BF-PT-BZT三元系高温压电陶瓷的介电压电温度稳定性.pdf

第4 6卷 第1期压 电 与 声 光V o l.4 6 N o.12 0 2 4年2月P I E Z O E L E C T R I C S&A C OU S TOO P T I C SF e b.2 0 2 4 收稿日期:2 0 2 3-0 5-1 6 基金项目:水 声 对 抗 技 术 重 点 实 验 室 开 放 基 金 资 助 项 目(J C KY 2 0 2 0 2 0 7 C H 0 2);上 海 市 自 然 科 学 基 金 原 创 探 索 基 金 资 助 项 目(2 2 Z R 1 4 8 1 1 0 0);青年科学家基金和国家自然科学基金资助项目(1 2 2 0 4 3 0 0,5 1 8 7 2 1 8 0)作者简介:杜嘉诚(1 9 9 7-),男,上海市人,硕士生。通信作者:程晋荣,女,教授。文章编号:1 0 0 4-2 4 7 4(2 0 2 4)0 1-0 0 3 2-0 5D O I:1 0.1 1 9 7 7/j.i s s n.1 0 0 4-2 4 7 4.2 0 2 4.0 1.0 0 7B F-P T-B Z T三元系高温压电陶瓷的介电压电温度稳定性杜嘉诚1,田聪聪1,王永晨1,陈建国1,赵 慧2,王 艳2,程晋荣1(1.上海大学 材料科学与工程学院,上海 2 0 0 4 4 4;2.上海船舶电子设备研究所 水声对抗技术全国重点实验室,上海 2 0 1 1 0 8)摘 要:采 用 传 统 固 相 反 应 法 制 备0.5 4 B i F e O3-0.3 3 P b T i O3-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)O3(B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x),0.4x0.8)三元系压电陶瓷,研究了Z r含量(x)对陶瓷的微观结构以及介电、铁电和压电性能的影响。X线衍射(X R D)结果表明,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系陶瓷为单一钙钛矿结构,当0.4x0.7时,陶瓷相结构为三方-四方相共存;当x=0.8时,陶瓷为三方相结构。扫描电子显微镜(S EM)结果表明,随着Z r含量的增加,陶瓷晶粒尺寸逐渐增加。在2 54 0 0 时,陶瓷的压电常数d3 3的波动小于6%。当x=0.7时,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)具有最优异 的 综合 性能,其介 电常 数r、居里 温 度TC、压 电常 数d3 3分 别为1 1 9 4(1 k H z)、4 3 8 和3 3 0 p C/N,在2 53 0 0 时,陶瓷的电容温度系数和压电常数变化率分别为1 6%和8%。结果表明,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z r0.7T i0.3)陶瓷在高温压电器件中具有较广的应用前景。关键词:B F-P T-B Z T三元系陶瓷;居里温度;介电常数;压电性能;温度稳定性中图分类号:T N 3 8 4;TM 2 2 文献标识码:A D i e l e c t r i c a n d P i e z o e l e c t r i c T e m p e r a t u r e S t a b i l i t y o f B F-P T-B Z T T e r n a r y H i g h T e m p e r a t u r e P i e z o e l e c t r i c C e r a m i c sD U J i a c h e n g1,T I A N C o n g c o n g1,WA N G Y o n g c h e n1,C H E N J i a n g u o1,Z H A O H u i2,WN A G Y a n2,C H E N G J i n r o n g1(1.S c h o o l o f M a t e r i a l s S c i e n c e a n d E n g i n e e r i n g,S h a n g h a i U n i v e r s i t y,S h a n g h a i 2 0 0 4 4 4,C h i n a;2.N a t i o n a l K e y L a b.o f S c i e n c e a n d T e c h n o l o g y o n U n d e r w a t e r A c o u s t i c A n t a g o n i z i n g,S h a n g h a i S h i p E l e c t r o n i c E q u i p m e n t R e s e a r c h I n s t i t u t e,S h a n g h a i 2 0 1 1 0 8,C h i n a)A b s t r a c t:T h e t e r n a r y p i e z o e l e c t r i c c e r a