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薄膜物理31磁控溅射原理专业文档第三章专业文档3-1气体的放电现象与等离子体专业文档一、气体放电现象描述气体放电是溅射过程的基础，所以首先讨论一下气体的放电过程。气体的直流放电是在真空度为10 lpa的稀薄气体中，两 个电极之间加上电压 时产生的一种气体放 电现象。直流气体放电体系模型专业文档在阴阳两极间，由电动 势为的直流电源提供靶电 压V和靶电流I,并以电阻 K作为限流电阻。将真空容器抽真空，到 达10lpa时的某一压力时，接通相距为d的两个电极间 的电源，使电压逐渐上升。直流气体放电体系模型专业文档当电压较低时，电路中仅 流过与初始电子数相当的暗电 流。随着电压增加，当加速电 子能量大到一定值之后，与中 性气体原子（分子）碰撞使之 电离，于是电子数按等比级数 迅速增加，形成电子的繁衍过 程，也称为雪崩式放电过程，但此时的放电属于非自持放电 过程，其特点是，若将原始电 离源除去，放电立即停止。若 将电离源去掉放电仍能维持，则称为自持放电过程。直流气体放电体系模型专业文档为维持放电进行，下述两个过程必不可少:a）电子的繁衍，开始由阴极表面发射出一个电子（初始电子），该电子在电极间电压的作用下，向阳极运动。当电子能量超过 一定值后，使气体原子发生碰撞电离，后者被电离为一个离子 和一个电子。这样，一个电子就变为两个电子，重复这一过程,即实现电子的所谓繁衍。b）二次电子发射过程：离子在阴极电位降的作用下，轰击阴极表 面，产生二次电子。专业文档气体放电时两电极间的电压和电流关系不满足欧姆定律，其伏安 特性曲线如图-电晕放电气体击穿G异常辉光放电，电弧击穿户13-G生放电正常辉光放电E|非热平衡电弧放电出 L._ 3西生_J_A 口示出 品 士辉光放电-T-V-弧光放电-V 热平衡电弧放电103 10-2 10-1 100 101 102 103电流/A气体放电的伏安特性曲线放电曲线分为：汤生放电段（气体分子开始出现电离）辉光放电段（产生大面积辉光等离子体）弧光放电段（产生高密度弧战等离子体）1、无光放电由于在放电容器中充有少量气体，因而始终有一部分气体分子以游离状态 存在着。当两电极上加直流电压时，这些少量的正离子和电子将在电场下运动,形成电流。曲线的开始阶段。由于气体分子在这种情况下的自然游离数是恒定的，所以，当正离子和电 子一产生，便被电极拉过去。即使再升高电压，到达电极的电子与离子数目不 变。此时的电流密度很小，一股情况下仅有10-安培左右。此区是导电而 不发光，所以称为无光放电区。气体放电的伏声特性曲线2、汤森放电随着电压逐渐升高，电离粒子的运动速度也随之加快，即电流随电压上升 而增加。当这部分电离粒子的速度达到饱和时，电流不再随电压升高而增加。此时，电流达到了一个饱和值，曲线中第一个垂直段（AB段）。当电压继续升 高时，离子与阴极之间以及电子与气体分子之间的碰撞变得重要起来，在碰撞 趋于频繁的同时，外电路转移给电子与离子的能量也在逐渐增加。-电晕放电厂气体击穿 大/电弧击穿*/吓&算亮辉光放心/y 4牛沛由 正常辉光放电E 非热平衡电弧放电4 辉光放电-1因一弧光放电-产 I 热平衡电弧放电10-3 10-2 10-】100 10l 102 IO3电流/A 气体放电的伏安特性曲线 业乂归此时，一方面离子对阴极的碰撞将使其产生二次电子的发射，而电子能 量也增加到足够高的水平，它们与气体分子的碰撞开始导致后者发生电离。这些均产生新的离子和电子，即碰撞过程使得离子和电子的数目迅速增加。这时，随着放电电流的迅速增加，电压的变化却不大。