模电-童诗白(第四版)课后题全解.doc

模拟电子技术（第四版）童诗白
课后习题答案

第一章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V
四、UO1＝6V UO2＝5V
五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
六、1、

UO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所示。

1.4 ui和uo的波形如图所示。
1.5 uo的波形如图所示。
1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故

当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 （1）S闭合。
（2）

1.11 波形如图所示。
1.12 60℃时ICBO≈32μA。
1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
1.14
1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为

当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为

1.17 取UCES＝UBE，若管子饱和，则

1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为

1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能
1.20 根据方程

逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
1.21
1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。
1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能

第2章 基本放大电路
自测题
一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)
2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)
3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×)
4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×)
5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√)
6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×)
7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)

二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

(a) (b) (c)

(d) (e) (f)

(g) (h) (i)
图T2.2

解：图(a)不能。VBB将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。
图(i)不能。因为T截止。

三．在图T2.3 所示电路中，已知, 晶体管β=100，。填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当时，测得，若要基极电流, 则和之和
=( )≈( 565 )；而若测得，
则=( )≈( 3 )。
(2)若测得输入电压有效值时，
输出电压有效值，
则电压放大倍数( )≈( -120 )。
若负载电阻值与相等，则带上 图T2.3
负载后输出电压有效值( )=( 0.3 )V。

四、已知图T2.3 所示电路中，静态管压降并在输出端加负载电阻，其阻值为3。选择一个合适的答案填入空内。
(1)该电路的最大不失真输出电压有效值( A )；
A.2V B.3V C.6V
(2)当时，若在不失真的条件下，减小Rw ，则输出电压的幅值将( C )；
A.减小 B.不变 C.增大
(3)在时，将Rw 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将( B )；
A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波
(4)若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( B )。
A.Rw 减小 B.减小 C. 减小

五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路
D.共源电路 E.共漏电路
它们的电路分别如图2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和2.6. 9(a)所示；设图中，且、均相等。选择正确答案填入空内，只需填A 、B 、… …
(l)输入电阻最小的电路是( C )，最大的是( D、E )；
(2)输出电阻最小的电路是( B )；
(3)有电压放大作用的电路是( A、C、D )；
(4)有电流放大作用的电路是( A、B、D、E )；
(5)高频特性最好的电路是( C )；
(6)输入电压与输出电压同相的电路是( B、C、E )；反相的电路是( A、D )。

六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管，如解图T2.6 所示。

图T2.6 解图T2.6

习题
2.1 分别改正图P2.1 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

(a) (b)

(c) (d)
图P2.1

解：(a)将-VCC改为+VCC。
(b)在+VCC与基极之间加Rb。
(c)将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。
(d)在VBB支路加Rb，在-VCC与集电极之间加Rc。

2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。

(a) (b)

(c) (d)
图P2.2
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；

(a) (b)

(c) (d)
解图P2.2
2.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出的表达式。
解：图 (a): ，，。
，，
图(b)：，，
。
，，。
2.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压（有效值）。

(a) (b)
图P2.4
解：空载时：；
最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。
带载时：；
最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如解图P2.4 所示。

解图P2.4 图P2.5
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80, =1kΩ,,静态时,,。判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。
(1) (×) (2) (×)
(3) (×) (4) (√)
(5) (×) (6) (×)
(7) (×) (8) (√)
(9) (√) (10) (×)
(11) (×) (12) (√)

2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管β=120，UBE=0.7V，饱和管压降UCES=0.5V。在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？
(1)正常情况；(2)Rb1短路；(3)Rb1开路；(4)Rb2开路；(5)Rb2短路；(6)RC短路；

图P2.6 图P2.7

解:(1),，
∴。
(2) Rb1短路,,∴。
(3) Rb1开路,临界饱和基极电流，
实际基极电流。
由于,管子饱和,∴。
(4) Rb2开路,无基极电流,。
(5) Rb2短路，发射结将烧毁，可能为。
(6) RC短路, 。

2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，。分别计算和时的Q点、、和。
解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、均相等，它们分别为：