m i c s o f 0.5 4 B i F e O3-0.3 3 P b T i O3-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)O3(B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x),0.4 x 0.8)w e r e p r e p a r e d b y t r a d i t i o n a l s o l i d-s t a t e r e a c t i o n m e t h o d a n d t h e e f f e c t s o f Z r c o n t e n t(x)o n m i c r o s t r u c t u r e,d i e l e c t r i c,f e r r o e l e c t r i c a n d p i e z o e l e c t r i c p r o p e r t i e s o f c e r a m i c s w e r e i n v e s t i g a t e d.X-r a y d i f f r a c t i o n r e s u l t s s h o w t h a t B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)t e r n a r y c e r a m i c s d i s p l a y a s i n g l e p e r o v s k i t e s t r u c-t u r e.W h e n 0.4x0.7,t h e c e r a m i c p h a s e s t r u c t u r e i s t e t r a g o n a l p h a s e a n d r h o m b o h e d r a l p h a s e c o e x i s t.W h e n x=0.8,t h e c e r a m i c h a s a t r i a n g u l a r p h a s e s t r u c t u r e.S c a n n i n g e l e c t r o n m i c r o s c o p y(S EM)i m a g e s s h o w t h a t t h e g r a i n s i z e i n c r e a s e s w i t h t h e i n c r e a s e o f Z r c o n t e n t.T h e f l u c t u a t i o n o f p i e z o e l e c t r i c c o e f f i c i e n t d3 3 o f c e r a m i c s i s l e s s t h a n 6%a t 2 5-4 0 0.Wh e n x=0.7,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)h a s t h e b e s t c o m p r e h e n s i v e p r o p e r t i e s,a n d t h e d i e l e c t r i c c o n s t a n t r,C u r i e t e m p e r a t u r e TC a n d p i e z o e l e c t r i c c o n s t a n t d3 3 o f t h e c e r a m i c s a r e 1 1 9 4(1 k H z),4 3 8 a n d 3 3 0 p C/N,r e s p e c t i v e l y.T h e c a p a c i t a n c e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t a n d t h e c h a n g e r a t e o f p i e z o e-l e c t r i c c o n s t a n t d3 3 a r e 1 6%a n d 8%a t 2 5-3 0 0,r e s p e c t i v e l y.T h e s e r e s u l t s i n d i c a t e t h a t B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z r0.7T i0.3)c e r a m i c s h a v e p r o m i s i n g a p p l i c a t i o n s i n h i g h-t e m p e r a t u r e p i e z o e l e c t r i c d e v i c e s.K e y w o r d s:B F-P T-B Z T t e r n a r y c e r a m i c s;C u r i e t e m p e r a t u r e;d i e l e c t r i c c o n s t a n t;p i e z o e l e c t r i c p r o p e r t i e s;t h e r-m a l s t a b i l i t y 0 引言随着社会科技和世界经济的飞速发展,航空航天、石油勘探、国防军工等重要领域迫切需求高温条件下具有良好 稳定性和 长期使 用 寿 命 的 电 子 器件1-3。