半导体制程技术导论Chapter-7等离子体工艺.pptx

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styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,Hong Xiao,Ph.D.,*,Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,Hong Xiao,Ph.D.,*,Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,Hong Xiao,Ph.D.,*,Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,Hong Xiao,Ph.D.,*,1,Chapter 7,等离子体的基础原理,2,目标,列出至少三种使用等离子体的,IC,制程,列出等离子体中重要的三种碰撞,描述平均自由程,解释等离子体在蚀刻和化学气相沉积制程的好处,说出至少两种高密度等离子体系统,3,讨论的主题,什么是等离子体,?,为什么使用等离子体,?,离子轰击,等离子体制程的应用,4,等离子体制程的应用,化学气相沉积,蚀刻,物理气相沉积,离子注入,光刻胶剥除,制程反应室的的干式清洗,5,等离子体是什么,?,具有等量的正电荷和负电荷的离子气体,更精确的定,义,:,等离子体就是具有等量带电性与中性粒子的气体，等离子体本身就是这些例子的集体行为,例如,太陽,电弧,等,6,等离子体的成分,等离子体是由中性原子或分子、负电,(,电子,),和正电,(,离子,),所构成,准,-,中性,:,n,i,n,e,离化,率,:,h,n,e,/(n,e,+,n,n,),7,离,化,率,离化率主要受等离子体中的电子能量决定,大部分等离子体制程反应室，等离子体的离化率小于,0.001%.,高密度等离子体,源有较高的离化,率,约,1%,太阳核心的离化率约,100%.,8,中性气体密度,理想气体,1,摩尔,=22.4,升,=,2.24,10,4,cm,3,1,摩尔,=6.62,10,23,个分子,大气压下的气体密度是,2.96,10,19,cm,3,托的气体密度是,3.89,10,16,cm,3,毫托的气体密度是,3.89,10,13,cm,3,射频等离子体源有非常低的离化率,9,等离子体的产生,需要借助外界的能量,射頻,(RF),电能是最常使用的电源,产生一个稳定的射频等离子体需要真空系统,等离子体,射频功率,暗区或,鞘层,电极,至真空,泵,平行板等离子体系统,10,离子化,e,-,+AA,+,+2 e,-,游离碰撞产生电子和离子,维持等离子体的稳定,电子和中性原子或分子碰撞,把轨道电子敲离核的束缚,11,离子化的说明,自由电子入射撞击轨道电子,两个自由电子,轨道电子,原子核,原子核,12,激发松弛,e,-,+A,A*+e,-,A*,A+,h,n,(,光),不同的原子,/,分子有不同的频率,也就是为什么不同的气体会发出不同的颜,色,.,侦测等离子体的发光变化来决定蚀刻和化学气相沉积反应室清洁步骤的终端点,(,endpoint,),13,激发碰撞,入射撞击电子,基态电子,激态电子,原子核,原子核,撞击电子,14,松弛,基态,h,n,h,n,h,:,普,朗克常数,n,:,光的频率,激,发,态,15,分解,电子和分子碰撞，可以打断化学键并产生自由基,:,e,-,+AB,A+B+e,-,自由基至少有一个未成对电子，化学上是容易起反应,的,.,增加化学反应速率,对蚀刻和化学气相沉积制程非常重要,16,分解,A,B,e,-,B,e,-,A,分子,自由基,17,等离子体蚀刻,氧化物蚀刻制程，在等离子体中使用,CF,4,产生氟,(F),的自由基,e,-,+CF,4,CF,3,+F+e,-,4F+SiO,2,SiF,4,+2O,增进蚀刻制程的化学反应,18,等离子体增进化学气相沉积化学反应,PECVD,氧化物的制程用硅烷和,N,2,O(,笑气,),e,-,+SiH,4,SiH,2,+2H+e,-,e,-,+N,2,O,N,2,+O+e,-,SiH,2,+3O,SiO,2,+H,2,O,等离子体增进化学反应,在相对低温下，,PECVD,可达高的沉积速率,19,问与答,为何在铜和铝的溅镀制程中，分解碰撞并不重要,?,铝和铜的溅镀制程中仅使用惰性气体,氩气。