2026年晶圆代工行业投资策略：AI进阶与再全球化.pdf

证 券 研 究 报 告AI进阶与再全球化2026年晶圆代工行业投资策略（半导体中游系列研究之十）证券分析师：袁航 A0230521100002 杨海晏 A0230518070003 杨紫璇 A0230524070005 联系人：袁航 A 2025.12.17证券研究报告2投资要点投资要点投资要点投资要点需求回流，AI和主流消费推动高增。根据集邦咨询预测，得益于GPU/ASIC需求以及消费电子订单，2025年全球Fab市场收入有望YoY+27%。多GPU架构下，先进制程仍处于扩张阶段，AI需求显著拉动增长；此外，2026年或是本土供给侧突破的一年，中国高阶AI芯片市场总量有望成长逾60%。虽然H200重新出口有望吸引CSP、OEM采购，但本土AI芯片仍会朝向自主化发展，其国产配套供应链逐步佐证，关注产能扩张进展。中芯南方（SN2）工厂建设目前正在规划中，计划新增35K/M；2024年上海华力集成康桥二期开始招标建设，建设两个Fab和其他配套建筑（FabX及Fab Y）。大基金三期目前尚未进入大规模项目投资和落地阶段，2026年有望成为Fab行业资本开支增量。成熟制程：强势扩张，本地化和特色工艺寻找增量。本土Fab厂非先进制程领域持续发力，受益于内需市场复苏，稼动率优于行业平均。此外，在2026年全球成熟制程新增产能中，中系Fab有望占比超3/4。未来看点在：1）海外IDM本地化生产；2）特色工艺在芯片设计替代下的差异化竞争，如CIS、DDIC、MCU、射频、模拟等；3）3D架构存储的配套逻辑晶圆芯片需求。重点标的：中芯国际（先进制程溢价优势持续）、华虹半导体（受益本地化制造，收购华力微分步走）、晶合集成（DDI代工领军，依托合肥地利拓展多元平台），芯联集成（稀缺一站式集成代工服务）、华润微（本土领先的IDM，制造资源丰富）、新芯股份（申报IPO中，以三维集成为特色，同时聚焦特色存储和数模混合）、粤芯半导体（已完成辅导，在汽车电子领域形成差异化竞争优势）。风险提示：产业政策变化风险；国际贸易摩擦风险；工艺平台技术迭代无法满足市场需求风险。主要内容主要内容1.先进制程：需求回流，AI和主流消费推动高增2.成熟制程：强势扩张，本地化和特色工艺寻找增量3.重点标的和估值3证券研究报告41.1.1 1 1.1.1 1 得益于得益于得益于得益于AIAIAIAI和和消费电消费电子，子，和和消费电消费电子，子，2022025 52022025 5年年年年FaFab bFaFab b行行业有望业有望增长增长行行业有望业有望增长增长27%27%27%27%根据Counterpoint数据，得益于GPU/ASIC需求超预期以及消费电子订单的稳健表现，2025年全球代工市场收入有望YoY+27%。目前全球晶圆代工行业仍处于扩张阶段，无论是晶圆产能、先进封装，还是技术升级，皆来满足不断增长的AI需求，预计这一趋势将在未来三年持续推动市场实现两位数的年复合增长率。2025H1表现较好，主要为关税导致提前拉货以及中国补贴政策推动的消费品收入增长。2025H2智能手机和AI需求继续推动代工收入同比增长，TSMC N3/N4/N5的贡献较大。尽管消费行业需求有所减弱，但中国的Fab在25Q3仍以YoY+12%增长超过其他地区同行（不包括TSMC）。图：全球晶圆代工市场营收（单位：亿美元）图：全球晶圆代工市场季度营收（单位：亿美元）资料来源：Counterpoint Research，申万宏源研究证券研究报告51.1.2 2 1.1.2 2 高高端端芯芯片片复杂复杂度提升度提升，对晶，对晶圆的消圆的消耗量继耗量继续增加续增加高高端端芯芯片片复杂复杂度提升度提升，对晶，对晶圆的消圆的消耗量继耗量继续增加续增加根据集邦咨询数据，2026年AI和EV仍是拥有最强劲增长动力的两个半导体下游领域，出货量预计分别增长24%及14%，其他应用或受到25Q3起存储器涨价影响；但随着高端产品占比提升，芯片结构更加复杂，对于晶圆的消耗量仍在继续增加。预计2025年AI芯片晶圆消耗量占先进工艺产能（16nm及以下）的7%，到2026年将增加至10%（如计算3nm/5nm消耗比例则预计有30%以上）。