铬掺杂CdS纳米棒室温铁磁性及光学性质.pdf

第14卷第3期2024年3 月doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2024.03.005有色金属工程Nonferrous Metals EngineeringVol.14,No.3March2024铬掺杂CdS纳米棒室温铁磁性及光学性质张珠峰1，任银拴（1.重庆移通学院，重庆40 152 0；2.黔南民族师范学院物理与电子学院，贵州都匀558 0 0 0)摘要：用溶剂热法合成了具有室温铁磁性能Cr掺杂的CdS纳米棒。XRD分析表明产物为六方相CdS。T EM 表明不同Cr含量的CdS均为纳米棒，CdS纳米棒长为10 0 350 nm，平均直径为2 0 30 nm，C d S纳米棒的形貌与Cr掺杂量的多少无关。EDS测试表明，合成产物由S、C d 和Cr三种元素组成。振动样品磁强计（VSM)表明，Cr掺杂CdS纳米棒在室温下有铁磁性，而未掺杂CdS纳米棒有弱铁磁性。Cr掺杂CdS纳米棒（Cr=4.17%，7.31%，均为原子分数）的饱和磁化强度M分别为3.90 7 和8.798（X10-3e m u/g），矫顽力H.分别为96.2 1和137.15Oe（1O e=7 9.58 A/m）。C d S纳米棒室温铁磁性能的产生与CdS晶格中Cd原子被Cr的取代有着密切关系。关键词：铬；CdS;纳米棒；铁磁性；溶剂热中图分类号：TQ134.32Room Temperature Ferromagnetic and Optical Properties of Chromium2.School of Physics and Electronics,Qian Nan Normal College for Nationalities,Duyun 5580o0,China)Abstract:Cr-doped CdS nanorods with room temperature ferromagnetism were successfully synthesized by simplesolvothermal method.X-Ray Diffraction(XRD)analysis showed that the product was hexagonal CdS.TransmissionElectron Microscopy(TEM)analysis showed that CdS with different chromium contents were nanorods,the length ofCdS nanorods was 100350 nm,and the average diameter was 20-30 nm,which was almost independent of thequantity of chromium doped.Energy Dispersive Spectroscopy(EDS)measurements demonstrated that the synthesizedproduct was composed of S,Cd and Cr.The Vibrating Sample Magnetometer(VSM)demonstrated that Cr-doped CdSnanorods exhibited ferromagnetism at room temperature,while non Cr-doped CdS nanorods exhibited weakferromagnetism.The saturation magnetization M,of Cr-doped CdS nanorods(Cr=4.17 at.%,7.31 at.%)was about3.907 and 8.798(X 10-3 emu/g)respectively,and the coercivity of H。w a s a b o u t 96.2 1 a n d 137.15 O e(1 O e=79.58 A/m).The room temperature ferromagnetic properties of CdS nanorods were closely related to thesubstitution of Cd atoms by Cr in the Cds lattice.Key words:Cr;CdS;nanorods;ferromagnetism;solvothermal文献标志码：ADoped CdS NanorodsZHANG Zhufeng,REN Yinshuan?