500ta多晶硅、16kta三氯氢硅新建项目建设可行性研究报告.doc

归档资料，核准通过。未经允许，请勿外传！1总 论1.1 概述1.1.1 项目名称、建设单位、企业性质及法人项目名称：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氢硅项目。建设单位：*通能硅材料有限公司企业性质：中外合资法人代表：*1.1.2 企业概况*通能硅材料有限公司是由美国通用硅材料有限公司与南昌赣宇有机硅有限公司合资组建的中外合资企业。*通能硅材料有限公司在*盐化化工基地拟征地280亩作为建设用地，并利用*化工有限公司氯气和氢气的原料优势，生产三氯氢硅、多晶硅。公司总投资27600.05万元，拟建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氢硅项目。项目建成后预计实现年销售收入7.592亿元，年税后利润34073.36万元，可解决217人就业。1.1.3 可行性研究报告编制的依据和原则1.1.3.1 编制依据（1）*通能硅材料有限公司与*工程有限公司签订的委托咨询合同。（2）国家、省、市有关设计规范、规定。（3）*通能硅材料有限公司提供的基础资料和要求。1.1.3.2 编制原则（1）本可研报告编制严格按照以下有关安全技术、规范、标准进行编制：工业企业总平面设计规范 GB50187-1993建筑设计防火规范 GB50016-2006低压配电设计规范 GB50054-199510KV及以下变电所设计规范 GB50053-1994供配电系统设计规范 GB50052-1995建筑物防雷设计规范 GB50057-2000石油化工静电接地设计规范 SH3097-2000 电力工程电缆设计规范 GB50217-1994 爆炸和火实危险环境电力装置设计规范GB50058-1992 电力工程电缆设计规范 GB50217-1994 建设项目（工程）劳动安全卫生监察规定劳动部第3号令漏电保护器安全监察规定劳动部1990年化工企业安全卫生设计规定 HG20571-1995生产过程安全卫生要求总则 GB12801-1991工业企业采光设计规范 GB50033-1991工业企业照明设计规范 GB50034-1992工业企业噪声卫生标准 GB3096-1982工业企业劳动卫生标准 GB1171911726-1989卫生饮用水卫生标准 GB5749-1985建筑物防雷设计规范 GB50057-2000职业性接触毒物危害程度分级 GB5044-1985生产设备安全卫生设计总则 GB5083-1999建筑灭火器配置设计规范 GB50140-2005建筑给水排水设计规范 GB50015-2003室外给水设计规范 GB50013-2006 室外排水设计规范 GB50014-2006 污水综合排放标准 GB8928-1996工业循环水设计规范 GB50050-1995混凝土结构设计规范 GB50010-2002砌体结构设计规范 GB5003-2001建筑结构荷载规范 GB50009-2001建筑抗震设计规范 GB50011-2001建筑地基基础设计规范 GB5007-2002化工建设项目噪声控制设计规定 HG20503-1992工业企业噪声控制设计规范 GBJ87-1985重大危险源辨识 GB18218-2000石油化工企业可燃气体和有害气体检测报警设计规范SH3063-1999（2）按国家产业政策、技术政策的要求，对本项目的建设条件、技术路线、经济效益、工程建设、生产管理以及对环境的影响等各个方面进行分析，力求全面、客观地反映实际情况。（3）生产装置及配套的公用工程、辅助设施都要充分注意技术的先进性。技术的先进性不仅体现在工艺流程、技术装备和控制水平上，而且同样体现在环境保护和工业收到生等各个方面。在注重技术先进性的同时，还要充分注意技术的适用性，根据企业目前的综合能力选取适用的先进技术。（4）利用高效节能、易于管理、技术先进、稳妥可靠的工艺在节省能源、资源和降低成本方面采取具体措施以提高企业的经济效益。（5）遵循可持续发展的战略观念，注重采取环境保护努力避免产生新的污染源，环保工程与工艺装置同步设计、同步施工和同步投产。