全控型电力电子器件.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第4章 全控型电力电子器件,第4章 全控型电力电子器件,4.1 门极可关断晶闸管(,GTO),4.2,大功率晶体管（,GTR）,4.3,功率场效应晶体管,4.4 绝缘栅双极型晶体管,4.5 其它新型电力电子器件,习题及思考题,门极可关断晶闸管(,Gate Turn Off,thyristor,),简称,GTO。,它具有普通晶闸管的全部特性，如耐压高（工作电压可高达6000,V）、,电流大（电流可达6000,A),以及造价便宜等；同时它又具有门极正脉冲信号触发导通、门极负脉冲信号触发关断的特性，而在它的内部有电子和空穴两种载流子参与导电，所以它属于全控型双极型器件。它的电气符号如图4-,1,所示，,有阳极,A、,阴极,K,和门极,G,三个电极。,4.1 门极可关断晶闸管(,GTO),图4-,1,GTO,的电气符号,4.1.1,GTO,的基本工作原理,GTO,的工作原理与普通晶闸管相似，其结构也可以等效看成是由,PNP,与,NPN,两个晶体管组成的反馈电路。两个等效晶体管的电流放大倍数分别为,1,和,2,。GTO,触发导通的条件是：当它的阳极与阴极之间承受正向电压，门极加正脉冲信号（门极为正，阴极为负）时，可使,1,+,2,，,从而在其内部形成电流正反馈，使两个等效晶体管接近临界饱和导,通状态。,导通后的管压降比较大，一般为23,V。,只要在,GTO,的门极加负脉冲信号，即可将其关断。当,GTO,的门极加负脉冲信号（门极为负，阴极为正）时，门极出现反向电流，此反向电流将,GTO,的门极电流抽出，使其电流减小，,1,和,2,也同时下降，以致无法维持正反馈，从而使,GTO,关断。因此，,GTO,采取了特殊工艺，使管子导通后处于接近临界饱和状态。由于普通晶闸管导通时处于深度饱和状态，用门极抽出电流无法使其关断，而,GTO,处于临界饱和状态，因此可用门极负脉冲信号破坏临界状态使,其关断。,由于,GTO,门极可关断，关断时，可在阳极电流下降的同时再施加逐步上升的电压，不像普通晶闸管关断时是在阳极电流等于零后才能施加电压的。因此，,GTO,关断期间功耗较大。另外，因为导通压降较大，门极触发电流较大，所以,GTO,的导通功耗与门极功耗均较普通晶,闸管大。,1,最大可关断阳极电流,I,ATO,GTO,的最大阳极电流除了受发热温升限制外，还会由于管子阳极电流,I,A,过大使,1,+,2,稍大于1的临界导通条件被破坏，管子饱和加深，导致门极关断失败，因此，,GTO,必须规定一个最大可关断阳极电流,I,ATO,，,也就是管子的铭牌电流。,I,ATO,与管子电压,上升率、工作频率、反向门极电流峰值和缓冲电路参数有关，在使用中应予以注意。,4.1.2,GTO,的特定参数,2 关断增益,q,这个参数是用来描述,GTO,关断能力的。关断增益,q,为最大可关断阳极电流,I,ATO,与门极负电流最大值,I,GM,之比，即,目前大功率,GTO,的关断增益为35。采用适当的门极电路，很容易获得上升率较快、幅,值足够大的门极负电流，因此在实际应用中不必追求过高的关断增益。,3 掣住电流,I,L,与普通晶闸管定义一样，,I,L,是指门极加触发信号后，阳极大面积饱和导通时的临界电流。,G,TO,由于工艺结构特殊，其,I,L,要比普通晶闸管大得多，因而在电感性负载时必须有足够的触发脉冲宽度。,GTO,有能承受反压和不能承受反压两种类型，在使用时要特别注意。,表4-,1,国产50,A GTO,参数,GTO,设置缓冲电路的目的是：,(1)减轻,GTO,在开关过程中的功耗。,(2)抑制静态电压上升率，过高的电压上升率会使,GTO,因位移电流产生误导通。,4.1.3,GTO,的缓冲电路,用门极正脉冲可使,GTO,开通，门极负脉冲可以使其关断，这是,GTO,最大的优点，但要使,GTO,关断的门极反向电流比较大，约为阳极电流的1/5左右。尽管采用高幅值的窄脉冲可以减少,关断所需的能量，但还是要采用专门的触发驱动电路。,4.1.4,GTO,的门极驱动电路,图 4-3 门极驱动电路,(,a),小容量,GTO,门极驱动电路；(,b),桥式驱动电路；(,c),大容量,GTO,门极驱动电路,GTO,主要用于高电压、大功率的直流变换电路(即斩波电路)、逆变器电路中，例如恒压恒频电源(,CVCF)、,常用的不停电电源（,UPS）,等。