具有高压电和介电温度稳定性材料的压电常数变 化 率(d3 3/T)和 电 容 温 度 系 数(r/r 2 5)较低,介电损耗较小,且在高温环境下能保持较好的电介质性能4,这类材料常用于制备传感器、电容器、滤波器和谐振器等电子器件。如飞机、汽车引擎中的压电加速度传感器需要在环境温度6 0 0 下保持良好的压电性能,提高能量转换效率。以B a T i O3、KN a N b O3等铁电材料制备的陶瓷电容器在耦合、滤波和控制电路等方面应用较广5-6,较高的介电温度稳定性可使其介电常数和储能密度在高温环境中保持稳定,提高储能效率。因此,在高温电子器件应用领域中,开发具有高介电、压电温度稳定性的高温压电材料成为热门研究方向。在实际应用中,商用锆钛酸铅(P Z T)压电陶瓷因其优异的综合性能而占主导地位。P Z T的去极化温度低,仅在低于1 5 0 下才能稳定工作7-8。B i S c O3-P b T i O3(B S-P T)的固溶体具有高居里温度TC(4 5 0)和大压电常数d3 3(4 6 0 p C/N),在高温压电器件中具有巨大的潜力9。用于B S-P T固溶体的S c2O3的原材料因成本较高,故在器件中的应用受限。广泛研究的B i F e O3-P b T i O3(B F-P T)固溶体在其准同形相界(MP B)附近具有高TC(6 5 0),有望取代P Z T而被应用于高温电子器件中1 0,但B F-P T的矫顽场强EC较大,难以完全极化,压电性能较差,同时其介电、压电稳定性也需提高。研究表明,通过向B F-P T中引入第三组元(如B a Z r O3和B a T i O3)可提高性能的调控空间,有望获得兼具高压电性能和TC的B F-P T基三元系陶瓷。N i n g等1 1制 备 了(0.8 5-x)B i F e O3-xP b T i O3-0.1 5 B a T i O3三元系压电陶瓷,B T的引入有效地提高了其介电和压电性,其在MP B处的介电常数r=5 4 5,d3 3=2 2 2 p C/N,TC=5 4 6,同 时 在2 53 5 0 的d3 3变化率为6%,展现了良好的压电温度稳定性。锆钛酸钡B a(Z rxT i1-x)是B a Z r O3和B a T i O3的固溶体,x越大,B Z T端部构件的结构稳定性越好,这有利于提高B F-P T-B Z T三元系陶瓷的极化率和压电性能。Z u o等1 2将锆钛比(Z r/T i)为2 5/7 5的B Z T作为第三组元引入B F-P T固溶体中,得到d3 3为4 0 5 p C/N、低于3 5 0 时具有良好压电温度稳定性的三元系陶瓷。当Z r/T i=3 0/7 0时,L i n等1 3制 备 了B F-P T-B Z T三 元 系 陶 瓷,其d3 3=2 2 0 p C/N,TC=4 3 4,同时在2 51 2 5,陶瓷的电容温度系数r/r 2 5=1 8%。迄今为止,有关B F-P T-B Z T三元系陶瓷中B Z T端元不同Z r/T i的报道较少,通过控制晶格中的Z r含量,可调节陶瓷的电学性能和温度稳定性,从而满足不同的应用需求。本文将B Z T作为第三组元引入B F-P T固溶体中形成B F-P T-B Z T三元系陶瓷,同时改变B Z T组元中的Z r含量,研究了不同Z r含量(x)对陶瓷的微观结构以及介电、铁电和压电性能影响,获得了兼具高介电、压电性能和高温度稳定性的压电陶瓷。1 实验采 用 传 统 的 固 相 反 应 法 制 备 了0.5 4 B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三 元 系 陶 瓷,原 料 为B i2O3,F e2O3,P b O,T i O2,B a2O3和Z r O2(纯度9 9.9%),将按照化学计量比称量后的原料放入装有球磨介质(氧化锆小球)的球磨罐中球磨6 h;将球磨后的混合粉体进行过筛并放入氧化铝坩埚中,以7 5 0 煅烧4 h后随炉冷却;将随炉冷却得到的目标样品研磨成粉,再次球磨6 h后重复煅烧和球磨步骤,进行第2次煅烧和第3次球磨,获得颗粒细小、分布均匀的固溶体粉末。采用轴向压制将粉末压成直径1 2.5 mm、厚约1 mm的圆片素坯。将装有素坯的密封氧化铝坩埚在1 0 5 0 烧结2 h,再随炉冷却。最后对样品进行打磨和抛光至0.30.4 mm后镀银。本文 采 用 上 海 大 学 分 析 测 试 中 心D/MA X-2 0 0 0 X线衍射仪测得X线衍射(X R D)图谱,使用C u K射线源,X线的波长为0.1 5 4 0 5 6 n m,扫描范围为1 5 6 0,扫描速度为3()/m i n,扫描模式为2耦合。采用A g i l e n t 4 2 9 4 A精密阻抗分析仪测试陶瓷样品的介电常数和介电损耗,测试模式为C p-D模式,测试小信号振幅为5 0 0 mV,测试频率为1 0 0 H z 1 MH z。