图：主要半导体终端产品增速预测（按销售出货）图：先进工艺中AI芯片晶圆消耗百分比（内圈为2022，中圈为2025E，外圈为2026E）资料来源：TrendForce（集邦咨询），申万宏源研究证券研究报告61.1.3 3 1.1.3 3 多多多多GPUGPUGPUGPU架架构下，构下，先进制先进制程需求程需求显著增显著增长长架架构下，构下，先进制先进制程需求程需求显著增显著增长长以英伟达为例，其GPU产品线开始往多芯片封装路径拓展，2028年随着Rubin Ultra和Feynman从双晶粒过渡到四晶粒，先进制程需求产能预计将大幅提升，有望引领AI技术路线发展。2026年Rubin开始大规模转向3nm，双晶粒设计，两个N3P GPU和两个N4P I/O的模块化架构；2027年推出第二阶段的Rubin Ultra，每个封装可扩展四个N3P GPU，显著增加晶圆消耗和封装复杂性；2028年Feynman采用四晶粒设计，A16节点和BSPDN（背面供电）将进一步加速背面晶圆加工需求；图：按制程划分AI GPU需求（单位：K/M）图：按芯片厂商划分AI GPU晶圆的需求（单位：K/M）AI GPUBlackwell B200 Blackwell Ultra B300RubinRubin CPXRubin UltraFeynmanFeynman Ultra发布节点2024H22025H22026H22026H22027H22028H22029H2架构GPU N4P*2GPU N4P*2GPU N3P*2+I/O N4P*2GPU N3P*1GPU N3P*4+I/O N4P*4GPU A16*4+I/O N3P*4GPU A16*4+I/O N3P*4存储HBM3e 8Hi*8192GBHBM3e 12Hi*8288GBHBM4 12Hi*8288GBGDDR7 128GBHBM4e 16Hi*161024GBHBM5HBM5e封装CoWoS-LCoWoS-LCoWoS-LFCBGACoWoS-L or CoPoS CoWoS-L or CoPoS CoWoS-L or CoPoS表：英伟达产品路线资料来源：Counterpoint Research，申万宏源研究证券研究报告71.1.4 4 1.1.4 4 海海外外先先进进制程制程的主要的主要产品节产品节奏及对奏及对应晶圆应晶圆厂节点厂节点海海外外先先进进制程制程的主要的主要产品节产品节奏及对奏及对应晶圆应晶圆厂节点厂节点TSMC N3202520262027H1H2H1H2H1H2AppleM5(N3P)A19/Pro(N3P)M5 Pro/Max/Ultra(N3P)Modem C2(N3P)AI ASIC Baltra(N3P)QualcommSD8 Elite 5(N3P)SD X2 Elite(N3P)SD7 Gen5(N3P)MTKD9500(N3P)D9500e(N3E)GB10/N1X(N3E)D8600(N3C)D8700(N3C)AMDMI350 XCD(N3P)Venice CCD(N3P)MI450 CCD/IOD(N3P)Medusa Point(N3P)IntelPanther Lake GPU tile(N3E)NvidiaN1X(N3E)R200(N3P)Vera(N3P)RTX60 series(N3P)Spectrum6(N3P)Quantum4(N3P)NVLink5(N3P)R300(N3P)Bluefield4(N3P)CX-10(N3P)AmazonGraviton5(N3P)Trainium3(N3P)Nitro6(N3P)Trainium4 IOD(N3P)GoogleTPUv8(N3E/N3P)TPUv9 IOD(N3P)TSMC N220262027H1H2H1H2AppleM6(N2)A20/Pro(N2)M7(N2P)A21/Pro(N2P)QualcommSD8 Elite 6(N2P)SD8 Elite 7(N2P)MTKD9600(N2P)D9700(N2P)AMDEpyc Venice(N2)MI450 XCD(N2P)Gator Range(N2P)Epyc next(N2P)IntelNova Lake(N2P)Razor Lake(N2P)NvidiaMaia 300(N2P)AmazonTrainium 4(N2P)GoogleTPU v9(N2P)Samsung SF2202520262027H1H2H1H2H1H2LSIExynos2600Exynos2700Exynos2800QualcommSD8s Elite Gen5MicroBTMining ASICD(NC)CanaanMining