另一类,GTO,的典型应用是调频调压电源，即,VVVF，,此电源较多用于风机，水泵、轧机、牵引等交流变频调速系统中。,此外，由于,GTO,的耐压高、电流大、开关速度快、控制电路简单方便，因此还特别适用,于汽油机点火系统。图4-4所示为一种用电感、电容关断,GTO,的点火电路。,4.1.5,GTO,的典型应用,图4-4 用电感、电容关断,GTO,的点火电路,图中,GTO,为主开关，控制,GTO,导通与关断即可使脉冲变压器,TR,次级产生瞬时高压，该电压使汽油机火花塞电极间隙产生火花。在晶体管,V,的基极输入脉冲电压，低电平时，,V,截止，电源对电容,C,充电，同时触发,GTO。,由于,L,和,C,组成,LC,谐振电路，,C,两端可产生高于电源的电压。脉冲电压为高电平时，晶体管,V,导通，,C,放电并将其电压加于,GTO,门极，使,GTO,迅速、可靠地关断。,图中,R,为限电流电阻，,C,1,（0.5,F,）,与,GTO,并联，可限制,GTO,的电压上升率。,大功率晶体管又可称为电力晶体管（,Giant,TRansistor,）,简称,GTR，,通常指耗散功率（或输出功率）1,W,以上的晶体管。,GTR,的电气符号与普通晶体管相同。图4-5所示为某晶体管厂生产的1300系列,GTR,的外观，它是一种双极型大功率高反压晶体管，具有自关断能力，控制方便，开关时间短，高频特性好，价格低廉。目前,GTR,的容量已达400,A/1200 V、1000 A/400 V，,工作频率可达5,kHz，,模块容量可达1000,A/1800 V，,频率为3,0,kHz，,因此也可被用于不停电电源、中频电源和交流电机调速等电力变流装置中。,4.2 大功率晶体管（,GTR）,图4-5,GTR,的外观,4.2.1,GTR,的极限参数,1,集电极最大电流,I,CM,(,最大电流额定值),一般将电流放大倍数,下降到额定值的1/21/3 时集电极电流,I,C,的值定为,I,CM,。,因此，通常,I,C,的值只能到,I,CM,值的一半左右，使用时绝不能让,I,C,值达到,I,CM,，,否则,GTR,的性能将变坏。,2 集电极最大耗散功率,P,CM,P,CM,即,GTR,在最高集电结温度时所对应的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。这部分能量转化为热能使管温升高，在使用中要特别注意,GTR,的散热。如果散热条件不好，会促使,GTR,的平均寿命下降。实践表明，工作温度每增加20，平均寿命差,不多下降一个数量级，有时会因温度过高而使,GTO,迅速损坏。,3,GTR,的反向击穿电压,(1),集电极与基极之间的反向击穿电压,U,CBO,：,当发射极开路时，集,基极间能承受的最高电压。,(2)集电极与发射极之间的反向击穿电压,U,CEO,：,当基极开路时，集,射极间能承受的最高电压。,当,GTR,的电压超过某一定值时，管子性能会发生缓慢、不可恢复的变化，这些微小变化逐渐积累，最后导致管子性能显著变坏。因此，实际管子的最大工作电压应比反向击穿电压,低得多。,4 最高结温,T,jM,GTR,的最高结温与半导体材料的性质、器件制造工艺、封装质量有关。一般情况下，塑封硅管的,T,jM,为125150，金封硅管的,T,jM,为,150170，高,可靠平面管的,T,jM,为175200。,1,二次击穿,处于工作状态的,GTR，,当其集电极反偏电压,U,CE,逐渐增大到最大电压,BU,CEO,时，集电极电流,I,C,急剧增大，,但此时集电结的电压基本保持不变，这叫一次击穿，如图4-6所示。发生一次击穿时，如果有外接电阻限制电流,I,C,的增大，一般不会引起,GTR,的特性变坏。如果继续增大,U,CE,，,又不限制,I,C,的增长，则当,I,C,上升到,A,点（临界值）时，,U,CE,突然下降，而,I,C,继续增大（负阻效应），这时进入低压大电流段，直到管子被烧坏，这个现象称为二次击穿。,4.2.2 二次击穿和安全工作区,图4-6 二次击穿示意图,A,点对应的电压,U,SB,和电流,I,SB,称为二次击穿的临界电压和电,流，其乘积为,P,SB,=,U,SB,I,SB,称为二次击穿的临界功率。当,GTR,的基极正偏时，二次击穿的临界功率,P,SB,往往还小于,P,CM,，,但仍然能使,GTR,损坏。二次击穿的时间在微秒甚至纳秒数量级内，在这样短的时间内如果不采取有效保护措施，就会使,GTR,内出现明显的电流集中和过热点，轻者使器件耐压降低，特性变差；重者使集电结和发射结熔通，造成,GTR,永久性损坏。