结合，讲例题时边讲边练（学生先作，老师后讲）。
教学进度:本内容为4学时,其中4。1、 4.2节各2学时。
参考资料：电子电路基础（林家儒主编，第2版，2006年）,51-67页.
教学内容
第一节 频率特性分析
一、频率响应的基本概念
放大电路的频率响应可由放大器的放大倍数对频率的关系来描述，即
式中A(f)称为幅频特性,它是放大倍数的幅值与频率的函数式。
φ（f）称为相频特性，它是放大倍数的相位角与频率的函数式.
两种特性综合起来可全面表征放大倍数的频率响应。
由图可见，在一个较宽的频率范围内，曲线是平坦的,即放大倍数不随信号频率变化，其电压放大倍数用Aum表示,在此频率范围内,所有电容(耦合电容、旁路电容和器件的极间电容等）的影响可以忽略不计。当频率降低时，耦合电容和旁路电容的影响不可忽略，致使放大倍数下降。当频率升高时，器件的极间电容的影响不可忽略，放大倍数亦下降。
fL和fH分别称为下限截止频率（简称下限频率)和上限截止频率（简称上限频率）它们是放大倍数下降到中频放大倍数的倍时所确定的两个频率。
低频区：低于fL的频率范围称为低频区。
高频区：高于fH的频率范围称为高频区.
中频区：介于fL和fH之间频率范围称为中频区，通常又称为放大电路的通频带fbw=fH－fL.
1、 频率响应的基本分析方法
1) 波特图：一种频率响应曲线图,此图为半对数坐标图，即频率采用对数分度,而幅值(以dB表示的电压放大倍数)或相位角则采用线性分度.
2) 在近似分析中，为了缩短坐标，扩大视野,常采用折线化的近似波特图法描绘幅频特性和相频特性曲线.
二、单时间常数RC电路的频率响应
1. RC低通电路的频率响应
如图所示，
幅频响应：
（1） 当f〈<fH时
AVH=1/√1+（f/fH) 2≈1
用分贝表示：20lgAVH≈20lg1=0dB
是一条与横轴平行的零分贝线
(2）当f>>fH时

AVH=1/√1+(f/fH） 2≈fH/f
用分贝表示:20lgAVH≈20lgfH/f
相频响应
（1） 当f<<fH时，φH→0，得一条φH=0的直线。
（2） 当f>>fH时，φH→—90°,得一条φH=—90°
的直线.
（3） 当f=fH时，φH=-45°。
见图
2. RC高通电路的频率响应
小结:
1） RC耦合放大器，用RC高、低通电路模拟低、高频响应。
2） 频率响应的关键点fH、fL（转折、上下限频率)
3） fH、fL都与RC回路的时间常数τ=RC成反比
fH=1/2πR1C1 fL=1/2πR2C2
三、RC低通电路和高通电路
(1）放大电路的频率响应的特征可用RC低通电路和高通电路来模拟.
(2)截止频率fL和fH是频率响应的关键点,无论是幅频特性还是相频特性，基本都是以它为中心而变化的,求出fL和fH后就可近似地描绘放大电路完整的频率响应曲线。
(3)fL和fH都是与对应的回路时间常数τ=RC成反比.
四、晶体管的高频等效模型
晶体管的混合π模型，是采用物理模拟的方法，从三极管的物理模型抽象成的等效电路。P132图3。7和P133图3.8分别为晶体管的完整的混合π模型和简化的混合π模型。
五、三极管的高频参数
（1)fβ：共射电流放大倍数β的截止频率，其值主要决定于管子的参数,即
(2）fT：特征频率,使β下降到1时所对应的频率.fT =βfβ
第二节 共射放大电路的频率响应以及增益带宽积
一、单管共射放大电路的频率响应
中频放大倍数
(1）中频交流等效电路如P136图3。12所示。大容量电容看成短路,三极管极间电容看成开路.
（2)中频放大倍数表达式
1) 低频放大倍数的频率响应
(1)由耦合电容引起，三极管极间电容看成开路。
(2）低频交流等效电路如P139图3。14所示。
（3)低频放大倍数表达式
式中fL为下限频率，其表达式为
（4）幅频特性和相频特性的表达式
2) 高频放大倍数的频率响应
(1）由三极管极间电容引起,大容量电容看成短路。
（2）高频交流等效电路如图所示。
（3)高频放大倍数表达式
式中R=rb’e∥（rb’b+Rs∥Rb）,fH为上限频率，其表达式为
（4）幅频特性和相频特性的表达式
二、大电路频率响应的改善与增益带宽积
1）放大电路的耦合电容是引起低频响应的主要原因,下限截止频率主要由低频时间常数中较小的一个决定;
2)三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因,上限截止频率由高频时间常数中较大的一个决定；
3）由于
若电压放大倍数K增加,C¢b¢e也增加，上限截止频率就下降,通频带变窄。增益和带宽是一对矛盾，所以常把增益带宽积作为衡量放大电路性能的一项重要指标；
4）CB组态放大电路由于输入电容小，所以CB组态放大电路的上限截止频率比CE组态要高许多。
小结：本次课要求熟练掌握频率响应描述放大电路对不同频率信号的适应能力。耦合电容和旁路容所在回路为高通电路，在低频段使放大倍数的数值下降,且产生超前相移。极间电容所在回路为低通电路,在高频段使放大倍数的数值下降，且产生滞后相移
课后作业：3。1，3。3，3.4，3。5
第4章 场效应管放大电路特性分析
教学目的：掌握MOS场效应管的特性及工作原理，掌握共源、共漏放大电路工作原理及分析方法.