测试结果表明,电容和介电损耗均随着频率而变化。采用A g i l e n t 4 9 8 0 A精密L C R测试样品的介电性能。实验采用高温极化的方式将陶瓷样品置于1 2 0 的油浴中,缓慢施加至33 第1期杜嘉诚等:B F-P T-B Z T三元系高温压电陶瓷的介电压电温度稳定性约2倍矫顽场强大小的直流电场后保压2 0 m i n。采用R a d i a n t T e c h n o l o g i e s I n c.公司的 P r e m i e r I I型铁电、压电综合测试分析仪测试样品的铁电性能。采用全球传感器技术的Y E 2 7 0 3 A型准静态测试仪测试样品的d3 3。2 实验结果与讨论图1为B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的X R D图谱。图中,R代表三方相,T代表四方相。由图可以看出,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B ZxT1-x陶瓷呈单一钙钛矿结构,未发现有明显的杂相,B F-P T与第三组元B Z T良好固溶。从衍射峰的放大图谱中可看出,随 着Z r含 量 增 加,在2=2 1 2 3 出 现(1 0 0)R衍射峰并呈逐渐增强趋势,四方相(0 0 1)T和(1 0 0)T峰减弱,表明陶瓷的晶体结构发生了由四方相到三方相的转变。在x0.8时陶瓷具有准同型相界特征,三方相和四方相共存。当x=0.40.7时,陶瓷四方畸变度c/a分别为1.0 4 6、1.0 4 8和1.0 5 1,且 随 着Z r含 量 的 增 加 而 增 加。B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的晶格畸变增大,其原因可能在于离子半径不同,Z r4+(0.0 7 2 n m)的离子半径大于T i4+(0.0 6 1 n m),故在一定程度上随着Z r含量的增多,晶格畸变加剧1 2。图1 B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的X R D图谱图2为B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系陶瓷断面的扫描电子显微镜(S EM)图。由图可看出,陶瓷具有较好的致密度,陶瓷的平均晶粒尺寸为26 m,且随着Z r含量的增加,陶瓷的晶粒尺寸增大。对陶瓷进行烧结时,陶瓷晶粒生长的驱动力主要来自粉料的表面能或晶界能。在升温过程中,晶界能越高,晶界越不稳定。为了释放能量获得稳定的状态,晶界将发生迁移,使晶粒生长。结合图1的结果可知,在x0.8时,陶瓷三方和四方相共存,此时陶瓷具有较多的自发极化方向,晶粒间的位向差较小,晶界能较小,晶界较稳定,迁移率小,晶粒生长的驱动力小,因此,与x=0.8组分相比,x=0.40.7时组分的晶粒尺寸较小。晶体在受外力发生断裂时遵循能量消耗最小原理,断裂面总是沿着原子键结合力最弱的面进行1 4。因此,随着Z r含量的增加,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷晶粒的断裂方式由穿晶断裂变为沿晶断裂。图2 B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的断面S E M图像图3为室温下B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系陶瓷的介电常数r和介电损耗t a n 随频率的变化。由图可看出,随着频率的增加,陶瓷的介电常数下降,低频下陶瓷的介电损耗均小于0.0 3,具有良好的绝缘性。而介电弛豫导致陶瓷介电损耗随着频率的增加而上升。在频率1 k H z下,随着Z r含量增加,介电常数先增大后减小,当x=0.7时,陶瓷的r为1 1 9 4,t a n 为0.0 2 6。引入B Z T作为第三组元的B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系陶瓷具有较低的t a n,其原因可能是引入的Z r4+减少了陶瓷中T i4+到T i3+的电子跃迁,提高了陶瓷的绝缘性1 5。图3 B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的介电频谱43压 电 与 声 光2 0 2 4年 图4为1 06 H z下B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系陶瓷测得的介电温谱图,插图为陶瓷TC随Z r含量的变化。由图可看出,r和t a n 在3 0 0 前保持稳定,表现出较好的介电热稳定性和绝缘性。当x=0.7时,陶瓷表现出最优的介电温度稳定性,其在2 53 0 0,r/r 2 5=1 6%。随着测试温度升高,陶瓷的介电常数先增大后减小,在4 0 0 5 0 0 时出现介电峰。介电峰-峰值对应 的陶瓷温度 为TC,当x=0.4 0.8时,陶瓷的TC分别为4 6 4、4 4 7、4 3 8 和4 2 8。当温度低于3 0 0 时,陶瓷的t a n 值均小于0.0 6。