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PI段工艺介绍演示幻灯片.ppt

上传人:精*** 文档编号:3255678 上传时间:2024-06-27 格式:PPT 页数:27 大小:6.68MB
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资源描述

1、u制程目的与材料演进制程目的与材料演进uLayout设计与设备简介设计与设备简介u常见常见DefectuBenchmarkPI LinePI Line制程简介制程简介制程简介制程简介目目 录录1/101.PI扮演的角色扮演的角色CELL的构造:的构造:配向膜:供给液晶分子的排配向膜:供给液晶分子的排列媒介列媒介(预倾角预倾角)制程目的:在玻璃基板(TFT、CF)上均勻塗佈上一層薄膜,並且升溫把其溶劑揮發,其塗佈區域/範圍依照產品設計而定;薄膜厚度依據所選定的PI材料&吐出量而有不同。經預烤後會呈金黃色(依不同膜厚而有不同之顏色)。制程要求:均勻將制程要求:均勻將PIPI液涂布至基板表面,符合製

2、程要求之膜厚均勻性、液涂布至基板表面,符合製程要求之膜厚均勻性、可靠度可靠度(RA)RA)及降低各種及降低各種defect(muradefect(mura、pinhole)pinhole)的產生的產生。2/10如果沒有配向膜會怎樣?如果沒有配向膜會怎樣?液晶在沒有配向膜的基板上呈散亂狀的排列液晶在沒有配向膜的基板上呈散亂狀的排列無法控制光的無法控制光的方向方向無法製造我們想要的影像無法製造我們想要的影像無法控制電壓施加時液晶無法控制電壓施加時液晶Tilt的方向的方向(reverse tilt)影像品質不佳影像品質不佳特性:具有良好的绝缘,特性:具有良好的绝缘,化性稳定,耐热佳化性稳定,耐热佳直

3、接用直接用 ITO来配向可以吗来配向可以吗?3/102.PI是甚么是甚么 Polyimide:學名為學名為 聚醯亞胺聚醯亞胺,簡稱,簡稱PI,屬於高分子聚合物,屬於高分子聚合物,PI是由二胺與二酸酐單體反應是由二胺與二酸酐單體反應合成的材料,價格高,屬於價格較高的工程塑膠。合成的材料,價格高,屬於價格較高的工程塑膠。3.PI的一般聚合反應的一般聚合反應R1R24/104.PI為何可以發展用來配向?為何可以發展用來配向?可耐高溫可耐高溫250500度不分解度不分解 耐磨耗耐磨耗(配向性佳配向性佳)線膨脹係數小,尺寸安定線膨脹係數小,尺寸安定 耐輻射耐輻射 良好電气絕緣良好電气絕緣 抗化學藥品抗化

4、學藥品 與基板接著性佳與基板接著性佳 膜強度適當膜強度適當 化學稳定性高化學稳定性高 低雜質低雜質 光學特性佳光學特性佳高高VHR(电压保持率电压保持率):無殘影無殘影5/105.PI的种类的种类 PI 類別類別PAA type:PI液中之溶質為液中之溶質為PAA(Polyamine acid)(S)PI type:PI液中之溶質為液中之溶質為PI(Polyimide)PAAOOHOCCONCHHnOCOHR1NR2OOCCONCNnOCR1R2(S)PI每家材料开发商各擅胜场,每家材料开发商各擅胜场,但也各有缺点但也各有缺点開發開發PI的生产过程通常先生成可以溶解的状态,随后进一步加热去除溶

5、剂而环化成交联的不可溶固体的生产过程通常先生成可以溶解的状态,随后进一步加热去除溶剂而环化成交联的不可溶固体6/106.PI種類的比較種類的比較為何鱼与熊掌不可兼得?為何鱼与熊掌不可兼得?Hybrid Type问世问世!7/107.PI溶剂的作用溶剂的作用MMP-BLSolvent的作用的作用提升提升PI的的溶解性溶解性与与可印刷性可印刷性8/108.PI环化反应环化反应180 230C+H2OHeatOOOCCOH2NCNH2OCO+tetra-Carboxylic Aciddi-Anhydridedi-Aminein solventImidization reaction:R1R2OOHO

