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电压型逆变电路优秀课程设计.doc

上传人:a199****6536 文档编号:2533445 上传时间:2024-05-31 格式:DOC 页数:13 大小:446.04KB
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资源描述

1、1 主电路设计逆变电路作用是将直流电压转换成梯形脉冲波,经低通滤波器滤波后,从而使负载上得到实际电压为正弦波。1.1 主电路图 图1三相电压型桥式逆变电路1.1 主电路原理分析图1是采取IGBT作为开光器件电压型三相桥式逆变电路,能够看成由三个半桥逆变电路组成。图1直流侧通常只有一个电容就能够了,但为了分析方便,画作串联两个电容器并标出假象中点N。和单相半桥、全桥逆变电路相同,三相电压型桥式逆变电路基础工作方法也是180导电方法,即每个桥臂导电角度为180,同一相(即同二分之一桥)上下两个臂交替导电,各相开始导电角度依次相差120。这么,在任一瞬间,将有三个桥臂同时导通。可能是上面一个臂下面两

2、个臂,也可能是上面两个臂下面一个臂同时导通。因为每次换流全部是在同一相上下两个桥臂之间进行,所以也被称为纵向换流1.2 工作波形分析和绘制 对于U相输出来说,当桥臂1导通时,当桥臂4导通时,。所以,波形是幅值为矩形波。V、W两相情况和U相相同,、波形形状和相同,只是相位依次相差120。、波形图2a、b、c所表示。 图2 三相电压型桥式逆变电路工作波形负载线电压、可由下式求出 图2d是依据上式画出波形。设负载中点N和直流电源假象点N之间电压为,则负载各相相电压分别为把上式各式相加并整理可求得 设负载为三相对称负载,则有,于是 所以也是矩形波,图2e所表示,其频率为3倍,幅值为其,即。图2f给出了

3、利用式(2)和式(4)绘出波形,、波形形状和相同,仅相位依次相差120。三相逆变输出电压和电流分析类似,负载参数已知,以U相为例,负载阻抗角不一样,波形形状和相位全部有所不一样,图2g给出事阻感负载下 时波形。桥臂1中从通态转换到断态时,因负载电感中电流不能突变,小桥4中先导通续流,待负载电流降为零,桥臂4中电流反相时,才开始导通。负载阻抗角越大,导通时间越长。在时,时为导通,时为导通;在时,时导通,时为导通。、波形和形状相同,相位一次相差。将三个桥臂电流相加可得到直流侧电流。把桥臂1、3、5电流加起来,就可得到直流侧电流波形,图2h所表示。能够看出,每隔60脉动一次,而直流侧电压是基础无脉动

4、,所以逆变器从交流侧向直流侧传送功率是脉动,且脉动情况和脉动情况大致相同。这也是电压型逆变电路一个特点。1.3 参数计算下面对三相桥式逆变电路输出电压进行定量分析。把输出线电压 展开成傅里叶级数得:式中,为自然数。输出线电压有效值为基波幅值和基波有效值分别为;接下来,我们再对负载相电压进行分析。把展开成傅里叶级数得式中,k为自然数。负载相电压有效值为基波幅值和基波有效值分别为;在上述导电方法逆变器中,我们采取“先断后通”方法来预防同一相上下两桥臂开关器件同时导通而引发直流侧电压短路,使得在通断信号之间留有一个短暂死区时间。死区时间长短要视器件开关速度而定,器件开关速度越快,所留死区时间就越短。

5、1.4 元件清单 绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。依据国际电工委员会文件提议,其各部分名称基础沿用场效应晶体管对应命名。 IGBT结构剖面图图3所表示。它在结构上类似于MOSFET ,其不一样点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET N+基板(漏极)上增加了一个P+ 基板(IGBT 集电极),形成PN结j1 ,并由此引出漏极、栅极和源极则完全和MOSFET相同。图3 IGBT结构剖面图由图能够看出,IGBT相当于一个由MOSFET驱动厚基区GTR ,其简化等效电路图3所表示。图中Rdr是厚基区GTR扩展电阻。IGBT是以GTR 为主

6、导件、MOSFET 为驱动件复合结构。IGBT特征和参数特点能够总结为:1)IGBT开关速度高,开关损耗小;2)在相同电压和电流定额情况下,IGBT安全工作区比GTR大,而且含有耐脉冲电流冲击能力;3)IGBT通态压降比VDMOSFET低,尤其是在电流较大区域;4) 和电力MOSFET和GTR相比,IGBT耐压和通流能力还能够深入提升,同时能够保持开关频率高。2 PWM控制电路设计PWM控制技术实际上就是斩波控制技术,就是对脉冲宽度进行调制技术,即是经过对一系列脉冲宽度进行调制,来等效取得所需要波形(如正弦波、频率和幅值)。PWM控制技术包含调制法和控制法两方面内容:就调制法而言,有单脉冲调制

