阈值电压学习教案.ppt

Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,*,单击此处编辑母版标题样式,会计学,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,会计学,1,阈值电压,第一页，共26页。,反型层在漏源之间的导电通道(tngdo)，称为沟道。由于沿着垂直沟道方向上电子浓度不同，电导率不同。平均电导率表示为：,一、沟道(u do)电导,沟道(u do)宽度,感应的沟道电子电荷,第1页/共25页,第二页，共26页。,沟道(u do)电导为：,沟道(u do)电导为：,第2页/共25页,第三页，共26页。,MOSFET阈值电压(diny)VTH是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压(diny)。,由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。,在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(如50A)时的栅源电压(diny)为阈值电压(diny)。从使用角度讲，希望阈值电压(diny)VTH小一些好。,阈值电压(diny)是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压(diny)，因此，它是MOSFET的非常重要参数。,二、阈值电压,第3页/共25页,第四页，共26页。,VGVTH，才出现负的感应沟道(u do)电荷QI，则有阈值电压：,或：,强反型时的表面(biomin)势,强反型时所需要(xyo)的电压：,第4页/共25页,第五页，共26页。,三、实际(shj)MOS的C-V特性和阈值电压,1、功函数(hnsh)的影响,对于铝的功函数比P型硅的小（前者的费米能级比后者的高）构成MOS系统，当达到热平衡时，系统的费米能级为常数；功函数差的存在使面对二氧化硅一侧的硅表面形成空间电荷区。空间电荷区中能带将向下弯曲；这意味着当MOS系统没有外加偏压时，半导体表面就存在着表面势，且 0。,因此，欲使能带平直，即除去功函数差所带来的影响(yngxing)，就必须在金属电极上加一负电压。,第5页/共25页,第六页，共26页。,由于(yuy)金属-半导体功函数差导致空间电荷区能带向下弯曲,铝的相对(xingdu)于SiO2修正功函数,硅的相对于SiO2修正(xizhng)功函数,MOS,系统中，应考虑从金属和半导体中的费米能级到,SiO,2,的导带边缘的修正功函数,第6页/共25页,第七页，共26页。,使能带平直(pn zh)，需在金属电极上加一负电压：,表面势 0,能带将向下(xin xi)弯曲,第7页/共25页,第八页，共26页。,根据上图，可得硅的修正(xizhng)功函数：,修正亲和势实验值,：,E,g,1.1eV,图6-11,Al-SiO,2,-Si,结构的能带图,第8页/共25页,第九页，共26页。,由于接触电势差的出现，使得平带状况所对应的外加偏压VG=0改变为VG=VG1。外加偏压VG的一部分VG1用于使能带平直(pn zh)，另一部分VG-VG1起到理想MOS系统的作用。实际系统的电容C作为VG-VG1的函数，与理想MOS系统的电容C作为VG的函数，在形式上是一样的。,第9页/共25页,第十页，共26页。,2、界面陷阱和氧化物电荷(dinh)的影响,图6-12 热氧化形成的Si-SiO2系统(xtng)中的各类电荷,热平衡时MOS系统，还受到氧化层电荷(dinh)和Si-SiO2界面陷阱的影响,第10页/共25页,第十一页，共26页。,界面陷阱电荷Qit，归功于Si-SiO2界面性质，并取决于界面的化学成分；,在Si-SiO2界面上的陷阱，其能级(nngj)位于硅禁带之内。,界面态密度(单位面积陷阱数)和晶面取向有关。在(100)面界面态密度比(111)面的约少一个数量级，对于硅(100)面，Qit很低，约1010cm-2，即大约105个表面原子才有一个界面陷阱电荷，对于硅(111)面，Qit约为1011cm-2。,界面陷阱(xinjng)电荷Qit,（1）影响阈值电压的电荷(dinh)因素,第11页/共25页,第十二页，共26页。,氧比物固定电荷Qf位于Si-SiO2界面约3nm的范围内，这些电荷是固定的，在表面势大幅度变化时，它们不能充放电。Qf通常是正的，并和氧化、退火条件以及Si的晶面取向有关，经过仔细处理的Si-SiO2系统，(100)面的氧化层固定电荷密度的典型值为1010cm-2，(111)面的为51010cm-2。,因为(100)面的Qit和Qf较低，故硅MOSFET一般(ybn)采用(100)晶面,氧化物固定(gdng)电荷Qf,第12页/共25页,第十三页，共26页。