电工电子实践二极管级.ppt

*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,电工电子实践二极管级,自然界中的各种物质,按导电能力分为,:,导体、绝,缘体、半导体。,晶体管又称半导体管,，半导体导电能,力介于导体和绝缘体之间。,目前，制造晶体管的半导体材料多数是锗（,Ge,）、硅（,Si,）,和镓（,Ga,）。,通常将晶体管分为：晶体二极管、晶体三极管、场效应,管和晶闸管（可控硅）。,PN,结的形成,半导体中载流子有,扩散运动,和,漂移运动,两种。,载流子在电场作用下的定向运动称为,漂移运动,。,在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为,扩散运动,。,将一块半导体的一侧掺杂成,P,型半导体，另一侧掺杂成,N,型半导体，在两种半导体的,交界面处,将形成一个特殊的薄层,PN,结。,当,PN,结两端加上不同极性的直流电压时，其导电性能将产生很大差异,正向导通时，呈现的电阻较小；反向截止时呈现的电阻较大,。,PN,结的单向导电性,可将PN结视为一个理想开关，即导通时视为“短路”，截止时视为“开路”。,一、晶体二极管,用一定的工艺方法把,P,型和,N,型半导体紧密地结合在一起，由,P,区和,N,区各引出一个电极，用金属、塑料或玻璃管壳封装后，即构成一个晶体二极管。,按材料,分：锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管；,按用途,分：整流二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、检波二极管、开关二极管、高压硅管等；,晶体二极管的分类,按封装形式,分：塑封及金属封装等二极管；,按功率,分：大功率、中功率及小功率等。,按制作工艺,分：点接触型、面接触型、平面型二极管。,二极管的伏,安特性：,二极管伏,安特性：,二极管伏,安特性：,二极管伏,安特性：,A,B,C,D等表示产品的改进型,若两次测得的电阻值近似相等,则黑笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极。,截止区：UBE 死区电压，IB=0，IC=ICEO 0,放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。,自然界中的各种物质,按导电能力分为:导体、绝,集成电路是将晶体二极管、晶体三极管、场效应晶体管、电阻、电容等元器件按照设计电路要求连接起来，共同制作在一块硅或绝缘体基片上，然后封装而成为具有特定功能的完整电路。,由于电路仅利用 v2 的半个波形，故称为半波整流电路。,V：整流二极管，把交流电变成脉动直流电；,的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。,可控硅的控制极电压、电流通常都比较低，电压只有几伏，电流只有几十至几百毫安，而被控制的器件中可以通过高达几千伏的电压和上千安培以上的电流。,FET:由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。,结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道,二极管伏,安特性：,二极管伏安特性曲线,半导体二极管的主要参数,1.,最大整流电流,最大整流电流是指长期工作时，允许通过的最大,正向,电流值。使用时不能超过此值，否则二极管会发热而烧毁。,2.,最高反向工作电压,是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压,U,BR,的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。,3.,反向峰值电流,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，,I,RM,受温度的影响，,温度越高反向电流越大,。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。,二极管的应用,-,限幅器,0,u,E,u,i,E,u,i,E,i,u,=,整流：,把交流电变成直流电的过程。