7、和多脉冲调制;有同时调制、异步调制和分段同时调制;还有单极性调制和双极性调制三大类。而就控制法而言,则有等脉宽PWM法、正弦波PWM法、磁链跟踪PWM法和电流跟踪PWM法四大类。它在逆变电路中应用最为广泛,对逆变电路影响也最为深刻。现在大量应用逆变电路,几乎全部是PWM型逆变电路。所以在设计逆变电路时,就必需了解并掌握PWM控制技术及SPWM波产生方法。 图4 三相桥式PWM逆变电路三相电压型PWM逆变电路只要实现功效就是将直流电压变换成交流电压。图4中U、V、M三相PWM控制通常公用一个三角波载波,三相调制信号、一次相差。U、V、W各相功率开关器件控制规律相同,现以U相为例。当初,给上桥臂以

8、导通信号,给下桥臂以关断信号,则U相相对于直流电源假想中点输出电压。当初,给以导通信号,给以关断信号,则。但和驱动信号一直是互补,当给()加以导通信号时,可能()导通,也可能是二极管续流导通,这是有阻感负载中电流方向决定,这就是三相桥式电路双极型调制特征。由上分析,波形是幅值为矩形波,V、M两相情况跟U相类似。电路波形图4所表示。图5 三相桥式PWM逆变电路波形3 仿真3.1 Matlab软件Matlab软件提供仿真工具箱Simulink是一个功效十分强大仿真软件,它能够依据用户需要方便为系统建立模型,而且十分直观,仿真精度高,结果正确。尤其是其电力系统模块库PSB中包含了大量电力电子功效模块

9、,为我们仿真提供了极大便利。Matlab提供了系统模型图形输入工具Simulink工具箱。在Matlab中电力系统模块库PSB以Simulink为运算环境,涵盖了电路、电力电子、电气传动和电力系统等电工学科中常见基础原件和系统仿真模型。它由以下6个子模块组成:电源模块库、连接模块库、测量模块库、电力电子模块库、电机模块库、基础件模块库。在这6个基础模块库基础上,依据需要还能够组合出常见、复杂其它模块添加到所需模块库中,为电力系统研究和仿真带来更多方便。3.2 建模拟真PWM控制方法下三相逆变电路主电路图6所表示:图6 三相逆变电路主电路运行仿真图形,并点击示波器可得输出交流电压,交流电流波形图

10、7、图8所表示:图7 PWM方法下三相交流电压输出波形图8 PWM方法下三相电流输出波形 从仿真结果能够得出,此次课程设计基础达成任务要求,三相输出电压约为180V,40HZ,交流电为正弦波满足条件。4 相关逆变电路各项注意4.1 提升直流电压利用率和降低开关次数直流电压利用率逆变电路输出交流电压基波最大幅值和直流电压之比。提升直流电压利用率可提升逆变器输出能力;降低器件开关次数能够降低开关损耗;正弦波调制三相PWM逆变电路,调制度a为1时,输出相电压基波幅值为,输出线电压基波幅值为,即直流电压利用率仅为0.866。这个值是比较低,其原因是正弦调制信号幅值不能超出三角波幅值,实际电路工作时,考

11、虑到功率器件开通和关断全部需要时间,如不采取其它方法,调制度不可能达成1。采取这种调制方法实际能得到直流电压利用率比0.866还要低。4.2 线电压控制方法(叠加3次谐波)对两个线电压进行控制,合适地利用多出一个自由度来改善控制性能。目标使输出线电压不含低次谐波同时尽可能提升直流电压利用率,并尽可能降低器件开关次数。在相电压调制信号中叠加3次谐波,使之成为鞍形波,输出相电压中也含3次谐波,且三相三次谐波相位相同。合成线电压时,3次谐波相互抵消,线电压为正弦波。鞍形波基波分量幅值大。除叠加3次谐波外,还可叠加其它3倍频信号,也可叠加直流分量,全部不会影响线电压。4.3 电路保护和散热对于单相桥式

12、电压型逆变电路需要对电路提供保护和散热,因为电路存在很多不确定外界原因,所以要装过载保护和短路保护还有就是过电流保护。对于驱动晶体管需要提供散热器来让它散热,且晶体管必需隔离。5 结论PWM控制技术在逆变电路中应用十分广泛,现在中小功率逆变电路几乎全部采取了PWM技术。逆变电路是PWM控制技术最为关键应用场所,伴随全控型电力电子器件出现和快速发展,PWM控制技术才真正得到应用。 逆变电路应用相当普及,在已经有多种电源中,蓄电池、干电池,太阳能电池等全部是直流电源,当需要这些电源向交流负载供电时,就需要逆变电路。另外交流电机调速用变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子装置使用很广泛,其电路关

13、键部分全部是逆变电路,本文结合PWM控制技术原理和一系列技术要求,并经过具体例子说明了PWM逆变电路工作过程,较具体地总结了多种PWM控制方法原理,并简单说明了多种方法优缺点。PWM控制技术以其控制简单、灵活和动态响应好优点而成为电力电子技术最广泛应用控制方法,也是大家研究热点之一。参考文件【1】 王兆安 刘进军 电力电子技术 北京:机械工业出版社 【2】 康华光 电子技术基础数字部分 北京:高等教育出版社 【3】 刘凤君 现代逆变技术及应用 北京:电子工业出版社 【4】 李宏 王崇武 现代电力电子技术基础 北京:机械工业出版社 【5】 陈国呈 PWM逆变技术及应用 北京:中国电力出版社 【6】 陈国呈 PWM电力电子变换技术 北京:中国电力出版社 【7】 洪乃刚 电力电子技术基础 北京:清华大学出版社

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