由于管子的材料、工艺等,因素的分散性，二次击穿难以计算和预测。,GTR,发生二次击穿损坏是它在使用中最大的弱点。但要发生二次击穿，必须同时具备三个条件：高电压、大电流和持续时间。因此，集电极电压、电流、负载性质、驱动脉冲宽度与驱动电路配置等因素都对二次击穿造成一定的影响。一般说来，工作在正常开关状态的,GT,R,是不会发生二次击穿现象的。,2 安全工作区,安全工作区,SOA（Safe Operation Area）,是指在输出特性曲线图上,GTR,能够安全运行的电流电压的极限范围，如图4-7所示。二次击穿电压,U,SB,与二次击穿电流,I,SB,组成的二次击穿功率,P,SB,如图中虚线所示，它是一个不等功率曲线。以3,DD8E,晶体管测试数据为例，其,P,CM,100 W，,U,CEO,200 V，,但由于受到二次击穿的限制，当,U,CE,100 V,时，,P,SB,为60,W;,当,U,CE,200 V,时，,P,SB,仅为28,W，,因此，为了防止二次击穿，要选用足够大功率的管子，实际使用的最高,电压通常要比管子的极限电压低得多。图4-7中阴影部分即为,SOA。,图4-7,GTR,安全工作区,1,基极驱动电路,GTR,基极驱动电路的作用是将控制电路输出的控制信号放大到足以保证,GTR,可靠导通和关断的程度。基极驱动电流的各项参数直接影响,GTR,的开关性能，因此根据主电路的需要正确选择和设计,GTR,的驱动电路是非常重要的。一般来说，我们希望基极驱动电路有如下功能：,(1)提供全程的正、反向基极电流，以保证,GTR,可靠导通与关断（理想的基极驱动电流波,形如图4-8所示）。,4.2.3,GTR,的基极驱动电路及其保护电路,图4-8 理想的基极驱动电流波形,(2)实现主电路与控制电路的隔离。,(3)具有自动保护功能，以便在故障发生时快速自动切除驱动信号，避免损坏,GTR。,(4),电路尽可能简单，工作稳定可靠，抗干扰能力强。,1）简单的双电源驱动电路,电路如图4-9所示，驱动电路与,GTR（V,6,）,直接耦合，控制电路用光耦合实现电隔离，正、负电源（+,U,C2,和-,U,C3,）,供电。当输入端,S,为低电位时，,V,1,V,3,导通，,V,4,、V,5,截止，,B,点电压为负，给,GTR,基极提供反向基极电流，此时,GTR（V,6,）,关断。当,S,端为高电位时，,V,1,V,3,截止，,V,4,、V,5,导通，,V,6,流过正向基极电流，此时,GTR,开通。,图 4-9 双电源驱动电路,2）集成基极驱动电路,THOMSON,公司生产的,UAA4002,大规模集成基极驱动电路可对,GTR,实现较理想的基极电流优化驱动和自身保护。它采用标准的双列,DIP16,封装，对,GTR,基极正向驱动能力为0.5,A，,反向驱动能力为-3,A,也可以通过外接晶体管扩大驱动能力，不需要隔离环节。,UAA4002,可对被驱动的,GTR,实现过流保护、退饱和保护、最小导通的时间限制（,t,on（min）,112,s），,最大导通的时间限制、正反向驱动电源电压监控以及自身过热保护。,图 4-10,UAA4002,内部功能框图各管脚的功能如下：,反向基极电流输出端,I,B2,。,负电源端(-5,V)。,输出脉冲封锁端，为,“,1,”,封锁输出信号，为,“,0,”,解除封锁。,输入选择端，为,“,1,”,选择电平输入，为,“,0,”,选择脉冲输入。,驱动信号输入端。,由,R,-,接负电源，该脚通过一个电阻与负电源相接。当负电源的电压欠压时可起保护作用。负电源欠压保护的门槛电|,U,-,|,min,由式,R,-,R,V,/2（,1+|,U,-,|,min,/5）（k）,决定，若接地，则无此保护功能。,通过电阻,R,V,值决定最小导通时间,t,on（min）,0.06,R,V,s,，,实际中,t,on（min）,可在112,s,之间,调,节。,通过电容,C,V,接地，最大导通时间,t,on(max),2,R,V,C,V,s（,式中,R,V,的单位为,k、,C,V,的单位为,F），,若脚接地，则不限制导通时间。,接地端。,由,R,VD,接地，输出相对输入电压前沿延迟量,T,VD,=0.05,R,VD,s（,式中,R,VD,的单位为,k），,调节范围为112,s。,由,R,SVD,接地，完成退饱和保护。所谓退饱和保护，是指,GTR,一般工作在开关状态，当其基极驱动电流或负载电流降低时，,GTR,会退出饱和而进入放大区，管压降会明显增加。