,整流原理：,二极管的单向导电特性。,二极管单相整流电路：,把,单相,交流电变成直流电的电路。,半波整流,桥式整流,倍压整流,单相整流电路种类,常用二极管介绍,整流二极管：,主要用于整流电路，把交流电变换成脉动的直流电。,单相半波整流电路,V,：整流二极管，把交流电变成脉动直流电；,T,：电源变压器，把,v,1,变成整流电路所需的电压值,v,2,。,利用二极管单向导电性可把交流电,v,2,变成脉动直流电,v,L,。,由于电路仅利用,v,2,的半个波形，,故称为,半波整流电路。,由波形可见，,v,2,一周期内，负载只用单方向的半个波形，这种大小波动、方向不变的电压或电流称为,脉动直流电,。,单相桥式整流电路,V,1,V,4,为整流二极管，电路为桥式结构,简化画法,(,2,),v,2,负半周时，如图,(,b,),所示，,A,点电位低于,B,点电位，则,V,2,、,V,4,导通,(,V,1,、,V,3,截止,),，,i,2,自上而下流过负载,R,L,。,桥式整流电路工作过程,工作原理,(,1,),v,2,正半周时，如图,(,a,),所示，,A,点电位高于,B,点电位，则,V,1,、,V,3,导通,(,V,2,、,V,4,截止,),，,i,1,自上而下流过负载,R,L,；,由波形图可见，,v,2,一周期内，两组整流二极管,轮流导通,产生的单方向电流,i,1,和,i,2,叠加形成了,i,L,。于是负载得到全波脉动直流电压,v,L,。,半桥和全桥整流堆,整流元件组合件称为,整流堆,，常见的有：,(,1,),半桥：,2CQ,型，如图,(,a,),所示；,(,2,),全桥：,QL,型，如图,(,b,),所示。,稳压二极管：,主要用于整流电路，把交流电变换成脉动的直流电。,具有稳定电压的特点，实质上是一个二极管。,二极管反向击穿时，当反向电压增大到一定值时，反向电流突然上升，此后当反向电压有极微小变化时，反向电流就会有很大的增加。二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。,稳压管利用了,PN,结反向击穿时其电压不随电流的变化而变化的特点,，来达到稳压目的。,稳压二极管是,反向接入,稳压电路的。,为了避免稳压管因过流而损坏，,必须加限流电阻,。,发光二极管：,发光二极管是一种将,电能,转化成,光能,的半导体器件。当给发光二极管加上正向电压，有一定的电流流过时就会发光。发光的颜色分为：红光、绿光、蓝光、三色变色发光。另外还有眼睛看不见的红外光。,光敏二极管,光电二极管,工作在反偏状态,它的,壳上有一个玻璃窗口，,以便接受光照。,变容二极管：快恢复二极管：,15A /80V,工作在反向偏置状态,。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路。,瞬态电压抑制二极管（过电压保护）：,高压硅堆：,性能测量：,(1),使用二极管时,正、负极不可接反。,(2),更换二极管时,应用同类型或高一级的代替。,(3),二极管的引线弯曲处距离外壳端面应不小于,2mm,以免造成引线折断或外壳破裂。,(4),由于发光二极管的正向导通电压一般在以上，故检测时必须用万用表的,R,10k,挡,，正向电阻小于,50k,，反相电阻大于,200k,时发光二极管为正常。,使用注意事项：,万用表检测二极管,三极管大都是,塑料封装或金属,封装，常见三极,管的外观如图。,二、晶体三极管,也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中,最重要的器件。它最主要的功能是,电流放大和开,关作用。,三极管,具有三个电极,。三极管由,两个,PN,结,构,成，共用的一个电极成为三极管的基极（用,b,表,示）。其他的两个电极成为集电极（用,c,表示）,和发射极（用,e,表示）。由于不同的组合方式，,形成了,NPN,型,和,PNP,型,三极管。,半导体三极管,晶体三极管,基本结构,N,N,P,基极,发射极,集电极,NPN,型,B,E,C,B,E,C,PNP,型,P,P,N,基极,发射极,集电极,符号：,NPN,型三极管,PNP,型三极管,B,E,C,I,B,I,E,I,C,B,E,C,I,B,I,E,I,C,无论是,NPN,型管还是,PNP,型管,它们内部均含,有,三个区,:,发射区、基区、集电区。