控制对环境的污染、节约能源。（6）根据装置的特点，搞好各装置的衔接、配套专业的设计、优化设计方案、科学论证、实事求是提出研究结论。1.2 项目提出的背景、投资必要性和经济意义1.2.1 项目提出的背景多晶硅可用以生产硅基微钠电子材料，国家“十一五”将重点发展的17类新材料中，排在首位的就是硅基微钠电子材料，多晶硅又是生产太阳能电池的主要原料，而我国光伏产业的快速发展导致多晶硅的需求大增，因此多晶硅的需求将会持续发展。多晶硅是制造太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业的基础原材料。随着我国半导体行业和太阳能电池的快速增长，对多晶硅的需求随之快速增长。我国在“十一五”期间，半导体集成电路年均增长速度保持在20%左右。预计到2010年多晶硅需求量将达到6200吨，其中半导体用量为2000吨，光伏用量为4200吨。而我国多晶硅的产能在2005年仅为300吨，仅太阳能用多晶硅缺口就达97%。1.2.2 项目实施的必要性及经济意义世界多晶硅生产主要由美、日、德三国垄断。由于全球原油价格上涨，欧美地区对新能源的需求上升，这些国家都采取了鼓励太阳能发展的措施，这促使太阳能产业蓬勃发展，从而导致多晶硅需求猛增。据不完全统计，2005年全世界多晶硅产量28750吨，其中半导体用多晶硅20250吨，太阳能电池用多晶硅8500吨，而太阳能级的实际需求量为15000吨，出现严重供不应求的局面，半导体领域对多晶硅的需求今后也将保持强劲增长。WSTS（全球半导体市场统计）预计2006年和2007年全球半导体市场的规模增长分别为8%和10.6%。预计半导体领域对多晶硅的需求2007年超过25000吨，加上太阳能电池领域的需求，2007年对多晶硅材料的总需求将达到45000吨，供应缺口在900011000吨。据专家预测，到2009年，全世界多晶硅的年需求量将达到7万吨，同时，我国周边地区的俄罗斯、韩国、新加坡、马来西亚等国均无多晶硅生产条件和能力，对多晶硅有巨大的市场需求。全球主要多晶硅生产厂家有：德山雪达（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先进硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企业。日本是亚洲最大的多晶硅生产国，但其产量仍不能满足本国需求，不仅日本，亚太地区特别是台湾、新加坡、韩国等地，都是多晶硅的主要需求地。由于近年来国际多晶硅市场需求旺盛，而总体产能增长不足，导致多晶硅价格暴涨，其价格由2003年的23美元/公斤涨至2005年的90美元/公斤、2006年的130美元/公斤、2007年的1500元/公斤。国内多晶硅的价格亦受国际市场的影响，因全球多晶硅主要生产厂商只有七家，国内产能极小，主要依靠进口，因此预计2008年以后多晶硅的价格为17001800元/公斤。因此项目的实施可以促进半导体、光伏产业的发展，满足不断增长的市场需求。同时拟建项目同时增加了就业机会，具有一定的社会效益。1.3 项目概况1.3.1 拟建地点：*市盐化基地。1.3.2 建设规模与目标现根据*通能硅材料有限公司规划，以及拟建场地的条件，确定项目产品方案和规模为：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氢硅（其中商品量为6000t/a），副产品四氯化硅1000t/a。1.4 研究范围本可行性研究范围包括下述内容：（1）市场预测（2）产品方案和生产规模（3）工艺技术方案（4）与工艺装置配套的公用工程及辅助设施（5）环境保护及治理措施（6）劳动保护与安全生产（7）投资估算及资金筹措（8）经济效益初步评介1.5 研究结论（1）*通能硅材料有限公司拟建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氢硅项目，项目符合国家产业政策和“十一五”发展规划。（2）本项目技术成熟、工艺路线先进。（3）本项目产生的“三废”少，处理措施切实可行。