河南工院电力电子习题4.doc

河南工业职业技术学院《电力电子》习题集
※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※
习 题 四

1．比较普通晶闸管与可关断晶闸管的特点及使用有何异同。
2．与半控型电力电子器件相比，全控型电力电子器件在性能和使用上有哪些优点?
3．比较GTR、GTO、电力MOSFET以及IGBT这四种常见自关断电力电子器件各自的特点及适用场合。
4．为什么GTO的阳极电流不能超过IATO?
5. 说明GTO的工作原理及其可以关断的原因。
6．自关断电力电子器件为什么必须设置缓冲电路? 缓冲电路有哪些类型?
7．什么是GTR的二次击穿？一般可采取什么措施加以保护?
8. 如何防止电力MOSFET由静电引起的损坏?
9．画出IGBT的等效电路，说明IGBT在现代变频器中广泛应用的原因。
10．为什么说PIC又叫智能型功率集成电路?
11．试比较GTR、电力MOSFET和IGBT的动态特性。
12.IPM的内部结构是怎样的？它有什么应用？
《电力电子》精品课程精品试卷集 . 第1页 共1页