,氧比物陷阱电荷Qot和二氧化硅缺陷有关(yugun)。这些陷阱分布在二氧比硅层内；和工艺过程有关(yugun)Qot大都可以通过低温退火来消除。,氧化物陷阱(xinjng)电荷Qot,第13页/共25页,第十四页，共26页。,可动离子电荷Qm(诸如钠离子和其他碱金属离子)在高温和高压下工作时，它们能在氧化层内移动；半导体器件在高偏置电压和高温条件下工作时的可靠性问题可能(knng)和微量的碱金属离子沾污有关。在高偏置电压和高温条件下，可动离子随着偏置条件的不同可以在氧化层内来回移动，引起C-V曲线沿电压轴移动。因此，在器件制造过程中要特别注意可动离子沾污问题。,可动离子(lz)电荷Qm,第14页/共25页,第十五页，共26页。,（2）电荷对平带电压(diny)的影响,设单位面积上有正电荷Q0位于x处的一薄层(bo cn)内。这些正电荷会在正金属表面上感应一部分负电荷QM，在半导体表面感应出一部分负电荷QS，并且QM+QS=Q0；由于QS的出现，在没有外加偏正VG的情况下，半导体表面内也将出现空间电荷区，能带发生弯曲，半导体表面带有正的表面势 。,第15页/共25页,第十六页，共26页。,显然(xinrn)，有：,单位(dnwi)面积的总氧化层电容,为克服(kf)该表面势，可以在金属电极上加一负电压VG2，使得金属上负的面电荷QM增加到与绝缘层中的正电荷Q0数值相等，这样使氧化层的正电荷发出电力全部终止到金属电极上而对半导体表面不发生影响。这时半导体表面恢复到平带情况(不考虑功函数差的影响)。,即：,第16页/共25页,第十七页，共26页。,图6-13 氧化层内薄层(bo cn)电荷的影响,绝缘层中正电荷对平带电压的影响与它们的位置有关(yugun)。它们离金属电极越近，对平带电压的影响越小。如果正电荷在金属与绝缘层界面附近，则对平带电压的影响可忽略不计。,V,G2,第17页/共25页,第十八页，共26页。,图6-13 氧化(ynghu)层内薄层电荷的影响,第18页/共25页,第十九页，共26页。,如果氧化层中正电荷(dinh)连续分布，电荷(dinh)体密度为(x)，则有：,式中：,有效面电荷，依赖于其在绝缘层中的分布(fnb)情况,单位面积(min j)的电荷,(6-,4-5),(6,-4-4),(6,-4-6),第19页/共25页,第二十页，共26页。,同理，如果已知氧化层内陷阱(xinjng)电荷的体密度ot(x)和可动离子电荷体密度m(x)，则可以得到Qot和Qm，以及它们各自对平带电压的影响：,把上述四种电荷(dinh)称为氧化层电荷(dinh)，记为Q0，在大多数情况，在Si-SiO2界面上由表面态引起的电荷(dinh)占优势。,(6-,4-8),(6-,4-8),第20页/共25页,第二十一页，共26页。,取,x,=,x,0,3、实际(shj)阈值电压VTH,实际(shj)阈值电压,四种电荷称为(chn wi)氧化层电荷，记为Q0。,第21页/共25页,第二十二页，共26页。,实际阈值电压影响(yngxing)因素：,为消除(xioch)半导体与金属感函数差的影响；金属电极相对于半导体所需要外加的电压；,为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要外加的电压；,半导体表面开始出现强反型时，半导体空间电荷区中电荷QB与金属电极的相应电荷在绝缘层上所产生的电压降。即支撑出现强反型所需要体电荷QB的外加电压；,开始出现强反型时，半导体表面所需要的表面势，即跨接在空间电荷区上的电压降。,第22页/共25页,第二十三页，共26页。,4、实际MOS电容(dinrng)的C-V特性曲线,出现平带状态，由原来的理想MOS电容的VG=0，改变为：VG=VFB。一般情况下，VG的一部分VFB用来使能带平直，剩下一部分VGVFB起到理想MOS电容系统的作用(zuyng)。因此，C-V特性曲线整个平移一段距离VFB。由于VFB 0，所以C-V特性曲线向左移动。,第23页/共25页,第二十四页，共26页。,由于界面陷阱电荷作用曲线(qxin)（c）变形,第24页/共25页,第二十五页，共26页。,内容(nirng)总结,会计学。由于沿着垂直沟道方向上电子浓度不同，电导率不同。功函数差的存在使面对二氧化硅一侧的硅表面形成空间电荷区。图6-13 氧化层内薄层电荷的影响。绝缘层中正电荷对平带电压的影响与它们的位置有关。为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要外加的电压。由于VFB 0，所以C-V特性曲线(qxin)向左移动。由于界面陷阱电荷作用曲线(qxin)（c）变形。第24页/共25页,第二十六页，共26页。,