数字逻辑电路教案省公共课一等奖全国赛课获奖课件.pptx

2-1 经典经典TTL与非门工作原理与非门工作原理2-2 其它类型其它类型TTL门电路门电路2-3 ECL集成逻辑门集成逻辑门2-4 I2L集成逻辑门集成逻辑门2-5 MOS集成逻辑门集成逻辑门2-6 接口问题接口问题小结小结内容概述内容概述第1页TTL与非门与非门TTL与非门工作原理与非门工作原理TTL与非门工作速度与非门工作速度TTL与非门外特征及主要参数与非门外特征及主要参数第2页三态逻辑门（三态逻辑门（TSL）集电极开路集电极开路TTL“TTL“与非与非”门（门（OCOC门）门）第3页ECL“ECL“或或/或非或非”门电路门电路ECLECL门主要优缺点门主要优缺点第4页I I2 2 L L基本单元电路基本单元电路I I2 2 L L门电路门电路I I2 2 L L主要优缺点主要优缺点第5页NMOSNMOS反相器反相器NMOSNMOS门电路门电路CMOSCMOS门电路门电路第6页TTLTTL与与CMOSCMOS接口接口CMOS CMOS 与与TTLTTL接口接口第7页内容概述内容概述集集成成逻逻辑辑门门双极型集成逻辑门双极型集成逻辑门MOS集成逻辑门集成逻辑门按器件类型分按器件类型分PMOSNMOSCMOS按集成度分按集成度分SSI（100以下以下个等效门）个等效门）MSI（10103 3个等效门）个等效门）LSI（10104 4个等效门）个等效门）VLSI（10104 4个以上等效门）个以上等效门）本章内容本章内容基本逻辑门基本结构、工作原理以及外部特征基本逻辑门基本结构、工作原理以及外部特征TTL、ECLI2L、HTL第8页TTLTTL与非门电路与非门电路输输入入级级由由多多发发射射极极晶晶体体管管T1和和基基极极电电组组R1组组成成，它它实实现现了了输输入入变变量量A、B、C与运算与运算输出级：由输出级：由T3、T4、T5和和R4、R5组成组成其中其中T3、T4组成复合管，与组成复合管，与T5组成推组成推拉式输出结构。含有较强负载能力拉式输出结构。含有较强负载能力返回返回中间级是放大级，由中间级是放大级，由T2、R2和和R3组成，组成，T2集电极集电极C2和发和发射极射极E2能够分提供两个相位能够分提供两个相位相反电压信号相反电压信号第9页TTLTTL与非门工作原理与非门工作原理 输输入入端端最最少少有有一一个个接低电平接低电平0.3V3.6V3.6V1V3.6VT T1 1管管:A:A端端发发射射结结导导通通，V Vb1b1 =V VA A +V Vbe1be1 =1V1V，其其它它发发射射结结均均因因反反偏偏而截止而截止.5-0.7-0.7=3.6VV Vb1b1 =1V,=1V,所所以以T T2 2、T T5 5截止截止,V,VC2C2Vcc=5V,Vcc=5V,T T3 3：微饱和状态。微饱和状态。T T4 4：放大状态。放大状态。电路输出高电平为：电路输出高电平为：5V返回返回第10页 输入端全为高电平输入端全为高电平3.6V3.6V2.1V0.3VT T1 1:V:Vb1b1=V Vbc1bc1+V+Vbe2be2+V+Vbe5 be5=0.7V3=2.1V=0.7V3=2.1V所所以以输输出出为为逻逻辑辑低低电电平平V VOLOL=0.3V=0.3V3.6V发射结反偏而集电发射结反偏而集电极正正偏偏.处于倒置放大状态处于倒置放大状态T T2 2：饱和状态：饱和状态T T3 3：V Vc2c2 =V Vces2ces2 +V Vbe5be51V1V，使使T T3 3导导通通，V Ve3e3 =V Vc2c2-V-Vbe3be3 =1-1-0.70.3V0.70.3V，使，使T T4 4截止截止。