随着温度升高,载流子浓度和载流子活性升高,漏导损耗迅速增加并占据损耗贡献的主要地位,使陶瓷的t a n 迅速升高。随着Z r含量的增加,陶瓷的TC逐渐减小,这可能是由于Z rO的键能比T iO的键能高,所以在相转变过程中无需提供过高的能量1 6。当x=0.7和x=0.8时,陶瓷同时具有较高的峰值介电常数,结合图2的S EM图可知,晶粒尺寸较大的样品单位体积内所包含的晶界数目较少,由于晶界不具有铁电性或铁电性较弱,与晶粒相比,其介电常数较小,所以晶界的减小有利于提高介电性能1 7。图4 B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的介电温谱图5为B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系陶瓷的电滞回线。由图可看出,不同Z r含量的B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系陶瓷具有饱和程度不同的电滞回线,且呈现明显的铁电性,无明显的漏导现象。当Z r含量较低时,陶瓷具有较大的矫顽场强和较小的剩余极化强度,提高Z r含量后,陶瓷的电滞回线逐渐呈现饱和状态,剩余极化强度Pr逐渐增大,而矫顽场强EC逐渐降低,其中x=0.7时,陶瓷具有较高的剩余极化强度(2 9.6 C/c m2)和较小的矫顽场强(2 7.8 k V/c m)。图5 B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的电滞回线图6是 在 不 同Z r含 量 下B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷的d3 3和压电常数温度敏感系数随退火温度的变化曲线,有=(d3 3)T-(d3 3)2 0 0(d3 3)2 0 0 1 0 0%(1)式中(d3 3)T,(d3 3)2 0 0 分别为测量温度T和2 0 0 时的压电常数。图6 不同Z r含量B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷 的d3 3和随退火温度的变化曲线由图6可见,当x=0.7时,陶瓷的d3 3=3 3 0 p C/N,在2 53 0 0 时,d3 3/T=8%。适量Z r含量的增加可能会削弱P b/B i/B aO和F e/T iO的键合作用,降低四方畸变度,从而引起内应力减小,降低对畴翻转的阻碍作用,提升了压电性能。当退火温度小于4 0 0 时,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)53 第1期杜嘉诚等:B F-P T-B Z T三元系高温压电陶瓷的介电压电温度稳定性陶瓷的d3 3值随退火温度变化基本不变,此温度仅比TC约小5 0。同时,在2 54 0 0 时,值的波动保持在6%,表明陶瓷具有较高的退极化温度,这是因为B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)陶瓷具有较大的矫顽场强,电畴结构的温度稳定性高1 1。表1为某些B F-P T基钙钛矿压电陶瓷的介电与压电性能。由表可看出,与已有文献报道的结果相比,本文制备的B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z rxT i1-x)三元系压电陶瓷的综合压电性能和介电性能较优。当x=0.7时,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B Z0.7T0.3陶瓷具有较高的介电常数、压电常数和低损耗,同时仍拥有较高的居里温度,综合性能较优。表1 B F-P T基钙钛矿压电陶瓷的介电和压电性能材料d3 3/(p CN-1)TC/r(1 k H z)t a n(1 k H z)文献B F-0.3 3 P T-0.1 3 B Z 0.7 T 0.33 3 04 3 81 1 9 40.0 2 6本文0.7 B F-0.2 2 P T-0.0 8 B Z T2 96 7 01 7 70.0 31 60.5 9 B F-0.2 6 P T-0.1 5 B Z T4 15 8 22 5 80.0 2 31 70.6 8 B F-0.2 2 P T-0.1 B T1 0 06 0 04 0 20.0 3 81 80.5 9 B F-0.3 3 P T-0.0 8 B Z1 1 75 4 06 4 00.0 21 03 结束语本文采用传统固相反应法制备了B F-0.3 3 P T-0.1 3 B ZxT1-x(0.4x0.8)三元系陶瓷,并研究了Z r含量对其结构和性能的影响。当0.4x 0.7,陶瓷处于MP B区域中,呈三方-四方相共存;x=0.8时,陶瓷呈三方相。陶瓷的平均晶粒尺寸为26 m,且随着Z r含量的增加而增大。陶瓷晶粒尺寸的增大使内部晶界对介电常数的影响减小,提高了介电常数。在2 54 0 0 时,陶瓷的压电常数d3 3的温度敏感系数波动保持在6%。当x=0.7时,陶瓷的介电常数r、居里温度TC、d3 3分别为1 1 9 4(1 k H z)、4 3 8 和3 3 0 p C/N。