一一汤森放电1041031021011出怔-电算放电,气体击穿 式/电弧击穿b异常辉光放多/y一生放电 正常辉光放电E 非热平衡电弧放电卜三一 辉光放电-弧光放电-I V 热平衡电弧放电j/x-*7l/d I_|_|_|_I I|G I10-3 10-2 10-1 10 io1 102 103电流/A 气体放电的伏安特性曲线上述两种情况的放电，都以有自然电离源为前提，如果没有游离的电子 和正离子存在，则放电不会发生。因此，这种放电方式又称为非自持放电。专业文档在汤生放电阶段的后期，放电开始进入电晕放电阶段。这时，在电场强度 较高的电极尖端部位开始出现一些跳跃的电晕光斑。电晕放电电晕放电体击穿D异常辉光放电电弧击穿汤生放电正常辉光放电E非热平衡电弧放电辉光放电弧光放电-平衡电弧放电10-3 10-2 IO-1 10 IO1 102 IO3电流/A3、正常辉光放电气体放电的伏安特性曲线在汤生放电阶段之后，气体会突然发生放电击穿现象（雪崩点火）；气体 开始具备了相当的导电能力，我们将这种具备了一定的导电能力的气体称为等离 子体。“雪崩点火”后，离子轰击阴极.释放出二次电子，二次电子与中性气体 分子碰撞.产生更多的离子，这些离子再轰击阴极，又产生出新的更多的二次电 子。专业文档一旦产生了足够多的离子和电子后，放电达到自持，气体开始起辉，两极间电流剧增，电压迅速下降，放电呈现负阻特性。曲线CD区域叫做 过渡区。-电晕放电气体击穿 电弧击穿D异常辉光放电汤生放电正常辉光放电E非热平衡电弧放电辉光放电弧光放电-热平衡电弧放电10-3 10-2 10-1 100 01 102 103电流/A 气体放电的伏安特性曲线专业文档-电晕放电厂气体击穿C D异常辉光放电EF电弧击穿3 出 怔104103102101B正汤生放电A常辉免放电 一辉光放电非热平衡电弧放电弧光放电-热平衡电弧放电-I_I I I I I U I10-3 10-2 10-】100 101 102 103电流/A 气体放电的伏安特性曲线在D点以后，放电区由原来只集中于阴极边缘和不规则处变成向整 个电极表面扩展。在这一阶段，电流与电压无关，而只与阴极板上产生 辉光的表面积有关。且气体中导电粒子的数目大量增加，粒子碰撞过程 伴随的能量转移也足够地大，因此放电气体会发出明显的辉光。维持辉 光放电的电压较低，且不变。从D到E之间区域叫做“正常辉光放电区”。专业文档在正常辉光放电时.放电自动调整阴极轰击面积；最初，轰击是不均匀的,轰击集中在靠近阴极边缘处，或在表面其他不规则处。随着电源功率的增 大.轰击区逐渐扩大，直到阴极面上电流密度几乎均匀为止。正常辉光放电时 的电流密度仍比较小，所以在溅射等方面均是选择在非正常辉光放电区工作。电流/A气体放电的伏安特性曲线4、异常辉光放电E点以后，当离子轰击覆盖整个阴极表面后，继续增加电源功率，会使放电区内的电压和电流密度同时增大，即两极间的电流随着电压的 增大而增大，EF这一区域称“异常辉光放电区”。专业文档异常辉光放电是一般薄膜溅射或其他薄膜制备方法经常采用的 放电形式，因为它可以提供面积较大、分布较为均匀的等离子体，有利于实现大面积的均匀溅射和薄膜沉积。电流/A气体放电的伏安特性曲线因为此时辉光已布满整个阴极，再增加电流时，离子层已无法向四周扩散,这样，正离子层便向阴极靠拢，使正离子层与阴极间距离缩短.此时若要想提高 电流密度，则必须增大阴极压降使正离子有更大的能量去轰击阴极.使阴极产生 更多的二次电子才行。专业文档5、弧光放电在F点以后，整个特性都改变了，两极间电压将会再次突然大幅 度下降，降至很小的数值，而电流强度则会伴随有剧烈的增加，其大 小几乎是由外电阻的大小来决定，而且电流越大，极间电压越小，FG 区域称为“弧光放电区”。