和其他气体不同的是，惰性气体是以原子而非分子的形式存在，因此在氩气等离子体中并不会产生分解碰撞,20,问与答,在,PVD,制程中有分解碰撞吗,?,有，在氮化钛,(TiN),的沉积中，会用到氩气,(Ar),和氮气,(N,2,)。,在等离子体中，氮气会被分解而产生自由基,N，,而自由基,N,又会和钛产生反应而在钛靶表面形成氮化钛，,Ar,+,离子则会把氮化钛分子从钛靶表面溅射出来而使之沉积在晶圆表面,21,表,7.1,硅烷的分解,22,问与答,表,7.1,中哪种碰撞最有可能发生,?,为什么,?,需要最少能量的碰撞便是最有可能发生的碰撞,23,平均自由程,(,MFP),粒子和粒子碰撞前能够移动的平均距离,.,n,是粒子的密度,s,是粒子的碰撞截面,24,平均自由程说明,大粒子,小粒子,大粒子,小粒子,(,a),(,b),25,平均自由程,(,MFP),压力的影响,压力越高,平均自由程越短,压力越低,平均自由程越长,26,问与答,为何需要用到一个真空反应室来产生稳定的等离子体,?,电子在大气,压,(760,托,),的状态下的平均自由程很短，电子很难去获取足够的能量使气体离子化,.,在一个极度强大的电场下，等离子体会形成弧光,(,arcing,像是闪电一样,),的型态，而非稳定的辉光放电,(,glow discharge),27,带电粒子的移动,电子质量远小于离子,m,e,m,i,m,e,:m,H,=1:1836,电子和离子具相同的电力,F=qE,电子有较高的加速度,a=F/m,28,带电粒子的移动,射频电场变化的非常快，电子可以快速的加速且开始碰撞，离子太重无法立即对交流的电场作出反应,由于离子的碰撞截面较大所以有较多的碰撞，也因此减缓离子的运动速度,在等离子体中电子移动的较离子快很多,29,热速度,电子热速度,v,=(kT,e,/m,e,),1/2,射频等离子体,T,e,约,2eV,v,e,5.93,10,7,cm/sec=1.33,10,7,mph,30,磁力和螺旋运动,磁力作用在一个带电粒子上,:,F,=q,v,B,磁力总是垂直粒子的速度,带电粒子沿着磁场线螺旋状旋绕,.,螺旋运动,(Gyro-motion),31,螺旋运动,带电粒子轨迹,磁力线,32,螺旋转动频率,磁场中的带电粒子作螺旋运动环绕磁场线的频率,33,螺旋转动半径,在磁场中带电粒子的回旋半,徑,r,可以下式表示,:,r,=v,/,W,34,能量,E,f(E),2-3eV,具有足够离子化能量的电子,玻尔,兹曼分布,35,离子轰击,当等离子体制程开始后，任何接近等离子体的东西都会产生离子轰击,对于溅镀、蚀刻和等离子体增强式化学气相沉积非常重要,主要受射频功率供给影响,压力也会影响轰击,对CVD制程,HDP在临场,同步沉积/回蚀/沉积时增进间隙填充能力,氧化物蚀刻制程，在等离子体中使用CF4 产生氟(F)的自由基e-+CF4 CF3+F+e-,16:10:1416:10:1416:1010/25/2022 4:10:14 PM,17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。,不同的原子/分子有不同的频率,也就是为什么不同的气体会发出不同的颜色.,10月-2210月-22Tuesday,October 25,2022,较重的离子轰击，薄膜受到的压应力越大,在等离子体中电子移动的较离子快很多,射频电流通过线圈时，经由感应耦合会产生一个随时间变化的电场,电子和离子具相同的电力,等离子体由中性原子(n),电子(e),和离子(i)组成,V1/V2=(A2/A1),遥控等离子体系统因此应运而生,较长的平均自由程,较多的离子能量和较少的溅镀,在PVD制程中有分解碰撞吗?,36,离子轰击,电子移动比离子快很多,电子首先到达电极和反应室墙边,电极带负电，排斥电子，吸引离,子,.,鞘极(,sheath),电位差会加速离子朝向电极移动，并造成离子轰,擊,.,离子轰击对溅镀、蚀刻和等离子体