6、CCONCHHnOCOHR1NR2PAAOOHOCCONCHHnOCOHR1NR2OOCCONCNnOCR1R2PIPAA脱水脱水热为催化剂热为催化剂液晶排列的稳定性液晶排列的稳定性 或或 预倾角度预倾角度 都与都与 PI heat curing的温度与时间有关的温度与时间有关9/10Imide 轉化率轉化率(Imidization Ratio)X硬化膜硬化膜 A(X)=H1380(X)/H1510(X)Imide化化100%膜膜 A(100%)=H1380(100%)/H1510(100%)Imidization Ratio=100 X A(X)/A(100%)8.PI环化反应环化反应-转化

7、率量测转化率量测10/109.PI含水含水(吸湿吸湿)过多会怎么样?过多会怎么样?含水量的影響:含水量的影響:H2OOOCCONCNnOCR1R2PIOOHOCCONCHHnOCOHR1NR2PAA较高的含水量将导致较高的杂质析出沈淀较高的含水量将导致较高的杂质析出沈淀(环化断联环化断联),降低可靠度,降低可靠度逆反应逆反应11/1010.PI使用的限制使用的限制1.PI液放入冰箱冷卻液放入冰箱冷卻,需待需待12小時後方可取出。小時後方可取出。2.PI液由冰箱取出退冰後須等待液由冰箱取出退冰後須等待8小時以上小時以上,方可使用。方可使用。3.PI液由冰箱取出超過液由冰箱取出超過24小時須回冰小

8、時須回冰.如要再拿出使用如要再拿出使用,PI回冰需滿回冰需滿12小時。小時。4.不同時間點退冰之不同時間點退冰之PI液液,不可混在同一瓶中。不可混在同一瓶中。12/1012.Before PI Cleaner(WET)以毛刷以毛刷(混合洗剂混合洗剂)-高压水柱高压水柱-二流体二流体-风刀的配置进行湿洗制程风刀的配置进行湿洗制程洗净前洗净前AP表面改质提高亲水性表面改质提高亲水性,提升洗净能力提升洗净能力13/1014.AP Plasma涂布前采用涂布前采用AP改质改质改善墨滴低下时表面张力安定化改善墨滴低下时表面张力安定化14/1015.Excimer UV短波长的短波长的UV会切断有机物的结

9、合,分解为水与二氧化碳被挥发,达到去除有机浮游的效果会切断有机物的结合,分解为水与二氧化碳被挥发,达到去除有机浮游的效果15/1018.PI Prebake Oven目的目的:預烤預烤(去除去除solvent)及使及使PI膜平整化膜平整化將溶劑將溶劑(-BL&NMP)揮發掉揮發掉(約約80%)溫度控制(升溫曲線):溫度控制(升溫曲線):在預烤段時,玻璃基板溫度由室溫慢慢上升,在預烤段時,玻璃基板溫度由室溫慢慢上升,在溫度上升過程中在溫度上升過程中PIPI內的溶劑會慢慢揮發。內的溶劑會慢慢揮發。若升溫條件太快,若升溫條件太快,PIPI內的溶劑揮發速度太快,內的溶劑揮發速度太快,容易在容易在PIP

10、I膜表面留下氣泡狀痕跡,造成品質不良;膜表面留下氣泡狀痕跡,造成品質不良;若升溫條件太慢,溶劑尚未揮發完全就被送入檢查裝置內,若升溫條件太慢,溶劑尚未揮發完全就被送入檢查裝置內,容易造成檢查機的誤判。容易造成檢查機的誤判。16/1019.PI InspectionCCD接受到光子後接受到光子後,利用光電效應的原理轉換成電子,再經由電容儲存電子後利用光電效應的原理轉換成電子,再經由電容儲存電子後的電壓改變量,轉換成電子訊號的電壓改變量,轉換成電子訊號利用利用CCD擷取影像後,以週期性比對方式找出擷取影像後,以週期性比對方式找出Defect17/10 是否為原材比對異物面積原材,無報廢規則後流面積