此时，相当于极间短路。且放电集中在阴 极的局部地区，致使电流密度过大而可能将阴极烧毁。同时，骤然增 大的电流有损坏电源的危险。气体放电的伏安特性曲线专业文档此时，等离子体的分布区域发生急剧的收缩，阴极表面开始出现很 多小的（直径约lOpm）、孤立的电弧放电斑点。在阴极斑点内，电流的密 度可以达到108A/cnP的数量级。在弧光放电过程中、阴极斑点会产生大量的焦耳热，并引起阴极表 面局部温度大幅度地升高。这不仅会导致阴极热电子发射能力的大幅度提高，而且还会导致阴 极物质自身的热蒸发。与此相比，在阳极表面上，电流的分布并不象在 阴极表面上那样集中。但即使如此，冷却不 足也会造成放电斑点处温度过高和电极材料的蒸发。电流/A气体放电的伏安特性曲线在实际的气体放电中，伏安特性决定于许多因素。如气体的种类和压力、电极材料和形状尺寸、电极表面状态、放电回路中的电源、电压、功率和限流 电阻的大小等。在溅射镀膜、离子镀等与气体放电有关的装置设计、调试以及 运行过程中,也都要考虑这些因素。电流/A气体放电的伏安特性曲线弧光放电在气相沉积中的应用.仍在进一步研究之中。专业文档瓣趣电现象段等离株物层在辉光放电时，电极之间有明显的放电辉光产生，其典型的区 域划分如图所示。从阴极至阳极的整个放电区域可以被划分为阴极 辉光区、阴极暗区、负辉光区、法拉第（Faraday）暗区、阳极 柱区、阳极暗区和阳极辉光区等八个发光强度不同的区域。图2-21直流辉光放电区域的划分其中，暗区相当于离子和电子从电场获取能量的加速区，而辉光区相当于不同粒子发生碰撞、复合、电离的区域。以上对于放电区的划分只是一种比较典型的情况，实际上具体 的放电情况可根据放电容器的尺寸、气体的种类、气压、电极的布 置、电极材料的不同有所不同。图2-21直流辉光放电区域的划分1）等离子体放电击穿之后的气体，已成为具有一定导电能力 的等离子体，它是一种由离子、电子以及中性原子和 原子团组成，而宏观上对外呈电中性的物质的存在形 式。广义上可定义为:带正电的粒子与带负电的粒子 具有几乎相同的数密度，整体呈电中性状态的粒子集 聚体。按电离程度，等离子体可分为部分电离及弱电 离等离子体和完全电离等离子体两大类。专业文档部分及弱电离等离子体中，大部分为中性粒子，只有部分或极 少量中性粒子被电离；完全电离等离子体中，几乎所有中性粒子，都被电离，而呈现离 子态、电子态，带电粒子密度为101。1015 个/cm3。薄膜技术中，所利用的几乎都是部分电离及弱电离等离子体，在这种等离子体中，只要电离度达到1%,其导电率就与完全电离等 离子体相同。我们的讨论主要针对这类等离子体。对于IPa左右气压下的辉光放电而言，理想气体定律给出电子、离子与中性粒子的总密度应该是3x1014个/cm3,但这中间只有大约 1/10000比例的电子和离子。专业文档在等离子体中，除了离子、电子之外，还有处于激发态的原子、分 子，以及由分子解离而形成的活性基。被激发的原子和分子等在返回基 态的过程中，会产生原子所固有的发光。在等离子体中或反应器壁面上,还不断发生着离子与电子间的复合。等离子体处于上述电离与复合的平 衡状态。与常态的物质相比，等离子体处于高温、高能量、高活性状态。等离子体中的气体分子（原子）、离子、电子处于不停的相互碰撞 及运动之中。专业文档2）等离子鞘层 电子与离子具有不同速度的一个直接后果是形成 等离子鞘层。这是因为任何处于等离子体中的物体，如靶材和 衬底，均会受到等离子体中各种粒子的轰击。由 于离子的质量远大于电子，因而轰击物体表面的 电子数目将远大于离子数目，物体表面将剩余出 多余的负电荷而呈现负电位。