半导体二极管及其基本电路.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,半导体二极管及其基本电路,半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路小功率直流稳压电源的组成功能：把交流电压变成稳定的大小合适 的直流电压2,小功率直流稳压电源的组成,功能：,把交流电压变成稳定的大小合适 的直流电压,u,4,u,o,u,3,u,2,u,1,交流电源,负载,变压,整流,滤波,稳压,2,整流电路,整流电路的作用,:,将交流电压转变为脉动的直流电压。,常见的整流电路：,半波、全波、桥式和倍压整流；单相和三相整流等。,整流原理：,利用二极管的单向导电性,R,L,u,u,o,1,2,3,4,a,b,+,3,第一讲,常用半导体器件,1-,二极管,4,2.,热敏特性：,当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著地下降。热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。,课前导读：,半导体具有独特的性能,1.,杂敏特性：,在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加,-,这是半导体最显著、最突出的特性。,3.,光敏特性：,当有光线照射在某些半导体时，这些半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光线照射时，这些半导体就像绝缘体一样不导电。例如，用作自动化控制用的“光电二极管”、“光电三极管”和光敏电阻等，就是利用半导体的光敏特性制成的。,5,各种半导体器件均以,PN,结为基本结构单元。二极管可组成整流、限幅、检波及低压稳压电路，在实际电路中应用很广。,课前导读：,6,第一讲 二极管及其基本电路,1.1,半导体的基本知识,1.2 PN,结的形成及特性,1.3,半导体二极管,1.4,二极管基本电路及其分析方法,1.5,特殊二极管,1.1,半导体的基本知识,1.1.1,半导体材料,1.1.2,半导体的共价键结构,1.1.3,本征半导体,1.1.4,杂质半导体,8,1.1.1,半导体材料,根据物体导电能力,(,电阻率,),的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。,典型的半导体有,:,硅,Si,和,锗,Ge,以及,砷化镓,GaAs,等。,9,1.1.2,半导体的共价键结构,硅原子结构图,硅原子的原子序数为,14,，核外有,14,个电子。第一层有,2,个电子，第二层有,8,个电子，达到稳定态。最外层,4,个电子即为价电子，它对硅原子的导电性起着主导作用。,10,1.1.2,半导体的共价键结构,硅晶体的空间排列,11,1.1.2,半导体的共价键结构,硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构,本征半导体,化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。,12,1.1.3,本征半导体,空穴,共价键中的空位,。,电子空穴对,由热激发而产生的自由电子和空穴对,。,空穴的移动,空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。,自由电子,电子脱离了原来的共价键束缚而形成,载流子,可以自由移动的带有电荷的物质微粒,13,1.1.4,杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是,三价,或,五价,元素。掺入杂质的本征半导体称为,杂质半导体,。,N,型半导体,掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。,P,型半导体,掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。,14,1.P,型半导体,因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。,在,P,型半导体中,空穴是多数载流子，,它主要由掺杂形成,；,自由,电子是少数载流子，,由热激发形成。,空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为,负离子,。三价杂质 因而也称为,受主杂质,。,15,2.N,型半导体,因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。,在,N,型半导体中,自由,电子是多数载流子，,它主要由杂质原子提供,；,空穴是少数载流子,由热激发形成。,提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为,正离子,，因此五价杂质原子也称为,施主杂质,。