第6、7讲纳米材料表征方法.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,纳米材料的测试与表征,主要内容,纳米材料分析的特点,纳米材料的成份分析,纳米材料的结构分析,纳米材料的粒度分析,纳米材料的形貌分析,纳米材料的界面分析,10/15/2026,2,纳米材料分析的特点,纳米材料具有许多优良的特性诸如高比表面、高电导、高硬度、高磁化率等；,纳米科学和技术是在纳米尺度上,(0.1nm,100nm,之间,),研究物质（包括原子、分子）的特性和相互作用，并且利用这些特性的多学科的高科技。,纳米科学大体包括纳米电子学、纳米机械学、纳米材料学、纳米生物学、纳米光学、纳米化学等领域。,10/15/2026,3,纳米材料分析的意义,纳米技术与纳米材料属于高技术领域，许多研究人员及相关人员对纳米材料还不是很熟悉，尤其是对如何分析和表征纳米材料，获得纳米材料的一些特征信息。,主要从,纳米材料的成份分析,，,形貌分析,，,粒度分析,，,结构分析,以及,表面界面分析,等几个方面进行了简单的介绍。,力图通过纳米材料的研究案例来说明这些现代技术和分析方法在纳米材料表征上的具体应用。,10/15/2026,4,纳米材料的成份分析,成分分析的重要性,纳米材料的光电声热磁等物理性能与组成纳米材料的化学成分和结构具有密切关系；,TiO,2,纳米光催化剂掺杂,C,、,N,例子说明。,纳米发光材料中的杂质种类和浓度还可能对发光器件的性能产生影响据报；如通过在,ZnS,中掺杂不同的离子可调节在可见区域的各种颜色。,因此确定,纳米材料的元素组成测定纳米材料中杂质的种类和浓度,是纳米材料分析的重要内容之一。,10/15/2026,6,图,1,不同结构的,CdSe1-XTeX,量子点的结构和光谱性质示意图,1,核壳结构的,CdTe-CdSe,量子点,2,核壳结构的,CdSe-CdTe,量子点,3,均相结构的,CdSe1-XTeX,量子点,4,梯度结构的,CdSe1-XTeX,量子点,上述四种量子点的平均直径为,5.9nm,组成为,CdSe,0.6,Te,0.4,10/15/2026,7,成分分析类型和范围,纳米材料成分分析按照分析对象和要求可以分为,微量样品分析,和,痕量成分分析,两种类型；,纳米材料的成分分析方法按照分析的目的不同又分为,体相元素成分分析表面成分分析,和,微区成分分析,等方法；,为达此目的纳米材料成分分析按照分析手段不同又分为光谱分析,质谱分析,和,能谱分析,。,10/15/2026,8,纳米材料成份分析种类,光谱分析,主要包括火焰和电热原子吸收光谱,AAS,，电感耦合等离子体原子发射光谱,ICP-OES,，,X-,射线荧光光谱,XFS,和,X-,射线衍射光谱分析法,XRD,。,质谱分析,主要包括电感耦合等离子体质谱,ICP-MS,和飞行时间二次离子质谱法,TOF-SIMS,。,能谱分析,主要包括,X,射线光电子能谱,XPS,和俄歇电子能谱法,AES,。,10/15/2026,9,体相成分分析方法,纳米材料的体相元素组成及其杂质成分的分析方法包括原子吸收原子发射,ICP,，质谱以及,X,射线荧光,与衍射分析方法；,其中前三种分析方法需要对样品进行溶解后再进行测定，因此属于破坏性样品分析方法。,而,X,射线荧光,与,衍射分析方法,可以直接对固体样品进行测定因此又称为非破坏性元素分析方法。,10/15/2026,10,原子吸收分析特点,根据蒸气相中被测元素的基态原子对其原子共振辐射,的吸收强度来测定试样中被测元素的含量,；,适合对纳米材料中痕量金属杂质离子进行定量测定，,检测限低，,ng/cm,3,，,10,-10,-10,-14,g,；,测量准确度很高，,1%,（,3-5%,）；,选择性好，不需要进行分离检测；,分析元素范围广，,70,多种；,难熔性元素，稀土元素和非金属元素,，,不能同时进行多元素分析。