PECVD工艺培训.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,PECVD,工艺培训,彭文磊,2011.01.12,目 录,总述,PECVD,设备简介,3 PECVD,的基本原理与工艺,4,PECVD,检测介绍,5,注意事项,1,、,PECVD,工序在太阳电池制造中的位置,清洗制绒,磷扩散形成,p-n,结,腐蚀，去磷硅玻璃,PECVD,沉积,SiNx,印刷,烧结,测试,分选包装,2,、二厂,PECVD,设备介绍,设备厂家：上下料设备,台达,PE,设备,ROTH&RAU,PECVD,设备有三个腔体，分别是上料腔，工艺腔（包括预热、沉积和冷却三部分）和下料腔。各腔体直接有闸门阀隔开。,gate1,gate2,gate3,gate4,石墨载板,载板外观图,挂钩，支撑电池片,尺寸：,158*158,5*9=45,U,型槽,U,型槽,NH3,入口,Si,3,H,4,入口,特气管,石英管，及导电铜管,等离子源,U,型槽截面图,石墨载板,石英管,磁体,铜管,氨气入口,高密度等离子区,硅烷入口,硅片,4,、,PECVD,检测介绍,目前我们使用为,SENTECH,的,SE 400adv PV,激光椭偏仪,测量：,对太阳能电池采用不同的测试样品台。其中金字塔绒面单晶硅电池采用倾斜样品台测试，,其他绒面的单晶硅和多晶硅电池采用水平固定样品台测试。,选择预选设定的,针对太阳能电池的,Recipe,，并点击,“Measure”,按钮后开始运行测量。当次测量结果显示在软件右上位置。在,Protocol,中关注,deg of polarization,（偏振角度）值要,大于,0.95,。,5,、操作流程及注意事项,1.目的,本文规定了,C2 PECVD,工序的基本操作流程。,2.,适用范围,本规定适用于,C2 PECVD,工序。,PECVD,操作流程：,3,、内容,3.1,生产准备,3.1.1,进入车间时必须穿好工作服、工作鞋，戴工作帽、手套和防尘口罩，衣着标准严格按照,6S,执行，不得穿着工作服在车间外活动，进入车间必须走风淋室。,3.1.2,做好工艺卫生，接班后用酒精和无尘布擦拭机器传送带，使自动上下料设备保持清洁，并及时清理碎片。,3.2,操作流程,3.2.1,启动工艺,在,Roth,Rau,操作界面上，进入,OP,操作界面，点击“控制”，选择设定的工艺，启动工艺。等到等离子源全部启动之后，对石墨板预热至少一轮之后，进行生产。,3.2.2,上料,装满去,PSG,后硅片的,Schmid,花篮运输到,PECVD,上料台，保证扩散面向下。启动上下料设备，进入自动状态，进行生产。并确保,PSG,后硅片产出一小时内进入,PECVD,镀膜。,3.2.3,镀膜检测与不良检验,镀膜检测：硅片镀膜之后，选取石墨板规定位置的硅片检验膜厚与折射率。,不良检验：在上下料设备的,lift,处每,4,板，随机抽取一列观察其镀膜情况，若有不良及时返工。,3.2.4,下料,将空的,Baccini,花篮放在卸料台上，硅片镀膜之后，由上下料设备装入片盒，将片盒从下料台上取下，送到丝网印刷工序。,3.2.5,设备,PM,事项,3.2.5.1,设备,PM,或开腔体之后需将载板空跑一轮后方可生产，空运行期间由工艺人员调整工艺。,3.2.5.2,开始生产时，先做,1,板硅片进行跟踪，如果膜厚折射率异常，及时通知工艺人员进行调整，异常消除后方可生产。,3.3,仪器,/,工具,/,材料,仪器：,Roth&Rau,、椭偏仪,工具：,Schmid,花篮、,Baccini,花篮、石墨板。,材料：,PSG,后硅片,3.3,注意事项,3.3.1,注意去,PSG,后硅片方向，确保扩散面向下。,3.3.2,生产之前必须在工艺启动状态下预热石墨板，至少预热一轮。,3.3.3,保证抽检硅片位置与顺序准确。,3.3.4,上料片盒每次设备,PM,时用无尘布,+,酒精擦拭一次。,3.3.5,任何人未经允许不得更改工艺参数。,其他事项,-SPC,（,1,）监控项目：膜厚,折射率,（,2,）监控范围：,膜厚：目标,85nm,，控制上下限范围,3nm,，规格上下限范围,5nm,；折射率：目标,2.05,，控制上下限范围,0.03,规格上下限范围,0.05,（,3,）监控频率：,5,片,/,板,5,点,/,片,（,4,）量测方法：下料时取规定板号规定位置硅片用椭偏仪测量其膜厚和折射率。将测量结果、流程单号等信息详细记录。,谢谢,