T T5 5：深饱和状态，：深饱和状态，返回返回TTLTTL与非门工作原理与非门工作原理第11页返回返回 输输入入端端全全为为高高电电平平，输出为低电平输出为低电平 输输入入最最少少有有一一个个为为低低电电平平时时，输输出出为为高高电平电平由由此此可可见见电电路路输输出出和和输输入入之之间间满满足足与与非逻辑关系非逻辑关系T T1 1：倒置放大状态倒置放大状态T T2 2：饱和状态：饱和状态T T3 3：导通状态：导通状态T T4 4：截止状态：截止状态T T5 5：深饱和状态：深饱和状态T T2 2：截止状态：截止状态T T3 3：微饱和状态：微饱和状态T T4 4：放大状态：放大状态T T5 5：截止状态：截止状态TTLTTL与非门工作原理与非门工作原理第12页TTLTTL与非门工作速度与非门工作速度存存在在问问题题：TTL门门电电路路工工作作速速度度相相对对于于MOSMOS较较快快，但但因因为为当当输输出出为为低低电电平平时时T T5 5工工作作在在深深度度饱饱和和状状态态，当当输输出出由由低低转转为为高高电电平平，因因为为在在基基区区和和集集电电区区有有存存放放电电荷荷不不能能马上消散，而影响工作速度马上消散，而影响工作速度。改进型改进型TTLTTL与非门与非门 可可能能工工作作在在饱饱和和状状态态下下晶晶体体管管T1、T2、T3、T5都都用用带带有有肖肖特特基基 势势 垒垒 二二 极极 管管（SBD）三三极极管管代代替替，以以限限制制其其饱饱和和深深度度，提升工作速度提升工作速度返回返回第13页返回返回改进型改进型TTLTTL与非门与非门 增加增加有源泄放电路有源泄放电路1、提升工作速度、提升工作速度由由T6、R6和和R3组成组成有源泄放电路来代有源泄放电路来代替替T2射极电阻射极电阻R3降低了电路开启时间降低了电路开启时间缩短了电路关闭时间缩短了电路关闭时间2、提升抗干扰能力提升抗干扰能力T2、T5同同时时导导通通，所所以以电电压压传传输输特特征征曲曲线线过过渡渡区区变变窄窄，曲曲线线变变陡陡，输输入入低低电电平平噪噪声声容容限限VNL提提升升了了0.7V左左右右第14页TTL“TTL“与非与非”门外特征及主要参数门外特征及主要参数 电压传输特征电压传输特征TTL“TTL“与与非非”门门输输入入电电压压V VI I与与输输出出电电压压V VO O之之间间关关系系曲曲线线，即即 V VO O=f=f（V VI I）截截 止止 区区 当当 V VI I0.6V0.6V，V Vb1b11.3V1.3V时时，T T2 2、T T5 5截截止止，输出高电平输出高电平V VOH OH=3.6V=3.6V线线 性性 区区 当当 0.6VV0.6VVI I1.3V1.3V，0.7VV0.7VV b2b21.4V1.4V时时，T T2 2导导通通，T T5 5仍仍截截止止，V VC2C2随随V Vb2b2升升高高而而下下降降，经经T T3 3、T T4 4两两级级射随器使射随器使V VO O下降下降转折区转折区饱和区饱和区返回返回第15页VoffVSHVonVSLTTL“TTL“与非与非”门外特门外特征及主要参数征及主要参数 抗干扰能力抗干扰能力关门电平关门电平V OFF：确保输出为标准高电平确保输出为标准高电平VSH最大最大输入输入低低电平值电平值开门电平开门电平V ON：确保输出为标准低电平确保输出为标准低电平VSL最小最小输入高电平值输入高电平值低电平噪声容限低电平噪声容限V NL：V NL=V OFF -VSL高电平噪声容限高电平噪声容限V NH：V NH=V SH -VON第16页 输入特征输入特征输入电流与输入电压之间关系曲线，即输入电流与输入电压之间关系曲线，即II=f（VI）假假定定输输入入电电流流II流流入入T1发发射射极极时时方方向向为正，反之为负为正，反之为负1.1.