增强式化学气相沉积非常重要,.,37,鞘层电位,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,+,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,+,+,-,+,-,+,-,+,+,+,+,+,+,-,+,-,+,+,+,+,+,+,-,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,鞘层区,V,p,V,f,x,暗区,大量,等离子体,鞘层电位,电极,38,离子轰击的应用,帮助如何到达非等向性蚀刻轮廓,损伤机制,阻绝机制,氩溅镀,缝补缝隙的介电质蚀刻,金属沉积,帮助控制,PECVD,制程中薄膜的应力,较重的离子轰击，薄膜受到的压应力越大,39,直流偏压和射频功率的关系,时间,电压,(,伏特,),直流偏压,射频电位,等离子体电位,40,直流偏压和射频功率,0,时间,等离子体电位,0,时间,等离子体电位,直流偏压,射频电位,直流偏压,较低的射频功率,较小的直流偏压,较高的射频功率,较大的直流偏压,41,离子轰击,离子能量,离子密度,两者受射频功率控制,42,离子轰击控制,增加射频功率、增加直流偏压，则离子密度也增加,.,离子密度和离子轰击能量都受射频功率控制,.,射频功率是控制离子轰击最重要的把手,射频功率也用来做为增强式化学气相沉积制程薄膜应力的控制,43,化学气相沉积反应室等离子体的直流偏压,V,p,=10,-,20V,射频热电极,接地电极,暗区或鞘层区域,44,蚀刻反应室等离子体的直流偏压,直流偏压,0,时间,晶圆电位,等离子体电位,自偏压,45,蚀刻反应室等离子体的直流偏压,V,2,A,2,A,1,V,1,/V,2,=,(,A,2,/A,1,),V,1,=200,到,1000V,4,直流偏压,V,1,46,问与答,如果电击的面积比例为,1:3,，试问直流偏压和自偏压之间的差值为何,?,直流偏压是,V,1,自偏压是,V,1,-,V,2,因此,他们的差值是,V,1,-,(,V,1,-,V,2,)/,V,1,=,V,2,/,V,1,=(,A,1,/,A,2,),4,=(1/3),4,=1/81=1.23%,47,问与答,我们是否可以在等离子体中插入金属探针来测量等离子体电位,V,2,?,可以，但是当探针靠近等离子体时，它会受到电子快速移动的影响而带负电，并在其表面和巨体等离子体间形成鞘层电位。,因此测量的结果端视于鞘层电位的理论模式，但是这理论模式至今尚未完全发展完备,48,离子轰击和电极尺寸,越小的电极就会有较大的鞘层电压，因此能产生较高能量的离子轰击,大多数的蚀刻反应室将晶圆放在较小的射频热电极,49,使用等离子体的优点,IC,生产线的等离子体制程,:,等离子体增强式化学气相沉积,化学气相沉积反应室的干式清洗,等离子体蚀刻,物理气相沉积,离子注入,50,化学气相沉积制程使用等离子体的好处,相对较低的温度有较高的沉积速率,.,独立的薄膜应力控制,反应室干式清洗,51,PECVD,和,LPCVD,的比较,52,高密度等离子体化学气相沉积间隙填充,同时沉积和溅镀,间隙的开口逐渐变细,金属线之间的间隙从底部填充上来,53,0.25,m,m,A/R 4:1,高密度等离子体,CVD,无空洞的间隙填充,粒子和粒子碰撞前能够移动的平均距离.,V1/V2=(A2/A1),V1=200到 1000V,12、故人江海别，几度隔山川。,14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。,需要最少能量的碰撞便是最有可能发生的碰撞,离子轰击能量大約10 20 eV,主要是由射频功率大小决定,胜人者有力，自胜者强。,电子首先到达电极和反应室墙边,11、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。