从三个区,各引出一个金属电极分别称为,发射极,（,e,）、,基极,（,b,）和,集电极,（,c,）,;,同时在三个区的两,个交界处形成,两个,PN,结,发射区与基区之间形,成的,PN,结称为发射结,集电区与基区之间形成,的,PN,结称为集电结。,基区：最薄，,掺杂浓度最低,发射区：掺,杂浓度最高,发射结,集电结,B,E,C,N,N,P,基极,发射极,集电极,结构特点：,集电区：,面积最大,三极管的参数是用来表征其性能和适用范围的,也是评价三极管质量以及选择三极管的依据。,常用的主要参数有,:1,）电流放大系数,2,）反向饱和电流,I,CBO,3,）穿透电流,I,CEO,三极管的分类,(1),按其结构类型分为,NPN,管和,PNP,管,;,(2),按其制作材料分为硅管和锗管,;,(3),按工作频率分为高频管和低频管,;,三极管的主要参数,电流分配和放大原理,1.,三极管放大的外部条件,B,E,C,N,N,P,E,B,R,B,E,C,R,C,发射结正偏、集电结反偏,发射结正偏,V,B,V,E,集电结反偏,V,C,V,E,集电结反偏,V,C,V,B,PNP,NPN,从电位的角度看：,2.,各电极电流关系及电流放大作用,I,B,(mA),I,C,(mA),I,E,(mA),0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.001,0.70,1.50,2.30,3.10,3.95,I,C,，,U,CE,U,BE,截止区：,U,BE,死区电压，,I,B,=0,，,I,C,=,I,CEO,0,要准确地了解一只三极管类型、性能与参数,可用专,门的测量仪器进行测试,但一般粗略判别三极管的类型和,管脚,可,直接通过三极管的型号简单判断,也可利用,万用,表测量方法判断,。下面具体介绍其型号的意义。,1,三极管型号命名方法,三极管的型号一般由五大部分组成,如,3AX31A,、,3DG12B,、,3CG14G,等。下面以,3DG110B,为例说明各部分的命,名含义。,三极管的判别及手册的查阅方法,(1),第一部分由数字组成，表示电极数。,“,3,”,代表三极管。,(2),第二部分由字母组成，表示三极管的材料与类型。如,A,表示,PNP,型锗管，,B,表示,NPN,型锗管，,C,表示,PNP,型硅管，,D,表示,NPN,型硅管。,(3),第三部分由字母组成，表示管子的类型，即表明管子的功能。,(4),第四部分由数字组成,表示三极管的序号。,(5),第五部分由字母组成,表示三极管的规格号。,中国半导体型号和命名法：,3DG201C,3,产品类型：高频小功率,2,材料极性：,NPN,硅管,1,电极数目：三极管,5,规格号：,4,器件序号：,一位,二位,三位,四位,2,二,极,管,3,三,极,管,A,：,N,型 锗管,A,：高频中功率,器,件,序,号,B,：,P,型 锗管,G,：高频小功率,C,：,N,型 硅管,D,：低频大功率,D,：,P,型 硅管,X,：低频小功率,A,：,PNP,型锗管,T,：场效应管,B,：,NPN,型锗管,P,：普通管,C,：,PNP,型硅管,W,：稳压管,D,：,NPN,型硅管,U,：光电器件,E,：化合物材料,Z,：整流器,日本半导体型号和命名法：,2SC 945A,3,产品类型：高频小功率,2,材料极性：,NPN,硅管,1,电极数目：三极管,5,改进号：,4,器件序号：,一位,二位,三位,四位,五位,1,：二极管,2,：三极管,N,：具有,n+1,个有效电极的器件,S,：已在日本电子工业协会（,JEIA,）注册标志,A,：,PNP,高频管,B,：,PNP,低频管,C,：,NPN,高频管,D,：,NPN,低频管,G,：,N,沟道场效,应管,J,：,P,沟道场效,应管,K,：双向可控硅,JEIA,注册号,A,B,C,D,等表示产品的改进型,欧洲半导体型号和命名法：,BU208 A,3,器件登记号：,2,器件类型：大功率开关管,1,器件材料：硅管,4,允许误差：,一位,二位,三位,四位,A,：锗材料,B,：硅材料,C,：砷化镓,D,：锑化铟,R,：复合,A,：检波二极管,开关二极管,B,：变容二极管,C,：低频小功率,三极管,D,：低频大功率,三极管,F,：高频小功率,L,：高频大功率,三极管,H,：磁敏二极管,K,：霍尔元件,P,：光敏器件,Q,：发光器件,R,：小可控硅,S,：小开关管,T,：大可控硅,U,：大开关管,Y,：整流二极,管,Z,：稳压二极,管,登,记,号,A,B,C,D,等表示产品的分档号,美国半导体型号和命名法：,J2N 3251A,3EIA,注册：已注册,2PN,结数目：三极管,1,器件类别：非军品,5,分档号：,4,注册号：,一位,二位,三位,四位,五位,JAN,：军用品,J,：非军用品,1,：二极管,2,：三极管,N,：具有,n+1,个有效电极的器件,N,：已在美国电子工业协会（,EIA,）注册登记,EIA,注册号,A,B,C,D,等表示产品的分档号,三极管的判别,一、三颠倒，找基极,选用万用表欧姆挡的,R100,或,R1k,挡位。