,10/15/2026,11,电感耦合等离子体发射光谱法,ICP,ICP,是利用电感耦合等离子体作为激发源，根据处于激发态的待测元素原子回到基态时发射的特征谱线对待测元素进行分析的方法；,可进行多元素同时分析，适合近,70,种元素的分析；,很低的检测限，一般可达到,10,-1,10,-5,g/cm,-3,；,稳定性很好，精密度很高，相对偏差在,1%,以内，定量分析效果好；线性范围可达,4,6,个数量级；,对非金属元素的检测灵敏度低。,10/15/2026,12,电感耦合等离子体质谱法,ICP-MS,是利用电感耦合等离子体作为离子源的一种元素质谱分析方法；该离子源产生的样品离子经质谱的质量分析器和检测器后得到质谱；,检出限低（多数元素检出限为,ppb-,ppt,级）；,线性范围宽（可达,7,个数量级）；,分析速度快（,1,分钟可获得,70,种元素的结果）；,谱图干扰少（原子量相差,1,可以分离），能进行同位素分析。,10/15/2026,13,X-,射线荧光光谱分析法,是一种非破坏性的分析方法，可对固体样品直接测定。在纳米材料成分分析中具有较大的优点；,X,射线荧光光谱仪有两种基本类型波长色散型和能量色散型；,具有较好的定性分析能力，可以分析原子序数大于,3,的所有元素；,本低强度低，分析灵敏度高，其检测限达到,10,-5,10,-9,g/g,（或,g/cm,3,）；,几个纳米到几十微米 的薄膜厚度测定。,10/15/2026,14,表面与微区成份分析,X,射线光电子能谱；（,10,微米，表面）,俄歇电子能谱；（,6nm,，表面）,二次离子质谱；（微米，表面）,电子探针分析方法；（,0.5,微米，体相）,电镜的能谱分析；（,1,微米，体相）,电镜的电子能量损失谱分析；（,0.5nm,）,10/15/2026,15,电子探针分析方法,电子束与物质的相互作用也可以产生特征的,X-,射线根据,X-,射线的波长和强度进行分析的方法称为,电子探针分析法,；,微区分析能力，,1,微米量级；,分析准确度高，优于,2%,；,分析灵敏度高，达到,10,-15,g,，,100PPM-1%,；,样品的无损性；多元素同时检测性；,可以进行选区分析；,电子探针分析对轻元素很不利。,10/15/2026,16,电镜,-,能谱分析方法,利用电镜的电子束与固体微区作用产生的,X,射线进行能谱分析（,EDAX,）；,与电子显微镜结合（,SEM,，,TEM,），可进行微区成份分析；,定性和定量分析，一次全分析。,10/15/2026,17,纳米成份分析案例,ICP-OES,研究,CdSe,纳米粒子的组成。,CdSe,在复合纳米粒子中所占比例为,87.8%,，其他,12.2%,可能为包覆在,CdSe,表面的有机修饰层。,红外光谱研究发现了季铵化吡啶环的特征吸收峰；,包覆巯基乙酸的,CdSe,在,1390cm,-1,的吸收峰移动到,1377cm,-1,处，说明通过静电作用实现了乙烯基吡啶季铵盐,PVPNI,与包覆巯基乙酸的,CdSe,两者的有效复合。,10/15/2026,18,纳米粒子,ICP-MS,直接测定,10/15/2026,19,纳米材料的粒度分析,粒度分析的概念,对于纳米材料，其,颗粒大小,和,形状,对材料的性能起着决定性的作用。因此，对纳米材料的颗粒大小和形状的表征和控制具有重要的意义。,一般固体材料颗粒大小可以用颗粒粒度概念来描述。但由于颗粒形状的复杂性，一般很难直接用一个尺度来描述一个颗粒大小，因此，在粒度大小的描述过程中广泛采用,等效粒度,的概念。,对于不同原理的粒度分析仪器，所依据的测量原理不同，其颗粒特性也不相同，只能进行等效对比，不能进行横向直接对比。