（4）项目产品结构合理，是目前市场上紧缺产品，有极强的市场竞争力，初步财务评价表明该项目具有良好的经济效益。（5）项目的实施可解决217人就业，具有一定的社会效益。（6）项目工程总投资为27600.05万元，其中固定资产投资24300.05万元，铺底流动资金3300.00万元。项目年销售收入75920.00万元，年总成本费用26692.85万元，年销售税金及附加3796.00万元，年利润总额45431.15万元，年所得税11357.79万元，年税后利润34073.36万元，投资利润率123.45%，投资利税率178.36%，投资回收期(静态)0.81(不含建设期)，每年向当地和国家缴纳税金15153.79万元，解决当地217人就业。该项目具有良好的经济效益和社会效益，项目实施单位具有完成本项目的能力和良好条件。因此，本项目是可行的。1.6 主要技术经济指标序号项 目 名 称单 位数 量备 注一生产规模1三氯氢硅t/a5002多晶硅t/a16000其中商品量6000 t/a二年操作时时/班/天8/3/300三主要原材料、动力用量1硅粉（98%）t/a52802氢气（99%、含氧量0.05%）Nm3/a32100003氯气（98%）t/a16480四公用工程消耗1水：直流水m3/h年耗水量153.6万m3 循环水m3/h2电：装机容量Kw8540使用容量Kw7820年耗电4512万Kwh3氮气（99%）Nm3/a96000自产4蒸汽t/a10080五定员人217其中：工人人177管理人员（含技术人员）人30六总运输量t/a12806.04其中：运入量t/a5280运出量t/a7526.04七工程用地亩240.4八工程建筑面积m253453含二期预留九综合能耗总量标煤t/a6957.14十项目总投资万元27600.05其中：固定资产投资万元24300.05铺底流动资金万元3300.00十一年销售收入万元75920.00十二年总成本费用万元26692.85十三年销售税金及附加万元3796.00十四年利润总额万元45431.15十五年所得税万元11357.79十六年税后利润万元34073.36十七税费总额万元15153.79十八财务评价指标18.1投资利润率%123.4518.2投资利税率%178.3618.3投资回收期（不含建设期）年0.81静态、税后2市场预测2.1 产品主要性能用途多晶硅材料是用三氯氢硅以氢气作还原剂在高温下还原并提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。光伏发电是太阳能的主要应用领域，具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点。太阳能光伏发电的最基本元件是太阳能电池。目前多晶电池用量最大。全球太阳能电池组件的年均增长率高达30%以上，光伏产业成为发展最快的新兴行业之一。随着全球光伏产业的迅速发展，太阳能电池生产企业对原料多晶硅的需求与日俱增。2.2 国内外内生产情况及市场预测世界多晶硅主要由美、日、德三国垄断。由于全球原油价格上涨，欧美地区对新能源的需求上升，这些国家都采取了鼓励太阳能发展的措施，这促使太阳能产业蓬勃发展，从而导致多晶硅需求猛增。据不完全统计，2005年全世界多晶硅产量28750吨，其中半导体用多晶硅20250吨，太阳能电池用多晶硅8500吨，而太阳能级的实际需求量为15000吨，出现严重供不应求的局面，半导体领域对多晶硅的需求今后也将保持强劲增长。WSTS（全球半导体市场统计）预计2006年和2007年全球半导体市场的规模增长分别为8%和10.6%。预计半导体领域对多晶硅的需求2007年超过25000吨，加上太阳能电池领域的需求，2007年对多晶硅材料的总需求将达到45000吨，供应缺口在9000-11000吨。据专家预测，到2009年，全世界多晶硅的年需求量将达到7万吨，同时，我国周边地区的俄罗斯、韩国、新加坡、马来西亚等国均无多晶硅生产条件和能力，对多晶硅有巨大市场需求。全球主要多晶硅生产厂家有：德山雪达（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先进硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企业。