高分子材料基本加工工艺第二章 第四节.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,*,*,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,补充：高分子熔体在模内的流动行为,端末效应,什么是端末效应？,注射成型时，聚合物熔体经常需要通过截面大小不同的浇口和流道，当熔体经过流道截面变化的部位时，将会因界面的影响发生弹性收敛或膨胀运动，这些运动统称为端末效应。,端末效应对于制件质量的危害：,可导致制件变形扭曲、尺寸不稳定、内应力过大和力学性能降低等。,端末效应种类,：,入口效应和离模膨胀效应。,聚合物熔体在管道入口端因出现收敛流动，使压力降突然增大的现象。,什么是入口效应？,1,入口效应,如图所示，熔体从大直径管道进入小直径管道，需经一定距离,Le,后方能稳态流动。,入口区压力降突增的原因：,聚合物以收敛方式进入小直径管时，为保持体积流率不变，如果管壁处的流速仍保持为零就只有增大熔体内的速度梯度，才能满足调整流速的要求，为此只有消耗适当的能量才能增大速度梯度，加之随流速的增大，流动的动能也相应增大，这也使能量的消耗增多；,熔体内的剪切速率增大，迫使聚合物大分子更大和更快的变形，而这种具有高弹性特征的形变，需克服分子内和分子间的作用力，也要消耗一定的能量。,2,离模膨胀效应,什么是离模膨胀效应？,当聚合物熔体流出流道或浇口时，熔流发生体积膨胀的现象叫做离模膨胀效应。,离模膨胀的原因：聚合物熔体从流道中流出后，周围压力大大减小，聚合物内的大分子突然变得自由，流动变形中已经伸展开的大分子链重新恢复蜷曲，各分子链的间距随之增大，熔体在流道中形成的取向结构也将重新恢复到无序的平衡状态，导致聚合物内自由空间增大，于是体积相应发生膨胀。,影响离模膨胀的因素：,（,1,）黏度大和非牛顿性强的聚合物熔体在流动过程中容易产生较大的弹性变形，故离模膨胀效应严重。,（,3,）增大切应力和剪切速率,(,不能超过极限值,),时，聚合物熔体在流动过程中的弹性变形随着增加，离模膨胀效应加剧。,（,4,）在中等剪切速率范围内，降低温度不仅会增大入口效应和延长松弛时间，同时还会因此而加剧离模膨胀效应。但当剪切速率超过稳定流动允许的极限剪切速率后，离模膨胀反而会随剪切速率增大而减小。,（,2,）增大流道直径和流道的长径比，以及减小流道入口处的收敛角，都能减小熔体流动过程中的弹性变形，从而减轻离模膨胀效应。,第四节高分子熔体在简单截面导管中的流动一、高分子熔体在长圆管中的流动,取一液柱进行分析推导可以得出任意半径,r,处的流层所受到的剪切应力为：,P,为圆管两端的压力降、,L,为管长。从式中可知，,管壁处剪切应力最大，中心处为零；,剪切应力与流动性无关；,剪切应力在液体中的分布与半径成正比，并呈直线关系；如图：,假设：聚合物流体（熔体或分散体）在圆管内作压力流动、层流，且在等温条件下稳态流动。,1,、牛顿流体,剪切应力与剪切速率的关系是直线,剪切速率就是流体速度沿半径方向的变化速率（速度梯度），把剪切应力关系式带入积分得任意半径速度关系式,得圆管中的层流流动的速度分布为一椭圆函数,单位时间内体积流量,Q,，称为,Hagen-,Poiseuille,方程,进行变换得,管壁处剪切速率,2,、非牛顿流体,剪切应力与剪切速率是非直线的,同理可得任意半径处速度分布得公式,1-29,由此看出，速度分布与流动指数有关，在中心处流速最大，管壁处为零。在管径方向的分布可用图表示：,非,牛顿型流体在圆管中流动时的速度分布,m,小于,1,为膨胀型流体；,m,为极限情况，流动为,柱,塞,式；,m=1,为牛顿型流体；,M,大于,1,为假塑性流体；,m=,无穷为极限情况。,在资料上所查的流动曲线大多数是用牛顿流体的剪切速率作出的，将非牛顿流体的剪切速率看作牛顿流体时的剪切速率，即所谓的,表观剪切速率（又叫牛顿剪切速率）。,真实剪切速率与表观剪切速率的关系,为非牛顿流体的拉宾罗维奇（,Rabinowitsch,),改正。,同样也可以用流动常数,K,来修正，引入一个表观流动常数,K,：,在工程上，处理非牛顿流体时，就可以先作为牛顿流体看待，然后在进行修正，使结果更真实。,看书,23,页例题。,二、高分子流体在狭缝形导管内的流动,