空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：
；
；

时，静态管压降、电压放大倍数分别为：

。

2.8若将图P2.7 所示电路中的NPN管换成PNP管，其它参数不变，则为使电路正常放大电源应作如何变化？ Q点、、和变化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除？
解：由正电源改为负电源；Q点、、和不会变化；输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真，对PNP管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；减小Rb。
2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，=1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V，估算Rb；
(2)若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少？

解：(1)，,
∴。
(2)由,
可得: 。 图P2.9

2.10在图P2.9所示电路中，设静态时，晶体管饱和管压降。试问：当负载电阻和时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
解：由于，所以。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故

时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故

2.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，=100Ω。
(1)求电路的Q点、、和；
(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：(1)静态分析：

图P2.11
动态分析：

(2) β=200时，（不变）；
（不变）；（减小）；
（不变）。
(3) Ce开路时，（减小）；
（增大）；
（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，=1kΩ。
(1)求出Q点； (2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的、和。
解：(1)求解Q 点：

(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：
RL=∞时； 图P2.12

RL=3kΩ时；

输出电阻：

2.13 电路如图P2.13 所示，晶体管的β=60 , 。
(1)求解Q点、、和
(2)设Us = 10mV （有效值），问,
若C3开路，则,
解：(1) Q 点：

图P2.13

、和的分析：
,
, 。
(2)设Us = 10mV （有效值），则
；
若C3开路，则：
，
， 。
2.14 改正图P2.14 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。

(a) (b)

(c) (d)
图P2.14
解：(a)源极加电阻RS ； (b)漏极加电阻RD；
(c)输入端加耦合电容； (d)在Rg 支路加−VGG， +VDD 改为−VDD
改正电路如解图P2.14所示。

(a) (b)

(c) (d)
解图P2.14

2.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。
(1)利用图解法求解Q点；
(2)利用等效电路法求解、和。

(a)

(b) (c)
图P2.15
解：(1)在转移特性中作直线，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出。如解图P2.15(a)所示。

(a) (b)
解图P2.21
在输出特性中作直流负载线，与的那条输出特性曲线的交点为Q 点，。如解图P2.21(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。

； ；

2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。
求解电路的Q 点和。

(a) (b)
图P2.16
解：(1)求Q 点：
根据电路图可知，。
从转移特性查得，当时的漏极电流：
因此管压降 。
(2)求电压放大倍数：
∵， ∴

2.17电路如图P2.17 所示。（1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？（2）若想增大，则可采取哪些措施？
解：（1）输出电压波形底部失真，类似于NPN型三极管的饱和失真，应降低Q，故可减小R2或增大R1、RS；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R2或减小R1、RS。
（2）若想增大，就要增大漏极静态电流以增大，故可增大R2或减小R1、RS。
2.18图P2.18中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型… … )及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。

(a) (b) (c) (d)

(e) (f) (g)
图P2.18
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
(g)构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。

第3章 多级放大电路
自测题
一、现有基本放大电路：
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路
根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。
(2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且，输出电阻Ro＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。

二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C、D )。
A．电阻阻值有误差 B．晶体管参数的分散性
C．晶体管参数受温度影响 D．电源电压不稳
(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。
A．便于设计 B．放大交流信号 C．不易制作大容量电容
(3)选用差动放大电路的原因是( A )。
A．克服温漂 B．提高输入电阻 C．稳定放大倍数
(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。
A.差 B.和 C.平均值
(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。
A．差模放大倍数数值增大 B．抑制共模信号能力增强 C．差模输入电阻增大
(6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。
A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强

三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，，静态时。试求：
(1)静态时Tl管和T2管的发射极电流。
(2)若静态时，则应如何调节Rc2的值才能使？
若静态V，则Rc2 =？，电压放大倍数为多少？

解：(1)T3管的集电极电流
静态时Tl管和T2管的发射极电流
(2)若静态时，则应减小Rc2。
当 时, T4管的集电极电流。
Rc2的电流及其阻值分别为：
，

电压放大倍数求解过程如下：
图T3·3

习题
3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。

(a) (b)

(c) (d)