,10/15/2026,21,粒度分析的种类和适用范围,显微镜法,(Microscopy),；,SEM,，,TEM,；,1nm,5,范围；,适合纳米材料的粒度大小和形貌分析。,沉降法,(Sedimentation Size Analysis),沉降法的原理,是基于颗粒在悬浮体系时，颗粒本身重力,(,或所受离心力,),、所受浮力和黏滞阻力三者平衡，并且黏滞力服从斯托克斯定律来实施测定的，此时颗粒在悬浮体系中以恒定速度沉降，且沉降速度与粒度大小的平方成正比；,10nm,20,的颗粒。,10/15/2026,22,光散射法,(Light Scattering,),激光衍射式粒度仪,仅对粒度在,5,以上的样品分析较准确，而动态光散射粒度仪则对粒度在,5,以下的纳米样品分析准确。,激光光散射法,可以测量,20nm-3500,的粒度分布，获得的是等效球体积分布，测量准确，速度快，代表性强，重复性好，适合混合物料的测量。,利用,光子相干光谱方法,可以测量,1nm-3000nm,范围的粒度分布，特别适合超细纳米材料的粒度分析研究。测量体积分布，准确性高，测量速度快，动态范围宽，可以研究分散体系的稳定性。其缺点是不适用于粒度分布宽的样品测定。,10/15/2026,23,光散射粒度测试方法的特点,测量范围广，现在最先进的,激光光散射粒度测试仪,可以测量,1nm,3000,，基本满足了超细粉体技术的要求；,测定速度快,自动化程度高,操作简单。一般只需,1,1.5min,；,测量准确,重现性好；,可以获得粒度分布。,10/15/2026,24,激光相干光谱粒度分析法,通过,光子相关光谱（,PCS,）法,，可以测量粒子的迁移速率。而液体中的纳米颗粒以布朗运动为主，其运动速度取决于粒径，温度和粘度等因素。在恒定的温度和粘度条件下，通过光子相关光谱（,PCS,）法测定颗粒的迁移速率就可以获得相应的颗粒粒度分布,光子相关光谱,(PCS),技术能够测量粒度度为纳米量级的悬浮物粒子，它在纳米材料，生物工程、药物学以及微生物领域有广泛的应用前景。,10/15/2026,25,电镜法粒度分析,优点是可以提供颗粒大小，分布以及形状的数据，此外，一般测量颗粒的大小可以从,1,纳米到几个微米数量级。,并且给的是颗粒图像的直观数据，容易理解。,但其缺点是样品制备过程会对结果产生严重影响，如样品制备的分散性，直接会影响电镜观察质量和分析结果。,电镜取样量少，会产生取样过程的非代表性。,适合电镜法粒度分析的仪器主要有扫描电镜和透射电镜。普通扫描电镜的颗粒分辨率一般在,6nm,左右，场发射扫描电镜的分辨率可以达到,0.5nm,。,10/15/2026,26,扫描电镜对纳米粉体样品可以进行溶液分散法制样，也可以直接进行干粉制样。对样品制备的要求比较低，但由于电镜对样品有求有一定的导电性能，因此，对于非导电性样品需要进行表面蒸镀导电层如表面蒸金，蒸碳等。一般颗粒在,10,纳米以下的样品比较不能蒸金，因为金颗粒的大小在,8,纳米左右，会产生干扰的，应采取蒸碳方式。,扫描电镜有很大的扫描范围，原则上从,1nm,到,mm,量级均可以用扫描电镜进行粒度分析。而对于透射电镜，由于需要电子束透过样品，因此，,适用的粒度分析范围在,1-300nm,之间,。,对于电镜法粒度分析还可以和电镜的其他技术连用，可以实现对颗粒成份和晶体结构的测定，这是其他粒度分析法不能实现的。,10/15/2026,27,粒度分析应用,高分子纳米微球研究,10/15/2026,28,水解聚丙烯酰胺溶液的粒度分布图,图,9,光子相关光谱技术示意图,10/15/2026,29,纳米材料的结构分析,不仅纳米材料的成份和形貌对其性能有重要影响，纳米材料的物相结构和晶体结构对材料的性能也有着重要的作用。,目前，常用的物相分析方法有,X,射线衍射分析,、,激光拉曼分析,以及,微区电子衍射分析,。