,任取两个电极,1,、,2,，表笔颠倒测量,1,、,2,之间的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；,再取,1,、,3,两个电极和,2,、,3,两个电极，分别颠倒测量它们,的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。,在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠,倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠,倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就,是我们要寻找的基极。,三极管的判别,二、,PN,结，定管型,根据,b,极与,c,、,e,极之间,PN,结方向确定管子的类型。,黑表笔,基极，红表笔,另外任一,c,或,e,极，若,表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为,NPN,型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为,PNP,型。,引脚判别和测试,:,三极管的判别,三、顺箭头，偏转大,哪个是集电极,c,，哪个是发射极,e,呢,?,用测穿透电流,I,CEO,的方法确定,c,极和,e,极。,NPN,型三极管：,测量,Rce,和,Rec,，仔细观察，有一次偏转角度稍,大，此时电流的流向一定是：黑表笔,c,极,b,极,e,极红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头,方向一致,(,“,顺箭头,”,),，所以此时黑表笔所接的一定,是集电极,c,，红表笔所接的一定是发射极,e,。,B,E,C,I,B,I,E,I,C,三极管的判别,PNP,型的三极管，道理也类似于,NPN,型，其电流流向一定是：黑表笔,e,极,b,极,c,极红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极,e,，红表笔所接的一定是集电极,c,。,B,E,C,I,B,I,E,I,C,方法,2,：集电极和发射极判别,以,NPN,型管为例，确定基极后，假定其余的两个管脚为分别为以,c,极和,e,极，将,黑表笔,假设的,c,极,，红表笔,假设的,e,级，用手指把假设的,c,极和已测出的,b,极,捏起来,(,但不要相碰,),，记下此时的表针读数。,再将假设的,c,极和,e,极互换，即把原来假设的为,c,极的管脚假设为,e,极，重复上述步骤。比较两次测得的电阻大小，,测得电阻小的那一次假设是正确的。因为,ce,间的电阻小说明通过万用表的电流大，偏置正常。,黑笔,红笔,NPN,型,通过上述方法的判断,如果发现电路中的三极管已损坏,更换时一般应遵循下列原则,:,（,1,）更换时,尽量更换相同型号的三极管。,（,2,）无相同型号更换时,新换三极管的极限参数应等于或大于原三极管的极限参数,如参数,I,CM,、,P,CM,、,U,（,BR,）,CEO,等。,（,3,）性能好的三极管可代替性能差的三极管。如穿透电流,I,CEO,小的三极管可代换,I,CEO,大的,电流放大系数,高的可代替,低的。,（,4,）在集电极耗散功率允许的情况下,可用高频管代替低频管，如,3DG,型可代替,3DX,型。,（,5,）开关三极管可代替普通三极管,如,3DK,型代替,3DG,型,3AK,型代替,3AG,型管。,三极管的代换方法,特殊三极管,1,光电三极管：,光电三极管也称光敏三极管，其等效电路和电路符号如图所示。