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电池片基本制造工艺流程.ppt

上传人:w****g 文档编号:2180435 上传时间:2024-05-22 格式:PPT 页数:16 大小:4.26MB 下载积分:8 金币
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电电池基本知池基本知识识1电池种类太阳太阳电电池池将太阳光能直接将太阳光能直接转换为电转换为电能的半能的半导导体器件体器件 种类 硅太阳电池 1)Si太阳电池 1)单晶硅片 2)GaAs太阳电池 2)多晶硅片 3)染料敏化电池 3)非晶硅薄膜 4)Cu2S电池 4)多晶硅薄膜目前多数公司主要生产单晶、多晶太阳电池2电池型号(以边长尺寸定义)103103mm125 125mm150 150mm156 156mm3如何区分单晶与多晶硅片由于单晶和多晶硅片的生产工艺不一,多晶是正方的,单晶硅片的四个边缘是有弧度的对于成品电池更好区分:单晶是有绒面的,而多晶由于晶界排列不整齐我们看到的多晶硅片表面有花纹。4太阳太阳电电池的工作原理池的工作原理 光生伏特效光生伏特效应应*吸收光子,吸收光子,产产生生电电子空穴子空穴电电子空穴子空穴对对被内建被内建电场电场分离分离 在在PN结结两端两端产产生生电势电势*将将PN结结用用导线连导线连接,形成接,形成电电流流在太阳在太阳电电池两端池两端连连接接负载负载,实现实现了将光能向了将光能向电电能的能的转换转换5太阳太阳电电池的池的I-V特性曲特性曲线线Isc:电池面积、光强、温度Voc:光强、温度6太阳太阳电电池池电电性能参数性能参数短路短路电电流(流(IscIsc):理想情况下,等于光生电流IL。影响因素:面积、光强、温度 多晶硅太阳电池 32mA左右 单晶硅太阳电池 34mA左右(绒面)开路开路电压电压(VocVoc):影响因素:光强、温度、材料特性 晶体硅太阳电池 600mV左右填充因子(填充因子(FFFF):最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比 FF=Pm/VOCISC=VmIm/VOCISC 影响因素:串联电阻、并联电阻转换转换效率(效率():7电池生产流程-清洗NaOH去除表面损伤层HcL去除硅片表面的金属离子HF去除硅片表面的硅酸钠和氧化物8电池生产流程-扩散在P型半导体表面掺杂五价元素磷在硅片表面形成PN结9电池生产流程-等离子刻蚀去除边缘PN结,防止上下短路10电池生产流程-PECVD在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅膜可以充分吸收太阳光,降低反射在硅片表面有氢钝化的作用11电池生产流程-背电极印刷在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极使用浆料是银铝浆或纯银浆料12电池生产流程-背电场印刷在太阳电池背面丝网印刷铝浆通过烧结穿透背面PN结,形成P+层和P型硅形成一层致密的合金层,实现良好的欧姆接触13电池生产流程-前电极印刷在太阳电池正面丝网印刷银浆,形成负电极正面电极由主栅线和副栅线组成14电池生产流程-分类检测通过模拟太阳灯光照射到电池片表面测试太阳电池的电性能参数太阳电池的电性能参数:Isc、Voc、Imp、Vmp、Pmax、Rs、Rsh、FF、EFF15电池生产流程-包装入库包装入库:分档次进行检验,按照规定数量包装,经检验合格后,盖QC检验章,装箱入库。16
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