11、明顯偏大NG,RW原材,依報廢規格判定無核有核或異物比對規格,OK 或 NG 1.前廠缺陷後流(未達報廢標準)2.報廢(達報廢判定規格)20.PI Macro Review FPII將檢出的Defect資料(座標、大小)傳送給Macro,人員可Review Defect,進而判斷基板是否需要進行Rework重工18/1021.常见常见DefectBum/Spot主要由異物造成之defect膜下膜下前廠前廠膜上膜上19/10PI Fail(无核不沾 或 微小但较高之Particle)膜厚不均、前廠修復失敗或小異物之不沾20/10刺傷玻璃被尖锐異物刺穿,最常發生於TFT,可能和高溫製程有關,使玻璃

12、較脆而易損壞。21/10刮傷一般而言,造成刮傷之主因為玻璃行經路線上方之物體摩擦造成。22/10MURASuji muraEdge muraPin mura23/1022.PI Postbake Oven利用利用IR爐內高溫爐內高溫(Max.250度度)將將PI膜固烤环化膜固烤环化24/10 物質傳導(物質傳導(ConductionConduction)-Hot Plate-Hot Plate 空氣對流(空氣對流(ConvectionConvection)-熱風循環熱風循環 能量輻射(能量輻射(RadiationRadiation)-IR-IR 一般而言,傳導及對流之溫度傳遞方式皆須有媒介物(

13、如固體、液體一般而言,傳導及對流之溫度傳遞方式皆須有媒介物(如固體、液體或氣體),然而以傳導及對流方式傳遞熱量其過程中大部分之熱量未或氣體),然而以傳導及對流方式傳遞熱量其過程中大部分之熱量未有效利用。而輻射方式可不需經媒介物直接將熱量傳至目標物,相對有效利用。而輻射方式可不需經媒介物直接將熱量傳至目標物,相對而言有較高之熱傳效率。而言有較高之熱傳效率。22.PI Postbake OvenIR加熱加熱熱風循環熱風循環Hot Plate加熱加熱25/10熱風熱風加熱方式熱風加熱方式IRIR加加加加熱方式熱方式熱方式熱方式銅銅箔箔Polyimide塗塗膜膜僅僅塗膜表面塗膜表面有有熱熱量傳量傳達達

14、銅銅箔箔Polyimide塗塗膜膜塗膜内外部塗膜内外部皆皆同時加熱同時加熱22.PI Postbake Oven26/10加熱方式加熱方式遠紅外線加熱遠紅外線加熱熱風循環加熱熱風循環加熱熱板加熱熱板加熱分類分類幅射加熱幅射加熱對流加熱對流加熱傳導加熱傳導加熱內容內容熱能以電磁波直接傳送熱能以電磁波直接傳送不需經介質不需經介質熱能需由氣體流通傳送熱能需由氣體流通傳送熱能透過介質直接傳送熱能透過介質直接傳送特點特點加熱能量損失少,照射開始即加加熱能量損失少,照射開始即加熱開始;遮斷瞬間即加熱停止熱開始;遮斷瞬間即加熱停止加熱前後能量損失少且均一加熱加熱前後能量損失少且均一加熱熱能流動制御容易熱能流動制御容易熱量分佈面積大熱量分佈面積大固體內部傳熱固體內部傳熱均一加熱均一加熱加熱速度快加熱速度快缺點缺點形狀不規則形狀不規則IR加熱不均加熱不均爐內爐內Particle飛散飛散潔淨度問題大潔淨度問題大靜電問題大靜電問題大溫度分佈較差溫度分佈較差剝離靜電問題剝離靜電問題接觸面與非接觸面溫差大接觸面與非接觸面溫差大降溫與昇溫加熱較不易降溫與昇溫加熱較不易22.PI Postbake Oven 考虑到考虑到PI材料加热环化的均匀性,材料加热环化的均匀性,IR炉成本虽较高,仍选择之炉成本虽较高,仍选择之

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