教学重点:漏极特性,转移特性,动态分析方法.
教学难点:场效应管内部结构及工作原理。
教学内容：场效应管特性，场效应管的工作点设置及静态特性分析,场效应管的动态特性分析。
教学方法:理论讲解为主,结合例题分析。
教学进度：本内容为5学时,其中4.1节2学时,4.2、4。3节3学时。
参考资料：电子电路基础(林家儒主编，第2版，2006年），70—77页。
教学内容
第一节 场效应管特性
场效应管分为结型场效应管(JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管)
一、结型场效应管
 1.结型场效应管的分类
结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管和P沟道结
型场效应管。
从图中我们可以看到，结型场效应管也具有三个电极,
它们是:G-—栅极；D——漏极；S——源极。
电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结
的正向导电方向.
2.结型场效应管的工作原理（以N沟道结型场效应管为例）
在D、S间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流ID,我们通过改
变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）
的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流ID。
3。结型场效应管的特性曲线(以N沟道结型场效应管为例）
(1）输出特性曲线：
如图（3）所示，根据工作特性我们把它分为四个区域,即：可变电
阻区、放大区、击穿区、截止区.
  对此不作很深的要求，只要求我们看到输出特性曲线能判断是什麽类型的管子即可。
（2）转移特性曲线:

我们根据这个特性关系可得出它的特性曲线如图（4)所示。它描述了栅、源之间电压对漏极电流的控制作用。
从图中我们可以看出当UGS=UP时ID=0。我们称UP为夹断电压.
  注：转移特性和输出特性同是反映场效应管工作时，UGS、UDS、ID之间
的关系,它们之间是可以互相转换的。
二、绝缘栅场效应管（MOS管)
1、绝缘栅场效应管的分类
  绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型.无论是什麽沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管）
  我们首先来看N沟道增强型MOS场效应管的符号图:如图（1)所示
  它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”
形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.
3、绝缘栅型场效应管的特性曲线（以N沟道增强型MOS场效应管）
它的转移特性曲线如图(2)所示；
它的输出特性曲线如图（3）所示,它也分为4个区：可变电阻区、放大
区、截止区和击穿区。
注：对此我们也是只要求看到输出特性曲线和转移曲线能判断出是什麽类型的管子，即可。
三、场效应管的主要参数和特点
1、直流参数
   饱和漏极电流IDSS   它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
   夹断电压UP ，它可定义为:当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS
   开启电压UT ，它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS
(2）交流参数
   低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用.
   极间电容：场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
（3）极限参数
   漏、源击穿电压,当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
   栅极击穿电压,结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高,则产生击穿现象。
第二节 场效应管的工作点设置及静态特性分析
第三节 场效应管的动态特性分析
场效应管和半导体三极管一样能实现信号的控制作用，所以也能组成放大电路，不同的是，半导体三极管是通过基极电流来控制集电极电流，而场效应管则是通过栅源电压来控制漏极电流.
　　场效应管组成放大电路时，也必须设置合适的静态工作点，所不同的是，场效应管是电压控制器件，它只需合适的偏压，而不需要偏流，不同类型的场效应管，对偏置电压的极性有不同的要求.
　　（1)偏置方式:固定偏压、自偏压、分压式自偏压。
　　(2）静态分析：图解法、近似计算法。
（3）动态分析：一般用小信号模型法。
例题解析
例1．分析共源放大电路
解：（1）.静态分析
对于耗尽型场效应管,当工作在饱和区时，其漏极电流和漏源间电压由下
式近似决定
又　　　ＶGS=ＩDＲs
将上两式联立，求得ＩD和ＶGS,则ＶGS=ＶDD—ＩD（Ｒd+Ｒs）
(2）。动态分析
（1)画出微变等效电路
（2）电压放大倍数
　　Ａv=—ｇm（Ｒd//ＲL）,式中符号表示输出电压与输入电压反相。由于一般场效应管的跨导只有几个毫西，故场效应管放大电路的放大倍数通常比三极管放大电路的要小。
（3)输入电阻　　Ｒi=Ｒg
(4）输出电阻　　Ｒo=Ｒd
由上述分析可知，共源级放大电路的输出电压与输入电压反相，输入电阻高,输出电阻主要由漏极负载电阻决定。
例2．图(a）和图（b）分别是增强型NMOS和耗尽型NMOS管作为可控电阻使用时的电路和输出特性曲线,试画出二者的电阻特性曲线.

