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纳米加工平台工艺申请表 （8月版）
批号:
申请人

申请人电话

申请人邮箱

申请人签字

付费人

课题编号

付费人邮箱

付费人签字

申请日期

所属单位

试验目标及说明
样品材料

样品尺寸

样品数量和编号

序号
工艺名称
工艺要求及说明
日期
工艺统计和检测结果
工艺员
计价和确定
备注

清洗
样品数量：2片；
需清洗材料：氮化铝，尺寸：4英寸；
预去除污染物：
清洗液：
使用设备：八槽清洗机/超声清洗机/手动容器
废液处理方法：

设备类型：
开始时间：
完成时间：
废液处理方法：

检测结果：

本步工艺程序确定：
合格（签字）：
不合格（签字）：
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

匀胶
KS-L150
ST22＋
KW-4A
加工数量：3片；
衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸、6英寸；
光刻胶类型：AZ1500；厚度：1.2±0.4微米
HDMS预处理：需要；
使用匀胶机类型：SSE、国产小匀胶机、Track

匀胶机类型：
开始时间：
完成时间：
衬底尺寸：
匀胶次数：
检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

光刻
MA6/BA6
URE-/35
加工数量：3片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；
光刻最小线宽：2微米；
套刻要求：正反面对准，对准精度：±5微米；
使用光刻机类型：Suss MA6/BA6,国产光刻机

光刻机类型：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

步进式光刻机
NSR1755i7B
加工数量：3片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：EPL/1-1.6微米；
光刻最小线宽：2微米；
套刻精度：±1微米；

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

电子束光刻
JBX-5500ZA
加工数量：1片；
衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；
光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；
光刻最小线宽：30nm；
套刻要求：套刻误差小于40nm；
拼接要求：误差小于40nm

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

显影
OPTIspin ST22
加工数量：3片；
衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸；
显影液类型：标配TMAH；
使用显影机类型：SSE,Track

显影机类型：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

干法去胶
M4L
加工数量：3片；批次：1批
材料：硅片，尺寸：4英寸或碎片；
需去除光刻胶类型：AZ1500
需去除胶厚： 50nm；
去胶功率：300W

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

喷胶
ST20i
加工数量：3片；
衬底材料：硅片，尺寸：4英寸；
光刻胶类型：AZ4620； 目标胶厚：30微米
图形深宽比：1：2

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

晶片键合
CB6L
加工数量：3对；
材料：硅片和玻璃 尺寸：4英寸；
键合类型：阳极键合；
是否需要套刻：是 （套刻精度： 5微米）

键合对数： 单次键适用时：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

磁控溅射
LAB 18
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：2英寸
膜层材料/厚度：
Ti/Al/Ti/Au, 50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求：±5%
衬底加热温度：200℃
工艺气体：Ar或N2

溅射批数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
溅射各层材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

电子束蒸发
ei-5z
EBE-09
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：6英寸
膜层材料和厚度：
Ti/Al/Ti/Au, 50nm/200nm/50nm/100nm
厚度均匀性要求：±5%
衬底温度：200℃
蒸发台类型：ei-5z, EBE-09

使用蒸发台： 蒸镀批数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
蒸镀各层材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

热蒸发
EVA-09-2
加工数量：1片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：2英寸
膜层材料和厚度：AG/Au, 500nm/200nm
厚度均匀性要求：±5%
衬底温度：

蒸镀次数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
蒸镀材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

PECVD
OXFORD 100
加工数量：3片；批次：3批
衬底材料：硅片，尺寸：6英寸
膜层材料和用途：SiO2、绝缘层
厚度：1000nm 折射率:1.46
厚度均匀性要求：±5%
衬底温度：300℃

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

光学薄膜蒸发
OTFC-900
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：4英寸
膜层材料和厚度： SiO2/ITO, 50nm/200nm
厚度均匀性要求：±2%
衬底温度：200℃

蒸镀次数：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
蒸镀各层材料/厚度：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定

氧化
HDC8000A
加工数量：20片；批次：1批
衬底材料尺寸：6英寸
氧化类型：干氧、湿氧、干湿氧
厚度：1000nm 厚度均匀性要求：±3%

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

快速退火
RTP-500
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料/尺寸：GaN片/2英寸
退火温度和时间：600℃，15sec

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

管式退火炉
L4508-07-1
L4508-07-2
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料/尺寸：GaN片/2英寸
退火温度/时间：600℃/120min
退火气氛：N2、压缩空气、氢气