日本是亚洲最大的多晶硅生产国，但其产量仍不能满足本国需求，不仅日本，亚太地区特别是台湾、新加坡、韩国等地，都是多晶硅的主要需求地。近年来，我国建起了多条太阳能电池模块封装线，使太阳能电池的年生产量迅速增加，硅太阳能电池的生产能力已从三年前的十几兆瓦发展到超过100兆瓦，制造太阳能电池的上游原料多晶硅的需求随之快速增长：“十一五”期间，我国半导体集成电路市场将进一步扩大，年均增长速度将保持在20%左右，太阳能和半导体这两大行业的迅猛发展导致基础原材料多晶硅的市场需求不断提高预计我国的多晶硅至2008年将有超过5000吨的缺口。“十一五”期间，将是多晶硅产业快速发展的黄金时期，多晶硅来头增长的潜力巨大。目前国内生产多晶硅的企业主要有河南洛阳单晶硅厂、四川峨嵋半导体材料厂、上海棱光实业公司、四川重庆天原化工总厂，洛阳中硅高科技有限公司等，年总产量不超过300吨。远远不能满足国内市场的需求，97%的多晶硅依赖进口，多晶硅短缺已成为制约我国太阳能电池等行业发展的瓶颈。2.3价格分析由于近年来国际多晶硅市场需求的旺盛，而总体产能增长不足，导致多晶硅价格暴涨，其价格由2003年的23美元/公斤 涨至2005年的90美元/公斤，2006年的130美元/公斤,2007年为1500元/公斤。国内多晶硅的价格亦受国际市场的影响，因全球多晶硅主要生产厂商只有七家，国内产能极小主要依靠进口，因此预计2008年以后多晶硅的价格为17001800元/公斤。本报告各种产品价格选用现市场价格，其中市场价格为多晶硅保守为130万元/t、三氯氢硅为1.80万元/t、四氯化硅为0.12万元/t。3建设规模及产品方案3.1 建设规模生产规模的确定，要考虑市场需求、资金筹措、企业经济效益以及厂址的建设条件等诸多方面的因素。根据市场预测和原材料的供应情况，以及*通能硅材料有限公司现有规划，拟定本工程的产品方案及规模为：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氢硅（其中商品量为6000t/a），副产品四氯化硅1000t/a。3.2 产品质量标准3.2.1 三氯氢硅质量标准目前尚无三氯氢硅产品的国家标注和行业标准。本项目产品三氯氢硅执行标准参照美国联合碳化公司（1983）执行。美国联合碳化公司（1983）三氯氢硅质量标准（表1）指 标 名 称指 标三氯氢硅含量% 97.0一氯硅烷（液相）含量% 3.0硼含量（液相）% 0.00003砷含量（液相）% 0.00003磷含量（液相）% 0.0003电阻率cm200比容m3/kg0.18沸点31.83.2.2 多晶硅质量标准多晶硅产品质量执行GB/T12963-1996多晶硅质量标准。多晶硅质量标准GB/T 12963-1996（表6）等级项目特级品一级品二级品三级品1表面及断面状态结晶致密，表面平整，断而无夹层。结晶致密，表面平整，无氧化夹层。2直径7257257257253基硼电阻率55554直径允许偏差 45002600150010005N型少子寿命 5003001501006N型电阻率 450300150607含碳量个原子/cm3 2105105108含氧量 1105105103.3 包装、运输及储存产品的标志、标签、包装、运输应符合化学危险安全管理条例、危险化学品安全管理条例实施细则等国家有关法律法规及GB12690-92的规定。3.3.1 三氯氢硅包装、运输及储存三氯氢硅为贮罐贮存，专用汽车槽车运输。3.3.2 多晶硅包装、储存及运输运输过程中应轻装轻卸，避免受潮、受热和包装破换。