《变频器原理与应用》期末测试一.doc

《变频技术原理与应用》期末测试一

题 号
一
二
三
四
五
六
总 分
得 分

评 卷 人
得 分
一、是非题。（正确的在括号内画√，错的画×，每题1分，共10分）

1. 从工作原理上讲，变频技术就是把工频交流电变成相同频率的交流电。（ ）
2. 交流—交流变频技术适应于低转速大容量的电动机负载。（ ）
3. 晶闸管主要用于电压控制型开关器件，通过控制晶闸管触发脉冲的触发角，实现小电流控制大功率的变换。（ ）
4. 不可控器件不能用控制信号来控制其通断。（ ）
5. 晶体管的特性是在低发射极电流下电流放大系数α很大，而当发射极电流建立起来之后，α迅速减小。（ ）
6. 当晶闸管加反向阳极电压时，晶闸管不会导通。（ ）
7. 功率MOSFET是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的大小，从而控制漏极电流的大小。（ ）
8. MCT是采用集成电路工艺制成的。（ ）
9. 为使晶闸管可靠触发，触发电路提供的触发电压和触发电流等于晶闸管产品参数提供的门极触发电压与触发电流值。（ ）
10. 变频器的过负载率用于变频器过负载保护，不适用于电动机过负载保护。（ ）

评 卷 人
得 分
二、名词解释。（每题2分，共10分）

1. 变频器多段速度控制功能

2. 维持电流IH

3. 通态电流临界上升率di/dt
4. 功率集成电路

5. 基本频率fb（简称基频）

评 卷 人
得 分
三、填空题。（每题1分，共10分）

1. 常见的大功率晶闸管，其外形有 两种封装。
2. 晶闸管具有 个PN结。
3. 晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管 之间的关系曲线。
4. 晶闸管在使用时，为保证可靠、安全地触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在 。
5. 当晶闸管散热条件不满足规定要求时，则元件的额定电流应立即 使用，否则元件会由于结温超过允许值而损坏。
6. 功率晶体管有 两种结构。
7. GTR是一种双极型半导体器件，即其内部电流由 两种载流子形成。
8.功率MOSFET是利用 的大小来改变半导体表面感生电荷的大小，从而控制漏极电流的大小。
9. 变频技术的核心部分就是 。
10. 为适应变频调速的需要，变频电源必须在变频的同时实现 。

评 卷 人
得 分
四、简答题。（每题5分，共20分）

1. 如何抑制晶闸管的正向电压上升率du/dt？

2. 交—交变频电路如何改变其输出电压和频率？其最高输出频率受什么限制？

3. 简述变频器选择的原则。

4. 简述变频器与计算机网络系统的组成。

评 卷 人
得 分
五、绘图题。（共20分）

1. 绘制电压型变频器框图。（本题10分）

2. 绘制施耐德Altivar31型变频器菜单Set的设置流程框图

评 卷 人
得 分
六、论述题。（本题15分）

1. 变频器驱动负载时，如何合理设定加速时间和减速时间？
2. 论述逆变功率模块损坏的判断方法。

2