,10/15/2026,30,X,射线衍射结构分析,XRD,物相分析是基于多晶样品对,X,射线的衍射效应，对样品中各组分的存在形态进行分析。测定结晶情况，晶相，晶体结构及成键状态等等。可以确定各种晶态组分的结构和含量。,灵敏度较低，一般只能测定样品中含量在,1%,以上的物相，同时，定量测定的准确度也不高，一般在,1%,的数量级。,XRD,物相分析所需样品量大（,0.1g,），才能得到比较准确的结果，对非晶样品不能分析。,10/15/2026,31,样品制备,样品的颗粒度对,X,射线的衍射强度以及重现性有很大的影响。一般样品的颗粒越大，则参与衍射的晶粒数就越少，并还会产生初级消光效应，使得强度的重现性较差。,要求粉体样品的颗粒度大小在,0.1,10m,范围。此外，当吸收系数大的样品，参加衍射的晶粒数减少，也会使重现性变差。因此在选择参比物质时，尽可能选择结晶完好，晶粒小于,5m,，吸收系数小的样品。,一般可以采用,压片,，,胶带粘,以及,石蜡分散,的方法进行制样。由于,X,射线的吸收与其质量密度有关，因此要求样品制备均匀，否则会严重影响定量结果的重现性。,10/15/2026,32,X,射线衍射分析,XRD,物相定性分析,物相定量分析,晶粒大小的测定原理,介孔结构测定,多层膜分析,物质状态鉴别,10/15/2026,33,晶粒大小的测定原理,用,XRD,测量纳米材料晶粒大小的原理是基于衍射线的宽度与材料晶粒大小有关这一现象。,利用,XRD,测定晶粒度的大小是有一定的限制条件的，一般当晶粒大于,100nm,以上，其衍射峰的宽度随晶粒大小的变化就不敏感了；而当晶粒小于,10nm,时，其衍射峰随晶粒尺寸的变小而显著宽化；,试样中晶粒大小可采用,Scherrer,公式进行计算。,10/15/2026,34,是入射,X,射线的波长；,是衍射,hkl,的布拉格角；,hkl,是衍射,hkl,的半峰宽，单位为弧度；,使用,Scherror,公式测定晶粒度大小的适用范围是,5 nm,300 nm,。,10/15/2026,35,小角,X,射线衍射测定介孔结构,小角度的,X,射线衍射峰可以用来研究纳米介孔材料的介孔结构。这是目前,测定纳米介孔材料结构最有效的方法之一,。,由于介孔材料可以形成很规整的孔，所以可以把它看做周期性结构，样品在小角区的衍射峰反映了孔洞周期的大小。,对于孔排列不规整的介孔材料，此方法不能获得其孔经周期的信息。,10/15/2026,36,多层膜的研究,在纳米多层膜材料中，两薄膜层材料反复重叠，形成调制界面。当,X,射线入射时，周期良好的调制界面会与平行于薄膜表面的晶面一样，在满足布拉格方程时，产生相干衍射。,由于多层膜的调制周期比一般金属和小分子化合物的最大晶面间距大得多，所以只有小周期多层膜调制界面产生的,X,射线衍射峰可以在小角度区域中观察到。,对制备良好的小周期纳米多层膜可以用小角度,XRD,方法测定其调制周期。,10/15/2026,37,物质状态的鉴别,不同的物质状态对,X,射线的衍射作用是不相同的，因此可以利用,X,射线衍射谱来区别晶态和非晶态。,不同材料状态以及相应的,XRD,谱示意图,10/15/2026,38,纳米材料研究中的,XRD,分析,TiO,2,纳米材料晶粒大小测定,对于,TiO,2,纳米粉体，衍射峰,2,为,21.5,，为,101,晶面。,当采用,CuK,，波长为,0.154nm,，衍射角的,2,为,25.30,，半高宽为,0.375,，一般,Sherrer,常数取,0.89,。,根据,Scherrer,公式，可以计算获得晶粒的尺寸。,D,101,K/B1/2cos,0.890.15457.3,、（,0.3750.976,）,21.5 nm,。