3.4 建设工程组成序号子项号项 目 名 称规模备注1101氢气净化车间1200m22102还原主车间一4464m23103还原主车间二5616m2预留4104三氯氢硅车间768m25105精馏车间1248m26106尾气回收车间5616m27201氢气气柜1000m3预留1000m38202乙类仓库一1296m29203乙类仓库二1296m210204贮罐区502m2250m3三氯氢硅350m3四氟化硅150m3盐酸11205贮罐区泵房65m212301热水池及泵房1296m213302机修车间1296m214303车库1296m215304发配电间577m2一期使用16305循环（消防）水池500m3深3m17306循环（消防）水池泵房65m218307辅助车间1216m2冷冻、空压19308事故应急池270m3深3m20309污水处理系统1280m221310地磅一80t22311地磅二80t23401综合办公楼8616m 224402研发楼7476m225403门卫一27m226404门卫二23m227405门卫三24m24工艺技术方案4.1 工艺技术方案4.1.1 工艺技术方案的选择1、三氯氢硅传统的三氯氢硅合成工艺是将干燥氯气及净化后的氢气经各自的缓冲罐进入氯化氢合成炉中反应成氯化氢并进入沸腾炉中。硅粉干燥后经加热脱水用氮气送入沸腾炉中与氯化氢反应生产三氯氢硅气体。气体经过滤器除去硅粉尘，在空冷器除去高沸物杂质及金属氯化粉最后经冷凝为液体，再经分镏成成品三氯氢硅。这是当今最成熟的工艺技术，国内外三氯氢硅生产企业基本上都采用此种工艺。此外还有用固定床氯化炉，铜粉作催化剂，氯化氢和硅粉直接合成三氯氢硅。粗三氯氢硅含量在60%以上，经分镏提纯除去高、低沸点物后，三氯氢硅含量达90%。还有通过流化床反应器还原四氯硅烷来制备三氯硅烷的方法。该方法在反应器中建立一个硅颗粒的流化床，将微小组辐射直接导入反应器中，加热硅颗料吏春温度达到3001100，含有四氯硅烷和氢的反应气通过流化床，反应气与硅颗粒反应，形成含有三氯硅烷的产物气。本项目三氯氢硅装置生产工艺采用三氯氢硅沸腾床合成、加压精镏、冷凝分离提纯生产高纯度的三氯氢硅产品和四氯化硅副产品的传统工艺。该工艺流程采用国内先进的沸腾床式三氯氢硅合成炉，生产能力大，副产品少；分离采用加压精镏技术使三氯氢硅产品质量达到99%、四氯化硅产品质量达到97%以上，处于国内领先水平。2. 多晶硅目前多晶硅的主要生产方法分别为硅烷法和三氯氢硅氢还原法（又称西门子法）这两种。硅烷法是采用精制后的硅烷进行热分解反应，析出硅，从而获得多晶硅棒，再经进一步处理后而获得多晶硅产品。三氯氢硅氢还原法是经过精制的三氯氢硅经挥发后与精制后的氢气在还原炉中高温下发生还原反应而析出硅，获得多晶棒，再往进一步处理后而获得多晶硅产品。改良西门子法（即改良三氯氢硅氢还原法）主要是对还原尾气进行回收利用，提高三氯氢硅的转化率，降低其消耗，同时极大地解决尾气排放造成的污染问题。本项目选择改良西门子法生产多晶硅。该工艺流程采用三氯氢硅和氢气分别经过精制，进入还原炉，在高温下进行还原，获得的多晶硅棒经过后处理而获得高纯度的多晶硅。同时对还原尾气进行处理，回收三氯氢硅，四氯化硅和氢气。回收的三氯氢硅、四氯化硅、氢气经精制后再进入还原炉中生产多晶硅。多晶硅的产品质量达到GB/T 12963-1996的要求。4.1.2 工艺流程简述1、三氯氢硅工艺流程简述（1）氯化氢合成工序开启HC1合成炉合成段冷却水，管道氢气经阻火器、氢气缓冲罐、冷水冷却器冷却后去干燥器干燥、除氧器除氧、干燥器干燥（与氯气按摩尔比1.05:1）进入HC1合成炉；管道氯气经氯气缓冲罐后进入HC1合成炉；通过冷却水量、氯气和氢气量控制合成炉出口温度在400500。合成的HC1气体经氯化氢缓冲罐纯化去三氯氢硅合成工序。（2）三氯氢硅合成工序硅粉通过真空管道输送至硅粉干燥器，干燥后的硅粉用氮气送入三氯氢硅合成炉；与来自氯化氢缓冲罐的氯化氢气体在合成炉沸腾床发生反应，控制合成炉温度在280310，生成气相三氯氢硅和四氯化硅；三氯氢硅和四氯化硅气体混合物经网袋式过滤器分离、硅渣收集器收集回用；气相经空冷器初冷后进入冷凝器经冷冻盐水冷凝后经接收槽进入粗品收集槽；不凝性气体经管道进入尾气吸收工序。在沸腾炉中，硅粉和氯化氢反应生成三氯氢硅。（3）精镏提纯工序来自粗品收集槽的三氯氢硅和四氯化硅混合物料进入塔釜加热器，经蒸汽间接加热进入精镏塔，精镏塔顶气体经前冷器和后冷器冷凝，控制压力和回流比，一部分液体回流至精镏塔，一部分自流进入三氯氢硅接收罐进入三氯氢硅收集罐；塔釜加热器精镏后残液自流进四氯化硅接收罐后经氮气压入四氯化硅储罐。