(e) (f)
图P3.1
解：(a)共射，共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射
(d)共集，共基 (e)共源，共集 (f)共基，共集

3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出、和的表达式。

(a) (b)

(c) (d)
图P3.2

解：(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。
(2)各电路的、和的表达式分别为：
(a)：；
；
(b)：
；
(c)：
；
(d)：
；

(a)

(b)

(c)

(d)
解图P3.2
3.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示，图(a)虚线框内为电路Ⅰ，图(b)虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示，它们均正常工作。试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中
(1)哪些电路的输入电阻较大；
(2)哪些电路的输出电阻较小；
(3)哪个电路的电压放大倍数最大。

(a) (b)

(c) (d)

(e)
图P3.3

解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大；
(2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小；
(3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
3.4电路如图P3.l (a) (b)所示，晶体管的β均为150 , 均为，Q点合适。求解、和。
解：在图(a)所示电路中
∵；；
∴
； 。
在图(b)所示电路中
∵；
∴
；
3.5电路如图P3.l (c)、(e)所示，晶体管的β均为200 , 均为。场效应管的gm为15mS ; Q 点合适。求解、和。
解：在图(c)所示电路中
；
；；
在图(e)所示电路中

； ；

3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，， 。试求Rw的滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流以及动态参数Ad和Ri。

图P3.6 图P3.7

解：Rw 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：
∵
∴
动态参数Ad和Ri分析如下：

3.7电路如图P3.7所示，T1和T2两管的β均为140，均为4kΩ。试问：若输入直流信号，，则电路的共模输入电压差模输入电压输出动态电压
解：电路的共模输入电压、差模输入电压、差模放大倍数和动态电压 分别为：；
；

3.8 电路如图P3.8所示，Tl和T2的低频跨导gm均为10mS。试求解差模放大倍数和输入电阻。

图P3.8 图P3.9

解：差模放大倍数和输入电阻分别为：
； 。

3.9试写出图P3.9 所示电路Ad和Ri的近似表达式。设Tl和T2的电流放大系数分别为β1和β2，b-e 间动态电阻分别为和。

解：Ad和Ri的近似表达式分别为
；

3.10电路如图P3.10 所示，Tl ~T5的电流放大系数分别为β1~β5 , b-e间动态电阻分别为rbe1~rbe5，写出Au、Ri和Ro的表达式。

图P3.10 图P3.11

解：Au、Ri和Ro的表达式分析如下：

∴; ;
3.11 电路如图P3.11 所示。已知电压放大倍数为-100 ，输入电压uI为正弦波，T2和T3管的饱和压降UCES=1V 。试问：
(1)在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？
(2)若Ui= 10mV（有效值），则Uo＝？若此时R3开路，则Uo＝？若R3短路，则Uo＝？
解：(1)最大不失真输出电压有效值为:
故在不失真的情况下，输入电压最大有效值：
(2)Ui= 10mV ，则Uo＝1V（有效值）。
若R3开路，则Tl和T3组成复合管，等效, T3可能饱和，使得（直流）;若R3短路，则（直流）。

第四章 习题解答
4-1 如题4-1图所示MOSFET转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？
答：（a）P-EMOSFET，开启电压
（b）P-DMOSFET，夹断电压（或统称为开启电压
（c）P-EMOSFET，开启电压
（d）N-DMOSFET，夹断电压（或也称为开启电压
4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。设漏极电流iD的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET？分别指出iD的实际方向是流进还是流出？
答：（a）P-JFET，的实际方向为从漏极流出。
（b）N-DMOSFET，的实际方向为从漏极流进。
（c）P-DMOSFET，的实际方向为从漏极流出。
（d）N-EMOSFET，的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N沟道EMOSFET的μnCox=100μA/V2，VGS(th)=0.8V，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：
（a）VGS=5V，VDS=1V； （b）VGS=2V，VDS=1.2V；
（c）VGS=5V，VDS=0.2V； （d）VGS=VDS=5V。
解：已知N-EMOSFET的
（a）当时，MOSFET处于非饱和状态