电位的建立将排斥电子并吸附离子，使得到达物 体表面的电子数目减少，离子数目增加，直到到 达物体表面的电子与离子数目相等时，物体表面 的电位才达到平衡。这导致浸没在等离子体中的物质，包括阴极和阳 极，外表面无一例外地相对于等离子体本身处于 负电位，即在其表面形成了一个排斥电子的等离 子体鞘层，其厚度依赖于电子的密度和温度，其 典型的数值大约100 umo电位阴极 阳极图2-22直流辉先放电的电位二分布和等离子体鞘层专业文档3）直流辉光放电装置的电位分布气体放电进入辉光放电阶段即进入稳定的自持放电过程，但仔细观察时，在从阴极附近到阳极之间，发光的颜色及亮度的分布是不均匀的，极间电位、场强、电荷分布也不均匀。其电位分布如下图.这种极间电位、场强、电荷分 布的不均匀，导致从阴极附近到阳极之间，辉光外貌、颜色及亮度的分布的不均 匀。阴极 阳极直流辉光放电过程的电位分布和等离子体鞘层 专业文档在辉光放电等离子体中，电子的速度与能量高于离子的速度 与能量。因此，电子不仅是等离子体导电过程中的主要载流子，而且在粒子的相互碰撞、电离过程中也起着极为重要的作用。在 鞘层中，电子密度较低，因而碰撞、电离概率较小而构成暗区。在整个放电通道中，也是电子充当着主要的导电和碰撞电离的作 用。专业文档二表征溅射特性的基本参数表征溅射特性的基本参数主要有溅射阈值、溅射率、溅射原子的能 量和速度等。1.溅射阈值溅射阈值是指使靶材原子发生溅射的人射离子所必须具有的最小能 量。不同靶材的溅射阈值有明显不同。溅射阈值随入射离子的变化很小。对处于周期表同一周期中的元素，溅射阈值随着原子序数的增加而 减小。表2-n列出了某些金属元素的溅射阈值。专业文档表2-11 一些金属元素的阈值能量(eV)原子序数兀素_人射离子原子序数元素入射离子Ne+Ar+Kr+Xe+Ne+Ar+Kr+Xe+4Ba1215151541Nb2725262211Na5103042Mo2424282713Al1313151845Rh2524252522Ti2220171846Pd2020201523V2123252847Ag1215151724Cr2215182051Sb3,26Fe2220252373Ta2526303027Co202222.74W.3525303028Ni2321252075Re3535253029Cu1717161578Pt2725222230Zn379Au2020201832Ge2325221890Th202425.2540Zr2322182692U20232522专业文档2.溅射率溅射率表示正离子轰击靶阴极时，平均每个正离子能从靶阴极 上打出（溅射出）的原子个数，又称溅射产额或溅射系数，常用s表 ZjS o溅射率与人射离子的种类、能量、角度，以及靶材的类型，晶格 结构、表面状态、升华热大小等因素有关，如果靶材是单晶靶材，溅射 率还与晶体的取向看突。专业文档1）入射离子种类与溅射率的关系溅射率依赖于人射离子的原子量，原子量越大，则溅射率越高。同时，也与 入射离子的原子序数有关，呈现出随着离子的原子序数周期性变化的关系。(右褪、内廖)、希探震3020BeCONeMgSiSArCaTiCrFeNiZnGeSeBCrSrZrMoPdCdSnTeXeBaCeNdSmGdDvYbHfWPtHgPb Li BN Na Al PC1K Se VMnCoCuGaAsBrRbYNbAglnSb I Cs La Pr Eu Ta AuTl Bi 0 10 20 30 40 50 60 70 800轰击离子的原子序数图2-27溅射率与入射离子原子序数的关系图2-27说明，在周期表每一排中，凡电子壳层填满的元素就有最大的溅射率。因此，惰 性气体的溅射率最高。