ASICTeslaAI5AI6表：海外先进制程的主要客户下游产品及对应制程资料来源：Counterpoint Research，申万宏源研究证券研究报告81.1.5 5 202026261.1.5 5 20202626年年中中国高阶国高阶年年中中国高阶国高阶AIAIAIAI芯片芯片市场总市场总量有望量有望成长逾成长逾芯片芯片市场总市场总量有望量有望成长逾成长逾60%60%60%60%中国AI芯片自2024H2进入爆发期，出货量高增，2025H1 AI芯片合计销售190.6万片，同比增长109.9%；国产AI芯片份额从2022年不到15%提升至2025H1接近35%，借助政策支持与强劲的本地需求，核心企业凭借自主研发的产品矩阵，在海外产品出现真空期间逐步填补算力供给缺口。虽然H200重新出口有望吸引CSP、OEM采购，但本土AI芯片仍会朝向自主化发展。根据集邦咨询预测，主要AI芯片设计公司有机会扩大市场占比至50%，大厂自研ASIC有望占比约20%，NVIDIA H200或AMD MI325等其他同级的海外产品，在可输入市场的情况下，维持约近30%占比；预估2026年中国整体高阶AI芯片市场总量有望成长逾60%。华为昇腾本地化部署早，在国产AI芯片份额较高，产品矩阵将持续扩容；寒武纪、海光等起量较快，沐曦科技和摩尔线程资本进程加速；互联网厂商自研ASIC也有较强竞争力，如百度昆仑芯、阿里平头哥等；资料来源：IDC（国际数据公司），申万宏源研究图：国产AI芯片份额图：中国AI芯片出货量（单位：万片）证券研究报告91.1.6 6 1.1.6 6 下下游游需需求求强劲强劲，下下游游需需求求强劲强劲，2022026 62022026 6年年也是国也是国产供给产供给侧突破侧突破的一年的一年年年也是国也是国产供给产供给侧突破侧突破的一年的一年供给扩张进度超预期，国产供应链逐步佐证寒武纪预告2025年营收50-70亿（华为昇腾外的算力芯片公司开始起量）；沐曦下一代国产供应链产品曦云C600正式推出并稳步启动量产（第二代的国产芯片逐步采用本土供应链）；摩尔集中优势资源攻克国产工艺下的图形架构创新（推动新一代国产芯片的研发与产业化）；华为全联接大会2025上，华为预计2026Q1推出昇腾950PR，2026Q4推出昇腾950DT，2027Q4推出昇腾960，2028Q4推出昇腾970；阿里平头哥自研AI芯片PPU，25H1出货量超12万片；表：全球晶圆代工市场6/7nm及5/4nm节点份额变化（按K/M计算）7/6nm1Q232Q233Q234Q231Q242Q243Q244Q241Q25 2Q25 3Q25 4Q25F 1Q26F 2Q26F 3Q26F 4Q26F 中国台湾中国台湾地区地区95.5%95.5%89.8%89.8%92.6%92.6%92.6%92.6%89.8%89.8%89.8%89.3%87.2%84.7%80.2%80.2%韩国韩国1.3%1.3%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.2%1.1%1.1%1.1%中国大陆中国大陆3.2%3.2%9.0%9.0%6.2%6.2%6.2%6.2%9.0%9.0%9.0%9.5%11.6%14.1%18.7%18.7%5/4nm1Q232Q233Q234Q231Q242Q243Q244Q241Q25 2Q25 3Q25 4Q25F 1Q26F 2Q26F 3Q26F 4Q26F 中国台湾中国台湾地区地区70.3%71.1%71.1%71.1%67.5%67.5%65.8%63.9%69.4%71.8%73.2%75.6%73.9%73.9%73.9%73.9%韩国韩国.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%.%中国大陆中国大陆0.0%0.0%0.0%0.0%2.5%2.5%2.6%2.8%2.8%2.6%2.4%2.2%2.2%2.2%2.2%2.2%资料来源：TrendForce（集邦咨询），申万宏源研究证券研究报告101.1.7 7 1.1.7 7 中系中系中系中系FabFabFabFab加速加速追赶，追赶，推动先推动先进制程进制程的消费的消费及高性及高性能市场能市场加速加速追赶，追赶，推动先推动先进制程进制程的消费的消费及高性及高性能市场能市场以SMIC和HHGroup为代表的中系Fab也在追赶海外节点，推动本土主流消费及高性能市场。