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电力电子专栏市场动态安森美上车“极”，半导体大厂积极布局车用SiC市场半导体厂Onsemi于今年四月底宣布与中国吉利汽车集团旗下的极氪汽车签署SiC功率元件LTSA(Long-TermSupplyAgreement)，极氪车款未来将藉由搭载Onsemi提供的EliteSiC功率元件以优化电驱系统能量转换效率，提高续航力，降低车主里程焦虑。此举也能看出Onsemi积极布局车用SiC，加速追赶STMicroelectronics及Infineon两大龙头厂商。在电动车SiC半导体市场中，STMicroelectronics(以下简称STM)及Infineon凭借早期切入车厂持续占据SiC市场龙头，而Wolfspeed、ROHM则透过掌握SiC的垂直整合技术后来居上。反观0 nsemi，虽然在2 0 2 1年收购GT Advanced Technologies(GTAT)，掌握SiC制造流程中最难的晶圆生长及生产设备技术，一跃成为与Wolfspeed、R O H M 及STM等比肩的IDM厂，同时也宣布2 0 2 5年将量产8 时SiC晶圆，但是它的SiC功率半导体在2 0 2 3年以前只搭载于NI0、Lucid等中小型车厂的车款，在市场上仍属于追赶者。不过，正是因为Infineon及STM等先发者建构的产业成熟度，加上Onsemi前期对于SiC相关技术的布局效益于2 0 2 3年开始发酵，旗下SiC产品EliteSiC透过元件及模块的形式陆续拿到极氪、BMW、H y u n d a i，以及Volkswagen的LTSA，再加上其总裁暨CEOHassane El-Khoury发下未来3年SiC事业可带来40 亿美元营收的豪语，让Onsemi成为今年到目前为止，SiC市场话题度最高的半导体厂。事实上，SiC市场的激烈竞争将是一场考验资源投入持久性的耐力赛。SiC近5年内需求快速成长的原因主要来自于电池成本偏高，且能量密度发展已达极限，故车厂改采在电控零组件中使用SiC芯片，作为不增加电池数量同时可提升续航力的解决方案。然而，因需求骤然提升，车厂积极要求各半导体厂加速对于SiC技术的研究与开发，在研发时间大幅缩短的情况下，研发成本也相对上升，加上激烈的市场竞争对于获利影响，意味着研发资源投入的能耐及整体获利表现，将是衡量半导体厂竞争力的关键指数。参考各半导体厂2 0 2 2 年财报，Onsemi在过去几年针对产品线去芜存菁的策略成功改善获利表现，其以49%的毛利率名列前茅，此获利表现可让Onsemi比起其他竞争对手更有空间能满足车厂对于成本的要求而获得订单，以换取SiC产品规模经济的成长。不过，在研发成本占营收比例中，相较于主要竞争对手Wolfspeed(26%)、I n fin e o n(13%)、ST M(12%)及ROHM(8%)，O n s e m i 以7%的占比排在末位，随着各半导体厂在缩小导通电阻，以及提升制程良率等技术的加码投资下，如何在透过激烈的市场竞争达成营收目标的前提下，维持获利表现与资源支出的平衡，将成为Onsemi拿到车厂订单后要面对的重要问题。市场动态德州仪器推出SiC栅极驱动器助力最大化EV行驶里程Maximize EVdriving rangewith industry-leadingSicgate driver凭借新型UCC5880-Q1增强型隔离式栅极驱动器，EV动力总成工程师能够提高功率密度并降低系统设计5月9日，德州仪器（T）宣布推出一款高度集成、符合功能安全要求的隔离式栅极驱动器UCC5880-Q1，使工程师能够设计出更高效的牵引逆变器，并最大限度地提高电动汽车（EV）的续航里程。WTEXASINSTREMEN复杂性和成本，同时实现其安全和性能目标。随着EV越来越受欢迎，牵引逆变器系统中的半导体创新正助力解决广泛应用的关键障碍。凭借具有实时可变栅极驱动强度、串行外设接40THEWORLDOFINVERTERSTHEWORLDOFINVERTERS变频器世界May2023口（SPI）、高级SiC监控和保护以及功能安全诊断，汽车制造商可以构建更安全、高效且可靠的基于碳化硅（Si C）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的牵引逆变器。TI大功率驱动器产品线经理WenjiaLiu表示：“牵引逆变器等高压应用的设计人员面临着一系列独特的挑战，需要在小空间内优化系统效率和可靠性。这款新型隔离式栅极驱动器不仅有助于工程师最大限度地扩大续航里程，而且还集成了安全功能以减少外部组件和设计复杂性。此外，它还可以轻松与其他高压电源转换产品配对，例如我们的UCC14141-Q1隔离式偏置电源模块，以提高功率密度并帮助工程师达到牵引逆变器性能的最高水平。”最大化EV续航里程，同时降低设计复杂性和成本电动汽车对更高可靠性和功率性能的需求不断增长，因为效率提高对每次充电的续航改进有直接影响。但大多数牵引逆变器已经以90%或更高的效率运行，设计人员很难再提高效率。通过在2 0 A和5A之间实时改变栅极驱动强度，设计人员可以通过最大限度地减少SiC开关功率损耗，将UCC5880-Q1栅极驱动器的系统效率提高多达2%，从而使每次电池充电最多可使EV行驶里程增加7 英里。对于每周为车辆充电3次的EV用户来说，这可能意味着每年多行驶1,0 0 0多英里。此外，UCC5880-Q1的SPI可编程性和集成监控和保护功能可以降低设计复杂性和外部组件成本。工程师可以使用SiCEV牵引逆变器参考设计进一步减少组件并快速制作更高效的牵引逆变器系统原型。这种经过测试的可定制设计包括UCC5880-Q1、偏置电源模块、实时控制MCU和高精度传感。市场动态赛米控丹佛斯推出配备罗姆12 0 0 VIGBT的功率模块赛米控丹佛斯（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发SiC（碳化硅）功率模块方面，已有十多年的良好合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品一12 0 0 VIGBT“RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。ROHmROHCo.LId口一么精式卤社ROHMCo.,Ltd.董事常务执行官CFO伊野和英（左）赛米控丹佛斯CEOClausA.Petersen（右）随着全球电气化技术的快速发展，对功率模块的需求已经达到了前所未有的程度，相关产品的市场规模急剧扩大，几乎超出了芯片制造商的产能提升速度。在这样的背景下，罗姆开发出适用于工业设备的12 0 0 VIGBT“RGA系列”产品，成为业内先进的IGBT解决方案，从而进一步扩大了对赛米控丹佛斯的裸芯片供应范围。赛米控丹佛斯计划推出额定电流等级10 A150 A 的功率模块“MiniSKiP?”，这款功率模块中配备了罗姆的12 0 0 VIGBT“RGA系列”芯片。MiniSKiP?功率模块采用无铜底板和弹簧连接这两大特色技术，并融合了非常适用于电机驱动市场的RGA系列的优势，从而成为低功率领域的理想解决方案。另外，MiniSKiP?系列始终采用最新一代的IGBT，通过统一封装高度，确保产品安装的便利性，广泛应用在全球电机驱动市场。不仅如此，针对PCB连接采用Press-Fit引脚和焊接方式的应用，赛米控丹佛斯还推出了行业标准封装的“SEMITOP?E”系列产品，其结构与现有的IGBT模块引脚兼容，也可使用罗姆的12 0 0 VIGBT“RGA系列”。此外，“SEMITOP?”系列中预计还会新增将三相逆变电路集成于一个模块的六单元结构产品，以及整流器-逆变器-制动器复合电路结构产品。WWW.CA168.COM41