而位于元素周期表的每一列中间部位元素的溅射率最小，如Al、Ti、Zr等。所以，在一般情况下，入射离子大多采用惰性气体，考虑到经济性，通常选用Ar为工 作气体，同时，惰性气体可以避免与靶材发生化学反应。50靶靶靶 Agcuw-103020BeCONeMgSiSArCaTiCrFeNiZnGeSeKrSrZrMoPdCdSnTeXeBaCeNdSmGdDyYbHfWPtHgFb Li BN Na Al PC1K Se VMnCoCuGaAsBrRbYNbAglnSb I Cs La Pr Eu Ta Au T1 Bi 0 10 20 30 40 50 60 70 809030轰击离子的原子序数 图2-27溅射率与入射离子原子序数的关系2）入射离子能量与溅射率的关系入射离子能量大小对溅射率有 显著影响。当入射离子能量高于某 一个临界值（即溅射阈值）时，才 发生溅射。图2-25为溅射率与人射离子能 量之间的典型关系曲线。结果表明,当人射离子能量较小时，溅射率随 入射离子能量的增加而呈指数上升,其后，随人射离子能量的增加出现 一个线性增大区，之后逐渐达到一 个平坦的最大值并呈饱和状态。如 果再增加E则因离子注人效应反而 使S值开始下降。SWE 七 1 OkeVlOOkeV)SM嬴翼图2-25溅射率与入射离子能量关系专业文档用Ar离子轰击铜时，离子能量 与溅射率的关系如图2-26所示，图中能量范围扩大到lOOkeV,这一曲线可分成三部分：第一部 分是几乎没有溅射的低能区域；第二部分的能量从70eV至 lOkeV,这是溅射率随离子能量 增大的区域，用于溅射淀积薄膜 的能量值大都在这一范围内；第 三部分是3OkeV以上，这时溅射 率随离子能量的增加而下降。此 时轰击离子深人到靶材内部，将 大部分能量损失在靶材体内，而 不是消耗在靶表面。1010 100 1000 10000 100000离子能量/eV图2-26 Ar离子轰击铜时离子能量与 溅射率的关系专业文档3）入射离子入射角与溅射率的关系入射角是离子入射方向与被溅射的靶材表面 的法线之间的夹角。图2-29给出了用Ar+离子溅射时，几种金 属的溅射率与人射角的关系。可以看出，随着入 射角的增加溅射率逐渐增大，在0-60。之间的相对 溅射率基本上服从1/cos。的规律，0。-60。时的S值 约为垂直入射时的2倍。当入射角为60。-80。时，溅 射率最大；入射角再增加时，溅射率急剧减小，当6等于90。时，溅射率为0。即对于不同的靶材和不同的入射离子而言，对应于最大溅射率的S值有一个最佳的入射角度。0.50 5 0Z 1 1(。1(0)s90 600 3030600 n/2-090 e图2-29 Ar+的入射角与几种金属溅射率的关系专业文档4）靶材料与溅射率的关系3.0在相同条件下，同一 种离子轰击不同元素的靶 材料，得到不同的溅射率，靶材的溅射率呈现周期性 t 0变化，一般是随靶材元素 1原子序数埴大而增大，如图2-23所示。由图可知：1.0铜、银、金的溅射率较大；碳、硅、钛、锯、留、鸨 等元素的溅射率较小；在用400eV的Xe+离子轰击，时，银的溅射率为最大，”破的为最小。XG 离子(400eV)-。计算值实验值.8 Ag 9 Au20 40 60 80 100靶原子序数.图2-23 溅射率与原子序数的关系专业文档5)靶材温度与溅射率的关系、溅射率与靶材温度也紧密相 关。对于某一给定的材料，当靶 材温度低于与靶材升华能相关的 某一温度时，溅射率几乎不变。但是，超过此温度时，溅射率将 急剧增加。图2-31是用45keV的离子(Xe+)对几种靶材进行轰击时,所得溅射率与靶材温度的关系曲 图2-31 溅射率与靶材温度的关系(用Xe+以45keV对靶进行轰击线。