(1.Chongqing College of Mobile Communication,Chongqing 401520,China;文章编号：2 0 95-17 44(2 0 2 4)0 3-0 0 34-0 9收稿日期：2 0 2 3-10-31基金项目：国家自然科学基金资助项目（118 6 40 32）；贵州省基础研究计划项目（2 0 2 0 1Y208）；重庆移通学院高等教育教学改革研究项目(2 2 JG322)Fund:Supported by the National Natural Science Foundation of China(11864032);Guizhou Basic Research Program Project(2020J1Y208);Chongqing College of Mobile Communication Higher Education Teaching Reform Research Project(22JG322)作者简介：张珠峰（197 6 一）男，硕士，副教授，研究方向：半导体纳米光电材料。通信作者：任银拴（198 2 一）男，硕士，副教授，研究方向：半导体纳米光电材料。引用格式：张珠峰，任银拴，铬掺杂CdS纳米棒室温铁磁性及光学性质J.有色金属工程2 0 2 4，14（3)：34-42，97.ZHANG Zhufeng,REN Yinshuan.Room Temperature Ferromagnetic and Optical Properties of Chromium Doped CdS NanorodsLJJ.NonferrousMetals Engineering,2024,14(3):34-42,97.第3期由于限制效应的影响，半导体纳米材料展现出新颖的物理、化学性能1-5,这与块体和孤立原子的物理、化学性质有所不同6-10 1。在过去的几年中，各种半导体纳米材料和一维纳米结构材料的合成和表征取得了很大进展-15。一维(1D)纳米结构，如纳米棒、纳米线和纳米管，由于其诱人的性能和潜在的应用优势，已经成为研究热点16-18 。铁磁稀磁半导体(DMSs)是一种很有前途的自旋电子学器件的应用材料，例如在半导体中使用载流子诱导铁磁序列的高效自旋注入器和可调谐铁磁器件19。科研工作者对(Mn、C o、C r)掺杂DMS进行了大量的研究，如Gal Mn.As、In i-M n.A s、Zn i-Co,O.Zn Cr,O 2 0 1和Zni-Cr,Te21。室温(RT)铁磁性是DMSs器件必不可少的条件，在一些DMSs中观察到RT铁磁性，如Ti-Co,O,22和Zn1-Co,O23。M n 基半导体Cdi,Mn.S具有很强的吸引力，LEVY等2 4-2 5 利用反胶束作为模板合成了它们的纳米粒子。在半导体合金中锰的存在导致s-p带电子和锰d带电子之间的交换作用。目前已有大量文献报道了用各种方法制备锰掺CdS半导体Cdl-Mn,S2-21。Cr 掺杂半导体主要集中在一些半导体中，如ZnTe、In z O 3、CuCrO2、G a N、A I N、G e T e、Biz 2 Se 3、Zn S、M n 2 Sb等30-4。ZHANG等35 报道了通过溶剂热制备掺铬CdS纳米颗粒室温铁磁性和光学性质。其中SRIVASTAVA等36 研究了用水热法生长掺Cr(2%)CdS量子点的磁性及其室温铁磁性。有关Mn掺杂CdS产生磁性的报道很多，Mn是磁性元Table1Reaction conditions for preparing the products of specimen A-HCd source/Cr concentration/ItemSource/mmolA1CHAN2SB1CHAN2SC1CHAN2SD3CH,N2SE3CHAN2SF3CH4N2SG3CHAN2SH3CHAN2S张珠峰等：铬掺杂CdS纳米棒室温铁磁性及光学性质1.1样品的制备所有实验药品试剂均为分析纯，实验中所用的有机溶液有乙二醇（EG）、水合肼（HHA）、乙醇胺(EA)和乙二胺(EN）。主要实验流程:将 3 mmol 氯化镉(CdCl,)和3 mmol硫脲(CH,N,S)溶解在2 0 mL乙二胺（EN)和10 mL乙醇胺（EA)的混合溶剂中，向混合溶剂内加人0.0 2 mmol草酸，然后向溶液中分别加人0.2、0.35、0.5和0.6 5mmol的六水氯化铬(CrCl6H,O),将所得的混合物用磁力搅拌2 0 min后，然后转移到40 mL用聚四氟乙烯材料作为内衬的高温高压不锈钢反应釜中，继续搅拌2 0 min。