SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)20A600V单管igbt规格书参数_骊微电子.pdf

士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 1 页 20A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。特点 20A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65VIC=20A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 132132TO-3PTO-263-2L13TO-220FD-3L123TO-220F-3L123CGE123TO-220-3L123TO-247-3L 命名规则 SGT 20 T 60 S D X 1 P7士兰IGBT系列电流规格,如:70表示70A等N:N沟平面栅NE:N沟平面栅带ESDT:Field Stop 3和4U:Field Stop 4+V:Field Stop 5W:Field Stop 6X:Field Stop 7电压规格，如:65表示650V120表示1200V等D:合封二极管R:集成二极管（RC IGBT）封装形式,如P7:TO-247-3LF:TO-220F-3L等1,2,3:版本号空:标准二极管（Standard）M:标准二极管、全电流规格（Standard Full）R:快速二极管（Rapid）B:快速二极管、全电流规格（Rapid Full）S:超软二极管、全电流规格（Soft Full）L :超低速，推荐频率2KHzQ:低速，推荐频率220KS :标准，推荐频率540KF :高速，推荐频率1060KUF:超高速，推荐频率40K 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGT20T60SD1F TO-220F-3L 20T60SD 无铅 料管 SGT20T60SD1S TO-263-2L 20T60SD1S 无卤 料管 SGT20T60SD1STR TO-263-2L 20T60SD1S 无卤 编带 SGT20T60SD1P7 TO-247-3L 20T60SD1P7 无铅 料管 SGT20T60SD1FD TO-220FD-3L 20T60SD1FD 无铅 料管 SGT20T60SD1PN TO-3P 20T60SD1 无铅 料管 SGT20T60SD1T TO-220-3L 20T60SD1T 无铅 料管 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明，TC=25C)参数 符号 参数范围 单位 SGT20T60SD1F/FD SGT20T60SD1S/T SGT20T60SD1P7 SGT20T60SD1PN 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 集电极电流 TC=25C IC 40 A TC=100C 20 集电极脉冲电流 ICM 60 A 二极管电流 TC=25 C IF 16 A TC=100 C 8 A 短路维持时间(VGE=15V，VCC=300V)Tsc 10 s 耗散功率(TC=25C)PD 46 178 139 139 W 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 SGT20T60SD1F/FD SGT20T60SD1S/T SGT20T60SD1P7 SGT20T60SD1PN 芯片对管壳热阻（IGBT）RJC 2.7 0.7 0.9 0.9 C/W 芯片对管壳热阻（FRD）RJC 3.8 1.6 1.9 2.0 C/W 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 3 页 IGBT 电性参数(除非特殊说明，TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V，IC=250uA 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V，VGE=0V-200 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V，VCE=0V-400 nA 栅极开启电压 VGE(th)IC=250uA，VCE=VGE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降 VCE(sat)IC=20A，VGE=15V-1.65 2.4 V IC=20A，VGE=15V，TC=125C-1.9-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-1100-pF 输出电容 Coes-55-反向传输电容 Cres-22-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=20A RG=10 VGE=15V 感性负载-19-ns 开启上升时间 Tr-55-关断延迟时间 Td(off)-48-关断下降时间 Tf-115-导通损耗 Eon-1-mJ 关断损耗 Eoff-0.3-开关损耗 Est-1.3-栅电荷 Qg VCE=400V，IC=20A，VGE=15V-52-nC 发射极栅电荷 Qge-15-集电极栅电荷 Qgc-22-FRD 电性参数(除非特殊说明，TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM IF=8A，TC=25C-1.7 2.4 V IF=8A，TC=125C-1.4-二极管反向恢复时间 Trr IES=8A，dIES/dt=200A/s-22-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IES=8A，dIES/dt=200A/s-36-nC 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1-1.典型输出特性集电极电流 IC(A)020600136集电极发射极电压 VCE(V)301040417V15V13V2共射极TC=25 CVGE=9V511V50图 1-2.典型输出特性集电极电流 IC(A)020600136集电极发射极电压 VCE(V)301040417V15V13V2共射极TC=125 CVGE=9V511V50集电极电流 IC(A)集电极发射机电压 VCE(V)图2.典型饱和压降特性04060012650304TC=25 C3TC=125 C共射极 VGE=15V20510集电极电流 IC(A)栅极发射极电压 VGE(V)图3.传输特性080040105TC=125 CTC=25 C共射极 VCE=10V20206015图4.饱和压降 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)0515481220栅极-发射极电压 VGE(V)10共射极 TC=25 C1620AIC=10A30A图5.饱和压降 vs.VGE05154820栅极-发射极电压 VGE(V)1012共射极 TC=125 C1620AIC=10A30A集电极-发射极电压 VCE(V)士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 5 页 典型特性曲线(续)壳温 TC(C)图6.饱和电压 vs.温度1.02.025751252.510050共射极 VGE=15V1.5集电极-发射极电压-VCE(V)IC=10A20A30A3.0图7.电容特性电容(pF)02000110100集电极-发射极电压 VCE(V)800400CiesCoesCres12001600共射极 VGE=0V,f=1MHzTC=25 C图8.栅极电荷特性栅极-发射极电压-VGE(V)061502060栅极电荷 Qg(nC)93共射极TC=25 CVCC=100V300V200V1240开关时间(ns)栅极电阻-RG()图9.导通特性 vs.栅极电阻11010050100203040TrTd(on)共射极 VCC=400V,VGE=15V,IC=20A开关时间(ns)栅极电阻-RG()图10.关断特性 vs.栅极电阻10100010100500203040共射极VCC=400V,VGE=15V,IC=20A;TC=25 CTfTd(off)开关损耗(J)栅极电阻-RG()图11.