,光电三极管的等效电路与电路符号,2,、达林顿管,将两只或多只普通三极管,复合封装,在一起，等效为,一只高性能的三极管。达林顿管主要用于大功率开关电,路、电动机调速控制电路、逆变电源电路等，用于驱动,大功率负载。,达林顿电路有四种接法，,NPN+NPN,，,PNP+PNP,，,NPN+PNP,，,PNP+NPN,，,极性只认前面的三极管,；,放大倍数是两个三极管放大倍数的,乘积,。,简称,场效应管,也是由半导体材料制成的。,一般的晶体管,:,由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为,双极型,晶体管；,属于,电流控制器件,，通过控制基极电流达到控制集电极电流。,FET,:,由多数载流子参与导电，也称为,单极型,晶体管。,它属于,电压控制型器件,，其输出电流决定于输入信号电压的大小，管子的电流受控于栅极源极之间的电压。,三 场效应三极管,Field Effect Transistor,(FET),场效应管的三个电极分别称为：,漏极（,D,）、源极（,S,）、栅极（,G,）,双极型,三极管,和场效应型的比较,双极型三极管,场效应三极管,结构,NPN,型 结型耗尽型,N,沟道,P,沟道,PNP,型 绝缘栅增强型,N,沟道,P,沟道,绝缘栅耗尽型,N,沟道,P,沟道,C,与,E,一般不可倒置使用,D,与,S,有的型号可倒置使用,载流子 多子扩散 少子漂移 多子漂移,输入量 电流输入 电压输入,控制,电流控制电流源,CCCS(,),电压控制电流源,VCCS(,g,m,),场效应三极管,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。,绝缘栅型场效应管，它是由金属、氧化物、半导体组成，简称,MOS,管（即金属,-,氧化物,-,半导体场效应管,MOSFET,）。,结型场效应管,（,JFET,）,绝缘栅型场效应管,（,JGFET,）,P,沟道型,N,沟道型,耗尽型,增强型,P,沟道型,N,沟道型,P,沟道型,N,沟道型,场效应管,场效应管的分类,结型场效应管的管脚识别和性能测试：,场效应管的栅极G,晶体管,b,极，源极S,e,极，漏极D,c,极,判定栅极,G:,将万用表拨至,R1k,档,用万用表的黑笔任意接一电极,红笔依次去接触其余的两个极,测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等,则黑笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极。若两次测出的电阻都很大,则为,N,沟道,;,若两次测得的阻值都很小,则为,P,沟道。,结型场效应管的,源极和漏极是对称,的，可以互换使用，不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。,性能测试：,将两只表笔分别接漏极,D,和源极,S,，然后用手碰触栅极,G,，此时表针偏转较大，说明管子是好的。如果表针不动，则表明管子坏了或性能不好。,使用注意事项：,（,1,）结型场效应管和普通晶体三极管的使用注意事项相近。但,栅源间电压不能接反,，否则会烧坏管子。,（,2,）对于绝缘栅型场效应管，其输入阻抗很高，为防止感应过压而击穿，保存时应将三个电极短路。,使用时禁止用万用表测试小功率,MOS,管。,（,3,）场效应管的漏、源极可以互换使用。但对于衬底已和源极接好线的，则不能再换,。,四 晶闸管,可控硅又称,“,晶体闸流管,”,，也是一种半导体器件。,它将 P型半导体和 N 型半导体交替叠合成四层，形成三个 PN 结，再引出三个电极，这就是可控硅的内部结构。,根据工作特性不同，可控硅分为,单向可控硅、双向可控硅、可关断可控硅,等几种。,为了说明晶闸管的工作原理,可把四层PNPN半导体分成两部分,如图(b)所示。,P,1,N,1,P,2,组成PNP型管,N,2,P,2,N,1,组成NPN型管,这样,可控硅就好像是由一对互补复合的三极管构成的,其等效电路如图(c)所示。,晶闸管连接图,演示电路及操作过程,S,断开,U,GK,=0,U,AA,为正向,灯泡不亮,称之为,正向阻断,S,断开,U,GK,=0,U,AA,为反向,灯泡不亮。,只有在控制极加上正向电压的前提下,晶闸管的单向导电性才得以实现。