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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,半导体器件物理,Dr.B.Li,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,半导体器件复习,半导体器件复习半导体器件复习8.PN结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压 特性的比较。（扩散系数增大一倍）,9.比较pn结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。,10.势垒电容与扩散电容的产生机制。,11.三种pn结击穿机构。雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。,12.PN结的交流等效电路？,13.PN结的开关特性，贮存时间的影响因素。,14.肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同。,8.PN,结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压 特性的比较。（扩散系数增大一倍）,9.,比较,pn,结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。,10.,势垒电容与扩散电容的产生机制。,11.,三种,pn,结击穿机构。,雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。,12.PN,结的交流等效电路？,13.PN,结的开关特性，贮存时间的影响因素。,14.,肖特基势垒二极管与,PN,结二极管的异同。,双极晶体管,1.,晶体管基本结构,(,三个区域的掺杂浓度的数值大小,),。,2.,晶体管处在放大区时的能带图，电流分布图，基区少子浓度分布图（四种偏置）。,3.,晶体管具有放大能力的基本条件。,4.,发射效率,和基区输运因子,T,的定义。提高晶体管电流放大系数的主要措施。,5.,晶体管的,Ebers-Moll,模型及其等效电路和互易关系。,6.,晶体管共基极和共射极电流放大系数之间的关系。,7.,晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特性曲线,8.,大电流效应及对器件特性的影响,大注入效应？,Rittner,效应,(,基区电导调制效应,),和,Webster(,韦伯斯脱,),效应（大注入内建电场效应）。,基区扩展效应,(Kirk,效应,),。,发射极电流集边效应。,9.,什么是,Early,效应,?,对器件特性有什么影响？,10.,基区穿通和外延层穿通。,11.,三种击穿电压的关系。,12.,写出载流子从发射极到集电极的总传输延迟时间的表达式，并说明各传输延迟时间的意义，如何提高晶体管的特征频率,f,T,？,13.f,f,fT,fm,的定义，及相互间的大小关系？,晶体管在开关过程中，,EB,结和,CB,结偏压是如何变化的。,HBT,的优势,MOS,场效应晶体管,1.,阈值电压及其影响因素（衬底浓度和偏压，氧化层中电荷,氧化层厚度等）。（,V,T,表达式）,2.MOSFET,工作原理及其类型。输出特性曲线和转移特性曲线。,3.,亚阈值区及其特性（特点）。,什么是短沟道效应、窄沟道效应？,DIBL,效应？,MOSFET,的伏安特性方程,（线性区和饱和区）,栅跨导，漏源电导。,7.MOSFET,小信号等效电路。,MOS,管截止频率表达式，提高频率性能的途径。,8.MOS,器件等比例缩小原则。,9.MOS,结构的,C,V,特性（理想、实际）。,10.,热载流子效应和闩锁效应。,11.,现代,MOS,器件的发展趋势。,JFET,和,MESFET,1.JFET,或,MESFET,工作原理。,2.,场效应晶体管,(FET),同双极晶体管,(BJT),比较。,谢谢！,