密封后，在30 min内将高压釜从室温加热到18 0，24h内保持18 0，最后自然冷却至室温。收集黄色沉淀物，使用去离子水和无水乙醇反复交替洗涤多次，把洗涤后得到的沉淀物移人6 0 真空箱内，保存6 h。使用相同的方法合成几组样品，将合成的几组样品分别标记为AH,如表1所示。表1制备样品(AH)的反应条件Oxalic acidSolvent/mLTemperature/mmolmmol1CdOo1Cdo3CdCl23CdCl23CdCl23CdCl23CdCl23CdCl235素，产生磁性比较常见，然而Cr是非磁性元素，Cr掺杂CdS基稀磁半导体的研究较少，有关Cr掺杂CdS纳米棒铁磁性随掺Cr浓度的变化的报道寒寒无几。本文采用溶剂热法合成了Cr掺杂CdS纳米棒，合成的纳米棒长度为10 0 350 nm，平均直径为2030 n m。C r 掺杂CdS纳米棒具有室温铁磁性，居里点Tc大于30 0 K。C r 掺杂CdS纳米棒的室温铁磁性的来源仍在进一步探索中。1实验Time/h10EN20EG10EN20EA10EN20EA10EA一20HHA10EN0.2020EA10EN0.3520EA10EN0.5020EA10EN0.6520EAconcentration/mmol18024180241802418024180241802418024180240.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.020361.2性能测试合成的产物晶体结构和化学成分用（MacScience-Japan,XRD)(Cu Ka 靶,入=0.154 nm)表征；合成的产物形貌用（Philips XL-30,Japan)扫描电子显微镜（SEM）和透射电镜（TEM，H it a c h i-8100)进行分析；利用电子能量散射谱(EDS)表征产物的化学成分；用紫外-可见光反射光谱（UV-Vis）对产物的光学性能进行测试；利用振动样品磁强计(VSM,Lake 7400)测试产物的磁学性能。2丝结果与讨论2.1物相分析图1为所得产物样品C的XRD图谱(110)(100)(101)(002)2030图1所得产物样品C的XRD图谱Fig.1XRD pattern of the specimen C obtained通过与六角CdS的JCPDS卡（41-10 49晶格常数为a=0.415nm，c=0.6 7 5n m）标准卡进行比较,所得产物为六角形CdS,八个衍射峰分别对应于（10 0）、（0 0 2）、（10 1）、（10 2）、（110）、（10 3）、（112）和(201)晶面。图2 为样品C、E、F、G、H 的XRD图谱。结果表明，Cr掺杂CdS的衍射峰位2 分别为2 4.3(100)、2 6.7(0 0 2)、2 8.2 10 1)、37.3(10 2)、43.3(110)、48.4(10 3)、51.2（112)和53.8（2 0 1),这与JCPDS-1049六方铅锌矿CdS结构相一致。在XRD图谱中，没有观察到杂质相的特征峰出现，可以证明在一定范围内,Cr3+掺人到 CdS 晶格中。Cr掺CdS的（10 0）、（0 0 2）和（10 1）峰位比没有Cr掺CdS的（10 0）、（0 0 2)和（10 1)峰位略微向更高的角度偏移了0.25,进一步表明Cr已经掺杂到CdS晶格中。在一定掺杂范围内，不同Cr掺杂量对CdS纳米棒的结晶性影响不大。有色金属工程(H)Cr7.31%(C)Cr 4.17%(F)Cr1.78%(E)Cr1.25%(100)(C)Cr 0.00%2324图2 样品C、E、F、G、H 的XRD图谱Fig.2XRD patterns of specimen C,E,F,G,H2.2形貌分析图3为CdS的SEM图像。图3(a)表明制备的产物形貌较差，图3（b)表明产物的形貌变化不大。(112)当以10 mLEN和2 0 mLEA为有机溶剂，用(102)(201)(103)PDF41-10491405020/()第14卷(101)[phone](0)3mmol CH,N,S和3mL CdCl为源，在其他条件不变情况下，加人反应溶液体系（样品C)时，制备的产物为长度为10 0 2 0 0 nm、平均直径为2 0 30nm 的 CdS纳米棒。在 3 mmol CH,N,S 和 3 mmolCdCl（样品D)的反应溶液体系中加人10 mLEA和2 0 mLHHA，制备的CdS形貌为纳米颗粒,CdS60纳米颗粒的尺寸约为50 90 nm。