此脚的功能就是，当,GTR,出现退饱和时，切除,GTR,的驱动信号，关断,GTR。,R,SVD,上的电压,U,RSVD,=10,R,SVD,/,R,V,(V)，,当从13脚引入的管压降,U,CE,U,RSVD,时，退饱和保护动作；若11脚接负电源，则无退饱和保护。,过电流保护端，接,GTR,射极的电流互感器。若电流值大于设定值，则过流保护,动作，关断,GTR；,若12脚接地，则无过流保护功能。,13通过抗饱和二极管接到,GTR,的集电极。,14正电源端（1015,V)。,15,输出级电源输入端，由,R,接正电源。调节,R,大小可改变正向基极驱动电流,I,B1,。,16,正向基极电流输出端,I,B1,。,图 4-10,UAA4002,内部功能框图,图4-11是用,UAA4002,作驱动的开关电路实例，其容量为8,A/400 V，,采用电平控制方式，最小导通时间为2.8,s。,由于,UAA4002,的驱动容易扩展，因而可通过外接晶体管驱动各种型号和容,量的,GTR，,也可以驱动功率,MOSFET,管。,图 4-11 由,UAA4002,驱动的开关电路,2,GTR,的保护电路,1),GTR,的过电压保护及,d,i,/,d,t,、,d,u,/,d,t,的限制,在电感性负载的开关装置中，,GTR,在开通和关断过程中的某一时刻，可能会出现集电极电压和电流同时达到最大值的情况，这时,GTR,的瞬时开关损耗最大。若其工作点超出器件的安全工作区,SOA，,则极易产生二次击穿而使,GTR,损坏。缓冲电路可以使,GTR,在开通中的集电极电流缓升，关断中的集电极电压缓升，避免了,GTR,同时承受高电压、大电流。另一方面，缓冲电路也可以使,GTR,的集电极电压变化率,d,u,/,d,t,和,集电极电流变化率,d,i,/,d,t,得到,有效的抑制，防止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏,GTR。,图4-12 缓冲电路,图4-12是一种缓冲电路。在,GTR,关断过程中，流过负载,R,L,的电流通过电感,L,S,、,二极管,VD,S,给电容,C,S,充电。因为,C,S,上的电压不能突变，这就使,GTR,在关断过程中电压缓慢上升，避免关断过程初期,GTR,中电流下降不多时电压就升到最大值的情况，同时也使电压上升率,d,u,/,d,t,被限制。在,GTR,开通过程中，一方面,C,S,经,R,S,、,L,S,和,GTR,回路放电，减小了,GTR,所承受的较大的电流上升率,d,i,/,d,t,；,另一方面，负载电流经电感,L,S,后受到缓冲，也就避免了开通过程中,GTR,同时承受大电流和高电压的情形。,值得注意的是，缓冲电路之所以能减小,GTR,的开关损耗，是因为它把,GTR,开关损耗转移到缓,冲电路内，消耗在电阻,R,S,上，但这会使装置的效率降低。,2),GTR,的过电流保护,(1）,GTR,的,U,CE,识别法。负载过电流或基极驱动电流不足都会导致,GTR,退出饱和区而进入放大区，管压降明显增加。图4-13所示的识别保护电路检测,GTR,管压降并与基准值,U,r,比较，当管压降,U,CE,U,r,时就使驱动管,V,截止，切除,GTR,的驱动信号，关断过流的,GTR。,U,r,的大小取决于需要保护电路动作时的负载电流大小。,U,r,的值通常由它所对应的额定负载电流值确定。由于,GTR,在脱离饱和区时,U,CE,变化,较大，因此过载保护效果很好，它可使,GTR,在几个微秒之内封锁驱动电流，关断,GTR。,图4-13 识别保护电路,(2）,GTR,桥臂互锁保护法,。,若一个桥臂上的两个,GTR,控制信号重叠或开关器件本身延时过长，则会造成桥臂短路。为了避免桥臂短路，可采用互锁保护法，即一个,GTR,关断后，另一个才导通。采用桥臂的互锁保护，不但能提高可靠性，而且可以改进系统的动态性能，提高系统的工作频率。图4-,14,所示为互锁保护的示意图，这种互锁控制是通过与门来实现的，当,A,为高电平时，驱动,GTRA,导通，其发射极输出低电平将另一接口的与门封锁，则,GTR,B,关断。如何判别,GTR,是否关断是互锁保护的关键问题。分析表明，只要,GTR,的,B-E,间已建立足够大的反向电压,U,BE,，GTR,一定被关断（如,ESM6045D,管子的,U,BE,-4 V,时可靠关断）。图4-15 为,U,BE,的识别电路。