根据恒运昌公告披露，中芯南方（SN2）工厂建设目前正在规划中，计划新增35K/M；根据上海建工信息，2024年上海华力集成康桥二期开始招标建设，建设两个Fab和其他配套建筑（Fab X及Fab Y）；资料来源：SemiVision（芯视界），申万宏源研究表：2025年全球主要晶圆厂以及对应技术节点公司应用201420152016201720182019202020212022202320242025F2026F2027FTSMCHigh-endN20N16N10N7N7+N5N5PN4N3N3EN2N2P/N2X/N3AA14（FinFET）/N12（EUV）（GAA）N22N7AN4P/N5AN3P/N3X A16（2H）N4XMainstreamN2212FEC12FEC+N6N4PN4CN3P16FEC+SamsungHigh-end22nm14nm10nm8nm7nm6nm/5nm4nm3GAE3GAPSF2SF2PSF1.4（FinFET）（EUV）（GAA）IntelHigh-endIntel10Intel7Intel4Intel320A/18A14A14A-E（GAA）UMCMainstream28nm14nm22nm（FinFET）GFMainstream22FDX14nm12nm（FinFET）（FinFET）SMICHigh-end/28nm14nm10nm7nm5nmMainstream（FinFET）（N+1）（N+2）HHGroupMainstream40nm28nm14nm7nmRapdidusHigh-endnm（GAA）证券研究报告111.1.8 8 1.1.8 8 大大基基金金三三期有期有望成为望成为大大基基金金三三期有期有望成为望成为FaFab bFaFab b资资本开支本开支增量增量资资本开支本开支增量增量Fab行业为大基金一期投资的核心领域，大基金二期对晶圆制造业也有较大侧重，因其重资产商业模式，投资金额和投资数量皆较多。截至2025年12月，国家大基金三期虽已注册成立，但公开披露的已投项目仍非常有限，仅设立了3支基金投资平台（华芯鼎新、国投集新、国家人工智能），尚未进入大规模项目投资和落地阶段，2026年有望成为Fab行业资本开支增量。资料来源：天眼查，Wind，申万宏源研究表：大基金一期投资晶圆制造相关项目项目名称业务类型长江存储控股股份有限公司NAND闪存IDM厂商中芯北方集成电路制造(北京)有限公司晶圆制造中芯南方集成电路制造有限公司晶圆制造中芯集成电路(宁波)有限公司晶圆制造上海华力集成电路制造有限公司晶圆制造华虹半导体(无锡)有限公司晶圆制造燕东微功率半导体制造华润微电子有限公司功率半导体制造士兰微功率半导体制造杭州士兰集昕微电子有限公司晶圆制造赛微电子MEMS芯片制造赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司MEMS芯片制造项目名称业务类型长鑫新桥存储技术有限公司DRAM芯片IDM厂商长鑫科技集团股份有限公司DRAM芯片IDM厂商长鑫集电(北京)存储技术有限公司DRAM芯片IDM厂商长江存储控股股份有限公司NAND闪存IDM厂商中芯国际集成电路制造有限公司晶圆制造中芯南方集成电路制造有限公司晶圆制造中芯京城集成电路制造(北京)有限公司晶圆制造中芯东方集成电路制造有限公司晶圆制造中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司晶圆制造华虹半导体制造(无锡)有限公司晶圆制造华虹半导体(无锡)有限公司晶圆制造上海华力微电子有限公司晶圆制造润鹏半导体(深圳)有限公司特色工艺晶圆制造杭州富芯半导体有限公司特色工艺晶圆制造重庆芯联微电子有限公司特色工艺晶圆制造株洲中车时代半导体股份有限公司功率半导体制造润西微电子(重庆)有限公司功率半导体制造厦门士兰明镓化合物半导体有限公司功率半导体制造厦门士兰集科微电子有限公司晶圆制造表：大基金二期投资晶圆制造相关项目公司202120222023202425Q3中芯国际1053.81178.41037.7800.8449.0华虹公司104.6141.2409.2326.5284.3晶合集成53.296.385.873.042.6芯联集成10.545.248.671.739.7新芯股份22.131.826.771.152.3注1：2025年新芯股份为25H1数据注：可用资金主要为货币资金、交易性金融资产、衍生金融资产、其他非流动资产等可变现资金合计表：A股（拟）上市Fab可用资金规模（单位：亿元）主要内容主要内容1.