,10/15/2026,39,纳米,TiN/AlN,薄膜样品的,XRD,谱,对于,S2,样品在,2=4.43,时出现明锐的衍射峰，根据,Braag,方程，可计算出其对应的调制周期为,1.99nm,；,而对于,S3.5,样品的,2=2.66,，调制周期为,3.31nm,；,分别与其设计周期,2nm,和,3.5nm,近似相等。,10/15/2026,40,介孔结构测定,六方孔形,MCM-41,密堆积排列示意图,合成产物的,XRD,图谱,10/15/2026,41,激光拉曼物相分析,当一束激发光的光子与作为散射中心的分子发生相互作用时，大部分光子仅是改变了方向，发生散射，而光的频率仍与激发光源一致，这中散射称为瑞利散射。,但也存在很微量的光子不仅改变了光的传播方向，而且也改变了光波的频率，这种散射称为拉曼散射。其散射光的强度约占总散射光强度的,10,-6,10,-10,。,拉曼散射的产生原因是光子与分子之间发生了能量交换，改变了光子的能量。,10/15/2026,42,拉曼活性,在固体材料中拉曼激活的机制很多，反映的范围也很广：如分子振动，各种元激发（电子，声子，等离子体等），杂质，缺陷等。,晶相结构，颗粒大小，薄膜厚度，固相反应，细微结构分析，催化剂等方面。,10/15/2026,43,Raman,光谱可获得的信息,Raman,特征频率,材料的组成,MoS,2,MoO,3,Raman,谱峰的改变,加压,/,拉伸状态,每,1%,的应变，,Si,产生,1 cm,-1,Raman,位移,Raman,偏振峰,晶体的对称性和取向,用,CVD,法得到,金刚石颗粒的取向,Raman,峰宽,晶体的质量,塑性变形的量,10/15/2026,44,金属丝网负载薄膜光催化剂,TiO,2,薄膜晶体结构,145 cm,-1,404 cm,-1,516 cm,-1,635 cm,-1,是锐钛矿的,Raman,峰；,228 cm,-1,294 cm,-1,是,金红石的,Raman,峰；,在超过,400,后，有金红石相出现。,10/15/2026,45,电子衍射分析,所用的电子束能量在,10,2,10,6,eV,的范围内。,电子衍射与,X,射线一样，也遵循布拉格方程。,电子束衍射的角度小，测量精度差。测量晶体结构不如,XRD,。,电子束很细，适合作微区分析。,因此，主要用于确定物相以及它们与基体的取向关系以及材料中的结构缺陷等。,10/15/2026,46,电子衍射特点,电子衍射可与物像的形貌观察结合起来，使人们能在高倍下选择微区进行晶体结构分析，弄清微区的物象组成；,电子波长短，使单晶电子衍射斑点大都分布在一二维倒易截面内，这对分析晶体结构和位向关系带来很大方便；,电子衍射强度大，所需曝光时间短，摄取衍射花样时仅需几秒钟。,10/15/2026,47,电子衍射原理,当波长为,l,的单色平面电子波以入射角,q,照射到晶面间距为,d,的平行晶面组时，各个晶面的散射波干涉加强的条件是满足布拉格关系：,2dsinq=,nl,入射电子束照射到晶体上，一部分透射出去，一部分使晶面间距为,d,的晶面发生衍射，产生衍射束。,10/15/2026,48,电子衍射原理,当一电子束照射在单晶体薄膜上时，透射束穿过薄膜到达感光相纸上形成中间亮斑；衍射束则偏离透射束形成有规则的衍射斑点。,对于多晶体而言，由于晶粒数目极大且晶面位向在空间任意分布，多晶体的倒易点阵将变成倒易球。倒易球与爱瓦尔德球相交后在相纸上的投影将成为一个个同心圆。,电子衍射结果实际上是得到了被测晶体的倒易点阵花样，对它们进行倒易反变换从理论上讲就可知道其正点阵的情况,电子衍射花样,的标定。,10/15/2026,49,电子衍射的标定,多晶衍射花样是,同心的环花样,，可以用,类似粉末,X,射线的方法,来处理。可以计算获得各衍射环所对应的晶面间距。由此可以分析此相的晶体结构或点阵类型，也可以由晶面指数和晶面间距获得点陈常数。可以和,X,射线衍射分析的数据对照。,单晶的衍射花样比较简单，可以获得晶面间距以及点陈类型和晶体学数据。