当,GTR,关断时，,U,BE,-4 V，,恒流源电路中发光二极管因流过稳定电流而发光，以此作为,GT,R,的关断信号。,图 4-14,GTR,桥臂互锁保护示意图,图4-15,U,BE,识别电路,GTR,的应用已发展到晶闸管领域，与一般晶闸管比较，,GTR,有以下应用特点：,(1)具有自关断能力。,GTR,因为有自关断能力，所以在逆变回路中不需要复杂的换流设备，与使用晶闸管相比，不但使主回路简化、重量减轻、尺寸缩小，更重要的是不会出现换流失败的现象，提高了工作的可靠性。,(2)能在较高频率下工作。,GTR,的工作频率比晶闸管高12个数量级，不但可获得晶闸管系统无法获得的优越性,能，而且因频率提高还可降低各磁性元件和电容器件的规格参数及体积重量,。,4.2.4,GTR,的应用,下面介绍几个简单的例子来说明,GTR,的应用。,1),直流传动,GTR,在直流传动系统中的功能是直流电压变换，即斩波调压，如图4-16所示。所谓斩波调压，是利用电力电子开关器件将直流电变成另一固定或大小可调的直流电，有时又称此为直流,变换或开关型,DC/DC,变换电路。,图中,VD,1,V,6,构成一个三相桥式整流电路，获得一个稳定的直流电压。,VD,为续流二极管，作用是在,GTR,关断时为直流电机提供电流，保证直流电机的电枢电流连续。通过改变,GTR,的基极输,入脉冲的占空比来控制,GTR,的导通与关断时间，在直流电机上就可获得电压可调的直流电。,由于,GTR,的斩波频率可高达2,kHz,左右，在该频率下，直流电动机电枢电感足以使电流平滑，这样电动机旋转的振动减小，温升比用晶闸管调速低，从而能减小电动机的尺寸。因此,，在200,V,以下、数十千瓦容量内，用,GTR,不但简便，而且效果好。,图 4-16,GTR,直流斩波调速,2)电源装置,目前大量使用的开关式稳压电源装置中，,GRT,的功能是斩波稳压。与以往的晶体管串联稳压或可控整流稳压相比，其优点是效率高，频率范围一般在音频之外，无噪声，反应快，,滤波元件可大大缩小。,3)逆变系统,与晶闸管逆变器相比，,GTR,关断控制方便、可靠，效率提高10%，有利于节能。图4-,17,给出了电压型晶体管逆变器变频调速系统框图。,主电路由二极管,VD,1,VD,6,构成一个三相桥式整流电路，,C,1,为滤波电容，以获得稳定的直流电压。由,GTR（V,0,）、,L,、,C,2,和续流二极管组成斩波电路，,V,0,的基极电路输入可调的电压信号，则可在,C,2,两端得到电压可调的直流电压。,V,1,V,6,是六个,GTR,构成的三相逆,变电路，每个,GTR,的集发极之间所接的二极管为其缓冲电路。,图 4-17 晶体管逆变调速系统框图,控制电路的工作情况为：阶跃速度指令信号,U,gd,经给定积分器变为斜坡信号，可以限制电动机启动与制动时的电枢电流。此速度指令一方面通过电压调节器、基极电路控制,V,0,基极的关断与导通时间，即控制斩波电路，使输出与逆变器频率成正比的电压，以保证在调速过程中实现恒磁通；另一方面，速度指令经电压频率变换器（振荡器）变成相应脉冲，再经环形分配器分频，使驱动信号每隔60,轮流加在各开关器件,GTR（V,1,V,6,）,上，实现将直流电变成交流电的逆变过程。,当主电路出现过压或过流时，其检测电路输出信号，封锁逆变电路的输出脉冲（环,形分配器），另外还立即封锁开关器件,GTR(V,0,）,的基极电流，实现线路保护。,4.3 功率场效应晶体管,功率场效应晶体管（,Power MOS Field Effect Transistor）,简称,Power MOSFET，,是20世纪70年代中后期开发的新型功率半导体器件，通常又叫绝缘栅功率场效应晶体管，本书简称为,P-MOSFET，,用字母,PM,表示。功率场效应晶体管已发展了多种结构型式，本节主要介绍目前使用最多的单极,VDMOS、N,沟道增强型,PM，,管子符号如图4-18（,a）,所示，三个引脚，,S,为源极，,G,为栅极，,D,为漏极。源极的金属电极将管子内的,N,+,区和,P,区连接在一起，相当于在源极（,S）,与漏极（,D）,间形成了一个寄生二极管。管子截止时，漏源间的反向电流就在此二极管内流动。为了明确起见，常又将,P-MOSFET,的符号用图4-18（,b）,表示。如果是在变流电路中，,P-MOSFET,元件自身的寄生二极管流通反向大电流，可能会导致元件损坏。为避免电路中反向大电流流过,P-MOSFET,元件，在它的外面常并接一个快速二极管,VD,2,，,串接一个二极管,V,D,1,。