输入短路电流输入短路电流ISD（也叫输入低电平电流（也叫输入低电平电流IIL）当当VIL=0V时由输入端流出电流时由输入端流出电流前级驱动门导通时，前级驱动门导通时，IIL将灌将灌入前级门，称为灌电流负载入前级门，称为灌电流负载2.2.输入漏电流输入漏电流IIH（输入高电平电流）（输入高电平电流）指指一一个个输输入入端端接接高高电电平平，其其余余输输入入端端接接低低电电平平，经经该该输输入端流入电流。约入端流入电流。约10AA左右左右返回返回第17页 扇入系数扇入系数N Ni i和扇出系数和扇出系数N NO O1.1.扇入系数扇入系数N Ni i是指合格输入端个数是指合格输入端个数2.2.扇出系数扇出系数N NO O是指在灌电流（输出低电平）状态是指在灌电流（输出低电平）状态下驱动同类门个数。下驱动同类门个数。其其中中I IOLmaxOLmax为为最最大大允允许许灌灌电电流流，,I,IILIL是是一一个个负负载载门门灌灌入入本本级级电电流流（1.4mA1.4mA）。NoNo越越大大，说说明明门负载能力越强门负载能力越强返回返回第18页 平均传输延迟时间平均传输延迟时间t tpdpd导导通通延延迟迟时时间间t tPHPH：L L输输入入波波形形上上升升沿沿50%50%幅幅值值处处到到输输出波形下降沿出波形下降沿50%50%幅值处所需要时间，幅值处所需要时间，截截止止延延迟迟时时间间t tPLHPLH：从从输输入入波波形形下下降降沿沿50%50%幅幅值值处处到到输输出出波波形形上上升升沿沿50%50%幅值处所需要时间，幅值处所需要时间，平均传输延迟时间平均传输延迟时间t tpdpd：通通常常t tPLHPLHt tPHLPHL，t tpdpd越越小小，电路开关速度越高。电路开关速度越高。普通普通t tpdpd=10ns=10ns40ns40ns输入信号输入信号VI输出信号输出信号V0返回返回第19页三态逻辑门（三态逻辑门（TSL）集电极开路集电极开路TTL“TTL“与非与非”门（门（OCOC门）门）第20页10该该与与非非门门输输出出高高电平，电平，T5截止截止该该与与非非门门输输出出低低电平，电平，T5导通导通 TTL门输出端并联问题门输出端并联问题当当 将将 两两 个个 TTL“TTL“与与非非”门门输输出出端端直接并联时：直接并联时：V VccccRR5 5门门1T1T4 4门门2T2T5 5产生一个很产生一个很大电流大电流产生一个大电流产生一个大电流1 1、抬抬高高门门2 2输输出出低电平低电平2 2、会会因因功功耗耗过过大大损坏门器件损坏门器件注：注：TTLTTL输出端输出端不能直接并联不能直接并联返回返回第21页TTL与非门电路与非门电路 OCOC门结构门结构RLVC集电极开路与非门（集电极开路与非门（OC门）门）当当输输入入端端全全为为高高电电平平时时，T2、T5导导通通，输出输出F为低电平；为低电平；输输入入端端有有一一个个为为低低电电平平时时，T2、T5截截止止，输输出出F高高电电平平靠靠近近电电源源电电压压VC。OC门完成门完成“与非与非”逻辑功效逻辑功效逻辑符号：逻辑符号：输出逻辑电平：输出逻辑电平：低电平低电平0.3V高电平为高电平为VC（5-30V）ABF 返回返回第22页 OC门实现门实现“线与线与”逻辑逻辑FRLVC相当于相当于“与门与门”逻辑等效符号逻辑等效符号 负载电阻负载电阻RL选择选择（自自看看作作考考试内容）试内容）返回返回第23页 