（4）尾气吸收工序来自冷凝器的不凝性气体进入尾气洗涤塔，经循环泵送出的洗涤水在尾气洗涤塔中五处喷淋洗涤，回收HCl溶液至20%浓度后外售；气体达标排放。2、多晶硅生产流程简述（1）氢气精制工序由*化工管道送来的氢气及回收氢气进入氢气气柜，经水环泵加压后的氢气经分离器、氢气冷却器、片碱干燥器、活性碳吸附器、除氧器、冷却器、冷冻除水器、硅胶干燥器，再进入二次氢气净化器进行净化得到精制氢气。该项目同时建设有电解水制氢系统。采用纯化水经电解槽电解，制氢装置分离氢、氧等初步处理，再进入氢气净化装置净化（工序同上述氢气精制工序）得到高纯氢气供还原车间等生产使用。（2）三氯氢硅精制工序自制的三氯氢硅放入三氯氢硅储槽，再经泵送往高位槽，经控制流量后进入精馏塔釜，从塔顶出来的气相经全凝器（二级）进行冷凝得到的冷凝液再经过滤器，一路返回精馏塔顶作为回流液，一路作为产品流入计量槽。经分析，合格的精制三氯氢硅进入精三氯氢硅储槽，不合格的则返回三氯氢硅储槽。二级全凝器的尾气进入尾气缓冲罐，再经尾气洗涤塔洗涤达标排空。洗涤水进入中和池进行处理。精馏的釜底残液及轻组分三氯氢硅则进入高低沸物槽，装车外卖。（3）还原系统及尾气回收系统精制的三氯氢硅经过鼓泡气化后与精制氢气在还原炉内，在以硅芯作为载体的表面，在高温下还原沉积为多晶硅。通过调节电流强度，控制载体温度，使炉内载体直径变粗，达到供直拉单晶硅所需直径要求的多晶硅。还原尾气经两级螺旋板换热器降温后进入尾气回收器，未凝气体与还原尾气经换热后进入水喷淋洗涤塔洗涤，再经丝网阻火器进入氢气气柜。洗涤水则进入中和池进行处理。尾气回收器冷凝下来的回收液体进入计量槽，经控制流量进入回收精馏塔，塔顶气相经二级全凝器冷凝得到的液体经分析，合格品流入回收精三氯氢硅储槽或四氯化硅储槽，不合格品则返回粗产品罐，再重新送入高位槽进行精馏。精馏残液（塔釜排液及轻组份液体）则送往高低沸物储槽，装车外卖。回收的三氯氢硅和回收的四氯化硅经汽化后进入不同的还原炉，前者生产直拉料或区熔料，后者则送入专用还原炉，以生产拉制硅芯的硅芯料。4.1.3 工艺流程方框图1、三氯氢硅工艺流程方框图 干燥 氢气 脱氧 干燥HCL合成炉 氯气 硅粉 沸腾炉 过滤器 硅粉回收利用 空气冷凝器 盐水冷凝器 尾气冷凝器回收 粗三氯氢硅 淋洗塔放空 精馏塔 检验 检验 三氯氢硅成品 副产品四氯化硅H2储气柜净化装置加压泵粗三氯氢硅储槽鼓泡器精三氯氢硅还原炉多晶硅检测切割包装多晶硅产品尾气回收HCl硅芯多晶硅芯炉硅芯纯H2废水排放中和处理H2冷凝液2、多晶硅4.1.4反应方程式H2+Cl2=2HClSi+3HCl=SiHCl3+H2 并伴随有如下副反应：SiHCl3+HCl=SiCl4+H2SiHCl3+ H2=Si+3HCl并伴随有如下副反应：4SiHCl3=3SiCl4+2H2+Si4.2 原材料消耗定额及年消耗量序号名 称规格单位单位定额(/t)年用量备注一三氯氢硅1硅粉98%t0.33052802氢99%m3200.03201043氯气98%m31.03164804氮气98%m36.096000自产二多晶硅1三氯氢硅99.99999%t2010000自产2氢气99%m320100004.3 自控方案4.3.1 三氯氢硅装置自控技术（1）自控设计范围本设计适用于年产16000吨三氯氢硅项目装置，项目装置包括氯化氢合成、三氯氢硅合成、三氯氢硅提纯、尾气回收和洗涤吸收等工序；该控制系统将在生产装置内满足本装置的生产监视、过程控制、参数报警、数据记录及趋势等项的功能要求，并能安全可靠运行。该工程控制点较少，控制简单，而且没有调节系统，但工程具有有毒、易燃易爆气体，所以选型上主要考虑安全因素。该项目部分工段采用间歇性生产，并以现场操作为主。（2）设计标准及规定爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范 GB50058-92自动化仪表选型规定 HG/T20507-2000仪表供电设计规定 HG/T20509-2000仪表供气设计规定 HG/T20510-2000信号报警、安全连锁系统设计规定 HG/T20511-2000（3）自控水平及主要技术方案根据所确定的工艺技术方案和工艺流程，本着“技术先进、经济合理、运行可靠、操作方便”的原则，本设计决定采用现场控制，以完成整个生产过程的主要工艺参数的监测、分析、显示、记录、报警和实时控制。