,16,本征半导体、杂质半导体,本节中的有关概念,N,型半导体、,P,型半导体,多数载流子、少数载流子,施主杂质、受主杂质,自由电子、空穴,17,1.2 PN,结的形成及特性,1.2.1,PN,结的形成,1.2.2,PN,结的单向导电性,1.2.3,PN,结的反向击穿,1.2.4,PN,结的电容效应,18,P,型半导体,N,型半导体,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,扩散运动,内电场,E,漂移运动,扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。,空间电荷区，,也称耗尽层。,PN,结的形成过程,内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄，并阻碍扩散运动。,19,漂移运动,P,型半导体,N,型半导体,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,扩散运动,内电场,E,所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。,20,在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成,N,型半导体和,P,型半导体。此时将在,N,型半导体和,P,型半导体的结合面上形成如下物理过程,:,因浓度差,空间电荷区形成内电场,内电场促使少子漂移,内电场阻止多子扩散,最后,多子的,扩散,和少子的,漂移,达到,动态平衡,。,对于,P,型半导体和,N,型半导体结合面，离子薄层形成的,空间电荷区,称为,PN,结,。,在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称,耗尽层,。,多子的扩散运动,由杂质离子形成空间电荷区,21,1,、空间电荷区中有动态运动的载流子，但通过交界面空穴与自由电子数目相同。,2,、空间电荷区中内电场一方面阻碍多数载流子的扩散运动，另一方面有利于少数载流子的漂移运动。,课堂问答,:,空间电荷区中有没有载流子？,空间电荷区形成的内电场作用是什么？,22,1.2.2,PN,结的单向导电性,当外加电压使,PN,结中,P,区的电位高于,N,区的电位，称为加,正向电压,，简称,正偏,；反之,称为加,反向电压,，,简称,反偏,。,(1)PN,结加正向电压时,PN,结加正向电压时的导电情况,低电阻,大的正向扩散电流,PN,结的伏安特性,23,课堂思考,:,PN,结正偏时，,PN,结如何变化？,提示：根据,PN,结附近的载流子的运动方向来判断,PN,结正偏导通时，形成电流是由什么载流子决定的？,24,+,+,+,+,R,E,（,1,）、,PN,结正向偏置,内电场,外电场,变薄,P,N,+,_,+,+,+,+,内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。,25,PN,结的伏安特性,1.2.2,PN,结的单向导电性,当外加电压使,PN,结中,P,区的电位高于,N,区的电位，称为加,正向电压,，简称,正偏,；反之,称为加,反向电压,，,简称,反偏,。,(2)PN,结加反向电压时,PN,结加反向电压时的导电情况,高电阻,很小的反向漂移电流,在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，,这个电流也称为,反向饱和电流,。,（,2,）,PN,结反向偏置,+,+,+,+,内电场,外电场,变厚,N,P,+,_,内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。,R,E,+,+,+,+,27,PN,结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；,PN,结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。,结论,：,由此可以得出结论：,PN,结具有单向导电性。,28,1 PN,结的单向导电性,(3)PN,结,V,-,I,特性表达式,其中,I,S,反向饱和电流,V,T,温度系数,且在常温下（,T,=300K,）,PN,结的伏安特性,29,Task 6,电压、电流等符号的规定,（,1,）,直流分量：,用大写字母和大写下标表示。如,I,B,表示晶体管基极直流电流。,（,2,）,交流分量：,用小写字母和小写下标表示。如,i,b,表示晶体管基极交流电流。,（,3,）,瞬时值：,用小写字母和大写下标表示，它为交流分量和直流分量之和。如,i,B,表示晶体管基极瞬时电流值，,i,B,=,I,B,+,i,b,。,（,4,）,交流有效值：,用大写字母和小写下标表示。如,I,b,表示晶体管基极正弦交流电流有效值。,（,5,）,交流峰值：,用交流有效值符号再增加小写,m,下标表示。