表,1,是电子衍射花样与晶体结构的关系。具体指标化过程可以通过计算机完成。,10/15/2026,50,10/15/2026,51,10/15/2026,52,纳米线已经形成,在受到电子束照射时发生变形,电子衍射花样为规律性的斑点,Fig 2.A,TEM for 10 min,Fig 2.B,TEM for 30 min,颗粒为长圆形：定向生长,颗粒自组装形成的长串,：纳米线,电子衍射花样为不清晰的亮环：非晶,Fig 2.C,TEM for 60 min,纳米线已经完全形成,在电子束照射下较为稳定,电子衍射花样：纳米线的取向取向一致,晶体的,C,轴同纳米线的走向一致,10/15/2026,53,纳米材料的形貌分析,材料的形貌尤其是纳米材料的形貌也是材料分析的重要组成部分，材料的很多重要物理化学性能是由其形貌特征所决定的。,对于纳米材料，其性能不仅与材料颗粒大小还与材料的形貌有重要关系。,如颗粒状纳米材料与纳米线和纳米管的物理化学性能有很大的差异。,10/15/2026,54,形貌分析的主要内容是分析材料的几何形貌，材料的颗粒度，及颗粒度的分布以及形貌微区的成份和物相结构等方面；,纳米材料常用的形貌分析方法主要有：,扫描电子显微镜,、,透射电子显微镜,、,扫描隧道显微镜,和,原子力显微镜,。,10/15/2026,55,SEM,形貌分析,扫描电镜分析可以提供从数纳米到毫米范围内的形貌像，观察视野大，其分辩率一般为,6,纳米，对于场发射扫描电子显微镜，其空间分辩率可以达到,0.5,纳米量级。,其提供的信息主要有材料的几何形貌，粉体的分散状态，纳米颗粒大小及分布以及特定形貌区域的元素组成和物相结构。扫描电镜对样品的要求比较低，无论是粉体样品还是大块样品，均可以直接进行形貌观察。,10/15/2026,56,TEM,形貌分析,透射电镜具有很高的空间分辩能力，特别适合纳米粉体材料的分析。,其特点是样品使用量少，不仅可以获得样品的形貌，颗粒大小，分布以还可以获得特定区域的元素组成及物相结构信息。,透射电镜比较适合纳米粉体样品的形貌分析，但颗粒大小应小于,300nm,，否则电子束就不能透过了。对块体样品的分析，透射电镜一般需要对样品进行减薄处理。,10/15/2026,57,STM&AFM,形貌分析,扫描隧道显微镜主要针对一些特殊导电固体样品的形貌分析。可以达到原子量级的分辨率，但仅适合具有导电性的薄膜材料的形貌分析和表面原子结构分布分析，对纳米粉体材料不能分析。,扫描原子力显微镜可以对纳米薄膜进行形貌分析，分辨率可以达到几十纳米，比,STM,差，但适合导体和非导体样品，不适合纳米粉体的形貌分析。,这四种形貌分析方法各有特点，电镜分析具有更多的优势，但,STM,和,AFM,具有可以气氛下进行原位形貌分析的特点。,10/15/2026,58,电子束和固体样品表面作用,10/15/2026,59,SEM,形貌像信息,背射电子像,信息深度是,0.1,1,微米，元素成份象和表面形貌象，分辩率,40nm,；,二次电子像,表面,5-10nm,的区域，能量为,0-50eV,，表面形貌，分辩率,0.5-6nm,；形貌衬度；,吸收电子像,表面化学成份和表面形貌信息，分辨率,40nm,。,10/15/2026,60,扫描电镜的特点,较高的放大倍数，,20-20,万倍之间连续可调；,很大的景深，视野大，成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构；,样制备简单。目前的扫描电镜都配有,X,射线能谱仪装置，这样可以同时进行显微组织性貌的观察和微区成分分析。,10/15/2026,61,高分辨,TEM,高分辨,TEM,是观察材料微观结构的方法。不仅可以获得晶包排列的信息，还可以确定晶胞中原子的位置。