OC门应用门应用-电平转换器电平转换器OC门门需需外外接接电电阻阻，所所以以电电源源VC能能够够选选5V30V，所所以以OC门门作作为为TTL电电路路能能够够和和其其它它不不一一样样类类型型不不一一样样电电平平逻辑电路进行连接逻辑电路进行连接TTL电电路路驱驱动动CMOS电路图电路图CMOS电电路路VDD=5V18V，尤尤其其是是VDD VCC时时，必必须须选选取取集集电电极极开开路路（OC门）门）TTL电路电路CMOS电电源源电电压压VDD =5V时时，普普通通TTL门门能能够够直接驱动直接驱动CMOS门门返回返回第24页三态逻辑门三态逻辑门（TSLTSL）三态门三态门工作原理工作原理除除含含有有TTL“与与非非”门门输输出出高高、低低电电平平状状态态外外，还还有有第第三三种种输输出出状状态态 高阻状态高阻状态，又称，又称禁止态或失效态禁止态或失效态非门，是三态门非门，是三态门状态控制部分状态控制部分E使能端使能端六管六管TTL与非门与非门增加部分增加部分当当 E=0时时，T4输输出出高高电电平平VC=1，D2截截止止，此此时时后后面面电路执行正常与非功效电路执行正常与非功效F=AB101V1V输出输出F端处于高阻状态记为端处于高阻状态记为ZT6、T7、T9、T10均截止均截止Z当当 E=1时，时，返回返回第25页使使能能端端两两种种控控制制方方式式低电平使能低电平使能高电平使能高电平使能三态门逻辑符号三态门逻辑符号ABF EFAB E返回返回第26页 三态门应用三态门应用1.三态门广泛用于数据总线结构三态门广泛用于数据总线结构任何时刻只能有一个任何时刻只能有一个控制端有效，即只有控制端有效，即只有一个门处于数据传输，一个门处于数据传输，其它门处于禁止状态其它门处于禁止状态2.双向传输双向传输当当E=0时时，门门1工工作作，门门2禁禁止止，数数据据从从A送到送到B；E=1时时，门门1禁禁止止，门门2工工作作，数数据据从从B送到送到A。返回返回三态逻辑门三态逻辑门（TSLTSL）总线总线第27页ECL“ECL“或或/或非或非”门电门电路路ECLECL门主要优缺点门主要优缺点第28页返回返回输入级输入级输出级输出级同时实现或同时实现或/或非或非逻辑功效，为非饱逻辑功效，为非饱和型电路和型电路基基准准电电源源-为为T4管管提提供供参参考考电电压压VBB。选定选定VBB=-1.2V第29页逻逻辑辑符符号号逻逻辑辑表表达达式式 优点优点1、开关速度高、开关速度高2、逻辑功效强逻辑功效强3、负载能力强、负载能力强 缺点缺点1、功耗较大、功耗较大2、抗干扰能力差：、抗干扰能力差：逻逻辑辑摆摆幅幅为为0.8V左左右右，噪噪声容限声容限VN普通约普通约300mV互补输出端互补输出端“或或/或非或非”，且采取射极开路形式，且采取射极开路形式，实现输出变量实现输出变量“线或线或”操操作作返回返回第30页I I2 2 L L基本单元电路基本单元电路I I2 2 L L门电路门电路I I2 2 L L主要优缺点主要优缺点第31页 电路组成电路组成射极加正电压射极加正电压VE，组成恒流源组成恒流源I0I0多多集集电电极极晶晶体体管管T2，C1、C2、C3之间相互隔离之间相互隔离T2驱驱动动电电流流是是由由T1射射极极注注入入，故故有有注注入入逻逻辑辑 工作原理工作原理1、当当VA=0.1V低低电电平平时时，T2截截止止，I0从从输输入入端端A流流出出，C1、C2和和C3输输出出高高电平电平2、当当A开开路路（相相当当于于输输入入高高电电平平）时时，I0流流入入T2基基极，极，T2饱和导通，饱和导通，C1、C2和和C3输出低电平。输出低电平。逻辑符号逻辑符号A-输入输入C1、C2和和C3-输出输出电电路路任任何何一一个个输输出出与与输输入入之之间间都都是是“非非”逻辑关系逻辑关系电路可简化为：返回返回第32页 “与与”门门线与线与逻辑功效：逻辑功效：F=A B “与或非与或非”门门VE用用输输入入变变量来代替量来代替逻辑功效：逻辑功效：返回返回第33页 优点优点1.1.