在2 53 0 0 时,其电容温度系数和压电常数变化率分别为1 6%和8%,保持了优异的介电、压电温度稳定性,同时展现了最优的综合性能。结果表明,B F-0.3 3 P T-0.1 3 B a(Z r0.7T i0.3)陶瓷在高温电容器等高温压电器件中具有广阔的应用前景。参考文献:1 CHE N J,L I U G,CHE NG J,e t a l.A c t u a t i o n p e r-f o r m a n c e a n d h e a t g e n e r a t i o n o f s h e a r-b e n d i n g a c t u a-t o r b a s e d o n B i S c O3-P b T i O3 c e r a m i c s f r o m 2 5 t o 3 0 0 J.A p p l P h y s L e t t,2 0 1 5,1 0 7(3):0 3 2 9 0 6.2 Z HAN G S,YU F.P i e z o e l e c t r i c m a t e r i a l s f o r h i g h t e m-p e r a t u r e s e n s o r sJ.J Am C e r a m S o c,2 0 1 1,9 4(1 0):3 1 5 3-1 7 0.3 R O D I G T,S CHON E C K E R A,G E R L A CH G.A s u r-v e y o n p i e z o e l e c t r i c c e r a m i c s f o r g e n e r a t o r a p p l i c a t i o n sJ.J Am C e r a m S o c,2 0 1 0,9 3(4):9 0 1-9 1 2.4 CHE N J G,WU E,L U Y,e t a l.H i g h t e m p e r a t u r e p i e-z o e l e c t r i c a c c e l e r o m e t e r f a b r i c a t e d b y 0.7 5 B i F e O3-0.2 5 B a T i O3 c e r a m i c s w i t h o p e r a t i n g t e m p e r a t u r e o v e r 4 5 0 J.A p p l P h y s L e t t,2 0 2 2,1 2 1(2 3):2 3 2 9 0 2.5 E L AH I H,MUN I R K,E UG E N I M,e t a l.A r e v i e w o n a p p l i c a t i o n s o f p i e z o e l e c t r i c m a t e r i a l s i n a e r o s p a c e i n-d u s t r yJ.I n t e g r F e r r o e l e c t r,2 0 2 0,2 2 1(1):2 5-4 4.6 J I A W X,HOU Y D,Z HE N G M P,e t a l.A d v a n c e s i n l e a d-f r e e h i g h-t e m p e r a t u r e d i e l e c t r i c m a t e r i a l s f o r c e r a m i c c a p a c i t o r a p p l i c a t i o nJ.I E T N a n o d i e l e c t r i c s,2 0 1 8,1(1):3-1 6.7 HA E R T L I N G G H.F e r r o e l e c t r i c c e r a m i c:h i s t o r y a n d t e c h n o l o g yJ.J Am C e r a m S o c,1 9 9 9,8 2(4):7 9 7-8 1 8.8 E B E N E Z E R D D.C h a r a c t e r i s a t i o n o f p i e z o e l e c t r i c c e-r a m i c s J.D e f e n c e S c i J,2 0 0 7,5 7(1):6 9-7 7.9 MA L I K R A,HU S S A I N A,MAQ B O L L A,e t a l.G i a n t s t r a i n,t h e r m a l l y-s t a b l e h i g h e n e r g y s t o r a g e p r o p e r t i e s a n d s t r u c t u r a l e v o l u t i o n o f B i-b a s e d l e a d-f r e e p i e z o c e r a m i c sJ.J A l l o y C o m p d,2 0 1 6,6 8 2:3 0 2-3 1 0.1 0L I Q,D ON G Y,CHE NG J,e t a l.E n h a n c e d d i e l e c-t r i c a