因此在溅射时应控制靶材温 度，防止发生溅射率急剧增加的 现象。专业文档6）影响溅射率的其它因素溅射率还与靶材的结构和结晶取向、表面形貌、溅射压强等因素有 关。在溅射镀膜过程中，为了保证溅射薄膜的质量和提高薄膜的沉积速 度，应当尽量降低工作气体的压力，提高靶材溅射率。专业文档3.溅射原子的能量和速度溅射原子一从靶材中溅射出来的原子。溅射原子所具有的能量和速度也是描述溅射特性的重要参数。溅射原子的能量与靶材料、入射离子的种类和能量以及溅射原子的 方而，等都看关。一般由蒸发源蒸发出来的原子的能量为O.leV左右。而在溅射中，由于溅射原子是与高能量入射离子交换能量而飞溅出来的，所以,溅射原子具有较大的动能，约为5eV-10eV。正因为如此，溅射法 制膜才具有许多的优点。专业文档不同种类入射离子轰击不同的靶材时，逸出原子的能量分布在图2-33中给出。由图2-33可以看出，溅射原子具有相近的能量分布规律，但 能量值所在的分布范围不同。(季书相率)泰图烂市图2-33不同入射离子轰击不同的靶材时逸出原子的能量分布乂忆不同能量的Hg+离子轰击Ag 单晶靶材后，逸出的Ag原子能 量分布情况如图2-34所示。其能 量分布近似于麦克斯韦分布，大 部分溅射原子的能量小于100 eV 高能量部分有一拖长的尾巴，平 均能量为10-40eVo轰击离子的 能量增加，高能量尾巴也拖得更 长。当人射离子能量大于1000eV 时，所逸出的原子的平均能量不 再增大。2dO(尊册版申)”上0 10 20 30 40能量/eV图2-34不同能量的Hg+离子轰击Ag时 溅射原子能量分布情况专业文档同一离子轰击不同材料时，溅射原子的平均逸出能量E(eV)和平均 逸出速度分别如图2-36和图2-37所示。图2-36和图2-37表明，当原子 序数Z20时，各元素的平均逸出能量差别较大，而平均逸出速度的差 别则较小。原子序数Z图2-36 1200eV的K”离子轰击不同的 靶材时溅射原子的平均逸出能量0 20 40 60 80 100.BeAlSr.一c-一一 一Tv思IMn.-GeCue Mo*Rh PdReTa%AuPt Ag原子序数Z图2 37 1200eV的Kr+离子轰击不同的靶材 时溅射原子的平均逸出速度专业文档溅射镀膜中溅射原子的能量和速度具有以下几个特点：a)重元素靶材被溅射出来的原子有较高的逸出能量，而轻元素靶材则有较高的原子逸出速度；b)不同靶材具有不同的原子逸出能量，靶材的取向与晶体结构对逸出能量影响不大，而溅射率高的靶材，通常有较低的平均原子逸 出能量；c)在相同轰击能量下，原子逸出能量随人射离子质量的增加而线性 增加，轻人射离子溅射出的原子其逸出能量较低，约为10eV,而重人射离子溅射出的原子其逸出能量较大，平均在3OeV以上;d)溅射原子的平均逸出能量，随人射离子能量增大而增大，当人射 离子能量达到IkeV以上时，平均逸出能量逐渐趋于恒定值。e)在倾斜方向逸出的原子具有较高的逸出能。专业文档4.溅射原子的角度分布 早期克努曾（Knudsen）研究 认为，溅射原子角度分布符合 余弦定律。进一步研究发现，在用低能离 子轰击时，逸出原子留分希并 不遵从余弦分布规律，垂直于 靶点面方向逸山的原子数，明 显少于按余弦分布时应有的逸 出原子数,其结果如图3-38图2-38倾斜轰击时溅射原子的角度专业文档4.溅射原子的角度分布对于不同的靶材料，角分布与余弦分布的偏差也不相同，而且，改变轰击离子的人射角时，逸出原子数在入射的正反射方向显著增加,如图2-39中实线所示。