,因此，,P-MOSFET,元件在变流电路中的实际形式如图4-18（,c）,所示。,图 4-18,PM,图形符号,当栅,源极间的电压,U,GS,0,或0,U,GS,U,V,（,U,V,为开启电压，又叫阈值电压，典型值为24,V）,时，即使加上漏,源极电压,U,DS,，,也没有漏极电流,I,D,出现，,PM,处于截止状态。,当,U,GS,U,V,且,U,DS,0,时，会产生漏极电流,I,D,，PM,处于导通状态，且,U,DS,越大，,I,D,越大。另外，在相同的,U,DS,下，,U,GS,越大，,I,D,越大。,综上所述，,PM,的漏极电流,I,D,受控于栅,源电压,U,GS,和漏,源电压,U,DS,。,(1)输入阻抗高，属于纯容性元件，不需要直流电流驱动，属电压控制器件，可直接与数字逻辑集成电路连接，驱动电路简单。,(2)开关速度快，工作频率可达1,MHz，,比,GTR,器件快10倍，可实现高频斩波，使开关损耗小。,(3)为负电流温度系数，即器件内的电流随温度的上升而下降的负反馈效应，因此热稳定,性好，不存在二次击穿问题，安全工作区,SOA,较大。,4.3.1,P-MOSFET,的主要特性,1,基本电路型式,图 4-19,PM,电路的四种形式,(,a),共源极电路；(,b),共漏极电路；(,c),转换开关电路；(,d),交流开关电路,4.3.2,P-MOSFET,的栅极驱动电路,(1)共源极电路：相当于普通晶体管的共发射极电路，如图4-19(,a),所示。,(2)共漏极电路：相当于射极跟随器,如图4-19(,b),所示。,(3)转换开关电路：,PM,1,与,PM,2,轮流驱动导通可构成半桥式逆变器，如图4-19(,c),所示。,(4)交流开关电路：当,PM,1,、VD,2,导通时，负载为交流正向；当,PM,2,、VD,1,导通时，负载为交流负向，如图4,-19(,d),所示，它是交流调压电路的常用形式。,2 对栅极驱动电路的要求,(1),P-MOSFETR,的栅极提供所需要的栅压，以保证,P-MOSFET,可靠导通。,(2)减小驱动电路的输入电阻以提高栅极充放电速度，从而提高器件的开关速度。,(3)实现主电路与控制电路间的电隔离。,(4)因为,P-MOSFET,的工作频率和输入阻抗都较高，很容易被干扰，所以栅极驱动电路还应具有较强的抗干扰能力。,理想的栅极控制电压波形如图4-20所示，提高栅极电压上升率,d,u,G,/,d,t,可缩短开通时间，但过高会使管子在开通时承受过高的电流冲击。正、负栅极电压的幅值,U,G1,、,U,G2,要小于器件规定的允许值。,图4-20 理想的栅极控制电压波形,3 驱动电路举例,图4-21是一种数控逆变器，两个,P-MOSFET,的栅极不用任何接口电路直接与数字逻辑驱动电路连接。该驱动电路是由两个与非门与,RC,组成的振荡电路。当门输入高电平时，电路起振时，在,PM,1,、PM,2,的栅极分别产生高、低电平，使它们轮流导通，将直流电压变为交流,电压，实现逆变。振荡频率由电容与电阻值决定。,图4-21,P-MOSFET,逆变器,图4-22所示为直流斩波的驱动电路。斩波电源为,U,D,，,由不可控整流器件获得，当管子,PM,2,导通时，负载得电，输出电流,I,o,0。,当,PM,2,关断时，,VD,4,续流，直到,I,o,0，,VD,4,断开，接着,PM,3,导通。,图 4-22 直流斩波的驱动电路,由图4-22可见，由,PM,2,、PM,3,组成的驱动电路实际上是推拉式和自举式电路的结合。当输入电压,U,i,0,时，,PM,1,、PM,3,截止，电容,C,1,沿,V,2,和,C,I3,（P-MOSFET,栅极输入电容）放电，驱动,PM,2,导通；当,U,i,0,时，,PM,1,导通，,U,F,0，V,2,截止，电容,C,I3,上的电荷沿,VD,2,、PM,1,放电，,VD,2,的导通保证了,V,2,可靠截止。,PM,2,关断后，负载电流通过,VD,4,续流，直到,I,o,=,0，,PM,3,受正向电压而导通。,P-MOSFET,在电力变流技术中主要有以下应用：,(1)在开关稳压调压电源方面，可使用,P-MOSFET,器件作为主开关功率器件可大幅度提高工作频率，工作频率一般在200400,kHz。,频率提高可使开关电源的体积减小，重量减轻，成本降低，效率提高。目前，,P-MOSFET,器件已在数十千瓦的开关电源中使用，正逐步取,代,GTR。