主要控制方案为：以常规数字显示为主，根据工艺要求，设置两个控制室，作为温度集中显示点，流量以现场控制为主，报警系统也安装在控制室里。接地按照要求严格接地，工作接地、信号屏蔽接地和安全保护接地分开。对生产过程的重要控制点设有报警系统并与相关动力进行联锁。（4）仪表类型生产反应过程中，要求对温度、压力和流量等反应参数进行精确控制以保证产品质量，本可研对现场仪表选型依据经济实用、运行可靠、维修方便的原则，结合生产实际对温度测量采用热电偶，对压力采用弹簧管普通压力表，流量仪表采用玻璃转子流量计和金属转子流量计，危险气体采用SFD-300等系列有毒气体报警装置，该装置采用多探头测量方式，分别探测氯气、氢气和氯化氢三种气体，并在主机上进行报警。4.3.2 多晶硅装置自控技术a、主要技术方案本项目若实行全流程自动化控制投资较大，因此本装置根据工艺和辅助，公用工程等的不同操作和特性，采用简单调节、复杂调节和组合调节，重要参数均为自动调节、集中控制、并按生产需要设置了一些温度、压力、流量、液位的报警和设备的连锁，辅助生产装置的参数就地检测和操作，一般采用单参数调节。接地按照要求严格接地，工作接地、信号屏蔽接地和安全保护接地分开。b、设计标准及规定爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范 GB50058-92自动化仪表选型规定 HG/T20507-2000仪表供电设计规定 HG/T20509-2000仪表供气设计规定 HG/T20510-2000信号报警、安全连锁系统设计规定 HG/T20511-20004.4 主要设备一览表位号设备名称规格材质数量一三氯氢硅装置1氯气缓冲罐60018506Q235A12氯化氢合成炉120038508Q335A43氯化氢缓冲罐80021508Q435A24水环真空泵SZ-2型组合件15真空缓冲罐60018506Q236A16硅粉干燥器600/4003820Q336A67沸腾炉1200/5008211Q436A68网袋过滤器1300/12002480Q137A69空冷器600/5002476Q237A610冷凝器5003200 F30m2Q337A611接受槽6001850 V0.35m3Q437A612粗品收集槽20004900 V13m3Q138A113氮气缓冲罐60018306Q238A114水喷射器80石棉酚醛115尾气洗涤塔800/300010Q438A116精馏塔2731435010617前冷凝器7002200 F20m210618后冷凝器4002450 F7m210619过滤器1591830610620尾气缓冲罐60018307Q140A121热水槽6001830Q240A122热水泵2B11组合件223接收槽80015506Q235A224接收槽80015506Q235A1225阻火器325650Q235A126氢气缓冲罐60018506Q235A127阻火器219540Q235A228冷水冷凝器4002450 F7m210129干燥器60018506Q235A430除氧器325245010131塔釜加热器132螺旋冷冻机233计量罐634制氮机PSA-10135雷蒙磨机4R型136三氯氢硅储罐2400720020337四氯化硅储罐24007200201二多晶硅装置1原料水罐12002800 V=2.5m3Q23512电解槽外形尺寸：401016501747复合件13制氢装置外形尺寸：360022004500复合件14砾石阻火器Dg500Q23525氢气冷却器5302850 F=25m210、Q23516缓冲罐12003300810、Q23527阻火器1593801018片碱干燥器80038008Q23529活性碳吸附器80046008Q235210除氧器80027508Q235211冷却器6003400 F=25m2Q235212冷冻除水器8003200 F=25m2Q235213硅胶干燥器