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

IBE刻蚀
IBE-A-150
加工数量：3片；批次：1批
需刻蚀材料：硅片，尺寸：2英寸或碎片；
掩膜材料：光刻胶，Ti等
刻蚀深度：2微米；
粘片：需要

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

RIE Tegal903e
加工数量：3片；批次：3批
需刻蚀材料：SiO2/SiNx，尺寸：6英寸或4英寸；
掩膜材料：光刻胶
刻蚀尺寸：深度：2微米；线宽：2微米
粘片：需要

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

III/V ICP刻蚀
ICP 180
加工数量：3片；批次：1批
需刻蚀材料/尺寸：GaN片/2英寸或碎片；
掩膜材料：SiO2
刻蚀尺寸：深度：2微米；线宽：2微米
粘片：需要

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

深硅刻蚀
STS MPX HRM
加工数量：3片；批次：3批
材料：Si片/SOI，尺寸：6英寸；
掩膜材料：SiO2、光刻胶
刻蚀尺寸：深度：10微米；线宽：2微米
侧壁陡直度/粗糙度：89+/-1度 / 100nm

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

解理
Titan
OSM-80TP-Y
Loomis LSD100
加工数量：3片；
需解理材料/尺寸：蓝宝石/2英寸
管芯形状：长方形；
管芯大小：280×320um2；
切深要求： 24微米；
使用划片机类型：Titan、OSM-80TP-Y、 LSD100

划片机类型：
开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
解理刀数：
检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

压焊
747677E
压焊点数：30点；
焊盘：材料：金，尺寸：80×80微米；
焊线：材料：金，线径：25微米；
压焊工艺类型：球焊，楔焊；

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

裂片
OBM-90TP
加工数量：3片；
需裂片材料/尺寸/片厚：GaN/2英寸/80微米；
管芯形状：长方形；
管芯尺寸： 300×300微米；

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

倒装焊
FC150
加工数量：3片；
基底：材料：Si，尺寸：10×10毫米；
基底焊盘材料：金，尺寸：50×50微米；
芯片：材料：Si，尺寸：10×10毫米；
芯片焊盘材料：金，尺寸：50×50微米；
焊料：金锡 温度/时间：200℃/30min
工艺气体：甲酸、N2
焊接工艺类型：热压焊，回流焊；

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

回流炉
SRO702
加工数量：3片；批次：1批
基底：材料：Si，尺寸：10×10毫米；
基底焊盘材料：金，尺寸：50×50微米；
芯片：材料：Si，尺寸：10×10毫米；
芯片焊盘材料：金，尺寸：50×50微米；
焊料：金锡 温度/时间：200℃/30min
真空度：5mTorr

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

CMP减薄
HRG-150
加工数量：3片；批次：3批
需减薄材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/400微米
减薄后厚度：100微米；

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

CMP研磨
AL-380F
加工数量：3片；批次：2批
需研磨材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/100微米
研磨后厚度：90微米；

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

CMP抛光
AP-380F
加工数量：3片；批次：2批
需抛光材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/90微米
抛光后厚度：80微米；

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

八槽清洗机
HL-071004
加工数量：3片；批次：1批
需清洗材料/尺寸/厚度：Si/4英寸/525微米
使用清洗液：1号液、2号液、硫酸双氧水

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

Lift-off
Wet SB 30
加工数量：3片；批次：3批
需剥离衬底材料/尺寸/厚度：Si/4寸/525微米
光刻胶类型：AZ4620；
图形线宽/厚度：100nm/200nm

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

SEM
JSM-6390
加工数量：3片；
材料：碳纳米线，尺寸：50nm；
是否喷金：是
扫描模式：二次电子像/背散射

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：
喷金次数：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

喷金仪
JFC-1600
加工数量：3片；批次：1批
衬底材料：硅片，尺寸：10×10毫米；
喷Pt厚度：10nm

开始时间：
完成时间：
喷金次数：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

分光光度计
Lambda 750
加工数量：3片；
扫描波长范围：
扫描角：
测试类型：反射、透射

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

LED芯片测试仪
WPS-1900
加工数量：3片；
测试电压范围：
测试波长范围：
测试电流范围：

开始时间：
完成时间：
本工艺总用时：

检测结果：

本步工艺计价：
￥
工艺责任人确定：

工艺申请人确定：

加工平台同意人签字

最终服务质量评价（请署名）
很满意_______ 基础满意_______ 不满意_________
最终检验结论：
最终检验员（签字）
工艺步骤总计价：
￥
计价核准人：

日 期：