收藏 分销(赏)

传感器与检测技术题库试卷1答案.doc

上传人:a199****6536 文档编号:3564077 上传时间:2024-07-09 格式:DOC 页数:4 大小:77KB 下载积分:5 金币
下载 相关 举报
传感器与检测技术题库试卷1答案.doc_第1页
第1页 / 共4页
传感器与检测技术题库试卷1答案.doc_第2页
第2页 / 共4页


点击查看更多>>
资源描述
《传感器与检测技术》题库—试卷1答案 注意事项:1、本试卷共 5 页,满分为 100 分,考试时间为 90 分钟。 2、答题时请使用蓝、黑钢笔或圆珠笔,不得使用红颜色墨水笔。除特殊要求外不得使用铅笔。 题 目 一 二 三 四 五 总 分 分数核对 得 分 阅卷人 一、填空题:(每题 1 分,共30 分) (说明:将认为正确答案写在每小题相应的横线上) 分数 1. 敏感元件 转换元件 敏感元件 转换元件 温度传感器、湿度传感器、压力传感器、位移传感器 磁学式传感器、光电式传感器 2.应变效应 3. 电容 机械物理量 电量 4. 自感 互感 5. 电阻式 非电阻式 6.外光电效应 内光电效应 光生伏特效应 光生伏特 7.机械量 电量 8.材料 接触点温度 9.摄像机、照相机、监视器 10.电信号 二、画图题:(共11分) (说明:将认为正确答案写在每小题相应的横线上) 分数 根据下图所示石英晶体切片上的受力方向,标出晶体切片上产生电荷的符号,并就其中一种情况来说明你的理解。 当在X轴向施加压力时,如图所示,各晶格上的带电粒子均产生相对位移,正电荷中心向B面移动,负电荷中心向A面移动,因而B面呈现正电荷,A面呈现负电荷。当在X轴向施加拉伸力时,如图所示,晶格上的粒子均沿X轴向外产生位移,但硅离子和氧离子向外位移大,正负电荷中心拉开,B面呈现负电荷,A面呈现正电荷。在Y方向施加压力时,如图所示,晶格离子沿Y轴被向内压缩, A面呈现正电荷,B面呈现负电荷。沿Y轴施加拉伸力时,如图所示,晶格离子在Y向被拉长,X向缩短,B面呈现正电荷,A面呈现负电荷。 三、名词解释题:(每题 5分,共 15分) 分数 1.压电效应 某些晶体受一定方向外力作用而发生机械变形时,相应地在晶体表面产生符号相反的电荷,外力去除后,电荷消失。力的方向改变时电荷的符号也随之改变,这种现象称为压电效应。 2.霍尔效应 在置于磁场中的导体或半导体内通入电流,若电流与磁场垂直,则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电势差,这种现象称为霍尔效应。 3.磁阻效应 当霍尔元件受到与电流方向垂直的磁场作用时,会出现半导体电阻率增大的现象,这种现象称为磁阻效应。利用磁阻效应做成的电路元件,叫做磁阻元件。 四、问答题:(每题 8 分,共 24 分) 分数 1.请说出条形码扫描笔的工作原理。 答:扫描笔的前方为光电读入头,它由一个发光二极管和一个光敏三极管组成,当扫描笔头在条形码上移动时,黑色线条吸收光线,白色间隔反射光线。光敏三极管将条形码黑色线条和白色间隔变成了一个个电脉冲信号,脉冲列经计算机处理后,完成对条形码信息的识别。 2. CMOS图像传感器与CCD图像传感器有什么不同? 答:CCD图像传感器是MOS电容器组成的阵列,CMOS图像传感器是按一定规律排列的互补型金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET)组成的阵列。它是把与CMOS型放大器源极相连的P型半导体衬底充当光电变换器的感光部分。当CMOS型放大器的栅源电压时,CMOS型放大器处于关闭状态,即,CMOS型放大器的P型衬底受光信号照射产生并积蓄光生电荷,当积蓄过程结束,栅源之间加开启电压,源极通过漏极负载电阻对外接电容充电形成电流即为光信号转换为电信号。 3.生物传感器有哪些种类,简要说明其工作原理。 答:酶传感器的基本原理是用电化学装置检测酶在催化反应中生成或消耗的物质(电极活性物质),将其变换成电信号输出。对葡萄糖氧化反应起一种特异催化作用的酶—葡萄糖氧化酶(GOD),并研究出用它来测定葡萄糖浓度的葡萄糖传感器,微生物传感器是利用多种酶有关的高度机能的综合即复合酶。免疫传感器是利用抗体对抗原结合功能研制成功的,根据抗体膜的膜电位的变化,就可测定抗原的吸附量。半导体生物传感器是由半导体传感器与生物分子功能膜、识别器件所组成。将生物中具有识别功能的合成蛋白质、抗原、抗体、微生物、植物及动物组织、细胞器等固定在某载体上也可用作识别元件。,同时测量多种化学物质,具有这样功能的传感器称为多功能传感器。 五、综合题:(每题 10 分,共 20 分) 分数 1.请根据下图,说明自动供水装置的工作原理。 答:当取水者投入铁制的取水牌时,铁制取水牌将磁铁的磁力线短路,SL3020传感器受较强磁场的作用输出为高电平脉冲,电路输出使电磁阀Y通电工作自动开阀放水。每次供水的时间长短,取决于C2、R4、RP1的充电时间常数。 2. 用K型(镍铬—镍硅)热电偶测量加热炉温度。已知冷端温度t0=30℃,测得热电势E(t,t0)为37.724mV, 求加热炉温度。(已知分度表数据:E(30℃,0℃)=1.203mv,E(940℃,0℃)=38.927mv) 答: 参考端(自由端)温度t0=30℃,由分度表2-1可查得 E(30℃,0℃)=1.203mv,若测得热电势E(t,30℃)=37.724mv,则可得E(t,0℃)=E(t,30℃+E(30℃,0℃)=37.724+1.203=38.927mv,再查分度表可知炉温t=940℃。 第 页 (共 页)
展开阅读全文

开通  VIP会员、SVIP会员  优惠大
下载10份以上建议开通VIP会员
下载20份以上建议开通SVIP会员


开通VIP      成为共赢上传

当前位置:首页 > 包罗万象 > 大杂烩

移动网页_全站_页脚广告1

关于我们      便捷服务       自信AI       AI导航        抽奖活动

©2010-2026 宁波自信网络信息技术有限公司  版权所有

客服电话:0574-28810668  投诉电话:18658249818

gongan.png浙公网安备33021202000488号   

icp.png浙ICP备2021020529号-1  |  浙B2-20240490  

关注我们 :微信公众号    抖音    微博    LOFTER 

客服