n d p i e z o e l e c t r i c p r o p e r t i e s i n B a Z r O3 m o d i f i e d B i F e O3-P b T i O3 h i g h t e m p e r a t u r e c e r a m i c sJ.J M a-t e r S c i:M a t e r E l e c t r o n,2 0 1 6,2 7(7):7 1 0 0-7 1 0 4.1 1N I NG Z,J I AN G Y,J I AN J,e t a l.A c h i e v i n g b o t h l a r g e p i e z o e l e c t r i c c o n s t a n t a n d h i g h C u r i e t e m p e r a t u r e i n B i F e O3-P b T i O3-B a T i O3 s o l i d s o l u t i o nJ.J E u r C e-r a m S o c,2 0 2 0,4 0(6):2 3 3 8-2 3 4 4.1 2Z UO R Z,Q I H,X I E A W,e t a l.A n o m a l o u s l y l a r g e l a t t i c e s t r a i n c o n t r i b u t i o n s f r o m r h o m b o h e d r a l p h a s e s i n B i F e O3-b a s e d h i g h-t e m p e r a t u r e p i e z o c e r a m i c s e s t i-m a t e d b y m e a n s o f i n-s i t u s y n c h r o t r o n X-r a y d i f f r a c-t i o nJ.J E u r C e r a m S o c,2 0 1 8,3 8(1 4):4 6 5 3-4 6 5 8.(下转第4 1页)63压 电 与 声 光2 0 2 4年 s i t i o nJ.J o u r n a l o f A l l o y s a n d C o m p o u n d s,2 0 1 2,5 3 7:2 8 0-2 8 5.6 迟文潮,周学凡,邹金住,等.铌酸钾钠基无铅压电陶瓷烧结及极 化 工 艺 优 化 J.压 电 与 声 光,2 0 2 2,4 4(4):5 1 6-5 2 0.CH I W e n c h a o,Z HOU X u e f a n,Z OU J i n z h u,e t a l.O p t i m i z a t i o n o f s i n t e r i n g a n d p o l a r i z a t i o n p r o c e s s o f p o t a s s i u m s o d i u m n i o b a t e-b a s e d l e a d-f r e e p i e z o e l e c-t r i c c e r a m i c sJ.P i e z o e l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 2 2,4 4(4):5 1 6-5 2 0.7 刘 珩,周 桃生,姜 丹,等.预烧 温度 对0.3 6 3 B i S c O3-0.6 3 7 P b T i O3高温压电陶瓷性能的影响J.压电与声光,2 0 1 1,3 3(1):1 2 6-1 2 9.L I U H e n g,Z HOU T a o s h e n g,J I AN G D a n,e t a l.E f f e c t o f t h e c a l c i n a t i o n t e m p e r a t u r e o n p r o p e r t i e s o f h i g h t e m p e r a t u r e 0.3 6 3 B i S c O3-0.6 3 7 P b T i O3 p i e z o e-l e c t r i c c e r a m i c sJ.P i e z o e l e c t r i c s&A c o u s t o o p t i c s,2 0 1 1,3 3(1):1 2 6-1 2 9.8 Z HAN G S h u j u n,E I T E I R E,R AN D A L L C A,e t a l.M a n g a n e s e-m o d i f i e d B i S c O3-P b T i O3 p i e z o e l e c t r i c c e-r a m i c f o r h i g h-t e m p e r a t u r e s h e a r m o d e s e n s o rJ.A p-p l i e d P h y s i c s L e t t e r s,2 0 0 5,8 6(2 6):2 6 2 9 0 4.9 CHE N J i n g u o,HU Z h