如,I,bm,表示晶体管基极正弦交流电流的峰值。,30,1.2.3,PN,结的反向击穿,当,PN,结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为,PN,结的,反向击穿。,热击穿,不可逆,雪崩击穿,齐纳击穿,电击穿,可逆,31,1.2.3,PN,结的反向击穿,雪崩击穿,当,PN,结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞可使共价键中的电子激发形成自由电子,空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子,空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增，,PN,结就发生雪崩击穿。,32,1.2.3,PN,结的反向击穿,齐纳击穿,在加有较高的反向电压下，,PN,结空间电荷区中存一个强电场，它能够破坏共价键，将束缚电子分离出来产生电子,空穴对，形成较大的反向电流。发生齐纳击穿需要的电场强度约为,210,5,V/cm,，这只有在杂质浓度特别大的,PN,结中才能达到。因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度（即杂质离子）也大，因而，即使空间电荷区很窄，电场强度也可能很高。,33,1.2.4,PN,结的电容效应,(1),扩散电容,C,D,当,PN,结处于正向偏置时，扩散运动使多数载流子穿过,PN,结，在对方区域,PN,结附近有高于正常情况时的电荷累积。存储电荷量的大小，取决于,PN,结上所加正向电压值的大小。离结越远，由于受空间电荷吸引越弱，浓度将随之减小。,若外加正向电压有一增量,V,，则相应的空穴（电子）扩散运动在结的附近产生一电荷增量,Q,，二者之比,Q,/,V,为扩散电容,C,D,。,扩散电容示意图,34,1.2.4,PN,结的电容效应,(2),势垒电容,C,B,势垒电容是由,耗尽区的空间电荷区,引起的。,当外加反向电压增大时，耗尽层变宽，空间电荷量增加，犹如电容的充电。,当外加反向电压降低时，耗尽层变窄，空间电荷量减小，犹如电容的放电。,35,PN,结的高频等效电路,由于,PN,结结电容的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响。,PN,结高频等效电路如下图所示，图中,r,表示电阻，,C,为结电容，它包括势垒电容和扩散电容。,C,的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当,PN,结处于正向偏置时，,r,为正向电阻，数值很小，而结电容较大（主要决定于扩散电容）。当,PN,结处于反向偏置时，,r,为反向电阻，其数值较大，结电容较小（主要决定于势垒电容）。,1.2.4,PN,结的电容效应,36,结电容的影响：,由于势垒电容和扩散电容一般都很小（结面积小的为,1pF,左右，结面积大的为几十至几百,pF,），对于低频信号呈现出很大的容抗，其作用可忽略不计。,但是当加在,PN,结上的交流电频率较高时，交流电就可以通过,PN,结的电容形成通路，,PN,结就部分或完全失去单向导电的特性。,1.2.4,PN,结的电容效应,37,1,）杂质半导体有,型和,型之分。,2,）,PN,结最重要的特性是,_,，它是一切半导体器件的基础。,3,）,PN,结的空间电荷区变厚，是由于,PN,结加了,_,电压，,PN,结的空间电荷区变窄，是由于,PN,结加的是,_,电压。,4,）,PN,结的伏安特性方程是,。,5,）在本征半导体中加入,元素可形成,N,型半导体，加入,元素可形成,P,型半导体。,6,）整流的目的是,。,7,）在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决,，而少数载流子的浓度则与,有很大关系。,8,）当,PN,结外加正向电压时，扩散电流,于漂移电流，耗尽层变,。,当,PN,结外加反向电压时，扩散电流,于漂移电流，耗尽层变,。,练习题：,38,内容回顾：,1,PN,结的形成,2,PN,结的单向导电性,3,PN,结的反向击穿,4,PN,结的电容效应,39,1.3,半导体二极管,1.3.1,半导体二极管的结构,1.3.2,二极管的伏安特性,1.3.3,二极管的参数,1.3.4,二极管的温度特性,40,几种常见的二极管外形如图,所,示。,1.3,半导体二极管,41,1.3.1,半导体二极管的结构,在,PN,结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有,点接触型、面接触型和平面型,三大类。,(1),点接触型二极管,PN,结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。,(a),点接触型,二极管的结构示意图,42,(3),平面型二极管,往往用于集成电路制造工艺中。