MOS管的电容特性.doc

(word完整版)MOS管的电容特性由于器件里的耗尽层受到了电压影响，电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd，Cgs受电压的影响非常小，Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上.如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。图10。功率管的本征电容简单的说，Cgd越小对由于dv/dt所导致的功率管开启的影响越少。同样Cgs和Cgd形成了电容分压器，当Cgs与Cgd比值大到某个值的时候可以消除dv/dt所带来的影响，阈值电压乘以这个比值就是可以消除dv/dt所导致功率管开启的最佳因数,APT功率MOSFET在这方面领先这个行业。Ciss:输入电容将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容.Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断.因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。Coss：输出电容将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振Crss：反向传输电容在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容.反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =？Cgd反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间.图11是电容的典型值随漏源电压的变化曲线。图11. APT50M75B2LL的电容VS电压曲线电容随着漏源电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容.Qgs， Qgd，和Qg：栅电荷栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，既然开关的瞬间，电容上的电荷随电压的变化而变化，所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。请看图12，Qgs从0电荷开始到第一个拐点处，Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间部分（也叫做“米勒”电荷），Qg是从0点到vGS等于一个特定的驱动电压的部分。漏电流和漏源电压的变化对栅电荷值影响比较小，而且栅电荷不随温度的变化。测试条件是规定好的。栅电荷的曲线图体现在数据表中,包括固定漏电流和变化漏源电压情况下所对应的栅电荷变化曲线。在图12中平台电压VGS（pl)随着电流的增大增加的比较小（随着电流的降低也会降低）.平台电压也正比于阈值电压,所以不同的阈值电压将会产生不同的平台电压.