资源描述
单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,.,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,.,*,第 七 章,-,半 导 体 存 储 器,.,教学内容,7.1,概述,7.2,只读存储器,7.3,随机存储器,7.4,存储容量的扩展,7.5,用存储器实现组合逻辑函数,.,教学要求,1.,了解二极管、晶体管,ROM,的基本结构和存储单元结构;会用,ROM,实现组合逻辑函数。,2.,熟悉,RAM,的结构和操作过程;了解,RAM,的扩展方式。,.,7.1,概述,半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。,按存储功能分,只读存储器(,ROM,),随机存储器(,RAM,),按制造工艺分,双极性,MOS,型,.,7.2,只读存储器(,ROM,),优点:,电路结构简单,断电后数据不丢失,具有非易失性。,缺点:,只适用于存储固定数据的场合。,电路结构,R,ead,O,nly,M,emory,.,只读存储器分类:,掩膜,ROM,:,出厂后内部存储的数据不能改动,只 能读出。,PROM,:,可编程,只能写一次。,EPROM:,用紫外线擦除,擦除和编程时间较慢,次数也不宜多。,E,2,PROM:,电信号擦除,擦除和写入时需要加高电压脉冲,擦、写时间仍较长。,快闪存储器,(Flash Memory),:,吸收了,EPROM,结构简单,编程可靠的优点,又保留了,E,2,PROM,用隧道效应擦除的快捷特性,集成度可作得很高。,.,7.3,随机存储器(,RAM,),优点:,读、写方便,使用灵活。,缺点:,一旦停电所存储的数据将随之丢失(易失性)。,基本结构:,地址译码器、存储矩阵和读,写控制电路构成。,R,andom,A,ccess,M,emory,.,.,.,P368,图,7.3.2,.,7.4,存储容量的扩展,字线,位线,存储容量字数,位数,存储容量,2,2,4,44,地址输入端,数据输出端,.,位扩展,8,片,10241,位,RAM,接成,10248,位的,RAM,。,.,字扩展,4,片,2568,位的,RAM,接成,1024 8,位的,RAM,。,.,7.5,用存储器实现组合逻辑函数,例,7.5.2,试用,ROM,产生如下一组多输出逻辑函数,.,解:,化为最小项之和的形式:,.,.,.,
展开阅读全文