,PN,结面积可大可小。,(2),面接触型二极管,PN,结面积大，用于工频大电流整流电路。,(b),面接触型,(c),平面型,(4),二极管的代表符号,43,在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，则,I,=,f,(,U,),之间的关系曲线为伏安特性。,60,40,20,0.002,0.004,0,0.5,1.0,25,50,I,/mA,U,/V,正向特性,硅管的伏安特性,死区电压,击穿电压,U,(BR),反向特性,锗管的伏安特性,50,I,/mA,U,/V,0.2,0.4,25,5,10,15,0.01,0.02,0,1.3.2,二极管的伏安特性,Is,44,I,D,U,BR,PN,结,U-I,特性曲线,伏安特性方程,1.3.2,二极管的伏安特性,式中：,I,S,为,反向饱和电流,，,U,D,为二极管两端的电压降；,U,T,=kT/q,称为,温度的电压当量,，,k,为玻耳兹曼常数，,q,为电子电荷量，,T,为热力学温度。对于室温（相当,T=300 K,），则有,U,T,=26 mV,。,二极管的伏安特性方程,45,I,D,U,BR,PN,结,U-I,特性曲线,伏安特性方程,加正向电压时，,u,D,只要大于,U,T,几倍以上，,加反向电压时，,|u,D,|,只要大于,U,T,几倍以上，则,I,D,I,S,1.3.2,二极管的伏安特性,二极管的伏安特性方程,二极管的,核心是一个,PN,结,所以它的,伏安特性方程与上式基本相同。,46,1.3.3 二极管的主要参数,47,1.3.3 二极管的主要参数,1）最大整流电流,I,FM,二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。,2）最高反向工作电压,U,RM,工作时允许加在二极管两端的反向电压值,。通常将击穿电压,U,BR,的一半定义为,U,RM,。,3）反向饱和电流,I,R,通常希望,I,R,值愈小愈好。,4）最高工作频率,f,M,f,M,值主要 决定于 PN 结结电容的大小。,结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。,48,1.3.3 二极管的主要参数,5）最大功耗 P,M,保证二极管安全工作所允许的最大功率损坏。通常大功率二极管要加散热片。,6）直流电阻R,D,二极管伏安特性曲线上,工作点,所对应的,直流电压,与,直流电流,之比,。,用万用表欧姆档测量出的二极管电阻就是直流电阻。,（一般二极管的正向直流电阻为几十至几百欧姆，反向直流电阻为几千至几百千欧姆。,该参数在工程计算中用途不大，但可用来说明二极管单向导电性的好坏,。）,7）交流电阻,r,d,49,7,）交流电阻,（动态电阻）,二极管在其工作 点,Q(,I,DQ,U,DQ,),下的电压微变量与电流微变量之比。,r,D,的几何意义为：,Q(,I,DQ,U,DQ,),点处,切线斜率的倒数,。,i,u,0,Q,i,u,交流电阻,r,D,1.3.3,二极管的主要参数,50,7,）交流电阻,（动态电阻）,二极管在其工作状态,(,I,DQ,U,DQ,),下的电压微变量与电流微变量之比。,i,u,0,Q,i,u,交流电阻,r,D,1.3.3,二极管的主要参数,因此,交流电阻,r,D,推导,51,r,D,=,r,j,+,r,s,-PN结电阻,r,s,-体电阻+引线接触电阻,更确切地讲，二极管交流电阻,1.3.3,二极管的主要参数,52,例,1.3.1,已知,D,为,Si,二极管，流过,D,的静态电流,I,DQ,=10mA,，交流电压,U,=10mV,，求流过,D,的交流电流,I,=?,10V,D,R,0.93K,U,I,D,解：二极管交流电阻为,所以交流电流为,1.3.3,二极管的主要参数,53,二极管是对温度非常敏感的器件。,随着温度变化，请分析死区电压、正向导通压降、饱和电流、反向击穿电压如何变化？,实验表明，随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数（约为,-2mV/,）；,温度升高，反向饱和电流会急剧增大，反向伏安特性下移，温度每升高,10,，反向电流大约,增加一倍,。图所示为温度对二极管伏安特性的影响。,1.3.4,二极管的温度特性,54,图 温度对二极管伏安特性的影响,1.3.4,二极管的温度特性,55,小结：,1.3.1,半导体二极管的结构,1.3.2,二极管的伏安特性,1.3.3,二极管的参数,1.3.4,二极管的温度特性,56,1.4,二极管的基本电路及其分析方法,1.4.1,二极管电路的简化模型分析方法,1.4.2,二极管电路分析,57,1.4.1,二极管电路的简化模型分析方法,（,1,）理想模型,（,a,）,V,-,I,特性 （,b,）代表符号 （,c,）正向偏置时的电路模型 （,d,）反向偏置时的电路模型,理想模型,：,当二极管正向电压和正向电阻与外接电路的电压与电阻相比均可忽略时，这样的二极管可称为,理想二极管。