,4.3.3,P-MOSFET,的应用,(2)将,P-MOSFET,作为功率变换器件。由于,P-MOSFET,器件可直接用集成电路的逻辑信号驱动，而且开关速度快，工作频率高，大大改善了变换器的功能，因而在计算机接口电路中获得了广泛的应用。,(3)将,P-MOSFET,作为高频的主功率振荡、放大器件，在高频加热、超声波等设备中,使用，具有高效、高频、简单可靠等优点。,4.4 绝缘栅双极型晶体管,4.4.1,IGBT,的工作原理,IGBT,的结构是在,P-MOSFET,结构的基础上作了相应的改善，相当于一个由,P-MOSFTET,驱动的厚基区,GTR，,其简化等效电路如图4-23 所示，电气符号如图4-24 所示。,IGBT,有三个电极，分别是集电极,C、,发射极,E,和栅极,G。,在应用电路中，,IGBT,的,C,接电源正极，,E,接电源负极。它的导通和关断由栅极电压来控制。栅极施以正向电压时，,P-MOSFET,内形成沟道，为,PNP,型的晶体管提供基极电流，从而使,IGBT,导通。此时，从,P,区注入到,N,区的空穴（少数载流子）对,N,区进行电导调制，减少,N,区的电阻，使高耐压的,IGBT,也具有低的通态压降。在栅极上施以负电压时，,P-MOSFET,内的沟道消失，,PNP,晶体管的基极电流被切断，,IGBT,关断。由此可知,，,IGBT,的导通原理与,P-MOSFET,相同。,图 4-23,IGBT,的简化等效电路,图4-24,IGBT,的图形符号,4.4.2,IGBT,的特性,IGBT,的伏安特性（又称静态输出特性）如图4-25（,a）,所示，它反映了在一定的栅,射极电压,U,GE,下器件的输出端电压,U,CE,与电流,I,C,的关系。,U,GE,越高，,I,C,越大。与普通晶体管的伏安特性一样，,IGBT,的伏安特性分为截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。值得注意的是，,IGBT,的反向电压承受能力很差，从曲线可知，其反向阻断电压,U,BM,只有几十,伏，因此限制了它在需要承受高反压场合的应用。,图 4-25,IGBT,的伏安特性和转移特性,(,a),伏安特性；(,b),转移特性,1,栅极驱动电路,由于,IGBT,的输入特性几乎和,P-MOSFET,相同，因此,P-MOSFET,的驱动电路同样适用于,IGBT。,1）,采用脉冲变压器隔离的栅极驱动电路,图4-26是采用脉冲变压器隔离的栅极驱动电路。其工作原理是：控制脉冲,u,i,经晶体管,V,放大后送到脉冲变压器，由脉冲变压器耦合，并经,VD,W1,、VD,W2,稳压限幅后驱动,IGBT。,脉冲变压器的初级并接了续流二极管,VD,1,，,以防止,V,中可能出现的过电压。,R,1,限制栅极驱动,电流的大小，,R,1,两端并接了加速二极管，以提高开通速度。,4.4.3,IGBT,的栅极驱动电路及其保护,图4-26 采用变压器隔离的栅极驱动电路,2）推挽输出栅极驱动电路,图4-27是一种采用光耦合隔离的由,V,1,、V,2,组成的推挽输出栅极驱动电路。当控制脉冲使光耦合关断时，光耦合输出低电平，使,V,1,截止，,V,2,导通，,IGBT,在,VD,W1,的反偏作用下关断。当控制脉冲使光耦合导通时，光耦合输出高电平，,V,1,导通，,V,2,截止，经,U,CC,、,V,1,、,R,G,产生的正向电压使,IGBT,开通。,图 4-27 推挽输出栅极驱动电路,3）专用集成驱动电路,EXB,系列,IGBT,专用集成驱动模块是日本富士公司出品的，它们性能好，可靠性高，体积小，得到了广泛的应用。,EXB850、EXB851,是标准型，,EXB840、EXB841,是高速型，它们的内,部框图如图4-28所示，各管脚功能列于表4-2，表4-3是其额定参数。,图 4-28,EXB8,驱动模块框图,表4-2,EXB,系列驱动器管脚功能,表4-3 额 定 参 数,图 4-29 集成驱动器的应用电路,表4-4 推荐的栅极电阻和电流损耗（,EXB850）,表4-5 推荐的栅极电阻和电流损耗（,EXB840）,2,IGBT,的保护,1),过电流保护,IGBT,应用于电力电子系统中，对于正常过载（如电机启动、滤波电容的合闸冲击以及负载的突变等），系统能自动调节和控制，不至损坏,IGBT。,对于不正常的短路故障，要实行过流保护，通常的做法是：,(1)切断栅极驱动信号。只要检测出过流信号，就在2,s,内迅速撤除栅极信号。