,离子化碰撞能在低压状态产生高密度等离子体,在PVD制程中有分解碰撞吗?,54,蚀刻制程使用等离子体的好处,非等向性蚀刻轮廓,高蚀刻速率,光学式终端点侦测,减少化学药品的使用和废弃物的处理,55,物理气相沉积制程使用等离子体的好处,氩气溅射,薄膜品质较高,不纯度低和较高的导电系数,较好的均匀性,较好的制程控制,制程整合能力较,高,.,较容易沉积金属合金薄膜,56,PECVD,和等离子体蚀刻反应室,CVD:,添加材料到晶圆的表面,自由基,为了应力控制的一些离子轰击,蚀刻,:,将材料由晶圆表面移除,自由基,激烈的的离子轰击,喜低压，较好的离子定向性,57,PECVD,反应室,离子轰击控制薄膜的应力,晶圆放在接地电极,射频热电极和接地电极两者有相同的面积,非常小的自我偏压,离子轰击能量大,約,10 20 eV,主要是由射频功率大小决定,58,PECVD,反应室的示意图,等离子体,吸盘,RF,晶圆,59,等离子体蚀刻反应室,离子轰击,移除晶圆表面材料,打断化学键,晶圆所在的电极面积较小,自我偏压,离子轰击能量,晶圆上,(,射频热电极,):200,1000eV,反应室盖子,(,接地电极,):10,20 eV.,60,等离子体蚀刻反应室,激烈的离子轰击产生热能,需要控制温度以保护做为图案光罩的光刻胶,水冷式晶圆冷却台,(,夹,盤,阴极,),低压不利于从晶圆转移热能到夹盘,需要把氦气注入晶圆的背面,夹环或静电夹盘,(E-,夹盘,),抓住晶圆,61,等离子体蚀刻反应室,蚀刻在低压下进行,较长的平均自由程,较多的离子能量和较少的溅镀,低压,长平均自由程,较少离子化碰撞,很难产生和支撑等离子体,磁极用来强迫电子以螺旋路径移动去增加碰撞的机会,62,等离子体蚀刻反应室示意图,制程气体,等离子体,制程反应室,副产品被真空泵抽走,夹盘,射频功率,晶圆背端用氦气冷却,磁场线圈,晶圆,63,遥控等离子体制程,需要自由基,增强化学反应,避开离子轰击,避免等离子体诱生伤害,遥控等离子体系统因此应运而生,64,制程气体,等离子体,微波或射频功率,制程反应室,副产品被真空泵抽走,遥控等离子体反应室,自由基,加热板,遥控等离子体系统,65,光刻胶剥除,蚀刻后立即移除光刻胶,O,2,和,H,2,O,的化学,可以整合到蚀刻系统,临场蚀刻和光刻胶剥除,同时改善生产率和良率,66,光刻胶剥除制程,H,2,O,O,2,等离子体,O,O,H,微波,制程反应室,H,2,O,CO,2,至真空泵,遥控等离子体反应室,O,O,O,H,H,表面有光刻胶的晶圆,加热板,67,遥控等离子体蚀刻,应用,:,等向性蚀刻制程,:,硅的局部氧化或浅沟槽绝缘氮化物剥除,酒杯状接触窗孔蚀刻,可以整合再等离子体蚀刻系统,改善生产率,部分往取代湿式蚀刻制程努力,68,NF,3,等离子体,F,F,F,F,N,2,N,2,F,微波,制程反应室,N,2,SiF,4,至真空泵,遥控等离子体反应室,加热板,晶圆,遥控等离子体蚀刻系统,69,遥控等离子体清洁法,沉积不只发生在晶圆表面,CVD,反应室需要例行清洁,避免薄膜破裂的粒子污染物,等离子体清洁一般使用氟碳化合物的气体,离子轰击影响零件的寿命,氟碳化合物的分解率低,环保人士很在意氟碳化合物的释出,70,遥控等离子体清洁法,微波高密度等离子体,自由基流入,CVD,反应室,和沉积薄膜反应并且移除,清洁反应室,缓和的制程,延长零件的寿命,高分解,少量氟碳化合物释出,71,NF,3,等离子体,F,F,F,F,N,2,N,2,F,微波,CVD,反应室,N,2,SiF,4,至真空泵,遥控等离子体反应室,加热板,遥控等离子体清洁法示意图,72,遥控等离子体,CVD(RPCVD),磊晶硅锗,(Si-Ge),材料为高速双载子互补型金氧半晶体管,仍在研发中,匣极介电质,:SiO,2,SiON,和,Si,3,N,4,高介电常数,(,k),:HfO,2,TiO,2,和,Ta,2,O,5,PMD,氮化物阻挡层,LPCVD:,热积存的限制,PECVD:,限制等离子体诱发损伤,73,高密度等离子体,(HDP),能在低压下产生高密度等离子体是最大的希望,低压有较长的平均自由程，较少的离子溅镀，增进蚀刻轮廓的,控制,.,密度越高,离子和自由基也越多,增进化学反应,增加离子轰击,对,CVD,制程,HDP,在临场,同步沉积,/,回蚀,/,沉积时增进间隙填充能力,74,平行平板等离子体源的限制,电容耦合型等离子体源,无法产生高密度等离子体,在低压下即使在磁场中