,二极管,V,-,I,特性的建模,58,1.4.1,二极管电路的简化模型分析方法,（,1,）理想模型,（,a,）,V,-,I,特性 （,b,）代表符号 （,c,）正向偏置时的电路模型 （,d,）反向偏置时的电路模型,理想二极管在电路中相当于一个理想开关：,外加电压少大于零，就导通，管压降为,0V,开关闭合,；,当反偏时，二极管截止，其电阻为无穷大,开关断开,。,二极管,V,-,I,特性的建模,59,（,2,）恒压降模型,：,当二极管的正向压降与外加电压相比不能忽略，可用由理想二极管和电压源,U,F,串联构成的模型来近似替代。,正向压降,不再认为是,0,，,而是接近实际工作电压的某一定值,U,F,，,且不随电流变化。,1.4.1,二极管电路的简化模型分析方法,二极管,V,-,I,特性的建模,（,a,）,V,-,I,特性 （,b,）电路模型,60,（,3,）折线模型,：即考虑二极管的导通电压,U,F,，又考虑导通后交流电阻。,可用由,理想二极管,、,电压源,U,F,和,电阻,r,D,串联构成的模型来近似替代。,1.4.1,二极管电路的简化模型分析方法,二极管,V,-,I,特性的建模,（,a,）,V,-,I,特性 （,b,）电路模型,61,例,1.4.1,：,硅二极管电路如图所示，试分别用二极管的理想模型、恒压降模型计算回路中的电流,I,D,和输出电压,U,0,。设二极管为硅管。,+,_,2.,用恒压降模型,：,由于二极管,D,导通，,U,ON,=0.7V,，所以,1.,用理想模型,判断二极管,D,导通，管压降为,0V,1.4.1,二极管电路的简化模型分析方法,62,例,1.4.1,：,二极管电路如图所示，试分别用二极管的理想模型、恒压降模型计算回路中的电流,I,D,和输出电压,U,0,。设二极管为硅管。,+,_,3.,采用折线模型,若,U,D,=0.7V,，,R,D,=20,欧姆,1.4.1,二极管电路的简化模型分析方法,63,总结：二极管状态判断方法,假设,D,截止(开路)求,D,两端开路电压,1.4.2,二极管电路分析,64,2CP1,（硅），,I,F,=1mA,，,V,BR,=40V,。求,V,D,、,I,D,。,例,1.4.2,1.4.2,二极管电路状态判断,65,正偏,D,正向导通！,解答,2CP1,（硅），,I,F,=1mA,，,V,BR,=40V,。判断二极管工作状态，并求,V,D,、,I,D,。,例,1.4.2,(a),正常工作（,b,）损坏,66,反偏,I,D,=0,V,D,=-10V,反偏：,V,D,=-100V,反偏：,D,反向击穿,反偏：,D,反向截止,解答,2CP1,（硅），,I,F,=1mA,，,V,BR,=40V,。判断二极管工作状态，并求,V,D,、,I,D,。,例,1.4.2,67,写出图中所示各电路的输出电压值,U,O,，设二极管导通电压,课堂练习,68,1.5,特殊二极管,1.5.1,稳压二极管,1.5.2,发光二极管,1.5.3,光电二极管,1.5.4,变容二极管,69,1.5.1,稳压二极管,1.,符号及稳压特性,(a),符号,(b),伏安特性,利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。,70,1.5.1,稳压二极管,3.,稳压电路,正常稳压时 U,O,=,U,Z,稳压二极管的主要参数有稳压电压Uz、额定功耗Pz、稳压电流Iz、动态电阻,r,z,等。,71,发光二极管,(LED Light Emitting Diode),电路符号,:,在普通二极管电路符号的边上加两个向外发射的箭头。,1.5.2,发光二极管,72,特点,：通以正向电流,发光，,光亮度随着电流的增大而增强，,工作电流为几个毫安到几十毫安,，,典型工作电流为,10mA,左右。,正向导通电压较大,。,原理,：,利用自由电子和空穴复合时能辐射出,可见光,，采用不同的材料，可分别得到红、黄、绿、橙色光和红外光。常用,元素周期表中,、,族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等。制作材料决定光的颜色（光谱的波长,),。,1.5.2,发光二极管,73,电路符号,：,在普通二极管电路符号的边上加两个朝向管子的箭头,。,1.5.3,光敏二极管,74,原理,：,光敏二极管也叫,光电二极管,。光敏二极管与,半导体二极管,在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的,PN,结，具有,单向导电性,，因此工作时需加上,反向电压,。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即,暗电流,，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成,光电流,它随入射光强度的变化而变化。,。,用途：,用于测量光照强度、光电自动控制系统。,1.5.3,光敏二极管,75,谢谢大家！,