750eV150eV(a)WOOeV150eV(b)图2-39 能量为lOOeVlOOOeV的Hg一垂直入射时铝(a)和铁(b)的溅射原子角分布专业文档三、溅射过程与溅射镀膜溅射过程包括靶的溅射、逸出粒子的形态、溅射粒子向 基片的迁移和在基片上成膜等过程。1.溅射过程当人射离子在与靶材的碰撞过 程中，将动量传递给靶材原子，使 其获得的能量超过其结合能时，就 可能使靶原子发生溅射。这是靶材 在溅射时主要发生的一个过程。实际上，溅射过程是非常复杂的，当高能人射离子轰击固体表面时，要产生许多效应，图2-4。给出了 这些效应的示意图。图2-40 入射离子轰击固体表面所引起的各种效应专业文档1.溅射过程图2-40入射离子轰击固体表面所引起的各种效应当产效或原靶谓子和的辐子应。，要些，性击所离构附生分效响 的，这射中轰生生结吸产或些影 杂时了 反为子产产面面时子一大 复面出 面成、哥即面表表射 原他很 常表给表后；，表靶靶人 即其生 非体。靶子射子靶使使子，产 是固4 从电反电人能及离子外长 程击2-能获面出深还以能 粒之生 过轰图可捕表逸子外，高性膜的 射子，。子中从面离此化在中薄层 溅离应图离程再表；变和。的为膜，射效意 射过子靶子应生吸等 材积射 上人多示人击分起电效发解子靶淀溅 际能许的如轰或引级人分体电了终对 实高生应例在子材次注组气射除口普专业文档1.溅射过程表2-14给出了用能量为10eV-100eV的Ar+离子对某些金属表面进行轰 击时，平均每个人射离子所产生各种效应及其发生概率的大致情况。表2-14离子轰击固体表面所产生各种效应及其发生概率效应名称发生概率溅射溅射率SS=0.1 10_离子溅射_一次离子反射系数P010-4 10-2离子溅射被中和的一次离子反射系数但d=10-3 10-2_离子注入_离子注入系数Qa=l-(p-离子注入离子注入深度dd=lnm 10nm二次电子发射二次电子发射系数rr=0.11二次电子发射二次电子发射系数左上=10-5 1()-4专业文档1.溅射过程图2-40中所示的各种效应或现象，在溅射过程中，在基片上同样可能 发生。因为在辉光放电镀膜工艺中，基片的自偏压和接地极一样，都 将形成相对于周围环境为负的电位。所以，在考虑基片在溅射过程中 发生的现象时，也可将基片视为溅射靶，只不过二者在程度上有很大 差异。图2-40入射离子轰击固体表面所引起的各种效应2.迁移过程 靶材受到轰击时所逸出的粒子中，正离子由于反向电场的作用不能到 达基片表面，其余的粒子均会向基片迁移。溅射镀膜的气体压力为10Pa-10-iPa,此时溅射离子的平均自由程约为 l-10cm,因此，靶与基片的距离应与该值大致相等。否则，溅射粒子 在迁移过程中将产生多次碰撞，这样，既降低了靶材原子的动能，又 增加了靶材的假射损关。尽管溅射原子在向基片的迁移输运过程中，会因与工作气体分子碰撞 而降低其能量，但是，由于溅射出的靶材原子能量远远高于蒸发原子 的能量，所以溅射过程中淀积在基片上的靶材原子的能量仍比较大，甚至可达蒸发原子能量的上百倍。专业文档3、成膜过程薄膜生长形成的过程在本课程中将有专门的章节介绍，这里主要介 绍靶材粒子人射到基片上成膜过程中应考虑的几个问题。1）沉积速率D沉积速率D是指从靶材上溅射出来的物质，在单位时间内沉积到基 片上的厚度，D与溅射速度S成正比。D=CIS式中，C为与溅射装置有关的特征常数；I为离子电流。对于一定的溅射装置（即C为确定值）和一定的工作气体，提高淀 积速率的有效办法是提高离子电流I。但是，在不增高电压的情况下，增加I值就只有增高工作气体的压强。专业文档 图2-41给出了气体压强与溅射率的关系曲线.由图2-41可以看出，当压强增高到一定值时，溅射率将开始明显下降。这是 由于靶材粒子的背反射和散射增大所引起的。所以，应由溅射率来选择合适的 气压值，但应注意气压升高对薄膜质量的影响。