,(2)当检测到过流故障信号时，立即将栅极电压降到某一电平，同时启动定时器，在定时器到达设置值之前，若故障消失，则栅极电压恢复正常工作值；若定时器到达设定值时故障,仍未消除，则使栅极电压降低到零。这种保护方案要求保护电路在12,s,内响应。,2)过电压保护,利用缓冲电路能对,IGBT,实行过电压抑制并限制过量的电压变化率,d,u,/,d,t,。,但由于,IGBT,的安全工作区宽，因而改变栅极串联电阻的大小可减弱,IGBT,对缓冲电路的要求。然而，由于,IGBT,控制峰值电流的能力比,P-MOSFET,强，因而在有些应用中可不用缓冲电路。,3),过热保护,利用温度传感器检测,IGBT,的壳温，当超过允许温度时，主电路跳闸以实现过热保护。,图 4-30 单管模块的内部电路和输出特性,(,a),单管模块；(,b),输出特性,4.4.4,IGBT,的功率模块,图 4-31 双管模块的内部结构和输出特性,(,a),内部结构；(,b),输出特性,图 4-32 六管模块的内部电路,表4-6 东芝,MG25N2S1,的最大额定值（,T,C,25）,表4-7 东芝,MG25N2S1,的电气特性（,T,C,25）,图 4-33 智能模块内部框图,4.5.1静电感应晶体管（,SIT）,静电感应晶体管（,Static Induction Transistor）,简称,SIT，,从20世纪70年代开始研制，发展到现在已成为系列化的电力电子器件。它是一种多子导电的单极型器件，具有输出功率大，输入阻抗高，开关特性好，热稳定性好以及抗幅射能力强等优点。现已商品化的,SIT,可工作在几百,kHz，,电流达300,A，,电压达2000,V，,已广泛用于高频感应加热设备（如200,kHz、200 kW,的高频感应加热电源）中。,SIT,还适用于高音质音频放大器、大功率中频广播发射机,、电视发射机以及空间技术等领域。,4.5 其它新型电力电子器件,1,SIT,的工作原理,图 4-34,SIT,的结构及其符号,(,a),结构；(,b),符号,SIT,为常开器件，以,N-SIT,为例，当栅,源电压,U,GS,大于或等于零，漏,源电压,U,DS,为正向电压时，两栅极之间的导电沟道使漏,源之间导通。当加上负栅,源电压,U,GS,时，栅源间,PN,结产生耗尽层。随着负偏压,U,GS,的增加，其耗尽层加宽，漏,源间导电沟道变窄。当,U,GS,=,U,P,（,夹断电压）时，导电沟道被耗尽层夹断，,SIT,关断。,2,SIT,的待性,图4-35所示为,N,沟道,SIT,的静态伏安特性曲线。当漏,源电压,U,DS,一定时，对应于漏极电流,I,D,为零的栅源电压称为夹断电压,U,P,。,在不同,U,DS,下有不同的,U,P,，,漏源极电压,U,DS,越大，,U,P,的绝对值越大。,SIT,的漏极电流,I,D,不但受栅极电压,U,GS,控制，同时还受漏极电压,U,DS,控制，当栅,源电压,U,GS,一定时，随着漏,源电压,U,DS,的增加，漏极电流,I,D,也线性增加，其大小由,SI,T,的通态电阻决定。因此，,SIT,不但是一个开关元件，而且是一个性能良好的放大元件。,图4-35,N-SIT,静态伏安特性,SIT,的导电沟道短而宽，适应于高电压、大电流的场合；它的漏极电流具有负温度系数，可避免因温度升高而引起的恶性循环。,SIT,的漏极电流通路上不存在,PN,结，一般不会发生热不稳定和二次击穿现象，其安全工作区范围较宽。它的开关速度相当快，适用于高频场合。例如2,SK183U（60 A/1500 V）,的开通和关断时间分别为,t,on,250ns，,t,off,300 ns；TS300U（180 A/1500 V）,为,t,on,359 ns，,t,off,350 ns。,SIT,的栅极驱动电路比较简单。一般来说，关断,SIT,需要加数十伏的负栅压(-,U,GS,)，,使,SIT,导通可以加56,V,的正栅极偏压(,U,GS,)，,以降低器件的通态压,降。,静电感应晶闸管（,Static Induction,THyristor,）,简称,SITH。,它属于双极型开关器件，自1972年开始研制并生产，发展至今已初步趋于成熟，有些已经商品化。与,GTO,相比，,SITH,有许多优点，比如通态电阻小，通态压降低，开关速度快，损耗小，,d,i,/,d,t,及,d,u,/,d,t,耐量高等，现有产品容量已达1000,A/2500 V、2200 A/450 V、400