开关损耗 vs.栅极电阻10001000005040302010EonEoff100共射极VCC=400V,VGE=15V,IC=20A，TC=25 C 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 6 页 典型特性曲线(续)开关时间 (ns)集电极电流-IC(A)图12.导通特性 vs.集电极电流010001011030共射极 VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=25 CTrTd(on)10020图13.关断特性vs.集电极电流1000100集电极电流-IC(A)01030共射极 VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=25 CTd(off)Tf1020开关时间(ns)开关损耗(J)集电极电流-IC(A)图14.开关损耗 vs.集电极电流010000100101030共射极 VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=25 CEonEoff100020正向电压-VFM(V)图15.正向特性110000.52.5101.51.02.0正向电流-IFM(A)TJ=125 CTJ=25 C图16.反向恢复时间vs.正向电流反向恢复时间-Trr(ns)正向电流-IF(A)di/dt=200A/sdi/dt=100A/s153025205201510图17.反向恢复电荷vs.正向电流反向恢复电荷-Qrr(nC)正向电流-IF(A)di/dt=200A/sdi/dt=100A/s154525203552015103040 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 7 页 典型特性曲线(续)图18.集电极电流随温度降额曲线集电极电流-IC(A)壳温-TC(C)05040202517512575501001501030DC10ms1ms100s集电极电流-IC(A)10-310010-1101102图19.最大安全工作区域集电极-发射极电压 VCE(V)10210110310-110s注：1.最大结温值：150 C2.参考温度最大值：25 C10-2100热阻抗（标准化）脉冲宽度(Sec)图20.瞬态热阻抗-脉冲宽度(IGBT)10110010-110-310-610-310-410-270%50%30%10%10-22%1%0.5%0.2%10-110-55%士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 8 页 封装外形图 TO-220F-3L 单位：毫米 AA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 2.804.424.702.302.545.023.102.502.760.900.700.801.470.650.350.5016.2515.2515.8716.3015.3015.7510.309.309.8010.369.7310.162.54BSC7.006.406.6813.4812.4812.983.503.403.003.183.553.053.30MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 TO-263-2L 单位：毫米 A1c2HLAcEL1Db1bL2ee AA1bcDEL1LL24.304.574.720.710.810.910.300.608.509.359.8010.452.002.302.741.751.121.271.42H14.7015.75c21.171.271.37e2.54BSC00.100.25MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_ 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 9 页 封装外形图(续)TO-247-3L 单位：毫米 AA2A1Cb2DEE2eLL1Qbb4 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1Q4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.7521.0015.805.005.44 BSC19.924.305.606.001.912.25b4MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_ TO-220FD-3L 单位：毫米 A1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2A 2.804.424.702.302.545.023.102.502.760.900.700.801.470.650.350.5016.2515.2515.8716.3015.3015.7510.309.309.8010.369.7310.162.54BSC7.006.406.6813.4812.4812.983.503.403.003.183.553.053.30MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 10 页 封装外形图(续)TO-220-3L 单位：毫米 AA1bcDEL1LD1H1b1eA2QP 4.304.701.001.501.802.800.601.001.001.6015.1016.1015.708.1010.009.209.609.9010.402.54BSC2.603.206.107.004.500.300.7012.6013.0813.601.306.500.803.403.953.703.902.40MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b1eA2QP TO-3P 单位：毫米 F2DL2L1Lb2b1eA1cc1Ab 4.45.21.21.81.22.00.71.32.73.315.016.00.40.88.510.01.72.35.45 TYP1.02.039.041.5C1b3.015.50.6L122.623.6A1b1b2DCF2eL19.521.0L2_MAXNOMMINMILLIMETERSYMBOLA_ 士兰微电子 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：2.0 http:/ 共 12 页 第 11 页 重要注意事项重要注意事项：产品名称：SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：2.0 修改记录：1.添加TO-220-3L封装 版 本：1.9 修改记录：1.更新描述中“第三代场截止（Field Stop）”改为“第三代场截止（Field Stop III）”2.修改饱和压降的典型值 3.修改极限参数中的二极管电流 4.修改图 18 集电极电流随温度降额曲线 5.修改图 19 的纵坐标 版 本：1.8 修改记录：1.修改增加瞬态热阻曲线 版 本：1.7 修改记录：1.添加 IF 值 2.添加不同封装的最大功率损耗 版 本：1.6 修改记录：1.更新封装立体图 2.更新重要注意事项 版 本：1.5 修改记录：1.增加 IGBT 和 FRD 的热阻 版 本：1.4 修改记录：1.增加 SGT20T60SD1PN（TO-3P）士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。和完整。我司产品属于消费类和我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。或民用类电子产品。在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！我司网站我司网站 http:/ 士兰微电子 文档类型：说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 12 页 第 12 页 版 本：1.3 修改记录：1.添加图 18 和 19 2.TJmax/最高储存温度修改为 150 度 版 本：1.2 修改记录：1.添加 SGT20T60SD1FD 2.更新命名规则 版 本：1.1 修改记录：1.集电极脉冲电流改为 60A 版 本：1.0 修改记录：1.正式版本发布