先进制程：需求回流，AI和主流消费推动高增2.成熟制程：强势扩张，本地化和特色工艺寻找增量3.重点标的和估值12证券研究报告132.2.1 1 2.2.1 1 中系中系中系中系FabFabFabFab率先率先受益消受益消费复苏费复苏，价格，价格有望企有望企稳调涨稳调涨率先率先受益消受益消费复苏费复苏，价格，价格有望企有望企稳调涨稳调涨成熟制程历经2年调整后已走出谷底，25H2受惠关税避险与供应链预防性备货，稼动率明显企稳。中国大陆的Fab厂在成熟制程持续发力，同时受益于本土内需市场复苏，稼动率优于行业平均。供需结构转紧，部分晶圆制造价格已调涨，显示成熟制程正逐步摆脱价格竞争，迎来获利回稳契机。图：全球主要Fab厂稼动率资料来源：IDC（国际数据公司），申万宏源研究证券研究报告142.2.2 2 2.2.2 2 资资本本开开支支保持保持高增长高增长，中国，中国大陆成大陆成熟产能熟产能扩张积扩张积极极资资本本开开支支保持保持高增长高增长，中国，中国大陆成大陆成熟产能熟产能扩张积扩张积极极2026年前十大Fab厂商保持积极资本开支，在成熟制程新增产能中，中国大陆占比超3/4，预计到2030年中国大陆成熟制程产能全球占比超一半。图：2024-2026年中国大陆新扩产12寸成熟制程占比以及分制程图：2030年全球成熟制程份额占比图：全球主要Fab厂资本开支（单位：百万美元）资料来源：TrendForce（集邦咨询），申万宏源研究证券研究报告152.2.3 3 2.2.3 3 本本土土晶晶圆圆制造制造规模庞规模庞大，中大，中系系本本土土晶晶圆圆制造制造规模庞规模庞大，中大，中系系C CR3R3C CR3R3产产能占比能占比超超产产能占比能占比超超2/2/3 32/2/3 3根据集微数据，中国大陆目前拥有79座8英寸和12英寸晶圆厂（其中12英寸厂50座），截至2025年6月，月产能达591.6万片（8英寸等效），占全球产能约20%（全球产能超3300万片），规划产能达986.5万片，2030年有望成为全球最大代工中心。当前8英寸月产能约148.1万片，12英寸月产能约197.1万片。稀缺的先进制程（14nm）具有战略资源属性，聚焦于支撑AI基建如CPU/GPU/ASIC等，目前主要服务于本土算力投资和自主可控的国家战略。成熟制程短期同质化较高，需围绕实际客户需求和匹配应用场景，在节点上进行差异化创新，高压、射频/模拟、嵌入式存储等特殊工艺领域存在广阔的微创新空间。根据集邦咨询数据，如去除存储产能+非中国大陆逻辑晶圆产能，截止2025年底，12寸中国大陆逻辑晶圆代工产能约100万片/月，中国本土CR3或超2/3。本土存储+外资存储（12”）：截止2025Q4，NAND厂商主要有西安三星、大连海力士以及武汉长存，DRAM主要有无锡海力士，福建晋华以及合肥长鑫，合计产能约855K/M。非中国大陆逻辑晶圆（12”）：台积电南京+厦门联芯约95K/M。中国大陆本土逻辑晶圆（12”）：去除存储+非中国大陆逻辑晶圆，12寸本土产能约1022K/M，其中中芯国际+华虹集团+晶合集成CR3合计约679K/M，其他主要的逻辑晶圆代工厂还有绍兴芯联、武汉新芯、广州粤芯；IDM华润微、士兰微等。证券研究报告162.2.4 4 2.2.4 4 海外海外海外海外I ID DMMI ID DMM本本地化地化生产为生产为再全球再全球化增量化增量本本地化地化生产为生产为再全球再全球化增量化增量为了确保在中国大陆的市场份额，国际IDM通过外包代工或授权技术的方式和本地Fab厂合作。海外IDM的本地化使中国Fab获得稳定订单并提升工艺水平，同时帮助其降低成本并维持供应链的安全与稳定，汽车和工控行业尤为明显支持外商IDM本地化生产。