集成度高集成度高2.2.功耗小功耗小3.3.电源电压范围宽电源电压范围宽4.4.品质原因品质原因最正最正确确5.5.生产工艺简单生产工艺简单电电流流在在1nA1mA范范围内均能正常工作围内均能正常工作I2L品质因数只有品质因数只有（0.11）pJ/门门 缺点缺点1.1.开关速度低开关速度低2.2.噪声容限低噪声容限低I2L逻逻辑辑摆摆幅幅仅仅700mV左左右右，比比ECL还还低低，但但其其内内部部噪噪声声小小，所所以以电电路路能正常工作能正常工作3.3.多多块块一一起起使使用用时时，因因为为各各管管子子输输入入特特征征离离散散性性，基基极极电电流流分分配配会会出出现现不不均均现现象象，严严重重时时电电路无法正常工作路无法正常工作返回返回M=P（功功率率）tpd（速速度度），它它表表示示门门电电路路性性能能优优劣劣，单单位位是是皮皮焦焦(pJ)。第34页NMOSNMOS反相器反相器NMOSNMOS门电路门电路CMOSCMOS门电路门电路第35页 MOS管开关特征管开关特征数字逻辑电路中数字逻辑电路中MOSMOS管均是增强型管均是增强型MOSMOS管，它含有以下特点：管，它含有以下特点：当当|UGS|UT|时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合 当当|UGS|UT|时，管子截止，相当于开关断开时，管子截止，相当于开关断开 NMOS反相器反相器设设电电源源电电压压VDD=10V，开启电压开启电压VT1=VT2=2V1、A输入高电平输入高电平VIH=8V2、A输输入入低低电电平平V IL=0.3V时，时，电路执行逻辑非功效电路执行逻辑非功效工作管工作管负载管负载管T1、T2均均导导通通，输输出出为为低低电平电平VOL 0.3VT1截截止止T2导导通通，电电路路输输出出高高电电平平VOH=VDD-VT2=8V。返回返回第36页 NMOS与非门与非门工作管工作管串联串联负载管负载管工作原理：工作原理：T1和和T2都导通，输出低电平都导通，输出低电平2、当输出端有一个为低电平时，、当输出端有一个为低电平时，与与低低电电平平相相连连驱驱动动管管就就截截止止，输出高电平输出高电平电路电路“与非与非”逻辑功效：逻辑功效：注：注：增增加加扇扇入入，只只增增加加串串联联驱驱动动管管个个数数，但但扇扇入入不不宜宜过过多多，普普通通不超出不超出311通通通通01、当两个输入端、当两个输入端A和和B均为高电平时均为高电平时01止通1返回返回第37页 CMOS反相器反相器PMOSNMOS衬衬底底与与漏漏源源间间PNPN结结一一直直处处于于反反偏偏，NMOSNMOS管管衬衬底底总总是是接接到到电电路路最最低低电电位位，PMOSPMOS管管衬衬底底总总是是接接到到电电路路最最高电位高电位柵柵极极相相连连做输入端做输入端漏极相连漏极相连做输出端做输出端电电源源电电压压V VDDDDV VT1T1+|V+|VT2T2|，V VDDDD适适用用范范围围较较大大可可在在3 318V18V，V VT1T1-NMOS-NMOS开启电压开启电压V VT2T2-PMOS-PMOS开启电压开启电压工作原理：工作原理：1 1、输入为低电平、输入为低电平V VIL IL=0V=0V时时V VGS1GS1V VT1T1T T1 1管截止；管截止；|V|VGS2GS2|V VT2 T2 电电路路中中电电流流近近似似为为零零（忽忽略略T T1 1截截止止漏漏电电流流）,V,VDDDD主主要要降降落落在在T T1 1上上，输出为高电平输出为高电平V VOHOHVVDDDDT T2 2导通导通2 2、输输入入为为高高电电平平V VIHIH =V VDDDD时时，T T1 1通通T T2 2止止，V VDDDD主主要要降降在在T T2 2上上，输输出为低电平出为低电平V VOLOL0V0V。