,200KV,的,TEM,点分辨率为,0.2nm,，,1000KV,的,TEM,点分辨率为,0.1nm,。,可以直接观察原子象。,10/15/2026,62,高,分辨显微像,高分辨显微像的衬度是由合成的透射波与衍射波的相位差所形成的。,入射电子与原子发生碰撞作用后，会是入射电子波发生相位的变化。,透射波和衍射波的作用所产生的衬度与晶体中原子的晶体势有对应关系。,重原子具有较大的势，像强度弱。,10/15/2026,63,高,分辨像,晶格条纹像,常用于微晶和析出物的观察，可以揭示微晶的存在以及形状，但不能获得结构信息。但可通过衍射环的直径和晶格条纹间距来获得。,一维结构像,即将观察像与模拟像对照，就可以获得像的衬度与原子排列的对应关系。,10/15/2026,64,A:,非晶态合金,B:,热处理后微晶的晶格条纹像,C:,微晶的电子衍射,*明亮部位为非晶,*暗的部位为微晶,10/15/2026,65,10/15/2026,66,二维晶格像（单胞尺度的像）,能观察到单胞的二维晶格像，但不含原子尺度的信息，称为晶格像。,二维结构像（原子尺度的像；晶体结构像）,像中含有单胞内原子排列的信息。,10/15/2026,67,10/15/2026,68,A:,氮化硅的结构像,B:,氮化硅的结构像,C,e,：,氮化硅的模拟像和原子排列,D,f,：,氮化硅的结构像模拟像和原子排列,10/15/2026,69,(a)38%,(b)29%,(c)22%,(d)16%,用不同浓度的前驱体溶液所制出的薄膜的,SEM,形貌,形貌分析应用,10/15/2026,70,介孔结构研究,10/15/2026,71,高分子纳米管,10/15/2026,72,无机有机复合,10/15/2026,73,高分子纳米球的合成,10/15/2026,74,纳米球的微观结构,10/15/2026,75,扫描探针显微镜,控制探针在被检测样品的表面进行扫描，同时记录下扫描过程中探针尖端和样品表面的相互作用，就能得到样品表面的相关信息。,利用这种方法得到被测样品表面信息的分辨率取决于控制扫描的定位精度和探针作用尖端的大小（即探针的尖锐度）。,10/15/2026,76,SPM,的特点,原子级高分辨率；,实空间中表面的三维图像；,观察单个原子层的局部表面结构,可在真空、大气、常温等不同环境下工作,可以得到有关表面结构的信息，例如表面不同层次的态密度、表面电子阱、电荷密度波、表面势垒的变化和能隙结构等。,10/15/2026,77,STM,原理,遂穿过程,扫描隧道显微镜的基本原理是基于量子的隧道效应。,将原子线度的极细针尖和被研究物质的表面作为两个电极，当样品与针尖的距离非常接近时（通常小于,0.1nm,），在外加电场的作用下，电子会穿过两 个电极之间的绝缘层流向另一个电极，这种现象称为隧道效应。,隧道电流强度对针尖与样品表面之间的距离非常敏感，如果距离小于,0.1nm,，电流将增加一个数量级。,10/15/2026,78,电子结构和,STM,像,STM,通常被认为是测量表面原子结构的工具，具有直接测量原子间距的分辨率。,但必须考虑电子结构的影响，否则容易产生错误的信息。,其实，在考虑了遂穿过程以及样品表面与针尖的电子态的性质后，,STM,代表的应该是表面的局部电子结构和遂穿势垒的空间变化。,10/15/2026,79,原子力显微镜,AFM,原子力显微镜,(AFM),，或者扫描力显微镜（,SFM,）是,1986,年由,Binnig,Quate,和,Gerber,发明的。,跟所有的扫描探针显微镜一样，,AFM,使用一个极细的探针在样品表面进行光栅扫描，探针是位于一悬臂的末端顶部，该悬臂可对针尖和样品间的作用力作出反应。,10/15/2026,80,原子操纵,10/15/2026,81,STM,像,10/15/2026,82,石墨的,AFM,10/15/2026,83,