图：NXP的中国本土化战略图：STM的中国本土化战略IDM中国大陆外供应商中国大陆本地供应商备注英飞凌TSMC、UMC、GF、VISTSMC、UMC、SMIC、HHGrace格芯考虑将40nm eFlash授权给广州增芯；在华虹宏力启动新的8寸和12寸功率器件项目；NXPTSMC、UMC、GF、VISTSMC、UMC、SMIC、HHGrace中芯国际合作40nm的MCU；华虹宏力合作180nm混合信号芯片；STMTSMC、UMCTSMC、HHGrace与华虹宏力共同开发的40nm MCU于24H1已流片TITSMCTI成都TI自有工厂安森美TSMC、UMC、GF、PSMCHHGrace评估本土新的合作伙伴瑞萨TSMC、UMC、GF、VISSMIC考虑将40nm MCU外包于中芯国际表：IDM的供应链版图变化资料来源：TrendForce（集邦咨询），恩智浦官网，意法半导体官网，申万宏源研究证券研究报告172.2.5 5 2.2.5 5 成成熟熟制制程程芯片芯片设计领设计领域替代域替代率逐渐率逐渐提升提升成成熟熟制制程程芯片芯片设计领设计领域替代域替代率逐渐率逐渐提升提升国产Fab在中国本土IC设计供应商中未来有望占据更大份额，各成熟制程（22/28nm）细分领域如射频、模拟电源、专用型存储、MCU、DDIC等拟申报H股IPO的Fabless在招股书披露其本土晶圆供应商，大部分厂商自2023年起国产供应链比重逐年提升。资料来源：各公司港股招股书，申万宏源研究表：2025年成熟制程细分领域（拟申报H股）芯片设计公司披露的前五大供应链采购额（单位：百万元）供应商20222023202425H1飞骧科技（射频）大陆Fab98.4139.5272.692.4非大陆Fab322.8689.8907.4380.6杰华特（模拟）大陆Fab860.5611.3624.6-非大陆Fab-纳芯微（模拟）大陆Fab464.6393.3299.4369.0非大陆Fab189.3151.6155.1181.2圣邦股份（模拟）大陆Fab244.4125.4192.5155.0非大陆Fab838.7905.91104.3372.0兆易创新（专用型存储、MCU）大陆Fab3565.82661.83082.8-非大陆Fab301.2168.1158.9-中微半导（MCU）大陆Fab402.9265.4274.0141.4非大陆Fab152.5118.558.611.7云英谷（DDIC）大陆Fab-7.430.2-非大陆Fab438.3674.1651.0-注：飞骧科技年为前五个月数据；注2：数据仅包含各公司披露的前五大供应商；证券研究报告182.2.6 6 2.2.6 6 部部分分特特色色制程制程实际消实际消耗晶圆耗晶圆量大，量大，取决于取决于本土技本土技术突破术突破部部分分特特色色制程制程实际消实际消耗晶圆耗晶圆量大，量大，取决于取决于本土技本土技术突破术突破图像传感器（CIS）：因向堆叠技术发展一般需要晶圆量23，根据Yole数据2024年全球需求产能折合12寸约638K/M。索尼需要晶圆为152K/M（自有CIS）以及130K/M（Logic，TSMC/UMC/GF），合计约282K/M；三星需要晶圆为55K/M（自有CIS）以及自有49K/M（Logic，Samsung/UMC）合计104K/M；未来豪威集团、思特威、格科微等和中国大陆Fab合作替代索尼和三星，能消化大量本土晶圆。显示驱动芯片（DDIC）：一般为长条形消耗晶圆面积大，根据AVC数据预计2025年全球需求产能约280K/M（未考虑Mini LED/ESL/Micro OLED等）。作为下游有定价权行业（显示光电），目前DDIC供应链向大陆转单趋势明显，但有OLED DDIC代工能力的本土厂商较少，如未来高压工艺突破，UMC、PSMC等二线台厂商份额有望转移至本土。MCU：IDM比例较高，根据Yole数据2023年非IDM比例约为30%，全球需求产能折合12寸约210K/M，2029年或有一半以上交给Fab外协。IDM外协目前主要为TSMC、UMC、GF等少数供应商，正逐渐转向代工厂服务以实现前沿制造，中国大陆Fab已和国际IDM开始深入合作。其他还有模拟电源、射频等特色成熟制程都有大量突破机会。证券研究报告192.2.7 7 2.2.7 7 存储发展至存储发展至存储发展至存储发展至3D3D3D3D结构结构下或成下或成为逻辑为逻辑晶圆增晶圆增量量结构结构下或成下或成为逻辑为逻辑晶圆增晶圆增量量存储电路目前NAND行业主要是3D架构，如武汉长存使用W2W的Xtacking架构，DRAM未来4F+CBA也为W2W的3D架构，其中除核心存储CELL外的外围电路也可部分外包给本土Fab，这部分晶圆用传统CMOS逻辑晶圆制程工艺即可，目前外围电路代工主要使用22nm/28nm以上成熟制程，随着制程升级外围电路的面积占比增加。CBA:CMOS Bonded Array4F 将传统水平排列的晶体管改为垂直堆叠，在不改变工艺节点的情况下，可将芯片面积减少30%，CBA和4F 的组合将使位密度增加约30%。