解：对(a)图，由于ｖGS=ｖDS，所以只要在输出特性图中找出VGS=VDS的相等点，把这些点中的U和I求出，描出的曲线就是电阻特性曲线。
　　对（b）图，由于VGS=0，所以VGS=0的这条输出特性曲线就是电阻特性曲线.
例3．已知场效应管电路和场效应管的输出特性曲线如图所示,当Vi电压为1V、2V、3V、4V四种情况时MOS管的工作状态如何?
解：只要在输出特性上作出负载线:ｖDS=ＶDD-ｉD×Ｒd ，负载线和每条输出特性的交点决定Q点,由Q点的位置来决定管子的工作状态。
　　当Vi电压为1V时，管子处于截止状态;2V、3V时，管子处于放大状态；4V 时管子处于可变电阻区。
例4．放大电路如图示,电路中的电容器对输入交流信号可视为短路，根据构成放大电路的原则，试说明下面的各种电路对交流信号有无放大作用，并说明其理由。
解:（a)管子是P沟道，所以电源电压应该是负电源.
(b) 不能放大，因为没有偏置电压。在电源和栅极间接电阻加以解决。
例5.图示场效应管放大电路的组态是（）
（1）共漏；（2）共源；(3）共栅;（4）差动放大
解：共源组态。因为输入信号加在T1管的栅极,输出信号取自T1管的
漏极,所以为共源组态.T2为有源负载,作为T1管的漏极电阻.
课后作业：4.3、4。4、4.5
第5章 负反馈放大电路
教学目的：掌握反馈的分类与判别,负反馈放大器的特性分析，负反馈对放大电路的影响。
教学重点：负反馈类型的判别方法,负反馈对放大电路的影响。
教学难点:马吕斯定律的有关计算.
教学内容:反馈基本概念及判定方法，负反馈放大电路的特性分析,负反馈对放大电路性能的影响。
教学方法:理论讲解与举例相结合，讲例题时边讲边练.
教学进度：本内容为10学时，其中5.1节3学时,5.2节4学时，5.3节3学时。
参考资料：电子电路基础（林家儒主编,第2版,2006年)，80-102页。
教学内容
第一节 反馈基本概念及判定方法
一、反馈的基本概念
1、反馈的定义：所谓反馈就是把放大器的输出量（电压或电流）的一部分或全部，通过一定的方式送到放大器的输入端的过程.
2、框图解说：
3、开环放大器和闭环放大器：
引入反馈后,按照信号的传输方向,基本放大器和反馈网络构成一个闭合环路，所以有时把引入了负反馈的放大器叫闭环放大器,而未引入反馈的放大器叫开环放大器.
定义：
开环放大倍数
反馈系数
闭环放大倍数
因为：和
所以:
4、反馈深度：上式是反馈放大器的基本关系式，它是分析反馈问题的基础。其中1＋AF叫反馈深度,用其表征反馈的强弱。
二、反馈类型及判定
1。 电压反馈与电流反馈
按取样方式划分,反馈可分为电压反馈和电流反馈。
⑴电压反馈
反馈信号取自输出电压，即Xf正比于输出电压，Xf反映的是输出电压的变化，所以称之为电压反馈。这种情况下，基本放大器、反馈网络、负载三者在取样端是并联连接。
⑵电流反馈
反馈信号取自输出电流，正比于输出电流，反映的是输出电流的变化，所串联连接。
⑶电压反馈和电流反馈的判定
在确定有反馈的情况下，则不是电压反馈就是电流反馈。所以只要判定是否是电压反馈或者是否是电流反馈即可，通常判定是否是电压反馈较容易。
判定方法之一：输出短路法
将放大器的输出端对交流短路,若其反馈信号随之消失，则为电压反馈，否则为电流反馈。
判定方法之二:按电路结构判定
在交流通路中，若放大器的输出端和反馈网络的取样端处在同一个放大器件的同一个电极上，则为电压反馈;否则是电流反馈。
2。 串联反馈与并联反馈
按比较方式划分，可分为串联反馈和并联反馈。
⑴串联反馈
对交流信号而言，输入信号、基本放大器、反馈网络三者在比较端是串联连接，则称为串联反馈。即输入信号与反馈信号在输入端串联连接.串联反馈要求信号源趋近于恒压源，若信号源是恒流源，则串联反馈无效.
在串联反馈电路中，反馈信号和原始输入信号以电压的形式进行叠加，产生净输入电压信号，即。
⑵并联反馈
对交流信号而言,输入信号、基本放大器、反馈网络三者在比较端是并联连接，则称为并联反馈.即输入信号与反馈信号在输入端并联连接。并联反馈要求信号源趋近于恒流源,若信号源是恒压源，则并联反馈无效.
在并联反馈电路中,反馈信号和原始输入信号以电流的形式进行叠加,产生净输入电流信号,即。
⑶串联反馈和并联反馈的判定
方法之一:
对于交流分量而言,若信号源的输出端和反馈网络的比较端接于同一个放大器件的同一个电极上,则为并联反馈;否则为串联反馈。
方法之二:
交流短路法，将信号源的交流短，如果反馈