0.50.40.30.20.1Q _ I_ _*-L-1 J 1 2 5 10 20 50 100 200压强/X0.133P&图2-41溅射率与Ar气压强的关系 专业文档2）淀积薄膜的纯度 为了提高淀积薄膜的纯度，必须尽量减少淀到基片上的杂质的量。这里所指的杂质主要是残余气体。因为，通常有约百分之几的溅射气 体分子注入淀积到薄膜中，特别在基片加偏压时。欲降低残余气体压力来提高薄膜的纯度，可采取提高本底真空度和增 加最气量这两项有效措施。一般本底真空度应为103Pa-10-4Pa o专业文档3）沉积过程中污染的防治 在通入溅射气体之前，应把真空室内的真空度提高到高真空区域（KT，Pa）o 即便如此，仍有可能存在许多污染源，主要包括：真空室壁和真空室 中的其他部件可能会有吸附气体、水汽和二氧化碳，由于辉光放电中 电子和离子的轰击作用，这些气体可能重新释放出来。为了防止这些污染，可能接触到辉光的表面都必须进行冷却或在抽气 过程中进行高温烘烤；在溅射气压下，扩散泵油的回流现象也会引人 万染。一般通过采用高真空阀门作为节气阀来解决这个问题；基片表面的颗 粒物质对薄膜的影响也会产生针孔和形成污染。因此在淀积前应对基 片进行彻底的清洗，尽可能保证基片不受污染或携带微米级污物。专业文档四、溅射机理 溅射是一个极为复杂的物理过程，涉及的因素很多，长期以来对于溅 射机理虽然进行了很多的研究，提出过许多理论，但都不能完善地解 释溅射现象，也尚未建立一套完整的理论和模型对所有实验结果作系 统阐述和进行定量计算。目前的理论主要有两种，热蒸发理论和动量转移理论.其中，动量转 移理论更为人们普遍接受。专业文档见溅射机理1.热蒸发理论早期有人认为，溅射现象是被电离气体的荷能正离子，在电场的 加速下轰击靶表面，而将能量传递给碰撞处的原子，结果导致靶表面 碰撞区域内，发生瞬间强烈的局部高温，从而使这个区域的靶材料熔 化，发生热蒸发。热蒸发理论在一定程度上解释了溅射的某些规律和现象，如溅射 率与靶材料的蒸发热和轰击离子的能量有关系，溅射原子的余弦分布 等等。但这一理论不能解释溅射率与离子入射角的关系，溅射原子的 角分布的非余弦分布规律，以及溅射率与入射离子质量的关系等。专业文档四、溅射机理2.动量转移理论对于溅射特性的深入研究，很多实验结果都表明溅射是一个动量转移过程。动量转移理论认为，低能离子碰撞靶时，不能从固体表面直接溅射出原子，而是 把动量转移给被碰撞的原子，引起晶格点阵上原子的连锁式碰撞。这种碰撞将沿 着晶体点阵的各个方向乏行。同时，碰撞因在原子最紧密排列的点阵方向上最为 有效，结果晶体表面的原子从邻云原子那里得到越来越多的能量，如果这个能量 大于原子的结合能，原子就从固体表面被溅射出来。专业文档四、溅射机理2.动量转移理论对于溅射特性的深入研究，很多实验结果都表明溅射是一个动量转移过程。动量转移理论认为，低能离子碰撞靶时，不能从固体表面直接溅射出原子，而是 把动量转移给被碰撞的原子，引起晶格点阵上原子的连锁式碰撞。这种碰撞将沿 着晶体点阵的各个方向乏行。同时，碰撞因在原子最紧密排列的点阵方向上最为 有效，结果晶体表面的原子从邻云原子那里得到越来越多的能量，如果这个能量 大于原子的结合能，原子就从固体表面被溅射出来。动量转移理论能很好地解释热蒸发理论所不能说明的如溅射率与离子人射角 三关系，溅射原子的角分布规律等问题。溅射过程实质上是入谢离子通过与靶材碰撞，进行一系列能量交换的过程。入射离于转移给从靶材表面逸出的溅射原子的能量大约只有人射能量的1%左右,而大部分能量则通过级联碰撞而消耗在靶的表面层中，并转化为晶格的热振动。专业文档薄膜物理3-1磁控溅射原理谢谢专业文档