预计从2029年开始，三大内存制造商将生产6F DRAM和4F+CBA DRAM的组合，以满足不同的终端市场。4F DRAM核心是通过垂直堆叠晶体管结构减少芯片面积。由三星电子和SK海力士等厂商联合开发，旨在应对nm工艺以下的技术挑战。图：DRAM从2D升级至3D架构CBA+4F图：长江存储Xtacking架构资料来源：Yole集团，申万宏源研究主要内容主要内容1.先进制程：需求回流，AI和主流消费推动高增2.成熟制程：强势扩张，本地化和特色工艺寻找增量3.重点标的和估值20证券研究报告213.3.1 1 3.3.1 1 中中芯芯国国际际：先：先进制程进制程溢价优溢价优势持续势持续，维持，维持积极扩积极扩产产中中芯芯国国际际：先：先进制程进制程溢价优溢价优势持续势持续，维持，维持积极扩积极扩产产公司维持积极扩产节奏：中芯南方（SN2）工厂建设正在规划中，计划新增3.5万片/月；中芯北方（B2）工厂目前正在扩建中，现有产能6.2万片/月，扩建后10万片/月；中芯东方工厂目前正在建设中，三阶段产能规划共10万片/月。资料来源：Wind，申万宏源研究图：中芯国际资本开支（单位：亿美元）图：中芯国际ASP（美元/片，左）和出货量（K，右）图：中芯国际产能（单位：K/M）图：中芯国际营收（单位：百万美元）证券研究报告223.3.1 1 3.3.1 1 中中芯芯国国际际：关：关注各个注各个产线少产线少数股东数股东权益回权益回购进展购进展中中芯芯国国际际：关：关注各个注各个产线少产线少数股东数股东权益回权益回购进展购进展2025年9月公司公告收购中芯北方剩余少数股权，为公司首次回购实现100控股。少数股东权益波动较大，25Q3约1.24亿美元（25Q1约1.35亿美元、25Q2约0.14亿美元）主体（全资+合资）制程地点Fab注册资本成立日期其他股东中芯上海8寸上海Fab1（S1）24.4亿美元2000.12.21中芯集电全资Fab2（S1）Fab3（S1）中芯上海12寸Fab8-P1（S2A）Fab8-P2（S2B）中芯南方（持股38.52%）SN165亿美元2016.12.1大基金一期（14.56%）大基金二期（23.08%）上海集成电路基金一期（12.31%）上海集成电路基金二期（11.54%）SN2中芯东方（持股66.45%）Fab9-P155亿美元2021.11.12上海海临微（16.78%）大基金二期（16.76%）Fab9-P2中芯北京12寸北京Fab4（B1）10亿美元2002.7.25中芯集电全资Fab6（B1）中芯北方（持股51%）Fab2-P2（B2A）48亿美元2013.7.12国家大基金一期（32%）北京集成电路制造和装备（9%）亦庄国投（5.75%）中关村发展集团（1.125%）北京工业发展资管（1.125%）Fab2-P3（B2B）中芯京城（持股54.04%）B3P50亿美元2020.12.7大基金二期（24.49%）亦庄国投（24.51%）中芯天津8寸天津Fab7(T1)12.9亿元2003.11.3中芯集电全资Fab7-P1(T1B)Fab7-P2（T2/T3）中芯西青12寸50亿美元2022.8.24中芯集电全资中芯深圳（持股.%）寸深圳Fab（G）.亿美元.深重投（%）大基金二期（22%）中芯深圳（持股55.05%）12寸Fab16表：中芯国际各产线情况（截止25Q3）资料来源：天眼查，Wind，申万宏源研究证券研究报告233.3.2 2 3.3.2 2 华华虹虹半半导导体：体：特色工特色工艺持续艺持续高增，高增，功率器功率器件回暖件回暖华华虹虹半半导导体：体：特色工特色工艺持续艺持续高增，高增，功率器功率器件回暖件回暖图：华虹半导体各工艺收入（单位：百万美元）资料来源：公司公告，Wind，申万宏源研究表：公司五大特色工艺平台工艺平台主要技术特点芯片类型关键应用领域嵌入式非易失性存储器制程范围：0.35m-55nm，公司可以为客户提供同等规格要求下最小的芯片尺寸以及简化的工艺流程车规MCU自动泊车、车身控制、智能座舱、胎压监测、车灯等工控类MCU智能电网、医疗电子等消费类MCU家电、智能互联设备、照明、物联网等智能卡芯片身份证、电信 SIM 卡、社保卡、银行 IC 卡、各类物联网设备等独立式非易失性存储器提供基于自主知识产权的NORD闪存以及业界通用的闪存架构工艺平台NOR Flash、EEPROM工业、白色家电、汽车电子及各类低功耗物联网设备等功率器件主要覆盖200V以下产品应用低压MOSFET计算机、手机、小家电等消费类产品主要覆盖200V-900V产品应用超级结MOSFET快充、LED 