（b）当时，，MOSFET处于临界饱和

（c）当时，，MOSFET处于非饱和状态
（d）当时，，MOSFET处于饱和状态

4-4 N沟道EMOSFET的VGS(th)=1V，μnCox（W/L）=0.05mA/V2，VGS=3V。求VDS分别为1V和4V时的ID。
解：（1）当时，由于
即，N-EMOSFET工作于非饱和区

（2）当时，由于，N-EMOSFET工作于饱和区

4-5 EMOSFET的VA=50V，求EMOSFET工作在1mA和10mA时的输出电阻为多少？每种情况下，当VDS变化10%（即ΔVDS/VDS=10%）时，漏极电流变化（ΔID/ID）为多少？
解：（1）当，时

当，时

（2）当变化10%时，即
由于
（对二种情况都一样）
或者：由于

4-6 一个增强型PMOSFET的μpCox（W/L）=80μA/V2，VGS(th)=－1.5V，λ=－0.02V-1，栅极接地，源极接+5V，求下列情况下的漏极电流。
(a) VD=+4V； (b) VD=+1.5V； (c) VD=0V； (d) VD=－5V；
解：根据题意，P-EMOSFET导通

（a）当时，由于此时
P-EMOSFET处于非饱和状态

（b）当时，此时
P-EMOSFET处于临界饱和状态

（c）当时，，
即，P-EMOSFET处于饱和状态

（d）当时，，
即，P-EMOSFET处于饱和状态

4-7 已知耗尽型NMOSFET的μnCox（W/L）=2mA/V2，VGS(th)=－3V，其栅极和源极接地，求它的工作区域和漏极电流（忽略沟道长度调制效应）。
(a) VD=0.1V； (b) VD=1V； (c) VD=3V； (d) VD=5V；
解：根据题意，则，
（a）当时，＜
N-DMOSFET工作于非饱和区（或三极管区）

（b）当时，＜
N-DMOSFET工作于非饱和区

（c）当时，
N-DMOSFET工作于临界饱和状态，由于忽略沟道长度调制效应，则

（d）当时，＞
N-DMOSFET工作于饱和区，由于忽略沟道长度调制效应，则

4-8 设计题4-8图所示电路，使漏极电流ID=1mA，VD=0V，MOSFET的VGS(th)=2V，μnCox=20μA/V2，W/L=40。
解：由于
则
又由于 ＞，MOSFET处于饱和工作区
且，
则
代入数据得：

得

因为＜不符合题意，舍去

又 则
得
4-9 题4-9图所示电路，已知μnCox（W/L）=200μA/V2，ＶGS(th)=2V，ＶA＝20V。求漏极电压。
解：已知，，
（a）由于＞，MOSFET导通，假设MOSFET工作于饱和区，则

由于，说明MOSFET确实工作在饱和区，假设成立。
（b）由于，MOSFET导通，假设MOSFET工作于饱和区。则

即

由于＞，说明MOSFET确实工作在饱和区，假设成立。
（c）由于，MOSFET导通。假设MOSFET工作于饱和区。则

即

由于，说明MOSFEE确实工作在饱和区，假设成立。
4-10 在题4-10图所示电路中，假设两管μn，Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比（W/l）是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
解：根据题意，T1、T2两管的、Cox相同，，忽略沟道长度调制效应，

由于工作于饱和区，设T2也工作于饱和区，则

则

4-11 在题4-11图所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，VGS(th)= －1V，并忽略沟道长度调制效应。
（1）试证：对于任意RS值，场效应管都工作在饱和区。
（2）当RS为12.5kΩ时，试求电压VO值。
解：已知P-EMOSFET的
忽略沟道长度调制效应
（1）证：由于

＜在任意RS值时均成立
因此，对于任意Rs值，P-EMOSFET均工作在饱和区。
（2）当时，

4-12 已知N沟道增强型MOSFET的μn=1000cm2/V·s，Cox=3×10-8F/cm2，W/L=1/1.47，|VA|=200V，VDS=10V， 工作在饱和区，试求：
（1）漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm，输出电阻rds 。
（2）当VDS增加10%时，IDQ相应为何值。
（3）画出小信号电路模型。
解：根据题意