以上实验结果表(a)specimen ALum(b)specimen BI um27图3（CdS 的 SEM图像Fig.3SEM images of CdS282930第3期明,CdS的形貌与镉、硫源和混合有机溶剂有关。为了获得更好形貌的CdS纳米棒，在样品的实验条件下进行了Cr掺CdS纳米棒的实验。图4为Cr掺杂CdS纳米棒TEM图像。图4显示Cr掺杂CdS纳米棒的直径约为2 0 30 nm，长度约为10 0 350nm。通过对比Cr掺杂CdS纳米棒样品（E、F、G、H)的形貌,可以看出 Cr 掺杂 CdS纳米棒的形貌与掺Cr量无关。用Scherrer公式计算Cr掺杂CdS纳米棒的平均晶粒半径37-38 ;D=k入/Lcoso其中，D为纳米棒直径的大小，K为一个固定常数为0.9 4，入为XRD所用的波长（入=0.154nm），L是半峰全宽，是衍射角。值得注意的是，D在上述公式(1)中是仪器校准后衍射峰展宽，计算如下：D=V(wo)2-(w,)其中，w;是仪器加宽（弧度)，wo是观察到的衍射峰加宽。通过计算发现，计算结果与实验结果完(a)SpecimenC(b)Specimen E张珠峰等：铬掺杂CdS纳米棒室温铁磁性及光学性质(1)(2)37全一致,计算得到的Cr掺杂CdS纳米棒的尺寸与测量结果一致。基于上述分析，提出了Cr掺杂CdS纳米棒在混合溶液中生长的可能形成机理如下所示：Cd+ENCd(EN),J2+Cd2+yEACd(EA),J2+Cd2+S2-CdS(1-)Cd2+S2-+Cr2+Cdi-Cr,S (6)溶剂热加热反应过程之前，在混合溶液作用下，反应源Cd主要是以Cd（EA)2+和Cd(EN)2+两种离子形式存在于溶液中，剩余的Cd源是以 Cd2+的形式存在（反应（3)和（4),这种方式有助于抑制反应混合物中Cd2+的浓度。当前体溶液被加热时,S均匀而缓慢地分解形成S2-（反应(5)39。在下一步中,S-将与Cd2+和Cr3+反应形成Cdl-,Cr,S，如反应（6）。当Cdi-rCrS浓度达到过饱和状态时,Cdi-CrS晶核将按照Cdl-Cr,S晶体固有生长机理形成和生长。(c)Specimen F(3)(4)(5)100mm(d)Specimen G100nm(e)Specimen H100nm2.3化学成分分析图5为Cr掺杂CdS纳米棒的EDS图谱。由图5可见，所制备的CdS纳米棒由Cr、C d 和S三种元素组成。体系中Cr的存在也证明了Cr3+与CdS晶格相结合。经EDS测量和计算，制备的掺杂CdS纳米棒的Cr浓度分别为1.2 5%、1.7 8%、4.17%和7.31%（原子分数）。BRUS等40 1提出有100nm图4Cr掺杂CdS纳米棒的TEM图像Fig.4TEM images of CdS nanorods doped with Cr100nm效质量近似（EMA)可用于计算掺Cr掺杂CdS纳米棒的直径(d)。在这种近似情况下，激子被认为是限制在纳米晶的球形体积内。在强约束条件下，假说自由电子和空穴的玻尔半径大于纳米棒的直径。he(m.+m.)aB=emmh(7)38有色金属工程第14卷(a)SpecimenE(b)SpecimenF0(e)SpecimenG2Energy/keV34560(d)SpecimenH2Energy/keV34560在球型中,粒子的薛定谔方程的解给出了纳米颗粒的（1s-1s)激发态能量（也称为带隙能量），由公式(8)、(9)给出。Er(d)=hc/maxEr(d)=Ef+0.124e_mmhhs.Lm.+mi其中，E（d）是纳米棒在吸收波长最大（入max）时测量的带隙；E是从公式（9)中获得的带隙能量；mh和m。分别是空穴和电子的有效质量；h是约化普朗克常数；是块体CdS材料的介电常数；E。是真空中的静电常数；m。是电子质量；e是电子电荷量；d是Cr掺杂CdS纳米棒的直径。（Eg=1.68eV；me=0.13mo,mi=0.43 mo,e。=6.2 e o 411)。2.4光性能分析图6 为CdS样品C的紫外-可见光谱图。众所周知，-I V族化合物半导体的光吸收谱与它们的尺寸和形状密切有密切相关。选择未掺杂的CdS，测定了其紫外-可见吸收性能。未掺杂CdS具有陡峭的吸收边，这与SHAKTAWAT等42 的实验结果非常一致。未掺杂CdS的半波吸收带波长为540nm。