SEMIKRON-IGBT模块命名方法.doc

SEMIKRON IGBT模块SEMITRANS命名方法

SK   M   100   G   B   12  3   D   L
①   ②  ③    ④ ⑤   ⑥  ⑦   ⑧  ⑧

①   SEMIKRON元件
②   M:MOS技术
     D:七单元模块(三相整流桥加IGBT斩波器)
③   集电极电流等级(Tcase＝25℃时的Ic/A)
④   IGBT开关
⑤   线路
     A:  单只开关
     AL: 斩波器模块(IGBT加集电极端续流二极管)
     AR: 斩波器模块(IGBT加发射极端续流二极管)
     AH: 非对称H桥
     AX: 单只IGBT加集电极端串联二极管(反向阻断)
     AY: 单只IGBT加发射极端串联二极管(反向阻断)
     B:  两单元模块(半桥)
     BD: 两单元模块(半桥)加串联二极管(反向阻断)
     D:  六单元(三相桥)
     DL: 七单元(三相桥加AL斩波器)
     H:  单相全桥
     M:  两只IGBT在集电极端相连
⑥   集电极发射极电压等级(Vce/V/100)
⑦   IGBT系列号
     0:   第一代产品(1988-1991,集电极额定电流为Tcase=80℃时值)
     1、2:第一代产品(1992-1996,集电极额定电流为Tcase=25℃时值);
      600V产品:集电极额定电流为Tcase=80℃时值
     3:   第二代产品(600V和1200V:高密度NPT型IGBT);
      1700V为第一代NPT型IGBT.CAL二极管.
      600V产品:集电极额定电流为Tcase=80℃时值.
      1200V与1700V产品:集电极额定电流为Tcase=25℃时值
4:   高密度、低饱和压降NPT型IGBT(1200V、1700V)
5:   高密度、高速NPT型IGBT(600V、1200V)
6:   沟道式NPT型IGBT
⑧    特点
      D:  快回复二极管
      K:  SEMIKRON五号外壳带螺栓端子
      L:  六单元外壳带焊接端子
      S:  集电极检测端子
      I:  加强的反向二极管(高功率输出)