实现逻辑实现逻辑“非非”功效功效返回返回第38页 CMOS传输门（传输门（TG）栅栅极极控控制制电电压压为为互互补补信信号号，如如C=0，C=VDD工作原理：工作原理：当当C=0VC=0V，C=V C=VDDDD时时T TN N和和T TP P均均截截止止，V VI I由由0 0V VDDDD改改变变时时，传传输输门门展展现现高高阻阻状状态态，相相当当于于开开关关断断开开，C CL L上上电电平平保保持持不不变变，这这种种状状态态称称为为传传输输门门保保留留信息信息当当C=VC=VDDDD，C=0V C=0V时，时，V VI I在在V VT TV VDDDD范范围围改改变变时时T TP P导通导通即即V VI I在在0 0V VDDDD范范围围改改变变时时，T TN N、T TP P中中最最少少有有一一只只管管子子导导通通，使使V VO O=V=VI I，这这相相当当于于开开关关接接通通，这这种种状状态态称称为为传传输输门门传输信息传输信息V VI I由由0 0（V VDDDD-V-VT T）范范围改变时围改变时T TN N导通导通返回返回第39页 CMOS传输门（传输门（TG）工作原理：工作原理：1 1、当当C C 为为低低电电平平时时，T TN N、T TP P截截止止传传输输门门相相当当于于开开关关断断开开，传传输输门门保保留信息留信息2 2、当当C C为为高高电电平平时时，T TN N、T TP P中中最最少少有有一一只只管管子子导导通通，使使V VO O=V=VI I，这这相相当当于于开开关关接接通通，传传输输门门传输信息传输信息由此可见传输门相当由此可见传输门相当于一个理想开关，且是一个双向开关于一个理想开关，且是一个双向开关逻辑符号逻辑符号输入输入输出输出门门控控制制信号信号返回返回第40页 CMOS模拟开关模拟开关电路图电路图控控制制模模拟拟信信号号传传输输一个电子开关，一个电子开关，通通与与断断是是由由数数字字信信号控制号控制反相器输入和输出提反相器输入和输出提供传输门两个反相控供传输门两个反相控制信号（制信号（C C和和C C）传输门传输门1、电路结构、电路结构2、逻辑符号、逻辑符号逻辑符号返回返回第41页返回返回 CMOS门电路门电路1、与非门、与非门二输入二输入“与非与非”门电路结构如图门电路结构如图每每个个输输入入端端与与一一 个个 NMOS管管和和一一个个PMOS管栅极相连管栅极相连当当A A和和B B为高电平时为高电平时:1两两个个并并联联PMOSPMOS管管T T3 3、T T4 4两个串联两个串联NMOS TNMOS T1 1、T T2 2通通通通止止止止0101通通止止通通1止止当当A A和和B B有有一一个个或或一一个个以以上上为低电平时为低电平时:电路输出高电平电路输出高电平输出低电平输出低电平 电路实现电路实现“与非与非”逻辑功效逻辑功效第42页 CMOS门电路门电路2、“异或异或”门门由三个由三个CMOSCMOS反相器和反相器和一个一个CMOSCMOS传输门组成传输门组成传传输输门门控控制制信号信号A、A当当A=B=0A=B=0时时00110TGTG断断开开，则则C=B=1C=B=1，F=C=0F=C=0。TG断开断开当当A=B=1A=B=1时，时，11TG接通110TGTG接接通通，C C=B B=1 1，反反相相器器2 2两两只只MOSMOS管都截止，输出管都截止，输出F=0F=0。