,S,合上,U,GK,为正向,U,AA,为反向,灯泡不亮,称之为,反向阻断,S,合上,U,GK,为正向,U,AA,为正向,灯泡亮,称之为,触发导通,晶闸管具有单向导电性,逐渐减小,U,AA,灯泡亮度变暗,直到熄灭,断开,S,灯泡仍亮,称之为维持导通,导通的晶闸管即使去掉控制极电压,仍维持导通状态。,要使导通的晶闸管关断,必须把正向阳极电压降低到一定值才能关断。,U,GG,反向,U,AA,正向,灯泡不亮,称之为,反向触发,U,GG,反向,U,AA,反向,灯泡仍不亮,只有在控制极加上正向电压的前提下,晶闸管的单向导电性才得以实现。,可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性。,可控硅一旦导通，控制电压就失去作用，要使导通后的晶闸管重新关断，应设法减小阳极电流，使其小于晶闸管的导通维持电流。,可控硅导通和关断条件,单向可控硅,：,一般用于直流电路，在阴阳两极间加电压，如果控制极不加电，则不导通；控制极加上合适的控制电压，则阴阳两极呈控制导通状态。,单向可控硅测试：,晶闸管,G,、,K,之间是一个,PN,结，相当于一个二极管，,G,为正极、,K,为负极。,万用表选用电阻,R1,档,，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数,为数十欧姆,的一对引脚，此时,黑笔接的为控制极,G,，红笔接的为阴极,K,，另一空脚为阳极,A,。,将黑表笔接阳极,A,，红表笔接阴极,K,。此时万用表指针应不动。用短接线,瞬间短接阳极,A,和控制极,G,，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为,10,欧姆左右。如阳极,A,接黑表笔，阴极,K,接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。,双向可控硅,：,实质上是两个反向并联的单向可控硅。一般用于交流电路，在阴阳两极间加电压，如果控制极不加电，则不导通；控制极加上合适的控制电压，则阴阳两极呈控制导通状态。,G,T1,T2,用万用表电阻,R1,档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为,数十欧姆,时，该组红黑表笔所接的两引脚为,第一阳极,T1,和控制极,G,，另一空脚即为第二阳极,T2,。,确定,A,、,G,极后，再仔细测量,T1,、,G,极间正反向电阻，,读数相对较小,的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极,T1,，红表笔所接引脚为控制极,G,。,双向可控硅测试,晶闸管的型号,国产晶闸管的型号有两种表示方法,即,KP,系列和,3CT,系列。,额定通态平均电流的系列为,1,、,5,、,10,、,20,、,30,、,50,、,100,、,200,、,300,、,400,、,500,、,600,、,900,、,1000(A),等,14,种规格。,额定电压在,1000 V,以下的,每,100 V,为一级,;1000 V,到,3000 V,的每,200 V,为一级,用百位数或千位及百位数组合表示级数。,可控硅的控制极电压、电流通常都比较低，电压只有几伏，电流只有几十至几百毫安，而被控制的器件中可以通过高达几千伏的电压和上千安培以上的电流。,可控硅具有控制特性好、效率高、耐压高、容量大、反应快、寿命长、体积小、重量轻等优点。它,相当于一只无触点可控开关，以弱电去控制强电,。利用可控硅的这种特性，我们将它用于可控整流、交直流变换、调速、调光等自动控制电路中。,单结晶体管触发电路,单结晶体管的结构及其性能,可以看出，,它有三个电极,，,但不是三极管,，,而是具有三个电极的二极管,，,管内只有一个PN,结，,所以称之为,单结晶体管,。三个电极中，,一个是发射极,，,两个是基极,，,所以也称为,双基极二极管,。,双基极二极管的电路符号如图所示，,其中,，,有箭头的表示发射极,e,；,箭头所指方向对应的基极为第一基极,b,1,，,表示经PN,结的电流只流向,b,1,极；,第二基极用,b,2,表示。,按制作工艺分：点接触型、面接触型、平面型二极管。,S：已在日本电子工业协会（JEIA）注册标志,发射结正偏 VB=V,o,+3,伏,I,o,=1.5 A,可调式三端稳压器：,LM317、LM337、,CW317 、CW337,谢谢观看,谢谢观看,