与块体质量CdS的半波吸收带波长515nm43相比，未掺杂CdS半波吸收带明显发生2Energy/kevFig.5EDS patterns of CdS nanorods doped with Cr2h元3.572e2mmh34图5Cr掺杂CdS纳米棒的EDS图谱(8).d(9)560350图6 CdS样品C的紫外-可见光谱Fig.6UV-Vis spectrum of the CdS sample C了红移。基于球形连续介质模型的有效质量近似，可以解释纳米颗粒的禁带红移是由量子限制效应引起的，用量子化公式形式考虑如下41：VEg=Emo Ebulk在公式中，M是系统的有效质量；R是粒子半径。本征CdS的体禁带为2.53eV,减小质量损失为1.8 2 X10-31kg。这一计算结果与ZHANG等制备的不同Cr掺杂浓度CdS纳米颗粒的实验结果是相同的457 。12Energy/keV400450Wavelength/nmh元2MR?35005506004540 nm56650700(10)第3期2.5磁性能分析图7 为CdS纳米棒M-H曲线，图8 为Cr掺杂CdS纳米棒M-H曲线。0.010F0.0080.006(-3,nua)/uogezgouew0.0040.00200.002-0.004-0.006-0.008-0.010-8 000-6 0004 0002000图7CdS纳米棒的M-H曲线Fig.7M-H curve of CdS nanorods在室温下，没有掺杂CdS纳米棒表现出非常弱的铁磁性，如图7 所示。然而，样品振动磁强计显示Cr掺杂CdS纳米棒材料中存在铁磁有序。Cr掺杂CdS纳米棒具有明显的磁滞回线，这充分表明在室温下，Cr掺杂CdS纳米棒具有铁磁性，如图8 所示。Cr掺杂 CdS纳米棒（Cr=0、表2 不同掺铬CdS的形貌、尺寸、Cr浓度、磁性、饱和磁化强度和矫顽力Table 2Morphology,size,Cr concentration,magnetic properties,saturation magnetization and coercivity of different Cr-doped CdSItemMorphologyABulkBBulkCNanorodsDNanoparticlesENanorodsFNanorodsGNanorodsHNanorods关于Cr掺杂CdS纳米棒铁磁性的来源，目前尚不清楚，还存在争议。研究人员试图用各种理论来解释,溶剂热法制备 Cr掺杂 CdS的磁性有几种可能的机制。可以预测，随着Cr在CdS位上取代量的增加，最近邻Cr离子间的铁磁相互作用增强，导致磁矩饱和程度提高。特别地，讨论了二次磁相的可能性,无论是对Cd-Cr-S体系中已知磁相的分析，还是对样品的表征结果，都表明在Cdi-Cr,S中没有存在这种磁相的可能性，纳米棒的铁磁性并非张珠峰等：铬掺杂CdS纳米棒室温铁磁性及光学性质00200040006.0008000Magneticfield/OeLattice constant/nma0.41500.41370.67290.41250.67120.411 00.67020.41150.6707390.010CE0.008F0.006G(8.G0.0040.0020-0.002-0.004-0.006-0.008-0.010-8 000-6 000-4000-20000图8 Cr掺杂CdS纳米棒M-H曲线Fig.8M-H curves of CdS nanorods doped with Cr1.25%、1.7 8%、4.17%、7.31%，原子分数）的饱和磁化强度（M.）分别达到1.8 37、2.2 15、2.6 32、3.90 7和8.7 98（10-3emu/g），矫顽力（H）分别为7 4.7 9、114.86、131.12、96.2 1 和 137.15 Oe(1 Oe=79.58 A/m)。随着Cr含量的增加,Cr掺杂CdS纳米棒的铁磁性逐渐增强。不同Cr掺杂CdS纳米棒的形貌、尺寸、Cr浓度、磁性能、饱和磁化强度和矫顽力如表2 所示。SaturationCr content/MagneticXRD/nmTEM/nmat.%C0.67500.010F0.000.0060.0040.002.000.004-0.080.0-0.0101 5001 0002.0004.0006.0008000Magneticfield/OeCoercivity/propertiese(10-3emu:g-1)222553502526242829273330500Mlaemetifelaomagnetization/Weak Ferromagnetism74.791.25Ferromagnetism1.78Ferromagnetism4.17Ferromagnetism7.31Ferromagnetism源于铁磁性样品。