，要产生等离子体仍然很,難,约几毫托,(mTorr),电子的平均自由程太长,无法形成足够的离子化碰撞,75,平行平板等离子体源的限制,不能单独控制离子束流和离子能量,两者直接与射频功率相关,较佳的制程控制需要一个可以单独控制离子通量和离子能量的等离子体源,76,感应耦合型等离子体,(,ICP),和电子回旋共振,(,ECR),在,IC,工业上最常使用,感应耦合型电,漿,ICP,亦称作变压器耦合等离子体源,TCP,电子回旋共振,ECR,ICP,可以在低压的状态,(,几个毫托,),制造高密度等离子体,可以单独控制离子束流和离子能量,77,感应耦合型等离子体,(ICP),射频电流通过线圈时，经由感应耦合会产生一个随时间变化的电场,回旋型电场使电子加速也是往回旋方向,加速,.,电子因回旋而能移动很长的距离而不会撞到反应室墙壁或电,極,.,离子化碰撞能在低压状态产生高密度等离子体,78,感应耦合型等离子体,(ICP),偏压射频功率控制离子轰击能量,射频功率来源控制离子束流,必须有一个背面氦气冷却系统和静电夹盘,(,E-chuck),来控制晶圆温度,79,感应耦合原理示意图,线圈中射频电流,射频磁场,感应电场,80,ICP,反应室示意图,氦气,射频偏压,晶圆,静电夹盘,等离子体,感应线圈,射频功率源,反应室主体,陶瓷盖,81,ICP,的应用,介电质化学气相沉积,所有的图案蚀刻制程,金属沉积之前的溅镀清洗,金属等离子体物理气相沉积,等离子体浸置型离子注入,82,电子回旋共振,(,ECR),螺旋转动频率,(,Gyro-frequency),或回旋频率,(cyclotron frequency):,由磁场强度决定,83,电子回旋共振,(,ECR),当,w,MW,=,W,e,时，产生电子回旋共振,电子从微波中取得能量,具能量的电子和原子或分子碰撞,离子化碰撞产生更多的电子,电子沿着磁场线螺旋转进,即使在非常低的压力也有许多的碰撞,84,电子回旋共振,(,ECR),电子轨迹,B,微波,85,氦气,射频偏压,磁力线,微波,磁场线圈,ECR,等离子体,晶圆,静电夹盘,电子回旋共振,(,ECR),86,电子回旋共振,(,ECR),射频偏压功率控制离子轰击能量,微波功率控制离子束流,磁场线圈控制等离子体位置和制程的均匀性,背面要有一个具有静电夹盘,(,E-chuck),的氦气冷却系统来控制晶圆温度,87,ECR,的应用,介电质化学气相沉积,所有的图案蚀刻制程,等离子体浸置型离子注入,88,概要,等离子体是,n,=n,+,的游离气体,等离子体由中性原子,(,n),电子,(,e),和离子,(,i),组成,离子化、激发,松弛和分解,离子轰击帮助蚀刻率的增加和达到非等向性蚀刻,光的放射可以使用来做为蚀刻终端点,平均自由程和压力有关,等离子体的离子总是轰击电极,89,概要,电容耦合型等离子体，增加射频功率同时增加离子束流和离子能量,低频射频功率提供离子更多的能量，引起较激烈的离子轰击,蚀刻制程比,PECVD,需要更多的离子轰击,低压下产生高密度等离子体源是希望达到的目标,ICP,和,ECR,是两种用在,IC,制造的高密度等离子体系统,9,、静夜四无邻，荒居旧业贫。,10月-26,10月-26,Monday,October 5,2026,10,、雨中黄叶树，灯下白头人。,00:49:20,00:49:20,00:49,10/5/2026 12:49:20 AM,11,、以我独沈久，愧君相见频。,10月-26,00:49:20,00:49,Oct-26,05-Oct-26,12,、故人江海别，几度隔山川。,00:49:20,00:49:20,00:49,Monday,October 5,2026,13,、乍见翻疑梦，相悲各问年。,10月-26,10月-26,00:49:20,00:49:20,October 5,2026,14,、他乡生白发，旧国见青山。,05 十月 2026,12:49:20 上午,00:49:20,10月-26,15,、比不了得就不比，得不到的就不要。,。,十月 26,12:49 上午,10月-26,00:49,October 5,2026,16,、行动出成果，工作出财富。