照明、服务器电源、充电桩、车载充电机等主要覆盖600V-1700V产品应用IGBT新能源汽车、光伏、风能发电、电网直流输变电、储能、变频家电等模拟与电源管理1、覆盖0.35m-55nm，电压范围1.5V-700V的BCD工艺平台；电源管理类模拟芯片工业控制、汽车电子、通讯、智能手机、平板电脑等消费电子等领域2、提供丰富多样的器件类型，满足不同产品所需信号链类模拟芯片逻辑与射频0.35m至55nm逻辑工艺技术以及特色射频（RFSOI工艺技术）、图像传感器、微机电器件等特色工艺组成特色逻辑和射频芯片USB 控制、WIFI、蓝牙、射频前端等图像传感器智能手机、平板电脑、数码产品、安防等应用的摄像头受益于AI周边应用及国产替代，模拟和电源管理板块持续强势高增有望成为第一大收入板块。25H1华虹无锡制造项目完成首批产能建设，第二阶段扩产至83K/M已完成所需的设备选型和商务流程，预计将比原计划提前完成项目整体建设。25Q3产能折合8寸新增约21K/M（折合12寸约9.3K/M），从2024年底的391K/M增长至468K/M。图：华虹半导体ASP（美元/片，右）和出货量（K，左）证券研究报告243.3.2 2 3.3.2 2 华华虹虹半半导导体：体：华华虹虹半半导导体：体：FaFab b 5 5FaFab b 5 5注注入入启启动，动，收购华收购华力微“力微“分步走分步走”注注入入启启动，动，收购华收购华力微“力微“分步走分步走”资料来源：公司官网，申万宏源研究拟通过发行股份及支付现金的方式购买上海华力微电子有限公司股权并募集配套资金，该交易有助于上市公司进一步扩充产能华虹宏力：在上海金桥和张江有三座8英寸晶圆厂（HHGrace Fab 1/2/3）；无锡项目一期合资设立了华虹无锡（HHGrace Fab 7）55/65nm-90nm，产能约94.5K/M；无锡项目二期华虹制造（HHGrace Fab 9）产能约83K/M；上海华力：负责运营华力微（HLMC Fab 5）、华力集成（HLMC Fab 6）两座12英寸产线，产能各约40K/M，以及成都的华力成都（HLMC Fab 10），目前正在建Fab X以及Fab Y；华虹半导体华虹一厂华虹无锡华虹宏力华虹二厂华虹三厂华虹七厂上海张江上海金桥江苏无锡华力微华力集成华虹五厂华虹六厂上海张江上海康桥8寸12寸12寸12寸华虹九厂上海华力华虹十厂四川成都华力成都12寸华虹X厂12寸承诺注入华虹Y厂12寸证券研究报告253.3.3 3 3.3.3 3 晶晶合合集集成成：坐：坐稳稳晶晶合合集集成成：坐：坐稳稳DDIDDIDDIDDI领领军，依军，依托地利托地利之便拓之便拓展多元展多元品类品类领领军，依军，依托地利托地利之便拓之便拓展多元展多元品类品类根据港股招股书，按营收计公司DDIC领域代工市占率26.6%排名第一，CIS领域代工市占率3.5%排名第五；公司受益于DDIC国产化以及CIS大客户拉动，持续拓展非显示领域，N3工厂皖芯集成引入外部投资者实现快速扩张。公司于2025年9月29日正式申报H股，拟筹资用于：1）研发及优化新一代22nm技术平台；2）基于AI技术的智能研发及生产；3）在中国香港建立研发及销售中心；4）用于运营资金及一般企业用途。资料来源：公司公告，Wind，申万宏源研究图：晶合集成分业务营收（单位：百万元）图：晶合集成产能（单位：K/M）证券研究报告263.3.4 4 3.3.4 4 芯芯联联集集成成：稀：稀缺一站缺一站式集成式集成代工，代工，构建三构建三条成长条成长曲线曲线芯芯联联集集成成：稀：稀缺一站缺一站式集成式集成代工，代工，构建三构建三条成长条成长曲线曲线芯联集成主营为MEMS、IGBT、MOSFET、模拟IC、MCU一站式集成服务，为汽车、新能源、工控、家电等领域提供完整的系统代工解决方案。根据Chip Insights发布的2024年全球专属晶圆代工排行榜，芯联集成收入排名首次进入全球第十（扣除模组封装收入），为中国大陆第四。专注特色工艺平台，构建三条成长曲线。第一增长曲线：IGBT、MOSFET、MEMS为主的8英寸硅基芯片及模组产线；第二增长曲线：SiC MOSFET芯片及模组；第三增长曲线：以高压、大功率BCD工艺为主的模拟IC。资料来源：公司官网，申万宏源研究表：芯联集成各领域行业地位领先图：芯联集成产品及产线布局领域时间行业地位IGBT芯片出货量2023年中国第一SiC MO