输入端输入端A A和和B B相同相同得得：输输 入入 端端 A A和和 B B相相 同同，输出输出 F=0 F=0返回返回第43页 CMOS门电路门电路2、“异或异或”门门 输入端输入端A A和和B B不一样不一样当当A=1A=1，B=0B=0时时10TGTG导通导通001输出输出F=1当当A=0A=0，B=1B=1时时01TGTG断开断开101输出输出F=1得得：输输入入端端A A和和B B不不一一样，样，输出输出 F=1 F=1返回返回第44页 CMOS门电路门电路2、“异或异或”门门 输入端输入端A A和和B B不一样不一样输出输出F=1 输入端输入端A A和和B B相同相同输出输出 F=0 F=0由由此此可可知知：该该电电路路实实现现是是“异异或或”逻逻辑辑功功效效返回返回第45页1 1、功功耗耗小小：CMOSCMOS门门工工作作时时，总总是是一一管管导导通通另另一一管管截截止，因而几乎不由电源吸收电流其功耗极小止，因而几乎不由电源吸收电流其功耗极小2 2、CMOSCMOS集集成成电电路路功功耗耗低低内内部部发发烧烧量量小小，集集成成度度可可大大大提升大提升 3 3、抗抗幅幅射射能能力力强强，MOSMOS管管是是多多数数载载流流子子工工作作，射射线线辐辐 射对多数载流子浓度影响不大射对多数载流子浓度影响不大4 4、电电压压范范围围宽宽：CMOSCMOS门门电电路路输输出出高高电电平平V VOH OH V VDDDD，低电平，低电平V VOL OL 0V 0V。5 5、输输出出驱驱动动电电流流比比较较大大：扇扇出出能能力力较较大大，普普通通能能够大于够大于50506 6、在在使使用用和和存存放放时时应应注注意意静静电电屏屏蔽蔽，焊焊接接时时电电烙烙铁应接地良好铁应接地良好返回返回第46页TTLTTL与与CMOSCMOS接口接口CMOS CMOS 与与TTLTTL接口接口第47页CMOS同同TTL电电源源电电压压相相同同都都为为5V，则则两两种种门门可直接连接可直接连接提提升升TTL门门电电路路输输出出高高电电平平，阻阻值值由由几百到几千欧姆几百到几千欧姆注：注：TTL门门电电路路高高电电平平 经经 典典 值值 只只 有有3.4V，CMOS电电路路输输入入高高电电平平要要求求高高于于3.5V。所所以以在在TTL门门电电路路输输出出端端与与电电源源之之间接一电阻间接一电阻Rx返回返回第48页CMOS门门驱驱动动能能力力不不适适应应TTL门门要要求求，可可采采 取取 专专 用用 CMOSTTL电平转换器电平转换器当用当用CMOS驱动驱动TTL时时转换器转换器返回返回第49页本本章章主主要要介介绍绍了了相相关关逻逻辑辑电电路路基基本本概概念念和和TTL、ECL、MOS等集成逻辑门等集成逻辑门 TTL电电路路输输入入级级采采取取多多发发射射极极晶晶体体管管，输输出出级级采采取取推推拉拉式式结结构构，所所以以工工作作速速度度较较快快，带带负负载载能能力力较较强强，是是当当前前使使用用最最广广泛泛一一个个集集成成逻逻辑辑门门。应应掌掌握握好好TTL门电气特征和参数。门电气特征和参数。ECL门门是是当当前前速速度度最最高高一一个个非非饱饱和和型型电电路路。其其缺缺点点是是功功耗耗大大，抗抗干干扰扰能能力力差差。普普通通只只用用在在要要求求速速度度尤其高场所尤其高场所 MOS电电路路属属于于单单极极型型电电路路，CMOS电电路路是是重重点点，含含有有高高速速度度、功功耗耗低低、扇扇出出大大、电电源源电电压压范范围围宽宽、抗抗干干扰扰能能力力强强、集集成成度度高高等等一一系系列列特特点点，使使之之在在整整个数字集成电路中占据主导地位趋势日益显著。个数字集成电路中占据主导地位趋势日益显著。第50页2-2 2-3 2-6 2-12 2-13 2-14 2-15 2-16第51页