50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF规格书参数_骊微电子.pdf

士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 1 页 50A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGTP50V60FD2PF 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。特点 50A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65VIC=50A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 TJmax=175C CGE123TO-3PF 命名规则 SGT P 50 V 60 F D 2 PF士兰IGBT系列电流规格,如:75表示75A等N:N沟平面栅NE:N沟平面栅带ESDT:Field Stop 3和4U:Field Stop 4+V:Field Stop 5W:Field Stop 6X:Field Stop 7电压规格，如:65表示650V120表示1200V等D:合封二极管R:集成二极管（RC IGBT）封装形式,如PF:TO-3PF1,2,3:版本号空:标准二极管（Standard）M:标准二极管、全电流规格（Standard Full）R:快速二极管（Rapid）B:快速二极管、全电流规格（Rapid Full）S:超软二极管、全电流规格（Soft Full）工业级L :超低速，推荐频率2KHzQ:低速，推荐频率220KS :标准，推荐频率540KF :高速，推荐频率1060KUF:超高速，推荐频率40K 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGTP50V60FD2PF TO-3PF 50V60FD2 无卤 料管 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 2 页 极限参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 参数值 单位 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 瞬态栅极-射极电压（tp10s，D0.010）VGE 30 V 集电极电流 TC=25C IC 100 A TC=100C 50 集电极脉冲电流 ICM 150 A 二极管电流 TC=25 C IF 10 A TC=100 C 5 二极管脉冲电流 IFM 15 A 耗散功率（TC=25C）PD 60 W 工作结温范围 TJ-40+175 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 芯片对管壳热阻（IGBT）RJC-2.5 C/W 芯片对管壳热阻（FRD）RJC-5.3 C/W 芯片对环境热阻（IGBT）RJA-40 C/W 焊接温度（直插式）Tsold 2015sec，1time-260 C 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 3 页 IGBT 电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V，IC=250A 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V，VGE=0V-40 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V，VCE=0V-100 nA 栅极开启电压 VGE(th)IC=250A，VCE=VGE 3.2 4.0 5.0 V 饱和压降 VCE(sat)IC=50A，VGE=15V，TC=25C-1.65 2.3 V IC=50A，VGE=15V，TC=175C-2.0-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-3500-pF 输出电容 Coes-63-反向传输电容 Cres-12-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=50A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=25C-21-ns 开启上升时间 Tr-58-关断延迟时间 Td(off)-130-关断下降时间 Tf-42-导通损耗 Eon-1.55-mJ 关断损耗 Eoff-0.63-开关损耗 Est-2.18-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=25A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=25C-16-ns 开启上升时间 Tr-27-关断延迟时间 Td(off)-135-关断下降时间 Tf-11-导通损耗 Eon-0.59-mJ 关断损耗 Eoff-0.21-开关损耗 Est-0.80-栅电荷 Qg VCE=480V，IC=50A，VGE=15V-131-nC 发射极栅电荷 Qge-29-集电极栅电荷 Qgc-33-FRD 电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM IF=5A，TC=25C-1.4 2.0 V IF=5A，TC=175C-1.2-二极管反向恢复时间 Trr IES=5A，dIES/dt=100A/s，VR=50V，TC=25C-39-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr-50-nC 二极管反向恢复电流 Irm-2.4-A 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 4 页 IGBT 电性参数（TC=175C）参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=50A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=175C-21-ns 开启上升时间 Tr-57-关断延迟时间 Td(off)-161-关断下降时间 Tf-38-导通损耗 Eon-1.63-mJ 关断损耗 Eoff-0.77-开关损耗 Est-2.40-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=25A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=175C-17-ns 开启上升时间 Tr-26-关断延迟时间 Td(off)-182-关断下降时间 Tf-21-导通损耗 Eon-0.63-mJ 关断损耗 Eoff-0.36-开关损耗 Est-0.99-士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 5 页 典型特性曲线 VGE=7VVGE=9VVGE=11VVGE=13VVGE=15VVGE=17V图1.典型输出特性图 3.典型饱和电压特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V)图 4.传输特性图2.典型输出特性 集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图 5.饱和电压 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图 6.