准金属铁磁体中Cr2O相的存在将导致铁磁性。然而，,XRD和EDS均未发现Cr2O3相。此外,在制备阶段不可能生产CrO3，即使在沉积过程中存在氧气，也会被沉淀的硫吸收。科研工作者普遍认为,CdS磁性的最可能原因是溶解在CdS基体中的Cr原子的铁磁耦合作用。然而,我们更倾向认为Cr掺杂CdS纳米棒会在CdS中产生更多的缺陷，从而导致室温铁磁性。MADHU等45发现聚集的纤锌矿CdS纳米粒子表现出很弱的室温5001.837114.862.215131.122.63296.213.907137.158.7981000150040铁磁性，饱和磁化强度随粒径的减小而增大。当所有CdS样品在10 0 150 Oe的矫顽力场中产生铁磁性时，较小颗粒的最大磁化强度是4X10-3emu/g。ELAVARTHI等46 从纳米粒子表面缺陷的角度讨论了CdS铁磁性的起源。REN等47 测量并解释了Cr掺杂CdS纳米片的磁性以及饱和磁化强度（M)与晶格参数之间的线性关系。如果晶格常数与CdS纳米片中Cr的浓度成正比，则表明磁化强度与Cr的浓度成正比。磁性原子的结构缺陷、磁性杂质的局域矩和磁性原子沉淀相之间的交换是解释铁磁性的常用方法。简单的Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida(RKKY)模型不能用来解释铁磁序48 。化学计量比对Cr离子与空穴间的交换常数（J）有显著影响，而对 Cr掺杂 CdS纳米棒的交换常数（J）影响不大。结果表明，在 Cr掺杂CdS纳米棒的铁磁性中，短程有序（如超交换机制)比长程有序（如RKKY机制）更为重要，由于-I V 族半导体的介电常数较大，通过游动孔的长程有序对缺陷不敏感。为了定量地讨论铁磁性，J风的计算基于简单RKKY模型和平均场理论，因为DMSs中的铁磁有序不仅取决于Cr的浓度，而且还取决于空穴浓度力。居里温度T。可由下列公式得出，T。=S(S+1)ZzJ(i,j)3j式中，S是总自旋量子数，之，是Cr位的最近原子数，并且公式（12）是磁场和空穴之间的交换积分49-51J(i,j)=Jskrasin2k R=2keRucos2keRie-Rg/64E元3(12)式中，k是费米波矢量；是晶格常数；Er是费米能级；Ri是i位置与i位置距离；入是平均自由程,在CdS中费米表面大致呈球形,有效质量m*是1.2 mo。假如把Cr掺杂CdS的能带参数与未CdS的能带参数进行比较，k和E分别表示为（3元p/4）1/3和h/2m*。P可以在室温下从霍尔测量中推断出，J可以根据Cr掺杂CdS纳米棒的实验数据通过化学计量法得到。为了研究铁磁有序的起源，我们研究了Cr掺杂CdS纳米棒(Cr=4.17%,原子分数)磁学和电学性质，但是实验测量与化学计量略有不同。Cr掺杂CdS纳米棒的铁磁源也可能存在这种有色金属工程情况。虽然从XRD图谱上没有观察到铁磁相Cri-aS，如CrS、C r:S,和CrzS3，我们不能完全排除Cri-aS纳米粒子含量低于仪器测量的分辨率的可能性。在Cr1-aS磁序中,金属空位浓度是一个重要参数，如M，和T.52。由于S3d和Cr2p核能级结合能非常接近，很难用光谱将其分解成不同的组分。当Cri-S光谱峰的结合能随向低结合能方向移动时，纳米棒的光谱是相当可重复的53。分析Cr掺杂CdS纳米棒铁磁性来源的理论方法很多,但都不能完确定。3结论通过混合溶剂热法制备了不同Cr掺杂CdS纳米棒，Cr掺杂CdS纳米棒的直径和长度分别为2030 n m 和10 0 350 nm。在居里温度为30 0 K时，未掺杂 CdS纳米棒表现出很弱的铁磁性，而 Cr掺杂 CdS纳米棒表现出铁磁性。Cr掺杂 CdS纳米棒（7.31%，原子分数）的饱和磁化强度M，约为8.798X10-3emu/g,H矫顽力约为137.15Oe。Cr掺杂CdS纳米棒的铁磁性起源与CdS晶格中 Cr的取代有关。参考文献：(11)1康雪，候剑峰，谭喜翰.LiCL-KCL熔盐中电解LaO-NiO制备LaNis合金J.有色金属工程，2 0 2 3，13（4）：1-6.KANGXue，H O U Jia n f e n g，T A NXih a n.Electrochemical preparation of LaNis alloy fromLa2 O;-NiO in LiCl molten saltJJ.Nonferrous 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