,2026/10/5 0:49:20,00:49:20,05 October 2026,17,、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。,12:49:20 上午,12:49 上午,00:49:20,10月-26,9,、没有失败，只有暂时停止成功！。,10月-26,10月-26,Monday,October 5,2026,10,、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。,00:49:20,00:49:20,00:49,10/5/2026 12:49:20 AM,11,、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。,10月-26,00:49:20,00:49,Oct-26,05-Oct-26,12,、世间成事，不求其绝对圆满，留一份不足，可得无限完美。,00:49:20,00:49:20,00:49,Monday,October 5,2026,13,、不知香积寺，数里入云峰。,10月-26,10月-26,00:49:20,00:49:20,October 5,2026,14,、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。,05 十月 2026,12:49:20 上午,00:49:20,10月-26,15,、楚塞三湘接，荆门九派通。,。,十月 26,12:49 上午,10月-26,00:49,October 5,2026,16,、少年十五二十时，步行夺得胡马骑。,2026/10/5 0:49:20,00:49:20,05 October 2026,17,、空山新雨后，天气晚来秋。,12:49:20 上午,12:49 上午,00:49:20,10月-26,9,、杨柳散和风，青山澹吾虑。,10月-26,10月-26,Monday,October 5,2026,10,、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。,00:49:20,00:49:20,00:49,10/5/2026 12:49:20 AM,11,、越是没有本领的就越加自命不凡。,10月-26,00:49:20,00:49,Oct-26,05-Oct-26,12,、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。,00:49:20,00:49:20,00:49,Monday,October 5,2026,13,、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。,10月-26,10月-26,00:49:20,00:49:20,October 5,2026,14,、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。,05 十月 2026,12:49:20 上午,00:49:20,10月-26,15,、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。,十月 26,12:49 上午,10月-26,00:49,October 5,2026,16,、业余生活要有意义，不要越轨。,2026/10/5 0:49:20,00:49:20,05 October 2026,17,、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。,12:49:20 上午,12:49 上午,00:49:20,10月-26,MOMODA POWERPOINT,Lorem ipsum dolor sit amet,consectetur adipiscing elit.Fusce id urna blandit,eleifend nulla ac,fringilla purus.Nulla iaculis tempor felis ut cursus.,感谢您的下载观看,专家告诉,