饱和电压 vs.VGE00000003005101548121620共射极 TC=25 CIC=25AIC=50AIC=100A05101548121620IC=25AIC=50AIC=100A共射极 TC=175 C50100150200250300246810共射极TC=25 C501001502002503000246810VGE=7VVGE=9VVGE=11VVGE=13VVGE=15VVGE=17V共射极TC=175 C40801201602000123456共射极 VGE=15VTC=25 CTC=175 C5010015020025003691215TC=25 CTC=175 C共射极 VCE=10V 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 6 页 典型特性曲线（续）正向电流 IFM(A)正向电压 VFM(V)图 10.正向特性开关时间 ns图11.导通特性 vs.栅极电阻栅极电阻-RG()集电极-发射极电压 VCE(V)壳温-TC(C)图 7.饱和压降 vs.温度图 8.电容特性图9.栅极电荷特性电容(pF)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压-VGE(V)栅极电荷量 QG(nC)开关时间 ns图12.导通特性 vs.栅极电阻栅极电阻-RG()4011101230255075100125150175IC=25AIC=50AIC=100A共射极 VGE=15V110100100010000110100CiesCoesCres共射极VGE=0Vf=1MHzTC=25 C481216020406080100120140注：IC=50A101000.00.51.01.52.02.53.0TC=25 CTC=175 C1010010000102030405060Td(on)Tr共射极VCC=400V,VGE=15V,IC=50A，TC=25 C1010010000102030405060Td(on)Tr共射极VCC=400V,VGE=15V IC=50A,TC=175 CVCE=480VVCE=300VVCE=120V 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 7 页 典型特性曲线（续）开关时间 ns栅极电阻-RG()图13.关断特性 vs.栅极电阻图14.关断特性 vs.栅极电阻图15.开关损耗 vs.栅极电阻开关时间 ns栅极电阻-RG()开关损耗 mJ栅极电阻-RG()开关损耗 mJ栅极电阻-RG()图16.开关损耗 vs.栅极电阻图17.导通特性 vs.集电极电流开关时间 ns集电极电流-IC(A)图18.导通特性 vs.集电极电流开关时间 ns集电极电流-IC(A)11100000.111010010000102030405060共射极VCC=400V,VGE=15V,IC=50A，TC=25 CTd(off)Tf101001000100000102030405060共射极VCC=400V,VGE=15V,IC=50A，TC=175 Ctd(off)tf1100102030405060共射极VCC=400V,VGE=15V IC=50A,TC=25 CEonEoff0.11100102030405060共射极VCC=400V,VGE=15V IC=50A,TC=175 CEonEoff1101001000020406080共射极VCC=400V,VGE=15V RG=10,TC=25 Ctd(on)tr1101001000020406080共射极VCC=400V,VGE=15V RG=10,TC=175 Ctd(on)tr 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 8 页 典型特性曲线（续）开关时间 ns集电极电流-IC(A)图19.关断特性 vs.集电极电流图20.关断特性 vs.集电极电流图21.开关损耗 vs.集电极电流开关时间 ns集电极电流-IC(A)开关损耗 J集电极电流-IC(A)开关损耗 J集电极电流-IC(A)图22.开关损耗 vs.集电极电流图23.反向恢复时间 vs.正向电流反向恢复时间Trr(ns)正向电流 IF(A)图 24.反向恢复电荷 vs.正向电流反向恢复电荷-Orr(nC)正向电流 IF(A)01000110100020406080共射极VCC=400V,VGE=15V RG=10,TC=25 Ctd(off)tf1101001000020406080共射极VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=175 Ctd(off)tf10100100010000020406080EonEoff共射极VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=25 C10100100010000020406080共射极VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=175 CEonEoff1020304050600246810di/dt=100A/sdi/dt=200A/s3060901201500246810di/dt=100A/sdi/dt=200A/s 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 9 页 典型特性曲线（续）峰值反向恢复电流-Irm(A)正向电流 IF(A)图 25.峰值反向恢复电流vs.正向电流Tb斜率dirr/dt(A/s)图 26.Tb斜率vs.正向电流正向电流 IF(A)集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)图 27.最大安全工作区域热阻抗-（标准化）脉冲宽度(Sec)图28.IGBT 瞬态热阻抗 vs.脉冲宽度热阻抗-（标准化）脉冲宽度(Sec)10-3图29.二极管瞬态热阻抗 vs.脉冲宽度300024680246810Irm=100A/sIrm=200A/s0501001502002500246810dirr/dt=100A/sdirr/dt=200A/s10010310-310-610-610-1100101102101102103100s10ms1ms10sDC注：Tc=25 C10-210010-110-110-310-410-230%10%10-210-510270%50%5%2%1%0.5%0.2%Single Pulse10010110010-110-110-310-410-250%30%10%10-21%10-50.5%1022%5%0.2%70%100101Single Pulse 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 10 页 封装外形图 TO-3PF 单位：毫米 bA3E1b1HeQAA1cD1EDPA2L 19.7015.3015.705.155.750.650.951.802.204.304.7016.3017.701.702.305.205.802.803.203.003.800.701.103.403.8018.505.503.003.400.900.802.0015.505.452.003.804.004.203.604.50MAXNOMMINMILLIMETERSYMBOLbLA3E1b1eQAA1cD1A2EP26.1026.9026.50H14.3015.50D 重要注意事项重要注意事项：1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站我司网站 http:/ 士兰微电子 SGTP50V60FD2PF 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.0 http:/ 共 11 页 第 11 页 产品名称：SGTP50V60FD2PF 文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：1.0 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